JP2007335604A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】照射光による熱処理がウエハ面内で均一化できるようにする。
【解決手段】ランプアニール装置のチャンバ１０ａの内壁面のウエハＷの周辺部に対応する個所において、ランプ２１による照射光の反射率をウエハ中央部側に対応する個所より高くする。反射率を上げることで照射光を反射させて、ウエハ周辺部側の温度を上げることができる。このようにして、ウエハＷ面内の中央側と周辺側とでの温度差を抑制し、ウエハＷ面内での温度の均一性を確保する。
【選択図】図３

Description

本発明は照射光によりウエハの熱処理を行う技術に関し、特に、ランプの光により熱処理を行う拡散工程等に適用して有効な技術である。

以下に説明する技術は、本発明を完成するに際し、本発明者によって検討されたものであり、その概要は次のとおりである。

半導体装置の製造に際しては、ウエハの熱処理を行う場合が多数存在する。かかる熱処理に際しては、ウエハ面内の熱処理温度の均一性が第一に求められる。ウエハ面内における熱処理温度の不均一性は、そこに形成される半導体特性の不均一性につながる重要な問題である。

かかるウエハの熱処理においては、ウエハを処理するチャンバ内で、ランプ等の照射光によりウエハ面の温度を所定温度に昇温させる赤外線照射装置やランプ加熱装置等のＲＴＰ（Rapid Thermal Processor）装置等が知られている。タングステンハロゲンランプでウエハを加熱処理する赤外線ランプアニール装置もその一つであるが、かかる装置での熱処理に際してウエハ面内での不均一性を解決する手段が、例えば、特許文献１には提示されている。

特許文献１では、かかる熱処理の不均一性は光源が点光源として作用することに基づくとの前提に立ち、輻射熱で加熱される網状体を設け、かかる加熱された網状体の線の交点部分を点光源と同様に作用させて、網状体の複数の交点による点光源を面光源と同等に機能させるようにしたものである。

かかる特許文献１には、直管ランプの設置本数を変更したり、あるいは直管ランプを直交させて重ねて配置したり、あるいはウエハ周辺側の温度低下を補うガードリングを付加したりする技術等も、これまでの対策として記載されている。

また、ＲＴＰ装置は短時間のアニールを実現するために、温度反応が早いハロゲンランプ等を用いているが、ウエハ周辺部からの放熱により同領域の温度低下が発生し、ウエハ面内の温度分布を均一に制御することは困難である。そのため、ウエハ周辺部のランプに強制的に加温補正を入れているのが現状である。ウエハ外周部側を照射するランプの出力補正を行って、かかる温度低下を防いでいるのである。
特開平５−２９１１７０号公報

ところが、上記提案された技術、あるいは実際に行われている対応策では、未だ十分にウエハ面内の温度の不均一化を防止できないのが現状である。確かに、網状態を使用する発明は優れたものであるが、しかし、ランプとウエハの間に網状体を新たに設置する必要があり、網状体からの異物、網状体をどのように設置するか等、実際に適用するには解決すべき課題が沢山あり、俄には採用し難い技術である。

一方、ランプの出力補正を行う処置は、当初は有効に機能するものの、しかし、ランプの経時劣化が問題となる。すなわち、かかる加温補正を続けていると、ウエハ外周部側を照射するランプのみ劣化の程度が早く進み、ランプ劣化によるウエハ面内のバラツキが大きくなる。バラツキが大きくなる都度、ランプの加温補正を実施する必要が生ずるが、結果としてそのランプの劣化を更に進めるという悪循環が発生すると指摘されている。また、ウエハ外周部のランプのみ交換頻度が上がり、他の領域のランプとの温度バランスの制御が行い難いとの声もある。

本発明の目的は、照射光による熱処理がウエハ面内で均一化できるようにする技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

すなわち、ウエハ面の周辺側に対応するチャンバ内壁面の照射光に対する反射率を、ウエハ面の非周辺側に対応する内壁面に比べて高く設定した。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。

ウエハ面の周辺側に対応するチャンバ内壁面の照射光に対する反射率を、ウエハ面の非周辺側に対応する内壁面に比べて高く設定することで、ウエハ周辺側の温度低下を防止して、ウエハ面内の温度の均一化を図ることができる。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。

