JP2005209698A - 光照射熱処理方法および光照射熱処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 容器内に被加熱体103を支持し、被加熱体103の一表面に対向して設けられた平面状の光照射加熱手段101により被加熱体103を熱処理する光照射熱処理方法であって、光照射加熱手段101から平面的に強度分布を有する光を被加熱体103に照射して被加熱体103の温度を上昇させる工程を含む。光照射開始後の開回路制御工程において、光照射強度を複数の領域毎に設定することにより、被加熱体103の温度ばらつきを低減することができる。これにより、ストレスを軽減し、ひずみ、ゆがみ、反り、割れ等が無く、被加熱体103に作り込まれた半導体装置の特性変動を抑制し、信頼性不良を低減することができる。
【選択図】 図1
Description
102 被加熱体支持体
103 被加熱体
104 パイロメータ
105 不活性ガス導入口
106 不活性ガス排気口
107 8インチ口径被加熱体位置
108 被加熱体支持体位置
201 被加熱体中心からの距離
202 被加熱体の半径
203 被加熱体より内側であって、101を半径とする円の領域
204 被加熱体より内側であって、103以外の領域
205 ランプの照射される領域であって、被加熱体以外の領域
501 ランプ
502 被加熱体支持体
503 パイロメータ
504 ストレスによるひずみが発生しない場合の被加熱体
505 ストレスによるひずみが発生した場合の被加熱体
506 被加熱体のひずみにより、パイロメータに直接入射したランプ光
Claims (11)
- 容器内に被加熱体を支持し、前記被加熱体の一表面に対向して設けられた平面状の光照射加熱手段により前記被加熱体を熱処理する光照射熱処理方法であって、前記光照射加熱手段から平面的に強度分布を有する光を前記被加熱体に照射して前記被加熱体の温度を上昇させる工程を含むことを特徴とする光照射熱処理方法。
- 容器内に被加熱体を支持し、前記被加熱体の一表面に対向して設けられた平面状の光照射加熱手段により前記被加熱体を熱処理する光照射熱処理方法であって、前記被加熱体は比抵抗が1Ωcm未満であり、前記光照射加熱手段から平面的に一様な強度を有する光を前記被加熱体に照射して前記被加熱体の温度を上昇させる工程を含むことを特徴とする光照射熱処理方法。
- 前記被加熱体の温度を上昇させる工程の後、前記光照射加熱手段から平面的に一様な強度を有する光を前記被加熱体に照射して熱処理する工程を含む請求項1または2記載の光照射熱処理方法。
- 前記被加熱体の比抵抗は1Ωcm以上であり、前記光照射加熱手段からの光強度分布は、その中心部よりも周辺部のほうが光強度が小さい請求項1記載の光照射熱処理方法。
- 容器内に被加熱体を支持し、前記被加熱体の一表面に対向して設けられた平面状の光照射加熱手段により前記被加熱体を熱処理する光照射熱処理方法であって、前記光照射加熱手段から、前記被加熱体の比抵抗に応じた平面的な光強度分布を有する光を前記被加熱体に照射して前記被加熱体の温度を上昇させる工程を含むことを特徴とする光照射熱処理方法。
- 前記被加熱体の比抵抗が1Ωcm以上であり、前記被加熱体が円形状であり、前記光照射加熱手段からの平面的な光強度分布は同心円状の分布である請求項1,3,4または5記載の光照射熱処理方法。
- 容器内に設けられた被加熱体を支持する支持体と、前記支持体に支持された被加熱体の一表面に対向して設けられた平面状の光照射加熱手段と、前記被加熱体の一表面とは反対側の他表面に対向して設けられた温度測定手段と、前記被加熱体の比抵抗に基づいて、前記温度測定手段により測定された温度が所定の温度になるように前記光照射加熱手段の平面内での光照射強度分布を制御する光照射強度制御手段とを備えた光照射熱処理装置。
- 容器内に設けられた被加熱体を支持する支持体と、前記支持体に支持された被加熱体の一表面に対向して設けられた平面状の光照射加熱手段と、前記被加熱体の一表面とは反対側の他表面に対向して設けられた温度測定手段と、前記被加熱体の比抵抗測定を行う比抵抗測定手段と、前記比抵抗測定手段により測定された前記被加熱体の比抵抗に基づいて、前記温度測定手段により測定された温度が所定の温度になるように前記光照射加熱手段の平面内での光照射強度分布を制御する光照射強度制御手段とを備えた光照射熱処理装置。
- 前記光照射加熱手段は、多数の加熱ランプが平面的に配列された集合体からなり、前記加熱ランプの集合体は平面的な複数の領域に分割され、それぞれの領域は互いに独立した光照射強度に設定可能とした請求項7または8記載の光照射熱処理装置。
- 前記光照射強度制御手段は、前記被加熱体の比抵抗が1Ωcm以上のときは前記光照射加熱手段から平面的に光照射強度分布を有する光を照射するように制御し、前記被加熱体の比抵抗が1Ωcm未満のときは前記光照射加熱手段から平面的に一様な光照射強度を有するように制御する請求項7または8記載の光照射熱処理装置。
- 前記被加熱体が半導体基板であり、前記加熱ランプの集合体は平面的に同心円状の複数の領域に分割されている請求項9記載の光照射熱処理装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004011841A JP4024764B2 (ja) | 2004-01-20 | 2004-01-20 | 光照射熱処理方法および光照射熱処理装置 |
US11/000,223 US7103271B2 (en) | 2004-01-20 | 2004-12-01 | Light irradiation heat treatment method and light irradiation heat treatment apparatus |
EP04028623A EP1557868B1 (en) | 2004-01-20 | 2004-12-02 | Light irradiation heat treatment method and light irradiation heat treatment apparatus |
DE602004007756T DE602004007756T2 (de) | 2004-01-20 | 2004-12-02 | Ein Lichtbestrahlungsverfahren und ein Lichtbestrahlungsapparat |
CNB2005100047691A CN100468654C (zh) | 2004-01-20 | 2005-01-20 | 光照射热处理方法及光照射热处理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004011841A JP4024764B2 (ja) | 2004-01-20 | 2004-01-20 | 光照射熱処理方法および光照射熱処理装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007209120A Division JP2008010883A (ja) | 2007-08-10 | 2007-08-10 | 光照射熱処理方法および光照射熱処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005209698A true JP2005209698A (ja) | 2005-08-04 |
JP4024764B2 JP4024764B2 (ja) | 2007-12-19 |
Family
ID=34631880
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004011841A Expired - Fee Related JP4024764B2 (ja) | 2004-01-20 | 2004-01-20 | 光照射熱処理方法および光照射熱処理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7103271B2 (ja) |
EP (1) | EP1557868B1 (ja) |
