JP2005213610A - めっき装置及びめっき方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板ホルダと36と、基板ホルダ36で保持した基板Wの周縁部に当接して該周縁部を水密的にシールするシール材90と該基板と接触して通電させるカソード電極88を備えたカソード部38と、基板Wに対向する位置に配置されるアノード98と、アノード98と基板Wとの間に配置された保水性材料からなるめっき液含浸体110と、めっき液含浸体110と基板Wを相対運動させる駆動機構を有し、アノード98に電位勾配を持たせるようにした。
【選択図】 図11
Description
このように、アノードとして、不溶解アノードを用いて、アノードの溶解による形状変化を防止することで、アノードを交換することなく、常に一定の放電状態を維持することができる。
請求項4に記載の発明は、前記分割アノードは、同心円状またはチップ状に形成されていることを特徴とする請求項3記載のめっき装置である。
例えば、同心円状に複数に分割された分割アノードを使用することで、基板の中心部と周辺部とで電流密度を変えることができ、チップ状に複数に分割された分割アノードを使用することで、基板のある部分と他の部分とで電流密度を変えることができる。同心円状の分割アノードとチップ状の分割アノードを任意に組合せてアノードを構成してもよいことは勿論である。
これにより、各分割アノードの基板との対向面に凹凸を持たせ、アノードと基板の被めっき面との距離が部分的に異なるようにすることで、アノードと基板の被めっき面との間の電流密度の分布を調整することができる。
これにより、調整機構を介して、任意の分割アノードと基板の被めっき面との間に供給される電流または電圧を任意に変えることで、アノードと基板の被めっき面との間の電流密度の分布を調整することができる。
請求項8に記載の発明は、前記整流機構は、前記各分割アノードまたは分割アノード群毎に抵抗を変化させることが可能な素子または部品を備えた単一の整流器からなることを特徴とする請求項6記載のめっき装置である。
これにより、単一の調整器を使用して各分割アノードまたは分割アノード群毎に抵抗を変化させることで、構造の簡素化を図ることができる。
これにより、例えばアノードと基板の被めっき面との間の電流密度の分布を自動的に最適化することができる。
図1は、本発明の実施の形態におけるめっき装置を備えた基板処理装置の全体配置図を示す。図1に示すように、この基板処理装置には、同一設備内に位置して、内部に複数の基板Wを収納する2基のロード・アンロード部10と、めっき処理を行う2基のめっき装置12と、ロード・アンロード部10とめっき装置12との間で基板Wの受渡しを行う搬送ロボット14と、めっき液タンク16を有するめっき液供給設備18が備えられている。
これにより、基板ホルダ36が図3に示す基板受渡し位置Aに位置する時、押圧棒80は支持板82に当接し上方に押上げられて、押付け片74及びチャック爪76が外方に回動して開き、基板ステージ68を上昇させると、押圧棒80がコイルばね78の弾性力で下降して、押付け片74及びチャック爪76が内方に回転して閉じる。
なお、この例において、カソード部38は、上下動不能で基板ホルダ36と一体に回転するようになっているが、上下動自在で、下降した時にシール材90が基板Wの被めっき面に圧接するように構成しても良い。
なお、アノード98の内部に、上下に連通する多数の貫通孔を設け、めっき液室100内に導入しためっき液が該貫通孔内を流通してめっき液含浸材110に達するようにしてもよい。
先ず、ロード・アンロード部10からめっき処理前の基板Wを搬送ロボット14で取出し、表面(被めっき面)を上向きにした状態で、フレームの側面に設けられた基板搬出入口から一方のめっき装置12の内部に搬送する。この時、基板ホルダ36は、下方の基板受渡し位置Aにあり、搬送ロボット14は、そのハンドが基板ステージ68の真上に到達した後に、ハンドを下降させることで、基板Wを支持腕70上に載置する。そして、搬送ロボット14のハンドを、前記基板搬出入口を通って退去させる。
先ず、表面に給電層としてのシード層7(図17参照)を形成した基板を用意し、この基板を収納した基板カセットをロード・アンロード部202に搭載する。そして、ロード・アンロード部202に搭載した基板カセットから1枚の基板を第1搬送ロボット214で取出してメインフレーム200内に搬入し、基板ステージ210に搬送して載置保持する。第2搬送ロボット216は、基板ステージ210に載置保持された基板を、いずれかのめっき装置212に搬送する。