（実施の形態１）
図１は、本実施の形態で使用される半導体製造装置の要部の一例を模式的に示した断面図である。図２（ａ）はチャンバ内でのウエハのセット状況を模式的に示す平面図であり、（ｂ）はその断面図である。図３はチャンバ内における反射光によるウエハの照射状況を模式的に示す部分断面図である。

図１に示すように、ランプアニール装置１００ａに構成された半導体製造装置１００では、ウエハＷに光を照射し、その照射光により所定温度に加熱して拡散等の熱処理を行うチャンバ１０ａがケーシング１０内に設けられている。チャンバ１０ａ内の上方には、ランプハウス２０が設けられ、ウエハＷを照射するハロゲンランプ等のランプ２１が複数設けられている。

チャンバ１０ａを設けたケーシング１０の側方には、ウエハＷの出し入れ口が設けられ、ゲートバルブ１１の開閉によりウエハＷを枚葉毎に出し入れが自在にできるように構成されている。チャンバ１０ａ内に入れられたウエハＷは、例えば、石英製のサセプタ等に構成されたウエハ支持手段１２上にセットできるようになっている。

ウエハ支持手段１２上にセットされたウエハＷの上方には、ランプハウス２０内のランプ２１との間に、例えば、透過窓が設けられた石英板３０が設けられている。石英板３０を介して、ランプ照射光がウエハＷを照射することができるように構成されている。

さらに、本実施の形態のランプアニール装置１００ａでは、ウエハＷに対するランプ２１による照射光が反射して、セットしたウエハＷに当たるように反射面１３が設けられている。かかる反射面１３は、例えば、チャンバ内壁面に構成されている。勿論、反射面１３は、チャンバ内壁面とは別体に設けても構わない。

かかる構成の反射面１３は、ウエハ周辺側に対応する周辺側反射面１３ａと、ウエハ中央側に対応する中央側反射面１３ｂとに分けられている。周辺側反射面１３ａの反射率は、非周辺側の中央側反射面１３ｂに比べて高く設定されている。このように構成することで、ウエハ周辺側には、ウエハ中央側よりもランプ２１の輻射光が多く当り、ウエハＷの周辺側での放熱による温度低下を補うことができるようになっている。

かかるウエハＷの周辺側としては、図２（ａ）に示すように、ウエハＷの中心から直径方向に、例えば７５％以上距離が離れた領域を指すものとすることができる。かかるウエハ周辺部１４ａの領域は、これまでのランプ照射による加熱方式では、放熱によりウエハ面の温度低下が発生し易い領域で、かかる温度低下が半導体特性上影響を与える可能性が高い領域であった。

同一のランプアニール装置１００ａを使用した場合に、放熱し易いウエハ周辺部１４ａ側の領域設定は、ウエハ直径によっても多少は変化はするものの、基本的には上記の如く直径に対して中心から７５％以上の距離離れた領域と設定しておけば問題はない。図２（ａ）では、かかる領域が分かり易いように、ウエハＷ面上に実線でその領域を示しておいた。以下の図においても同様である。

また、かかるウエハ周辺部１４ａ側の領域としては、実際の温度低下の面からも規定することができる。例えば、ウエハの中心位置の温度より１０％以上の温度低下が見られる領域と定義しても構わない。

図２（ｂ）に示すように、ウエハ周辺部１４ａをウエハＷの表側、裏側から囲むようにして、チャンバ内壁面の反射率を高くするように設定しておけばよい。このように構成しておけば、図３に示すように、ウエハ周辺部１４ａ側では、ランプ２１の直接の照射光は勿論、チャンバ内壁面で反射した反射光も当ることとなり、結果的にはかかるウエハ周辺部１４ａ側のみをランプの加熱補正等を行ったと同様の効果を得ることができる。

すなわち、ウエハ周辺部１４ａ側に対応するチャンバ内壁面の反射率を上げることで、かかる領域の輻射熱効率が上がり、ランプ出力の補正を実施しなくても、かかる領域の熱履歴、温度等の均一性を確保することができるのである。

