JP2000275588A - 光導波路型変調器の電極形成方法 - Google Patents
光導波路型変調器の電極形成方法Info
- Publication number
- JP2000275588A JP2000275588A JP11082318A JP8231899A JP2000275588A JP 2000275588 A JP2000275588 A JP 2000275588A JP 11082318 A JP11082318 A JP 11082318A JP 8231899 A JP8231899 A JP 8231899A JP 2000275588 A JP2000275588 A JP 2000275588A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- buffer layer
- electrode
- optical waveguide
- buffer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 バッファ層のオーバーエッチングを無くして
電極の密着を良好にすると共に、下地層が導波路に悪影
響を及ぼすことのない光導波路型変調器の電極形成方法
を提供する。 【解決手段】 導波路６を形成したＬｉＮｂＯ3 基板１
に、ＳｉＯ2 バッファ層２を形成し、その上にＣｒ／Ｎ
ｉ／Ａｕの３層から成る下地層３を設けてＡｕ電極層５
をその上に形成し、導波路６上のバッファ層２をエッチ
ング処理した後、最後にアニール処理を行った。
電極の密着を良好にすると共に、下地層が導波路に悪影
響を及ぼすことのない光導波路型変調器の電極形成方法
を提供する。 【解決手段】 導波路６を形成したＬｉＮｂＯ3 基板１
に、ＳｉＯ2 バッファ層２を形成し、その上にＣｒ／Ｎ
ｉ／Ａｕの３層から成る下地層３を設けてＡｕ電極層５
をその上に形成し、導波路６上のバッファ層２をエッチ
ング処理した後、最後にアニール処理を行った。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬｉＮｂＯ3 基板
上に形成した光導波路型変調器の電極形成方法に関す
る。
上に形成した光導波路型変調器の電極形成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】電気光学的に優れた特性を有するＬｉＮ
ｂＯ3 基板は変調器等の光学回路形成用基板として広く
利用されている。このような従来の光導波路型変調器の
代表的な製造工程を図３に示す。図において、１１はＬ
ｉＮｂＯ3 基板（以下ＬＮ基板とする）、１６はＴｉを
拡散した導波路である。導波路１６を形成したＬＮ基板
１１は工程ｂでＳｉＯ2 バッファ層１２をその表面に成
膜し、工程ｃでアニール処理した後、続いて工程ｄでＴ
ｉ／Ｐｔ／Ａｕの３層から成る下地層１３を蒸着形成す
る。そして、レジスト１４によるパターン形成後に工程
ｆでＡｕ電極層１５をメッキにより形成し、工程ｇ，ｈ
でレジスト１４の除去、導波路上の下地層の除去後、工
程ｉでフッ酸等を使用したウエットエッチングを行い、
導波路１６上のバッファ層１２を除去して光導波路型変
調器を形成していた。
ｂＯ3 基板は変調器等の光学回路形成用基板として広く
利用されている。このような従来の光導波路型変調器の
代表的な製造工程を図３に示す。図において、１１はＬ
ｉＮｂＯ3 基板（以下ＬＮ基板とする）、１６はＴｉを
拡散した導波路である。導波路１６を形成したＬＮ基板
１１は工程ｂでＳｉＯ2 バッファ層１２をその表面に成
膜し、工程ｃでアニール処理した後、続いて工程ｄでＴ
ｉ／Ｐｔ／Ａｕの３層から成る下地層１３を蒸着形成す
る。そして、レジスト１４によるパターン形成後に工程
ｆでＡｕ電極層１５をメッキにより形成し、工程ｇ，ｈ
でレジスト１４の除去、導波路上の下地層の除去後、工
程ｉでフッ酸等を使用したウエットエッチングを行い、
導波路１６上のバッファ層１２を除去して光導波路型変
調器を形成していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記形成方法
ではフッ酸によるウエットエッチングは等方性エッチン
グであるのに加え、アニール処理後のＳｉＯ2 バッファ
層１２はエッチングレートが遅くなるし、下地層接着層
のＴｉもフッ酸によりエッチングされるため、Ｓｉ０2
バッファ層１２をエッチングする際、バッファ層上方が
図４の断面説明図に示すようにオーバーエッチング状態
となり、電極１５及び下地層１３がバッファ層１２から
剥離することもあり、電極の膜強度信頼性等に問題があ
った。そのため、アニール処理をバッファエッチング後
に行う方法が考えられるが、下地層形成後に加熱処理す
ると、下地層１３の接着層に用いているＴｉがバッファ
