JP2005228803A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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Abstract
【課題】 エッチングによるポリイミド膜のパターンサイズの減少を抑止すると共に、加工によって素子特性を変化させる恐れのない半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板2上にポリイミドをスピンコートにより堆積し、ポリイミド膜1を形成する。続いて、CVDによりポリイミド膜1の上にSiO2を堆積してSiO2膜3を形成する。SiO2膜3をパターニングし、SiO2膜3をマスクとして、O2を用いたプラズマ4によりポリイミド膜1のドライエッチングを行う。ポリイミド膜1を含む半導体基板2上に薄いSiO2膜をCVDにより堆積し、さらにその上に、ヒータの材料となる導電性膜5を真空蒸着法またはスパッタ法により堆積する。この導電性膜5をドライエッチングによりパターニングすると所望の構造が得られる。
【選択図】 図1
Description
この発明は、導波路型光スイッチの駆動回路などに用いられる薄膜ヒータを備えた半導体装置の製造方法に関し、特に薄膜ヒータと半導体基板との間に断熱層を設けた半導体装置およびその製造方法に関する。
微小領域を加熱する用途で用いられる発熱素子として薄膜ヒータが提案されている。薄膜ヒータは、例えば熱によって光路の切替を行う導波路型光スイッチの駆動回路などに応用される。このような薄膜ヒータを備えた半導体装置は主に、シリコンなどの半導体基板と、半導体基板上の断熱層と、断熱層上に形成される薄膜ヒータとから構成される。半導体基板上には各種の素子が形成されており、それらの素子を熱から保護するために上記の断熱層が設けられている。この断熱層として、例えばポリイミドが用いられる。ポリイミドは半導体基板との密着性が悪いため、ポリイミド層を半導体基板全体にわたって設けると、ポリイミドがはがれてしまうことがある。これを防ぐために、ポリイミド層をパターニングし、半導体基板との接着面積を小さくすることが行われている。
次に、従来の薄膜ヒータを備えた半導体装置の製造方法を以下で説明する。まず、シリコンなどの半導体基板上に断熱層となるポリイミドを堆積し、ポリイミド層の表面にレジストを塗布する。続いて従来のフォトリソグラフィー技術を用いてマスクパターンをレジスト表面に転写し、現像する。続いてレジストをマスクとし、TMAH(Tetramethylammoniumhydroxide:テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド)などを用いてポリイミドをエッチングする。エッチングによってパターニングされたポリイミドの上に薄膜ヒータとなる導電性材料を堆積する。この導電性材料による導電性膜をドライエッチングしてパターニングする。
断熱層として働くポリイミドは種類によって熱伝導率が異なり、熱伝導率の高いポリイミドを用いる場合には、所定の断熱性を得るために、ポリイミドを比較的厚く堆積することがある。図5はポリイミドを厚く堆積する場合のヒータ回路の製造方法を示す図である。まず、図5(a)のように、半導体基板2上にポリイミドを塗布し、ポリイミド膜1を形成する。このポリイミド膜1上にレジストを堆積し、フォトマスクを用いてレジスト表面にマスクパターンを転写、現像する。
続いてレジストをマスクとし、TMAHなどを用いてポリイミドをエッチングすると、図5(b)のようにサイドエッチングによってひさし状のポリイミド残滓6を含む形状が形成される。これは、ポリイミドとレジストとの密着性が良く、レジストと接触しているポリイミドのエッチングが抑制されるためである。図5(c)のようにポリイミド膜1を含む半導体基板2の表面に対して、プラズマ4によるドライエッチングを行うと、同図(d)のようにポリイミド残滓6が除去される。最後に導電性材料を堆積し導電性膜5を形成する。
なお、特許文献1には、ウェットエッチを用いないドライエッチングによる有機絶縁樹脂層の加工方法が記載されている。本方法は、アクリル系のレジストを用い、現像処理後に中性アルカリ金属塩水溶液中で含浸処理を行い、レジスト層の表面部にアルカリ金属を含浸させた後にドライエッチングを行う方法で、ドライエッチング時のレジストパターンの目減りを防ぎ、被エッチング層を所望の形状に製作することができる。
特開2000−243741号公報