本発明では、ランプ自体の仕様、あるいは加熱状況は変更していないため、かかるウエハ周辺部１４ａ側とウエハ中央部１４ｂ側とでのランプ寿命、ランプ交換頻度は変わらないとのメリットがある。このようにランプアニール装置１００ａのチャンバ１０ａ内壁の反射率を変更することで、ウエハ周辺部１４ａ側の放熱減少を是正して、ウエハＷ面内の温度の均一性を確保することができる。

このように反射率をチャンバ内壁部で部分的に変更するには、例えば、図４（ａ）に示すように、チャンバ内壁に用いる材料自体を変えればよい。ウエハ周辺部１４ａ側に対応する周辺側反射面１３ａを、中央側反射面１３ｂを構成するステンレス（ＳＵＳ）仕様とは異なり、ステンレスよりも鏡面反射率の高いアルミニウム（Ａｌ）等を使用して形成すればよい。

また、図３、４（ａ）に示す場合には、反射率を高くしたチャンバ内壁により反射される光は、ウエハＷの周辺側の裏面にも当たるように構成されている。しかし、ウエハ表面のみで十分に温度の均一性が確保できるのであれば、ウエハＷの裏面側のチャンバ内壁の反射率は別段高く設定する必要はない。

かかる構成を採用することで、ランプアニール装置１００ａのランプ自体を変更するのではなく、チャンバ内壁を加工することで、ランプの形状、本数、チャンバ形状、チャンバサイズ等のランプアニール装置１００ａに固有の仕様に左右されず、ウエハ熱履歴を均一にすることが可能となるのである。

これらのことから、ウエハの大口径化に伴う、ウェハ面内温度、熱履歴の均一化制御は勿論のこと、装置ランプ本数の増加等による交換、保守部品等のランニングコスト等の低減にも役立つのである。

上記説明では、ウエハ周辺部１４ａ側の反射率を上げるために、チャンバ内壁を構成する材料そのものを変更した場合を示したが、反射率を上げるその他の手段としては、チャンバ内壁表面に反射率を向上させる被膜を設けるようにしても構わない。

例えば、図４（ｂ）に示すように、チャンバ内壁の全体構成はこれまで通り、ＳＵＳで形成しておく。一方、チャンバ内壁の周辺側反射面１３ａには、中央側反射面１３ｂよりも表面反射率の高いアルミニウム等の平滑面を被膜として別途設けるようにすればよい。被膜を設けるに際しては、例えばアルミニウムをチャンバ内壁の表面に蒸着したり、あるいは表面側に貼る等の手段で設けておけばよい。

あるいは、チャンバ１０ａ内のウエハＷに異物等の影響を与えない範囲内で、表面反射率の高い塗料等を塗布するようにしても一向に構わない。

尚、チャンバ内壁の反射率との関係では、チャンバ内壁の素材を、これまでのものとは異なり、反射率の高い素材を全体に使用することで、ランプ自体の出力を下げ、消費電力を抑制することもでき、省エネの対策の一つとして活用も図れる。

このように中央側反射面１３ｂより反射率を高くした周辺側反射面１３ａを有するランプアニール装置１００ａ等の半導体製造装置１００を使用すれば、例えば、ウエハＷ面内における熱履歴を均一にすることができるので、半導体装置の製造プロセスにおける不純物の拡散をより精度高く、且つウエハＷ面内でのバラツキを抑えることができる。

かかる上記説明の構成を有するランプアニール装置１００ａ等の半導体製造装置１００を用いて、半導体装置を製造する場合を以下に説明する。半導体装置としては、ダイオードを例に挙げて説明することとする。

図５には、半導体装置の製造プロセスを示すフロー図を示した。図６（ａ）に示すようにＮ型の半導体基板（ウエハ）２１０上にＩ型のエピタキシャル層２２０を成長させ、かかるＩ型のエピタキシャル層２２０上に、図５に示すステップＳ１００で、スルー膜として機能させる酸化膜２３０を表面酸化により形成する。

その後、図５に示すステップＳ２００で、図６（ｂ）に示すように、リンを注入してＮ層２４０を形成する。ステップＳ２１０で、スルー膜を介してリンをイオン注入機により注入し、ステップＳ２２０で注入後のリンを、ランプアニール装置１００ａで拡散させればよい。上記説明のランプアニール装置１００ａを使用することで、ウエハ中央側とウエハ周辺側との温度が均一に制御されて、ウエハ周辺側とウエハ中央側との素子特性の均一性が保証される。