層１２及びＬＮ基板１１にまで拡散してしまい、光導波
路１６の特性を劣化させる問題を有していた。
ではフッ酸によるウエットエッチングは等方性エッチン
グであるのに加え、アニール処理後のＳｉＯ2 バッファ
層１２はエッチングレートが遅くなるし、下地層接着層
のＴｉもフッ酸によりエッチングされるため、Ｓｉ０2
バッファ層１２をエッチングする際、バッファ層上方が
図４の断面説明図に示すようにオーバーエッチング状態
となり、電極１５及び下地層１３がバッファ層１２から
剥離することもあり、電極の膜強度信頼性等に問題があ
った。そのため、アニール処理をバッファエッチング後
に行う方法が考えられるが、下地層形成後に加熱処理す
ると、下地層１３の接着層に用いているＴｉがバッファ
層１２及びＬＮ基板１１にまで拡散してしまい、光導波
路１６の特性を劣化させる問題を有していた。
【０００４】そこで本発明は、そのような問題点に鑑
み、バッファ層のオーバーエッチングを少なくして電極
の密着を良好にすると共に、下地層が導波路に悪影響を
及ぼすことのない光導波路型変調器の電極形成方法を提
供することを課題とする。
み、バッファ層のオーバーエッチングを少なくして電極
の密着を良好にすると共に、下地層が導波路に悪影響を
及ぼすことのない光導波路型変調器の電極形成方法を提
供することを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、ＬｉＮｂＯ3 基板にＴｉを拡散
して光導波路を形成し、その光導波路に沿った基板上に
バッファ層を形成後、下地層を介して電極を形成する光
導波路型変調器の電極形成方法であって、前記下地層の
最下層にＣｒを用いると共に、バッファ層のアニール処
理をバッファエッチング後に行うことを特徴とする。
め、請求項１の発明は、ＬｉＮｂＯ3 基板にＴｉを拡散
して光導波路を形成し、その光導波路に沿った基板上に
バッファ層を形成後、下地層を介して電極を形成する光
導波路型変調器の電極形成方法であって、前記下地層の
最下層にＣｒを用いると共に、バッファ層のアニール処
理をバッファエッチング後に行うことを特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化した実施の
形態の１例を図面を基に詳細に説明する。図１は本発明
に係る光導波路型変調器の電極形成工程を示す図であ
り、工程ＡはＴｉを拡散して光導波路６を形成したＬｉ
ＮｂＯ3 基板１（ＬＮ基板）を示し、工程ＢでそのＬＮ
基板１にスパッタ等によりＳｉＯ2 バッファ層２を形成
して電極形成工程に入る。工程Ｃでは電極とするＡｕが
確実に密着するように、バッファ層の上に下地層３を蒸
着形成する。
形態の１例を図面を基に詳細に説明する。図１は本発明
に係る光導波路型変調器の電極形成工程を示す図であ
り、工程ＡはＴｉを拡散して光導波路６を形成したＬｉ
ＮｂＯ3 基板１（ＬＮ基板）を示し、工程ＢでそのＬＮ
基板１にスパッタ等によりＳｉＯ2 バッファ層２を形成
して電極形成工程に入る。工程Ｃでは電極とするＡｕが
確実に密着するように、バッファ層の上に下地層３を蒸
着形成する。
【０００７】下地層はＣｒ／Ｎｉ／Ａｕの３層から形成
され、Ｃｒはバッファ層２との密着を良好とするため層
であり、Ｎｉは上部に設けられるＡｕと下部のＣｒとの
密着を保つと共に拡散を防ぐ為のバリア層であり、最上
層のＡｕ層は上部に形成されるＡｕ電極を形成し易く、
またＡｕ電極の密着を良好とするための層となってい
る。
され、Ｃｒはバッファ層２との密着を良好とするため層
であり、Ｎｉは上部に設けられるＡｕと下部のＣｒとの
密着を保つと共に拡散を防ぐ為のバリア層であり、最上
層のＡｕ層は上部に形成されるＡｕ電極を形成し易く、
またＡｕ電極の密着を良好とするための層となってい
る。
【０００８】次に工程Ｄに進み、所定のパターンのレジ
スト膜４を形成し、工程ＥでメッキによりＡｕ電極層５
を形成する。そして、工程Ｆでレジスト膜４を剥離して
電極パターンを形成する。後は工程Ｇ，Ｈで下地エッチ
ング、バッファエッチングをして工程ＩでＳｉＯ2 バッ
ファ層のアニール処理をする。
スト膜４を形成し、工程ＥでメッキによりＡｕ電極層５
を形成する。そして、工程Ｆでレジスト膜４を剥離して
電極パターンを形成する。後は工程Ｇ，Ｈで下地エッチ
ング、バッファエッチングをして工程ＩでＳｉＯ2 バッ
ファ層のアニール処理をする。
【０００９】このように、バッファエッチング後にアニ
ールするので、バッファ層のエッチングは高いエッチン
グレートが得られ、スムーズにエッチングすることがで
きるし、下地層のＣｒはＴｉに比べてフッ酸エッチング
され難いので、図２の断面説明図に示すようにフッ酸を
用いてもオーバーエッチングが少なく、Ａｕ電極５が剥
離するようなことがない。また、アニールにより下地層
