JP2005206905A - 基板処理方法及び装置、並びに処理液 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板の表面に形成した下地金属の露出表面に無電解めっきにより金属膜を選択的に形成するに際し、下地金属と錯体を形成する成分、及び触媒金属イオンを含む処理液により下地金属表面の前処理を行う。
【選択図】 図6
Description
このように、下地金属と錯体を形成する成分、及び触媒金属イオンを含む処理液により下地金属表面の前処理を行うことで、下地金属表面に該金属と前記成分と錯体からなる保護層を形成して下地金属を保護しつつ、この保護層の表面に触媒金属を担持させることができ、これによって、エッチング等による下地金属の構造や物性の低下を伴うことなく、下地金属表面に触媒を付与することができる。
このように、下地金属と錯体を形成する成分、及び触媒金属イオンの他に、下地金属表面を洗浄する機能を有する酸を含む処理液により下地金属表面の前処理を行うことで、下地金属表面の金属酸化膜や下地金属表面上のCMP残渣等を除去(洗浄)すると同時に、下地金属表面に該金属の錯体からなる保護層を形成して下地金属を保護しつつ、この保護層の表面に触媒金属を担持させることができる。
このように、下地金属と錯体を形成する成分、及び下地金属表面を洗浄する機能を有する酸を含む処理液により下地金属表面を洗浄することで、下地金属表面の金属酸化膜や下地金属表面上のCMP残渣等を除去(洗浄)すると同時に、下地金属表面に該金属の錯体からなる保護層を形成することができる。これによって、洗浄後の下地金属表面に触媒を付与する時に、エッチング等によって下地金属の構造や物性が損なわれてしまうことを該下地金属の表面に予め形成した保護膜で防止し、しかも触媒金属を含んだ処理液への不純物の混入を防ぐことができる。
含窒素有機物は、構造中の窒素が極性を持つため、下地金属に静電作用で吸着する。これにより、触媒金属が過度に下地金属と反応するのを防ぐことができる。
含窒素高分子ポリマーは、処理液中に、0.01〜1000ppm程度、好ましくは、1〜100ppm程度添加される。また、含窒素高分子ポリマーの分子量は、100以上であることが好ましく、1000以上であることが更に望ましい。
下地金属と錯体を形成する成分として、2個以上のカルボキシル基を有する有機物を使用した場合、少なくとも1個のカルボキシル基が下地金属に吸着して、触媒金属が下地金属と過度に反応するのを防ぐことができる。このカルボキシル基を有する有機物は、処理液中に、0.01〜100g/L程度、好ましくは、0.1〜10g/L程度添加される。
このように、溶存酸素量が3ppm以下の処理液中で下地金属表面の前処理を行うことで、前処理中に下地金属と溶存酸素が反応することを低減して、下地金属の信頼性が損なわれることを防止することができる。
このように、埋込み配線構造を有する半導体装置に適用することで、配線の内部にボイドを生じさせることなく、配線の露出表面を金属膜(配線保護膜)で選択的に覆って配線を保護することができる。
請求項10に記載の発明は、基板の表面に形成した下地金属と錯体を形成する成分、触媒金属イオン、及び下地金属表面を洗浄する機能を有する酸を含む処理液で下地金属表面の前処理を行う前処理ユニットと、前処理後の下地金属表面に金属膜を選択的に形成する無電解めっきユニットを有することを特徴とする基板処理装置である。
請求項13に記載の発明は、金属と錯体を形成する成分、触媒金属イオン、及び金属表面を洗浄する機能を有する酸を含む請求項2記載の事項を目的とする処理液である。
請求項14に記載の発明は、金属と錯体を形成する成分、及び金属表面を洗浄する機能を有する酸を含む請求項3記載の事項を目的とする処理液である。
請求項15に記載の発明は、前記金属と錯体を形成する成分は、含窒素有機物及び/またはカルボキシル基を有した有機物であることを特徴とする請求項12乃至14のいずれかに記載の処理液である。
請求項17に記載の発明は、前記カルボキシル基を有する有機物は、2個以上のカルボキシル基及び/または金属に対する錯化力を有すことを特徴とする請求項15記載の処理液である。
先ず、表面に配線8を形成し乾燥させた基板Wを該基板Wの表面を上向き(フェースアップ)で収納してロード・アンロードユニット12に搭載した基板カセット10から、1枚の基板Wを搬送ロボット34で取り出して第1前処理ユニット18に搬送する。この第1前処理ユニット18では、基板Wをフェースダウンで保持して、この表面に、めっき前処理としての前洗浄処理(薬液洗浄)を行う。つまり、例えば液温が25℃で、希釈H2SO4等の処理液(洗浄薬液)を基板Wの表面に向けて噴射して、図5(a)〜図5(b)に示すように、絶縁膜2の表面に残った銅等のCMP残渣44や配線8上の金属(銅)酸化膜42等を除去し、しかる後、基板Wの表面に残った洗浄楽液を純水等のリンス液でリンス(洗浄)する。