さらに、図５に示すステップＳ３００で、図６（ｃ）に示すように、再度リンを注入してＮ^＋層２５０を形成する。すなわち、ステップＳ３１０で、リンを高濃度に浅く注入し、ステップＳ３２０でランプアニール装置１００ａを用いて熱拡散させＮ^＋層２５０を形成する。

その後、図７（ａ）に示すように、Ｎ^＋層２５０の表面を酸化しシリコン酸化膜２６０を形成し、かかるシリコン酸化膜２６０をフォトリソリグラフィ技術でエッチングして、開口部２７０を形成する。かかる開口部２７０に、図５に示すステップＳ４００でボロンを注入してＰ層２８０を形成する。すなわち、ステップＳ４１０でイオン注入機を用いてボロンを注入し、ステップＳ４２０で注入したボロンを拡散させずに活性化する。高温、短時間のアニール処理を行う。

Ｐ層２８０は、その後に、図５に示すステップＳ５００で、注入したボロンをランプアニール装置のウエハ自転機構を利用して、熱影響を与えないようにしてボロンの拡散プロファイルを微調整、制御する。

図５に示すステップＳ６００で、図７（ｂ）に示すようにシリコン酸化膜２６０を一旦除去して、別途シリコン酸化膜２９０を形成し、開口部３１０を設ける。かかる開口部３１０内のＰ層２８０上にアルミニウム等のメタル膜３２０を形成する。その後に、図７（ｃ）に示すように、保護膜３３０を設け、さらに半導体基板の裏面側を研削して金膜３４０を成膜して半導体装置を製造すればよい。

かかる構成の半導体装置は、その後に半導体基板（ウエハ）をダイシングして個片化し、樹脂封止等して半導体チップに構成する。半導体チップは、さらに裏面に形成した金膜３４０でリードフレーム等の基板に搭載される。

尚、上記説明では、ランプアニール装置１００ａを用いて、半導体装置としてのダイオードを製造する場合について説明したが、ダイオード以外のトランジスター等の製造でも、当然にランプの照射光により熱処理を行う場合等に適用することができる。

（実施の形態２）
前記実施の形態１では、ウエハＷ面内の周辺側の放熱性が大きいことに鑑み、ウエハＷの中央側と周辺側とでの温度差によるバラツキを、周辺側の反射率を高く設定することで温度の均一性を確保する場合を述べた。

しかし、ウエハ面内での温度の均一性に関しては、ランプアニール装置１００ａ毎に加熱状況にムラがあるのも事実である。装置毎のクセ等によるバラツキである。そこで、かかる装置毎の加熱ムラを是正する方法も、前記実施の形態１で用いた構成を少し変更するだけで行える。

ランプ照射によるウエハ面内の温度分布は、幾つかのダミーウエハで試すことにより把握できる。そこで、かかる温度分布を把握した上で、例えば、設定温度よりも低くなりがちな個所に対応するチャンバ内壁面を、前記実施の形態１と同様に、部分的にそこの反射率を上げるようにする。このように処置することで、反射光がそれまでよりもウエハＷ面の当該部分に当り、設定温度の保証が行えるのである。

さらには、ウエハＷの温度分布を把握した上で、設定温度よりも高くなりがちな個所に対応するチャンバ内壁面には、部分的にそこの反射率を下げるように設定して、ランプアニール装置１００ａに特有のバラツキを相殺するようにしても構わない。例えば、反射率の低い材料を敢えて対応チャンバ内壁面に使用したり、あるいは表面に被膜する等すればよい。

このようにウエハＷの温度分布の状況に応じて、ランプアニール装置１００ａ毎に、部分的にチャンバ内壁面の反射率を変更することで、装置特有の加熱ムラをなくし、ウエハＷ面内の温度の均一性を高くして、熱履歴の制御を容易にすることもできる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、チャンバ内壁の反射率を部分的に変更するについて、前記実施の形態１とは異なり、チャンバ内壁の材質あるいは表面材質を変更することなく、チャンバ内壁の形状で対応するものである。

図８（ａ）、（ｂ）に示すように、チャンバ内壁の内壁形状を変更することで、反射し易いようにして反射効率を高めても構わない。チャンバ内壁の中央側反射面１３ｂ側は、セットしたウエハＷ面に並行に形成されているが、周辺側反射面１３ａ側は、図８（ａ）に示すように、ウエハＷの周辺側のエッジに向けて先すぼまりに形成されている。