しかし、上述した従来の半導体装置の製造方法においては、以下の問題点があった。第一に、ポリイミドのパターニングをウェットエッチングにより行っていたため、レジストパターンの端部直下のポリイミドがエッチングされるサイドエッチングが生じ、これによりパターニング後のポリイミドの形状に寸法シフトが生じ、ポリイミドのパターンの寸法がマスクパターンの寸法よりも若干小さくなってしまうという問題点があった。したがって、最終的なポリイミドの形状を事前に予想してマスクを設計する手間があると共に、微細なパターンを設計することができないという問題があった。
第二に、ポリイミドを堆積し、ウェットエッチングを行うと、ポリイミドの種類や厚みによっては、上部に図5(c)のようなひさし状のポリイミドが残ることがある。このひさしの上に導電性膜を堆積し、配線を形成すると、ひさしの端部に断線が生じるという問題点があった。これを避けるために、ポリイミドをあまり厚く堆積することができなかった。また、ポリイミドを厚く堆積してウェットエッチングを行った場合、ひさし状のポリイミドが残るので、このポリイミドを除去するためのドライエッチングが新たに必要となる。すると、このドライエッチングによりポリイミドの膜厚が減少してしまうという問題点があった。また、ドライエッチングを行っても、完全にひさし状のポリイミドを除去することができなかったり、空洞ができたりすることがあり、その上の配線に断線が生じることがあった。
また、特許文献1に記載された加工方法における問題点は、レジストの含浸処理に伴い、陽イオンがトランジスタ酸化膜に侵入し、素子特性を変化させる恐れがあることである。
本発明は、上述した問題点に鑑みてなされたものであって、エッチングによるポリイミド膜のパターンサイズの減少を抑止すると共に、加工によって素子特性を変化させる恐れのない半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明は上記の課題を解決するためになされたもので、請求項1に記載の発明は、半導体基板上に断熱材料を堆積し、第1の層を形成する工程と、前記第1の層上に半導体材料の酸化物を堆積し、第2の層を形成する工程と、前記第2の層をエッチングする工程と、前記第2の層をマスクとして前記第1の層をドライエッチングによってエッチングする工程と、前記第2の層を除去し、前記半導体基板および前記第1の層上に導電性材料を堆積し、第3の層を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、前記第2の層をマスクとして前記第1の層をドライエッチングによってエッチングする工程において、O2プラズマを用いることを特徴とする。
請求項3に記載の発明は、請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法において、前記断熱材料は、熱抵抗が1.0×10−6〜3.0×10−5[m2K/W]の範囲内であるポリイミドであることを特徴とする。
請求項4に記載の発明は、半導体基板と、該半導体基板上に形成される断熱材料の第1の層と、前記半導体基板および前記第1の層上に形成された導電性材料の第2の層とを具備し、前記第1の層エッチング時に露出する前記第1の層の端面が平坦であることを特徴とする半導体装置である。
請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の半導体装置において、前記断熱材料は、熱抵抗が1.0×10−6〜3.0×10−5[m2K/W]の範囲内であるポリイミドであることを特徴とする。
この発明によれば、断熱層となるポリイミド膜をドライエッチングによりエッチングするようにしたので、エッチングによるポリイミド膜のパターンサイズの減少を抑止すると共に、加工によって素子特性を変化させる恐れがないという効果が得られる。
以下、図面を参照し、この発明を実施するための最良の形態について説明する。図1は、この発明の一実施形態による半導体装置の製造方法を示す概略工程図である。図において、1は断熱層となるポリイミド膜、2はヒータ回路が形成される半導体基板、3はポリイミド膜1のエッチング時にマスクとなるSiO2膜、4はプラズマ、5はヒータとなる導電性膜である。ポリイミド膜1は熱分解温度が600℃のポリイミドである。なお、ポリイミド膜1として用いられるポリイミドの熱分解温度は350℃以上650℃以下であることが望ましい。
耐熱性のあるポリイミドを用いるのは、SiO2膜3を形成するために化学的気相成長(CVD:Chemical Vapor Deposition)を行う際に、温度を例えば400℃程度の高温まで上げるためである。なお、断熱層に用いる材料として本実施形態においてはポリイミドを用いているが、他の有機材料であって、半導体基板に対して付着性のよい材料であればポリイミドと同様に用いることができる。