しかる後、絶縁膜2上に形成された余分な金属並びにバリア層を化学機械的研磨(CMP)などの方法によって除去し平坦化することにより、図17(c)に示すように、銅膜6からなる配線を形成する。
12 めっき装置
20 基板処理部
26 揺動アーム
28 電極ヘッド
30 電極アーム部
36 基板ホルダ
38 カソード部
68 基板ステージ
70 支持腕
88 カソード電極
90 シール材
94 ハウジング
98,150 アノード
98a〜98d,156 分割アノード
99a〜99c,154 絶縁体
110 めっき液含浸材
114,158 電源
115,160 整流器
Claims (13)
- 基板を保持する基板ホルダと、
前記基板ホルダで保持した基板の被めっき面の周縁部に当接して該周縁部を水密的にシールするシール材と該基板と接触して通電させるカソード電極を備えたカソード部と、
前記基板の被めっき面に対向する位置に配置されるアノードと、
前記アノードと前記基板の被めっき面との間に配置された保水性材料からなるめっき液含浸体と、
前記めっき液含浸体と前記基板を相対運動させる駆動機構を有し、
前記アノードに電位勾配を持たせるようにしたことを特徴とするめっき装置。 - 前記アノードとして、不溶解アノードを用いることを特徴とする請求項1記載のめっき装置。
- 前記アノードは、任意の形状に分割された複数の分割アノードからなることを特徴とする請求項1または2記載のめっき装置。
- 前記分割アノードは、同心円状またはチップ状に形成されていることを特徴とする請求項3記載のめっき装置。
- 前記分割アノードの少なくとも1つは、前記基板ホルダで保持した基板の被めっき面との距離が他の分割アノードと該被めっき面との距離と異なる位置に配置されることを特徴とする請求項3または4記載のめっき装置。
- 前記分割アノードの少なくとも1つと前記基板ホルダで保持した基板の被めっき面との間に供給される電流または電圧と、他の分割アノードと前記基板ホルダで保持した基板の被めっき面との間に供給される電流または電圧とが異なるようにした整流機構を有することを特徴とする請求項3または4記載のめっき装置。
- 前記整流機構は、前記各分割アノードまたは分割アノード群毎に備えられた複数の整流器からなることを特徴とする請求項6記載のめっき装置。
- 前記整流機構は、前記各分割アノードまたは分割アノード群毎に抵抗を変化させることが可能な素子または部品を備えた単一の整流器からなることを特徴とする請求項6記載のめっき装置。
- 前記整流機構は、前記各分割アノードと前記基板ホルダで保持した基板の被めっき面との間に供給される電流または電圧の分布を最適化する機構を有することを特徴とする請求項6乃至8のいずれかに記載のめっき装置。
- バリア層及び/またはシード層で覆われた微細凹部を有する基板を用意し、
カソード電極に接触させて通電させる基板の被めっき面に対向する位置に複数に分割された分割アノードから構成されるアノードを配置し、
前記基板と前記アノードとの間に保水性材料からなるめっき液含浸体を配置し、
めっき初期に、前記各分割アノードと前記基板の被めっき面との間に供給される電流または電圧の分布を基板の中心部が大きく周辺部が小さくなるように制御して前記微細凹部内にめっき金属を充填させることを特徴とするめっき方法。 - バリア層及び/またはシード層で覆われた微細凹部を有する基板を用意し、
カソード電極に接触させて通電させる基板の被めっき面に対向する位置に複数に分割された分割アノードから構成されるアノードを配置し、
前記基板と前記アノードとの間に保水性材料からなるめっき液含浸体を配置し、
めっき電解量に応じて、前記各分割アノードと前記基板の被めっき面との供給される電流または電圧の分布を変化させて前記微細凹部内にめっき金属を充填させることを特徴とするめっき方法。 - バリア層及び/またはシード層で覆われた微細凹部を有する基板を用意し、
カソード電極に接触させて通電させる基板の被めっき面に対向する位置に複数に分割された分割アノードから構成されるアノードを配置し、
前記基板と前記アノードとの間に保水性材料からなるめっき液含浸体を配置し、
前記基板の表面に形成された前記微細凹部のパターン形状に応じて、前記各分割アノードと前記基板の被めっき面との間に供給される電流または電圧の分布を変化させて該微細凹部内にめっき金属を充填することを特徴とするめっき方法。 - 前記微細凹部を覆うバリア層及び/またはシード層は、Cu,Ti,V,Cr,Ni,Zr,Nb,Mo,Ta,Hf,W,Ru,Rh,Pd,Ag,Au,PtまたはIr、またはそれらの窒化物からなることを特徴とする請求項10乃至12のいずれかに記載のめっき方法。
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