このように構成することで、図８（ｂ）に示すように、ランプ２１からの照射光がチャンバ内壁の周辺側反射面１３ａ部分で反射しやすくなり、その反射光がウエハ周辺部１４ａ側に当り、ウエハＷの中心側との照射光による温度差が発生しないようになる。

かかる場合にも、前記実施の形態と同様に、ウエハＷの裏面側に特に反射光を当てなくてもウエハＷの中心側との温度差が特段に発生しない場合には、ウエハＷの裏面側に対応するチャンバ内壁面は、例えば、図８（ａ）に示すように先すぼまりに形成されていなくても構わない。この場合の形状を、図８（ｂ）には、破線で示しておいた。

かかる構成では、特に、チャンバ内壁面の構成材料には変更がないため、適用するウエハのデバイス特性によって使用できる素材が限定される場合等に、特に有効に適用することができる。

（実施の形態４）
本発明者は、前記実施の形態ではランプ２１の照射光のチャンバ内壁部での反射率を、ウエハＷの周辺側に対応する側を中央側よりも高く設定して、照射光による加熱に際しての温度の均一性を確保することを提案した。

本実施の形態では、チャンバ内壁面の反射率を変更することなく、且つランプの仕様を変更せずに、ウエハＷの照射光による温度の均一性を確保する別の態様を考えた。

すなわち、ランプの配列の仕方に、粗密をつけて配置する方法である。例えば、図９に示すように、ウエハ周辺部１４ａ側に対応するランプ２１の配列間隔を、ウエハ中央部１４ｂ側における場合よりも密に配置することで、中央側よりも照射光に照らされる割合を高くしてより加熱されるように構成しても構わない。

ウエハＷは、例えば、チャンバ１０ａ内で回転させるように構成しておけば、図９に示すように、直管上のランプ配置を一方向に粗密に構成しておいても加熱ムラは発生しない。

（実施の形態５）
本実施の形態では、前記実施の形態とは異なり、チャンバ内壁面の反射率を変更することなく、且つランプ２１の出力仕様も変更することなく、ランプコイルの巻き数を変更することで対応するものである。図１０に示すように、ランプコイルの巻き数を、直管状に形成されたランプ２１の全体にわたって一様に構成するのではなく、ウエハＷの周辺側に対応する個所のみコイル巻き数を密に形成しておくのである。

かかる構成のランプ２１は、これまで通りに、ランプ間隔を等間隔に設定配置しておいても、ウエハＷ面のランプ照射による加熱は平均化され、ウエハＷ面の温度の均一性が確保される。図１０では、ランプ２１において、ランプコイルの巻き数を粗にした粗部分２１ａは実線で、密にした密部分２１ｂは太線で表示した。

（実施の形態６）
前記実施の形態では、ウエハＷの周辺側での放熱状況はそのままにして、ウエハＷに対する光の照射における手段を変更することで、ウエハＷ面の温度均一性を確保する手段を提案したが、本実施の形態では、照射される側のウエハＷの周辺側の放熱性を減少させることで対応する場合について述べる。

すなわち、前記実施の形態で述べた手段は、ウエハＷの周辺側での放熱状況には何らの変更も行わない。かかる放熱状況を前提とした上で、放熱に見合ったようにウエハ周辺側の加熱を向上させる手段であった。

しかし、本実施の形態で説明する発明は、ウエハＷの周辺側の放熱性をこれまでよりも抑えることで、ウエハＷの温度均一性を確保しようとするものである。すなわち、ウエハＷをチャンバ１０ａ内に設置した状況で、ウエハＷの外周側に放熱防止具４０を設置し、その上でウエハＷにランプ照射して、ウエハＷの加熱を行うものである。

放熱防止具４０は、例えば、図１１に示すように、Ｓｉ、あるいはＳｉＣ等でウエハＷの外径に合わせてリング状に形成しておけばよい。かかる放熱防止具４０をウエハＷの外周側にセットすることで、ウエハＷの周辺側での放熱性は抑制され、その結果、ウエハＷの中央側と周辺側とでの温度差が抑制され、温度の均一性が確保されるのである。

