CN103088415B - 改善灯加热腔体内温度均匀性的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种改善灯加热腔体内温度均匀性的方法，包括步骤：1)对腔体校温，获得贵晶圆表面温度分布图形；2)制定透光挡板；3)制定与所述温度分布图形形状相反的模板；4)将所述模板覆盖到透光挡板上，涂上涂层；5)将带涂层的透光挡板放到腔体内的加热灯和上石英罩中间；6)重复步骤3～5)，调节涂层的形状，直到温度的均匀性满足要求。本发明通过在加热灯和硅片间增加特别制作的透光挡板，并在透光挡板上增加一层特殊图形的特殊涂层，使透过透光挡板及涂层到达晶圆表面的光线强度发生变化，从而有效改善了灯加热腔体内温度分布的均匀性，使加热后硅片表面的温度分布更均匀。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种改善灯加热腔体内温度均匀性的方法。
背景技术
目前，很多半导体加工设备都采用灯加热的方法，即用加热灯照射到硅片表面或载片台上来加热硅片。但是，由于灯发出的照射光强很难做到很均匀，因此，加热的均匀性很难调节。例如，如图1所示的外延(EPI)设备，其加热系统分为上下两部分，每个部分由内(inner)、外(outer)两部分组成，但无论如何调整上、下或内、外的功率分配，都无法消除硅片上的某些高温区域，而如果硅片上温度分布不均匀，则制作的外延层厚度或参杂浓度也会不均匀。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种改善灯加热腔体内温度均匀性的方法，它可以提高加热后硅片表面温度分布的均匀性。
为解决上述技术问题，本发明的改善灯加热腔体内温度均匀性的方法，包括以下步骤：
1)对所述腔体进行校温，获得硅晶圆表面温度分布图形；
2)制定透光挡板；
3)制定与所述温度分布图形的形状相反的模板；
4)将所述模板覆盖到所述透光挡板上，然后涂上涂层；
5)将步骤4)制得的带涂层的透光挡板放到所述腔体内的加热灯和上石英罩的中间；
6)重复步骤3)～5)，调节涂层的形状，直到硅晶圆表面温度的均匀性满足要求。
步骤1)中，校温的方法为：向硅晶圆中注入硼或磷，然后在所述腔体内退火；退火完成后，测定硅晶圆表面的电阻分布情况，根据温度和电阻值的关系反推出硅晶圆表面的温度分布图形。
步骤4)中，所述涂层为氮化硅、硅或多晶硅中的一种。
本发明通过在加热灯和硅片间增加特别制作的透光挡板，并在透光挡板上增加一层特殊图形的特殊涂层，使透过透光挡板及涂层到达晶圆(wafer)表面的光线强度发生变化，从而使硅晶圆表面温度高的区域的温度降低，有效改善了加热后硅晶圆表面温度分布的均匀性，进而提高了外延层厚度或掺杂浓度的均一性。
附图说明
图1是现有外延腔及其加热系统结构示意图。
图2是用本实施例的方法可以推算出的三种硅片表面温度分布图。其中，(a)为不可消除的高温区在晶圆边缘；(b)为不可消除的高温区在晶圆的某个半径环内；(c)为不可消除的高温区在晶圆中心附近。
图3是分别对应于图2的三种温度分布图的三种模板形状示意图。其中，(a)为多角星形；(b)为同心圆环；(c)为间距不等的横竖条形。
图4是将图3的模板覆盖到透光挡板上，并涂上涂层后，对应得到的图形示意图。图中的阴影部分为涂层区域。
图5是本发明的外延腔及其加热系统结构示意图。
图中附图标记说明如下：
1：上外灯
2：上内灯
3：下外灯
4：下内灯
5：上石英罩(圆形)
6：下石英罩(圆形)
7：晶圆载台
8：透光挡板
9：金属卡槽
10：不可消除的高温区
具体实施方式
为对本发明的技术内容、特点与功效有更具体的了解，现结合图示的实施方式，详述如下：
步骤1，向硅晶圆中注入B(硼)或P(磷)元素，然后在外延腔体内用1070-1130摄氏度区间内某一温度退火，退火完成后，测定硅晶圆表面的Rs(方块电阻)分布，并根据温度和Rs的关系：Rs＝-1.3T+1966.7，反推出硅晶圆表面的温度分布图形。
上述注入的若是P元素，则P注入的剂量为5E13～7E13atom/cm2，能量为70KeV～90KeV，0角度，不旋转；若注入的是B元素，则B注入的剂量为1E13～3E13atom/cm2，能量为90KeV～110KeV，角度为6～8度。
按照本步骤的方法，可以推算出的温度分布图形有三种，分别如图2中(a)、(b)、(c)所示。
步骤2，制定石英透光挡板8。透光挡板8的厚度为1～8毫米，大小为正好可以放入金属卡槽9内。
步骤3，根据温度分布图形制定模板图形，即在温度高的区域涂上相应图形的涂层，如图3所示。
图3中，(a)、(b)、(c)三种模板形状分别对应于图2的(a)、(b)、(c)三种温度分布图形。且图3(a)中，多角星的角数可以为4～30，多角星的顶点都延伸到透光挡板的最外圈；图3(b)和图3(c)中，同心圆环或横竖条形的宽度为1～10厘米，间距为0.5～2厘米，间距的宽度可以根据温度分布呈递增或递减分布。
步骤4，将步骤3制定的模板覆盖到步骤2制定的透光挡板上，然后根据所述模板的形状，用化学气相沉积方法，在温度较高的区域涂上相应的涂层。涂层的材料可以选自氮化硅、硅或多晶硅中的一种。
步骤5，将步骤4制得的带有涂层的透光挡板放置到外延腔体内，并放置在加热灯和上石英罩的中间。
步骤6，重复步骤3～5，调节透光挡板上的涂层形状，直至温度的均匀性满足要求为止。
通过上述方法，在腔体内的加热灯和硅片间增加了带特殊图形的特殊涂层的透光挡板后，透过透光挡板及涂层到达晶圆表面的光线强度发生变化，使硅片表面高温区的温度降低，从而改善了硅片表面温度分布的均匀性。
Claims (10)
1.改善灯加热腔体内温度均匀性的方法，其特征在于，包括步骤：
1)对所述腔体进行校温，获得硅晶圆表面温度分布图形；
2)制定透光挡板；
3)制定与所述温度分布图形的形状相反的模板；
4)将所述模板覆盖到所述透光挡板上，然后涂上涂层；