なお、リンス処理や触媒付与処理等の各処理にあっても、溶存酸素量が3ppm以下の処理液を使用して、溶存酸素量が3ppm以下の処理液中で各処理を行うことが好ましく、これによって、各処理中に配線8と溶存酸素が反応することを低減することができる。
・Na3C6H5O7・2H2O:80g/L
・HBO3:30g/L
・NaH2PO2:20g/L
・Na2WO4・2H2O:40g/L
・pH:9.2(NaOH水溶液で調整)
そして、この後処理後の基板Wを搬送ロボット34で乾燥ユニット26に搬送し、ここで必要に応じてリンス処理を行い、しかる後、基板Wを高速で回転させてスピン乾燥させる。
なお、各ユニットと搬送ロボットとの間の基板の受け渡しは、基板を乾燥させた状態で行うことが好ましい。
第1前処理(前洗浄)ユニット18及び第2前処理(触媒付与)ユニット20は、使用される処理液(薬液)が異なるのみで、同じ構成の、異なる液体の混合を防ぐ2液分離方式を採用したもので、フェースダウンで搬送された基板Wの処理面(表面)である下面の周縁部をシールし、裏面側を押圧して基板Wを固定するようにしている。
そして、めっき処理を行うときには、めっき槽200のめっき槽カバー270を開き、基板ヘッド204を回転させながら下降させ、ヘッド部232で保持した基板Wをめっき槽200内のめっき液に浸漬させる。
この基板Wの洗浄が終了した後、基板ヘッド204の回転を停止させ、基板ヘッド204を上昇させて基板Wを洗浄槽202の上方位置まで引き上げ、更に基板ヘッド204を搬送ロボット34との受渡し位置まで移動させ、この搬送ロボット34に基板Wを受渡して次工程に搬送する。
更に、後処理ユニット24は、基板Wのエッジ(外周部)に当接しながら回転するスポンジ(PFR)419が備えられ、このスポンジ419を基板Wのエッジに当てて、ここをスクラブ洗浄するようになっている。
また、クランプ機構420で把持した基板Wの周囲を囲繞して処理液の飛散を防止する洗浄カップ436が備えられ、この洗浄カップ436は、洗浄カップ昇降用シリンダ438の作動に伴って昇降するようになっている。
そして、実施例1と同様に、この一連の無電解めっき処理を行う前と後における配線の抵抗値を測定し、その変化率を求めた。
実施例1と同様な試料を用意した。そして、試料の表面に希釈した無機酸を60秒間接触(浸漬)させて試料表面を洗浄し、純水で60秒間リンスした。そして、試料の表面に、触媒イオン(Pdイオン)を含む処理液(触媒液)を60秒間接触(浸漬)させて触媒付与処理を行い、純水で60秒間リンスした。次に、試料の表面にCoWPの無電解めっき液を120秒間浸漬させて無電解めっき処理を行った。
そして、実施例1と同様に、この一連の無電解めっき処理を行う前と後における配線の抵抗値を測定し、その変化率を求めた。
9 配線保護膜
12 ロード・アンロードユニット
18,20 前処理ユニット
22 無電解めっきユニット
24 後処理ユニット
26 乾燥ユニット
28 熱処理ユニット
30 膜厚測定ユニット
34 搬送ロボット
40 触媒金属(核)
42 金属酸化膜
44 残渣
46 保護層
56 ハウジング部
58 基板ホルダ
60 処理ヘッド
74 昇降用シリンダ
80 メインフレーム
84a シールリング
86 基板固定リング
100 処理槽
102 蓋体
112 ノズル板
112a 噴射ノズル
120 処理液タンク
122 処理液ポンプ
124 ノズル板
124a 噴射ノズル
126 排水管
128 三方弁
132 リンス液供給源
200 めっき槽
202 洗浄槽
204 基板ヘッド
230 ハウジング部
232 ヘッド部
234 吸着ヘッド
250 吸着リング
254 爪部
260 めっき液回収溝
268 噴射ノズル
280 噴射ノズル
282 ノズル板
302 めっき液貯槽
304 めっき液供給ポンプ
306 三方弁
308 めっき液供給管
316 ヒータ
318 流量計
320 熱交換器
322 加熱装置
324 攪拌ポンプ
342 液面センサ
410 ローラ
412 処理液用ノズル
419 スポンジ
420 クランプ機構
422 基板ステージ
424 基板着脱用昇降プレート
426 スピンドル回転用モータ