最下層のＣｒは付着強度が増し、電極の密着強度が増す
ことがあっても、ＬＮ基板１に形成された光導波路６に
悪影響を及ぼすようなことが無く、電極の膜強度や導波
路の特性の点でも信頼性ある変調器とすることができ
る。
ールするので、バッファ層のエッチングは高いエッチン
グレートが得られ、スムーズにエッチングすることがで
きるし、下地層のＣｒはＴｉに比べてフッ酸エッチング
され難いので、図２の断面説明図に示すようにフッ酸を
用いてもオーバーエッチングが少なく、Ａｕ電極５が剥
離するようなことがない。また、アニールにより下地層
最下層のＣｒは付着強度が増し、電極の密着強度が増す
ことがあっても、ＬＮ基板１に形成された光導波路６に
悪影響を及ぼすようなことが無く、電極の膜強度や導波
路の特性の点でも信頼性ある変調器とすることができ
る。
【００１０】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項１の発明に
よれば、バッファエッチング後にアニールするので、高
いエッチングレートが得られ、バッファ層のエッチング
をスムーズに行うことができ、オーバーエッチング状態
に成り難い。更に、下地層のＣｒはフッ酸エッチングさ
れ難いので更にオーバーエッチングされ難く、Ａｕ電極
が剥離するようなことがないし、アニールによりＣｒは
付着強度が増すことがあっても、光導波路に悪影響を及
ぼすことが無く、電極の膜強度や導波路の特性の点でも
信頼性ある変調器とすることができる。
よれば、バッファエッチング後にアニールするので、高
いエッチングレートが得られ、バッファ層のエッチング
をスムーズに行うことができ、オーバーエッチング状態
に成り難い。更に、下地層のＣｒはフッ酸エッチングさ
れ難いので更にオーバーエッチングされ難く、Ａｕ電極
が剥離するようなことがないし、アニールによりＣｒは
付着強度が増すことがあっても、光導波路に悪影響を及
ぼすことが無く、電極の膜強度や導波路の特性の点でも
信頼性ある変調器とすることができる。
【図１】本発明の実施の形態の１例を示す光導波路型変
調器の電極形成工程図である。
調器の電極形成工程図である。
【図２】図１の形成工程により作成した変調器の断面説
明図である。
明図である。
【図３】従来の光導波路型変調器の電極形成工程図であ
る。
る。
【図４】図３の形成工程により作成した変調器の断面説
明図である。
明図である。
１・・基板、２・・バッファ層、３・・下地層、４・・
レジスト膜、５・・電極層。
レジスト膜、５・・電極層。
Claims (1)
- 【請求項１】 ＬｉＮｂＯ3 基板にＴｉを拡散して光導
波路を形成し、その光導波路に沿った基板上にバッファ
層を形成後、下地層を介して電極を形成する光導波路型
変調器の電極形成方法であって、前記下地層の最下層に
Ｃｒを用いると共に、バッファ層のアニール処理をバッ
ファエッチング後に行うことを特徴とする光導波路型変
調器の電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11082318A JP2000275588A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 光導波路型変調器の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11082318A JP2000275588A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 光導波路型変調器の電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000275588A true JP2000275588A (ja) | 2000-10-06 |
Family
ID=13771231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11082318A Pending JP2000275588A (ja) | 1999-03-25 | 1999-03-25 | 光導波路型変調器の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000275588A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101760180B1 (ko) * | 2015-07-16 | 2017-07-20 | 한국생산기술연구원 | 후면노광을 이용한 광변조기의 전극형성 방법 |
| KR101789026B1 (ko) | 2015-10-23 | 2017-10-23 | 한국생산기술연구원 | 광변조기용 리튬나오베이트(LiNbO3)기판의 제조 방법 |