5)将步骤4)制得的带涂层的透光挡板放到所述腔体内的加热灯和上石英罩的中间；
6)重复步骤3)～5)，调节涂层的形状，直到硅晶圆表面温度的均匀性满足要求。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)中，校温步骤为：向硅晶圆中注入硼或磷，然后在所述腔体内退火；退火完成后，测定硅晶圆表面的电阻分布情况，根据温度和电阻值的关系反推出硅晶圆表面的温度分布图形。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述磷注入的剂量为5E13～7E13atom/cm2，能量为70KeV～90KeV；所述硼注入的剂量为1E13～3E13atom/cm2，能量为90KeV～110KeV，角度为6～8度。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)中，所述透光挡板的材质为石英，厚度为1～8毫米。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)中，所述模板的形状为多角星、同心圆环或间距不等的横竖条形。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述多角星的角数为4～30，所述多角星的顶点都延伸到所述透光挡板的最外圈。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述同心圆环的宽度为1～10厘米，圆环间距为0.5～2厘米。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述条形的宽度为1～10厘米，条形间距为0.5～2厘米。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4)中，所述涂层为氮化硅或硅。
10.根据权利要求1或9所述的方法，其特征在于，步骤4)中，用化学气相沉积方法制作涂层。
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|---|---|---|---|---|
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| CN1154571A (zh) * | 1995-03-30 | 1997-07-16 | 株式会社F.T.L | 制造半导体器件的方法和半导体器件的制造设备 |
| CN2375261Y (zh) * | 1998-12-02 | 2000-04-26 | 精技企业股份有限公司 | 手术灯吸热玻璃的色温校正构造 |
| CN1067446C (zh) * | 1998-12-25 | 2001-06-20 | 清华大学 | 超高真空化学气相淀积外延系统 |
| JP2002176046A (ja) * | 2000-12-07 | 2002-06-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 真空紫外光ｃｖｄ装置 |
| JP4029613B2 (ja) * | 2001-12-25 | 2008-01-09 | ウシオ電機株式会社 | 閃光放射装置および光加熱装置 |
| JP4024764B2 (ja) * | 2004-01-20 | 2007-12-19 | 松下電器産業株式会社 | 光照射熱処理方法および光照射熱処理装置 |
| US20060165904A1 (en) * | 2005-01-21 | 2006-07-27 | Asm Japan K.K. | Semiconductor-manufacturing apparatus provided with ultraviolet light-emitting mechanism and method of treating semiconductor substrate using ultraviolet light emission |
| CN100474547C (zh) * | 2005-11-22 | 2009-04-01 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 半导体工艺中250℃到550℃范围内温度测定的方法 |
| JP2007266351A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
| CN100468782C (zh) * | 2007-01-12 | 2009-03-11 | 天津大学 | 太阳电池组件 |
| CN101399163B (zh) * | 2007-09-28 | 2010-08-11 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 校正外延反应腔温度的方法 |
| US20090194024A1 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Applied Materials, Inc. | Cvd apparatus |
| CN102087953A (zh) * | 2009-12-03 | 2011-06-08 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 量测外延设备腔体温度的方法 |
| CN201801636U (zh) * | 2010-07-14 | 2011-04-20 | 郭志凯 | 一种新型硅片生产外延设备及其系统 |
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