次に、図1を用いて本実施形態による半導体装置の製造方法を説明する。まず、図1(a)のように半導体基板2上にポリイミドをスピンコートにより堆積し、ポリイミド膜1を形成する。なお、ポリイミド膜1の厚さは200nm〜3000nmとすることが望ましい。続いて、CVDによりポリイミド膜1の上にSiO2を堆積してSiO2膜3を形成する。なお、SiO2膜3の厚さは500〜1000オングストロームとすることが望ましい。耐熱温度の高いポリイミドを用いるので、SiO2膜3を形成する過程において、ポリイミド膜1がダメージを受けることはない。堆積したSiO2は稠密でひび割れのないものにでき、SiO2膜3をポリイミドのドライエッチングのマスクとすることができる。
続いてSiO2膜3の上にレジストを塗布し、フォトマスクを用いてマスクパターンを転写、現像する。このSiO2膜3の一部を、BHF(バッファードフッ酸:Buffered Hydrogen Fluoride)等を用いたウェットエッチングによって除去する。このとき、ポリイミドはBHFによってエッチングされることはない。酢酸ブチル等の有機溶剤を用いてレジストを除去すると図1(b)のようにポリイミド膜1の上に部分的にSiO2膜3が残る。なお、酢酸ブチルはポリイミドを侵すことはない。
続いて、このSiO2膜3をマスクとし、O2を用いたプラズマ4によりポリイミド膜1のドライエッチングを行う。この工程により、図1(c)のようにポリイミドのパターンが形成される。ポリイミド膜1上のSiO2膜3をBHF等のウェットエッチングによって除去すると、SiO2膜3で覆われていた箇所にポリイミド膜1のパターンが残る(図1(d))。このポリイミド膜1の断面の形状は台形となる。
続いて、ポリイミド膜1を含む半導体基板2上に薄いSiO2膜をCVDにより堆積し、さらにその上に、ヒータの材料となる導電性膜5を真空蒸着法またはスパッタ法により堆積する(図1(e))。この導電性膜5を再びレジストなどをマスクとしてドライエッチングによりパターニングすると所望の構造が得られる。このとき、ポリイミド膜1および半導体基板2は薄いSiO2膜によって覆われているので、ドライエッチングによるダメージを受けない。
図2に、従来および本実施形態による製造方法によって製造された半導体装置の断面を示す模式図である。図2(a)は従来の製造方法によって製造された半導体装置の断面である。従来の半導体装置においては、ウェットエッチングによってエッチングしたポリイミド膜1の、SiO2膜3との接触面に突出部が生じている。なお、このSiO2膜3はSiO2膜3の上に形成される導電性膜のドライエッチング時にポリイミド膜1および半導体基板2がエッチングされないように保護するためのものである。
この突出部が形成されるのは、前述したとおり、ポリイミドとレジストとの密着性が良く、レジストと接触しているポリイミドのエッチングが抑制されるためである。このため、突出部の上に形成されたSiO2膜3も突出した形状となり、この上に形成される導電性膜の配線は断線を生じやすい。図2(b)は本実施形態による製造方法によって製造された半導体装置の断面である。ポリイミド膜1の、SiO2膜3と接触する面が平坦であるため、導電性膜の配線の断線は生じない。
なお、ポリイミドをウェットエッチングによってエッチングした場合には、エッチングがほぼ等方的に進むので、エッチング時に露出するポリイミドの端面は図2(a)のように曲面状となる。一方、ポリイミドをドライエッチングによってエッチングした場合には、エッチング速度が面方向によって異なる異方性エッチングとなるため、エッチング時に露出するポリイミドの端面は図2(b)のようにほぼ平坦となる。
次に、ポリイミドの断熱性に係る計算結果を示す。図3は半導体基板の温度とポリイミドの熱抵抗との関係を求めるためのモデルである。図において7は薄膜ヒータとなる発熱体、8はポリイミド層、9は半導体基板、10はヒートシンクである。また、以下の[数1]〜[数4]は上記の各層において成り立つ関係を表している。
[数1]および[数2]より以下の[数5]が得られる。
上式において、各記号の意味は以下のとおりである。
P:発熱体7の電力
TH:発熱体7の温度
S:発熱体7の面積
WPIX[μm]:ポリイミド層8の厚み
WSI[μm]:半導体基板9の厚み
TSI[℃]:半導体基板9の温度
TSINK:ヒートシンク10の温度
θPIX[m2K/W]:ポリイミド層8の熱抵抗
λPIX[W/m・K]:ポリイミド層8の熱伝導率
θSI[m2K/W]:半導体基板9の熱抵抗
λSI=150[W/m・K]:半導体基板9の熱伝導率
P:発熱体7の電力
TH:発熱体7の温度
S:発熱体7の面積
WPIX[μm]:ポリイミド層8の厚み
WSI[μm]:半導体基板9の厚み
TSI[℃]:半導体基板9の温度
TSINK:ヒートシンク10の温度
θPIX[m2K/W]:ポリイミド層8の熱抵抗
λPIX[W/m・K]:ポリイミド層8の熱伝導率
θSI[m2K/W]:半導体基板9の熱抵抗
λSI=150[W/m・K]:半導体基板9の熱伝導率