尚、放熱防止具４０は、ウエハＷと併せて搬送したり、あるいはチャンバ１０ａ内に据え置く等どちらの方式でも一向に構わない。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

実施の形態では、ランプアニール装置に構成した場合を説明したが、ランプの照射光を用いる急速昇降昇温装置（ＲＴＰ装置：Rapid Thermal Processor）、赤外線照射装置等に構成しても一向に構わない。

本発明は、ランプの照射光により半導体ウエハの熱処理を施す分野で有効に利用することができる。

本発明の一実施の形態で使用する半導体製造装置の要部構成の一例を模式的に示す断面図である。 （ａ）はチャンバ内でのウエハのセット状況を模式的に示す平面図であり、（ｂ）はその断面図である。 チャンバ内における反射光によるウエハの照射状況を模式的に示す部分断面図である。 （ａ）、（ｂ）は、チャンバ内の反射率を高める手段の一例を模式的に示す断面図である。 半導体装置の製造方法の一例を示すフロー図である。 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、半導体装置の製造手順を示す断面説明図である。 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、半導体装置の製造手順を示す断面説明図である。 （ａ）は、チャンバ内の反射率を高める手段の変形例を模式的に示す断面図であり、（ｂ）は反射状況を模式的に示す部分断面図である。 ランプ配置に粗密を設けた構成を模式的に示す平面図である。 ランプコイルの巻き数に粗密を設けた構成を模式的に示す平面図である。 放熱防止具の設置状況を模式的に示す平面図である。

符号の説明

１０ ケーシング
１０ａ チャンバ
１１ ゲートバルブ
１２ ウエハ支持手段
１３ 反射面
１３ａ 周辺側反射面
１３ｂ 中央側反射面
１４ａ ウエハ周辺部
１４ｂ ウエハ中央部
２０ ランプハウス
２１ ランプ
２１ａ 粗部分
２１ｂ 密部分
３０ 石英板
４０ 放熱防止具
１００ 半導体製造装置
１００ａ ランプアニール装置
２１０ 半導体基板
２２０ エピタキシャル層
２３０ 酸化膜
２４０ Ｎ層
２５０ Ｎ^＋層
２６０ シリコン酸化膜
２７０ 開口部
２８０ Ｐ層
２９０ シリコン酸化膜
３１０ 開口部
３２０ メタル膜
３３０ 保護膜
３４０ 金膜
Ｓ１００ ステップ
Ｓ２００ ステップ
Ｓ２１０ ステップ
Ｓ２２０ ステップ
Ｓ３００ ステップ
Ｓ３１０ ステップ
Ｓ３２０ ステップ
Ｓ４００ ステップ
Ｓ４１０ ステップ
Ｓ４２０ ステップ
Ｓ５００ ステップ
Ｓ６００ ステップ

Claims (5)

1. チャンバ内でウエハ面への照射光により熱処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法であって、
   前記チャンバ内では、前記ウエハ面の周辺側に対応する内壁面の前記照射光に対する反射率が、前記ウエハ面の非周辺側に対応する内壁面に比べて高く設定されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. チャンバ内でウエハ面への照射光による熱処理を伴う拡散工程を有する半導体装置の製造方法であって、
   前記チャンバ内では、前記ウエハ面の周辺側に対応する内壁面の前記照射光に対する反射率が、前記ウエハ面の非周辺側に対応する内壁面に比べて高く設定されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. チャンバ内でウエハ面への照射光により熱処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法であって、
   前記チャンバ内では、前記ウエハ面の周辺側に対応する内壁表面が、前記ウエハ面の非周辺側に対応する内壁表面より、前記照射光の反射率が高い材質で形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. チャンバ内でウエハ面への照射光により熱処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法であって、
   前記チャンバ内では、前記ウエハ面の周辺側に対応する内壁表面が、前記ウエハ面の非周辺側に対応する内壁表面より、前記照射光の反射率が高い表面被覆で覆われていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. チャンバ内でウエハ面への照射光により熱処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法であって、
   前記チャンバ内では、前記ウエハ面の周辺側に対応する内壁形状は、前記ウエハ面の非周辺側に対応する内壁形状に比べて、前記照射光が反射し易い形状に設定されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

Images