428 スピンドル
430 メガジェットノズル
432 ペンシル型洗浄スポンジ
434 旋回アーム
436 洗浄カップ
438 洗浄カップ昇降用シリンダ
Claims (17)
- 基板の表面に形成した下地金属の露出表面に無電解めっきにより金属膜を選択的に形成するに際し、
下地金属と錯体を形成する成分、及び触媒金属イオンを含む処理液により下地金属表面の前処理を行うことを特徴とする基板処理方法。 - 基板の表面に形成した下地金属の露出表面に無電解めっきにより金属膜を選択的に形成するに際し、
下地金属と錯体を形成する成分、触媒金属イオン、及び下地金属表面を洗浄する機能を有する酸を含む処理液により下地金属表面の前処理を行うことを特徴とする基板処理方法。 - 基板の表面に形成した下地金属の露出表面に無電解めっきにより金属膜を選択的に形成するに際し、
下地金属と錯体を形成する成分、及び下地金属表面を洗浄する機能を有する酸を含む処理液により下地金属表面を洗浄し、
洗浄後の下地金属表面に触媒を付与することを特徴とする基板処理方法。 - 前記下地金属と錯体を形成する成分は、含窒素有機物及び/またはカルボキシル基を有する有機物であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の基板処理方法。
- 前記含窒素有機物は、ポリジアルキルアミノエチルアクリレート4級塩、ポリアリルジメチルアンモニウムクロライド、ポリエチレンイミン、ポリビニルピリジン4級塩、ポリビニルアミジン、ポリアリルアミン及びポリアミンスルホン酸よりなる群から選ばれる含窒素高分子ポリマー類であることを特徴とする請求項4記載の基板処理方法。
- 前記カルボキシル基を有する有機物は、2個以上のカルボキシル基及び/または下地金属に対する錯化力を有することを特徴とする請求項4記載の基板処理方法。
- 前記下地金属表面の処理液による処理を、溶存酸素量が3ppm以下の処理液中で行うことを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の基板処理方法。
- 前記基板は、埋込み配線構造を有する半導体装置で、この半導体装置の配線を下地金属として、該配線の表面に配線保護膜となる金属膜を選択的に形成することを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の基板処理方法。
- 基板の表面に形成した下地金属と錯体を形成する成分、及び触媒金属イオンを含む処理液で下地金属表面の前処理を行う前処理ユニットと、
前処理後の下地金属表面に金属膜を選択的に形成する無電解めっきユニットを有することを特徴とする基板処理装置。 - 基板の表面に形成した下地金属と錯体を形成する成分、触媒金属イオン、及び基板表面を洗浄する機能を有する酸を含む処理液で下地金属表面の前処理を行う前処理ユニットと、
前処理後の下地金属表面に金属膜を選択的に形成する無電解めっきユニットを有することを特徴とする基板処理装置。 - 基板の表面に形成した下地金属と錯体を形成する成分、及び基板表面を洗浄する機能を有する酸を含む処理液により下地金属表面の前洗浄を行う前洗浄ユニットと、
前洗浄後の下地金属表面に触媒を付与する触媒付与ユニットと、
触媒付与後の下地金属表面に金属膜を選択的に形成する無電解めっきユニットを有することを特徴とする基板処理装置。 - 金属と錯体を形成する成分、及び触媒金属イオンを含む請求項1記載の事項を目的とする処理液。
- 金属と錯体を形成する成分、触媒金属イオン、及び金属表面を洗浄する機能を有する酸を含む請求項2記載の事項を目的とする処理液。
- 金属と錯体を形成する成分、及び金属表面を洗浄する機能を有する酸を含む請求項3記載の事項を目的とする処理液。
- 前記金属と錯体を形成する成分は、含窒素有機物及び/またはカルボキシル基を有する有機物であることを特徴とする請求項12乃至14のいずれかに記載の処理液。
- 前記含窒素有機物は、ポリジアルキルアミノエチルアクリレート4級塩、ポリアリルジメチルアンモニウムクロライド、ポリエチレンイミン、ポリビニルピリジン4級塩、ポリビニルアミジン、ポリアリルアミン及びポリアミンスルホン酸よりなる群から選ばれる含窒素高分子ポリマー類であることを特徴とする請求項15記載の処理液。
- 前記カルボキシル基を有する有機物は、2個以上のカルボキシル基及び/または金属に対する錯化力を有すことを特徴とする請求項15記載の処理液。
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