図4は[数5]を用いて計算したポリイミド層8の熱抵抗θPIXと半導体基板9の温度TSIとの関係を表すグラフである。なお、[数5]におけるθSIは[数4]より求められる。また、TH、WSI、およびTSINKの各値については、実用上考え得る範囲としてそれぞれ、300[℃]≦TH≦450[℃]、150[μm]≦WSI≦550[μm]および−10[℃]≦TSINK≦45[℃]とした。図4に示すように、計算結果は曲線aおよび曲線bで囲まれる範囲(曲線aおよび曲線bを含む)に収まる。
図4に示されているように、半導体基板9の温度を150℃(半導体の動作限界温度)とするためには、ポリイミド層8の熱抵抗が1.0×10−6m2K/W以上である必要がある。また、ポリイミド層8の熱抵抗の上限値は以下のようにして求まる。一般に入手可能なポリイミドの熱伝導率の下限は0.10W/m・Kであり、製造工程によって定まるポリイミド層8の厚みWPIXの上限は3μmである。したがって、[数3]よりポリイミド層8の熱抵抗の上限値は3.0×10−5m2K/Wとなる。以上から、ポリイミド層8として熱抵抗が1.0×10−6m2K/W以上、3.0×10−5m2K/W以下の範囲にあるポリイミドを用いることにより、半導体基板9の温度を半導体の動作限界温度以下とすることができる。
以上、図面を参照して本発明の実施形態について詳述してきたが、具体的な構成はこれらの実施の形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
本発明は、前述した導波路型光スイッチの駆動回路や、熱によって色や偏向が変わる液晶表示器の駆動回路の製造などに応用することができる。
1・・・ポリイミド膜、2・・・半導体基板、3・・・SiO2膜、4・・・プラズマ、5・・・導電性膜、6・・・ポリイミド残滓、7・・・発熱体、8・・・ポリイミド層、9・・・半導体基板、10・・・ヒートシンク。
Claims (5)
- 半導体基板上に断熱材料を堆積し、第1の層を形成する工程と、
前記第1の層上に半導体材料の酸化物を堆積し、第2の層を形成する工程と、
前記第2の層をエッチングする工程と、
前記第2の層をマスクとして前記第1の層をドライエッチングによってエッチングする工程と、
前記第2の層を除去し、前記半導体基板および前記第1の層上に導電性材料を堆積し、第3の層を形成する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2の層をマスクとして前記第1の層をドライエッチングによってエッチングする工程において、O2プラズマを用いることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記断熱材料は、熱抵抗が1.0×10−6〜3.0×10−5[m2K/W]の範囲内であるポリイミドであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板と、
該半導体基板上に形成される断熱材料の第1の層と、
前記半導体基板および前記第1の層上に形成された導電性材料の第2の層と、
を具備し、
前記第1の層エッチング時に露出する前記第1の層の端面が平坦である
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記断熱材料は、熱抵抗が1.0×10−6〜3.0×10−5[m2K/W]の範囲内であるポリイミドであることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004033630A JP2005228803A (ja) | 2004-02-10 | 2004-02-10 | 半導体装置およびその製造方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008126375A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-23 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | 絶縁電線の製造方法及びその製造装置 |
-
2004
- 2004-02-10 JP JP2004033630A patent/JP2005228803A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2008126375A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-23 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | 絶縁電線の製造方法及びその製造装置 |
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