| CN111841570A (zh) * | 2020-07-24 | 2020-10-30 | 中国科学技术大学 | 一种近红外-可见光谱宽频吸收超材料及其制备方法 |
| CN114738080A (zh) * | 2021-01-07 | 2022-07-12 | 日本碍子株式会社 | 热回收装置及热回收系统 |
-
1999
- 1999-03-25 JP JP11082318A patent/JP2000275588A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101760180B1 (ko) * | 2015-07-16 | 2017-07-20 | 한국생산기술연구원 | 후면노광을 이용한 광변조기의 전극형성 방법 |
| KR101789026B1 (ko) | 2015-10-23 | 2017-10-23 | 한국생산기술연구원 | 광변조기용 리튬나오베이트(LiNbO3)기판의 제조 방법 |
| CN111841570A (zh) * | 2020-07-24 | 2020-10-30 | 中国科学技术大学 | 一种近红外-可见光谱宽频吸收超材料及其制备方法 |
| CN111841570B (zh) * | 2020-07-24 | 2022-04-19 | 中国科学技术大学 | 一种近红外-可见光谱宽频吸收超材料及其制备方法 |
| CN114738080A (zh) * | 2021-01-07 | 2022-07-12 | 日本碍子株式会社 | 热回收装置及热回收系统 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3205103B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0766423A (ja) | 液晶表示装置用アレイ基板 | |
| JP2000275588A (ja) | 光導波路型変調器の電極形成方法 | |
| JP2716156B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US5523187A (en) | Method for the fabrication of liquid crystal display device | |
| JPH0766422A (ja) | 液晶表示装置用アレイ基板 | |
| KR100218501B1 (ko) | 액정 표시 장치의 제조 방법 | |
| JPH10107015A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2000284137A (ja) | ＳｉＯ２バッファ層の形成方法 | |
| JPH05206086A (ja) | 薄膜のエッチング方法 | |
| JPH0837233A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20030147447A1 (en) | Method for manufacturing diffraction grating of Laser Diode | |
| JPH07115132A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06163512A (ja) | エッチング方法 | |
| JPS62196873A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH11191626A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH0118581B2 (ja) | ||
| JPH08236475A (ja) | コンタクト窓の形成方法 | |
| JPH0697405A (ja) | イメ−ジセンサの製造方法 | |
| JPH03297134A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2002124600A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| JPH0794514A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2000208553A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US20020197858A1 (en) | Method for fabricating semiconductor devices | |
| JPH0815536A (ja) | 薄膜導波路素子の形成方法 |