JP (1) | JP4024764B2 (ja) |
CN (1) | CN100468654C (ja) |
DE (1) | DE602004007756T2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2008010883A (ja) * | 2007-08-10 | 2008-01-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光照射熱処理方法および光照射熱処理装置 |
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Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004057650A1 (en) | 2002-12-20 | 2004-07-08 | Mattson Technology Canada, Inc. | Methods and systems for supporting a workpiece and for heat-treating the workpiece |
WO2008058397A1 (en) | 2006-11-15 | 2008-05-22 | Mattson Technology Canada, Inc. | Systems and methods for supporting a workpiece during heat-treating |
JP5305731B2 (ja) * | 2008-05-12 | 2013-10-02 | キヤノン株式会社 | 半導体素子の閾値電圧の制御方法 |
KR101610269B1 (ko) * | 2008-05-16 | 2016-04-07 | 맷슨 테크놀로지, 인크. | 워크피스 파손 방지 방법 및 장치 |
US8254767B2 (en) * | 2008-08-29 | 2012-08-28 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for extended temperature pyrometry |
TWI381452B (zh) * | 2008-08-29 | 2013-01-01 | Applied Materials Inc | 用於擴大溫度高溫測定之方法與設備 |
CN103088415B (zh) * | 2011-11-03 | 2015-12-02 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 改善灯加热腔体内温度均匀性的方法 |
JP6184697B2 (ja) * | 2013-01-24 | 2017-08-23 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
KR101809141B1 (ko) * | 2014-05-29 | 2018-01-19 | 에이피시스템 주식회사 | 히터 블록 및 기판 열처리 장치 |
CN116453985B (zh) * | 2023-06-19 | 2023-09-08 | 盛吉盛半导体科技(北京)有限公司 | 一种用于半导体设备的快速加热装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP3824675B2 (ja) * | 1995-03-03 | 2006-09-20 | 有限会社デジタル・ウェーブ | 結晶製造装置 |
US5715361A (en) * | 1995-04-13 | 1998-02-03 | Cvc Products, Inc. | Rapid thermal processing high-performance multizone illuminator for wafer backside heating |
US6121061A (en) * | 1997-11-03 | 2000-09-19 | Asm America, Inc. | Method of processing wafers with low mass support |
JP3517131B2 (ja) | 1997-11-14 | 2004-04-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
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-
2004
- 2004-01-20 JP JP2004011841A patent/JP4024764B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-01 US US11/000,223 patent/US7103271B2/en active Active
- 2004-12-02 DE DE602004007756T patent/DE602004007756T2/de active Active
- 2004-12-02 EP EP04028623A patent/EP1557868B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-01-20 CN CNB2005100047691A patent/CN100468654C/zh active Active
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CN106569073A (zh) * | 2016-11-14 | 2017-04-19 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种基于热电性能测试仪的光致电性能测试附件及方法 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1557868A1 (en) | 2005-07-27 |
CN100468654C (zh) | 2009-03-11 |
CN1645575A (zh) | 2005-07-27 |
DE602004007756D1 (de) | 2007-09-06 |
EP1557868B1 (en) | 2007-07-25 |
US7103271B2 (en) | 2006-09-05 |
JP4024764B2 (ja) | 2007-12-19 |
DE602004007756T2 (de) | 2008-04-30 |
US20050173386A1 (en) | 2005-08-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060523 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070313 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070425 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070626 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070810 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071003 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111012 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121012 Year of fee payment: 5 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131012 Year of fee payment: 6 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |