JP2005181984A - 液晶表示装置とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 透明導電層と低抵抗金属との積層からなる信号線と擬似絵素電極を形成し、パシベーション絶縁層への開口部形成時に擬似絵素電極上の低抵抗金属層を除去して透明導電層よりなる絵素電極を得ることで信号線の形成工程と絵素電極の形成工程を合理化することで、コンタクトの形成工程と半導体層の形成工程、あるいは走査線の形成工程とコンタクトの形成工程または走査線の形成工程と半導体層の形成工程のハーフトーン露光技術と組合せて液晶表示装置の4枚マスク・プロセス、3枚マスク・プロセスを構築する。
【選択図】 図2
Description
透明導電層と低抵抗金属層との積層からなり信号線も兼ねるソース配線と、擬似絵素電極も兼ねるドレイン配線が不純物を含む第2の半導体層と耐熱金属層を介してチャネルとなる不純物を含まない第1の半導体層に接続され、
第1の透明性絶縁基板上のパシベーション絶縁層に形成された開口部内の前記擬似絵素電極の低抵抗金属層が除去されて露出した透明導電層を絵素電極とすることを特徴とする。
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の第1の金属層よりなる走査線が形成され、
ゲート電極上に1層以上のゲート絶縁層を介して不純物を含まない第1の半導体層がゲート電極よりも幅太く島状に形成され、
前記第1の半導体層上にゲート電極と重なるように不純物を含む第2の半導体層と耐熱金属層との積層からなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記ソース電極上とゲート絶縁層上に透明導電層と低抵抗金属層との積層からなる信号線と、前記ドレイン電極上とゲート絶縁層上にその周辺に低抵抗金属層を積層された透明導電性の絵素電極と、ゲート絶縁層上に前記開口部を含んで透明導電性の走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる透明導電性の信号線の電極端子が形成され、
前記絵素電極上と、前記走査線の電極端子上と信号線の電極端子上に開口部を有するパシベーション絶縁層が前記第1の透明性絶縁基板上に形成されていることを特徴とする。
第1の透明性絶縁基板(アクティブ基板)と、前記第1の透明性絶縁基板と対向する第2の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも、
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の第1の金属層よりなる走査線が形成され、
ゲート電極上にはゲート電極よりも幅太く、走査線と信号線の交差点近傍には走査線よりも幅太く、ゲート絶縁層と不純物を含まない第1の半導体層との積層が島状に形成され、
ゲート電極上の第1の半導体層上にはゲート電極と重なるように不純物を含む第2の半導体層と耐熱金属層との積層からなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、走査線と信号線の交差点の第1の半導体層上には不純物を含む第2の半導体層と耐熱金属層との積層が島状に形成され、
前記ソース電極上と、第1の透明性絶縁基板上と、走査線と信号線の交差点近傍の耐熱金属層上に透明導電層と低抵抗金属層との積層からなる信号線と、前記ドレイン電極上と第1の透明性絶縁基板上にその周辺に低抵抗金属層を積層された透明導電性の絵素電極と、画像表示部外の領域で第1の透明性絶縁基板上に走査線の一部を含んで透明導電性の走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる透明導電性の信号線の電極端子が形成され、
前記絵素電極上と、前記走査線の電極端子上と信号線の電極端子上に開口部を有するパシベーション絶縁層が前記第1の透明性絶縁基板上に形成されていることを特徴とする。
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の第1の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
前記走査線上に1層以上のゲート絶縁層が形成され、
ゲート電極上のゲート絶縁層上に不純物を含まない第1の半導体層が島状に形成され、
前記第1の半導体層上に不純物を含む第2の半導体層と耐熱金属層との積層からなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記ソース電極上と第1の透明性絶縁基板上に透明導電層と低抵抗金属層との積層からなる信号線と、前記ドレイン電極上と第1の透明性絶縁基板上にその周辺に低抵抗金属層を積層された透明導電性の絵素電極と、前記開口部上と開口部周辺の第1の半導体層と第2の半導体層と耐熱金属層との積層上に透明導電性の走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる透明導電性の信号線の電極端子が形成され、
前記絵素電極上と、前記走査線の電極端子上と信号線の電極端子上に開口部を有するパシベーション絶縁層が前記第1の透明性絶縁基板上に形成されていることを特徴とする。
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の第1の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
前記走査線上に1層以上のゲート絶縁層が形成され、
ゲート電極上のゲート絶縁層上に不純物を含まない第1の半導体層が島状に形成され、
前記第1の半導体層上に不純物を含む第2の半導体層と耐熱金属層との積層からなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記ソース電極上と第1の透明性絶縁基板上に透明導電層と低抵抗金属層との積層からなる信号線と、前記ドレイン電極上と第1の透明性絶縁基板上にその周辺に低抵抗金属層を積層された透明導電性の絵素電極と、前記開口部を含んで透明導電性の走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる透明導電性の信号線の電極端子が形成され、
前記絵素電極上と、前記走査線の電極端子上と信号線の電極端子上に開口部を有するパシベーション絶縁層が前記第1の透明性絶縁基板上に形成されていることを特徴とする。
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の第1の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
前記走査線上に1層以上のゲート絶縁層が形成され、
ゲート電極上のゲート絶縁層上に前記ゲート絶縁層よりもわずかに小さい不純物を含まない第1の半導体層が島状に形成され、
前記第1の半導体層上に不純物を含む第2の半導体層と耐熱金属層との積層からなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記ソース電極上と第1の透明性絶縁基板上に透明導電層と低抵抗金属層との積層からなる信号線と、前記ドレイン電極上と第1の透明性絶縁基板上にその周辺に低抵抗金属層を積層された透明導電性の絵素電極と、前記開口部を含んで透明導電性の走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる透明導電性の信号線の電極端子が形成され、
前記絵素電極上と、前記走査線の電極端子上と信号線の電極端子上に開口部を有するパシベーション絶縁層が前記第1の透明性絶縁基板上に形成されていることを特徴とする。
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の第1の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
ゲート電極上と、走査線と信号線の交差点近傍の走査線上にゲート絶縁層と不純物を含まない第1の半導体層との積層が島状に形成され、
ゲート電極上の第1の半導体層上には不純物を含む第2の半導体層と耐熱金属層との積層からなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、走査線と信号線の交差点の第1の半導体層上には不純物を含む第2の半導体層と耐熱金属層との積層が形成され、
前記ソース電極上と、第1の透明性絶縁基板上と、走査線と信号線の交差点の耐熱金属層上に透明導電層と低抵抗金属層との積層からなる信号線と、前記ドレイン電極上と第1の透明性絶縁基板上にその周辺に低抵抗金属層を積層された透明導電性の絵素電極と、画像表示部外の領域で第1の透明性絶縁基板上に走査線の一部を含んで透明導電性の走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる透明導電性の信号線の電極端子が形成され、
前記絵素電極上と、前記走査線の電極端子上と信号線の電極端子上に開口部を有するパシベーション絶縁層が前記第1の透明性絶縁基板上に形成されていることを特徴とする。
月間「高分子加工」2002年11月号
の非晶質シリコン33Bと第1の非晶質シリコン31Bとゲート絶縁層30Bを介して平面的に重なっている領域51(右下がり斜線部)が蓄積容量15を構成する場合を例示しており、絶縁層76が付加された事を除けば実施例3と実質的に同一である。
2:アクティブ基板(ガラス基板)
3:半導体集積回路チップ
4:TCPフィルム
5:走査線の電極端子、走査線の一部
P5:走査線の擬似電極端子
6:信号線の電極端子、信号線の一部
P6:信号線の擬似電極端子
9:カラーフィルタ(対向するガラス基板)
10:絶縁ゲート型トランジスタ
11:走査線
11A:(ゲート配線、ゲート電極)
12:信号線(ソース配線、ソース電極)
16:蓄積容量線
21:ドレイン電極
22:(透明導電性の)絵素電極
P22:擬似絵素電極
30,30A,30B,30C:ゲート絶縁層(第1のSiNx層)
31,31A,31B,31C:(不純物を含まない)第1の非晶質シリコン層
32:第2のSiNx層
32D:チャネル保護層(エッチストップ層、保護絶縁層)
33,33A,33B,33C:(不純物を含む)第2の非晶質シリコン層
34,34A:耐熱金属層(シリサイドも含む)
35,35A:低抵抗金属層(AL)
36,36A:中間導電層
37:(SiNxよりなる)パシベーション絶縁層
38:(絵素電極上の)開口部
50,51:蓄積容量形成領域
62:(ドレイン電極上の)開口部
63,63A:(走査線上の)開口部
64,64A:(信号線上の)開口部
65,65A:(蓄積容量線上の)開口部
73:走査線の一部
75:蓄積容量線の一部
76:走査線の側面に形成された絶縁層
78:絶縁層76を形成するための接続パターン
81A,81B,82A,82B,84A1〜84A4,84B
:(ハーフトーン露光で形成された)感光性樹脂パターン
91,91A,91B,91C:透明導電層
92:第1の金属層
Claims (16)
- 一主面上に少なくとも絶縁ゲート型トランジスタと、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート電極も兼ねる走査線と、ソース配線も兼ねる信号線と、ドレイン配線に接続された絵素電極を有する単位絵素が二次元のマトリクスに配列された第1の透明性絶縁基板(アクティブ基板)と、前記第1の透明性絶縁基板と対向する第2の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、
透明導電層と低抵抗金属層との積層からなり信号線も兼ねるソース配線と、擬似絵素電極も兼ねるドレイン配線が不純物を含む第2の半導体層と耐熱金属層を介してチャネルとなる不純物を含まない第1の半導体層に接続され、
第1の透明性絶縁基板上のパシベーション絶縁層に形成された開口部内の前記擬似絵素電極の低抵抗金属層が除去されて露出した透明導電層を絵素電極とすることを特徴とする液晶表示装置。 - 第1の透明性絶縁基板(アクティブ基板)と、前記第1の透明性絶縁基板と対向する第2の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも、
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の第1の金属層よりなる走査線が形成され、
ゲート電極上に1層以上のゲート絶縁層を介して不純物を含まない第1の半導体層がゲート電極よりも幅太く島状に形成され、
前記第1の半導体層上にゲート電極と重なるように不純物を含む第2の半導体層と耐熱金属層との積層からなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記ソース電極上とゲート絶縁層上に透明導電層と低抵抗金属層との積層からなる信号線と、前記ドレイン電極上とゲート絶縁層上にその周辺に低抵抗金属層を積層された透明導電性の絵素電極と、ゲート絶縁層上に前記開口部を含んで透明導電性の走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる透明導電性の信号線の電極端子が形成され、
前記絵素電極上と、前記走査線の電極端子上と信号線の電極端子上に開口部を有するパシベーション絶縁層が前記第1の透明性絶縁基板上に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 第1の透明性絶縁基板(アクティブ基板)と、前記第1の透明性絶縁基板と対向する第2の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも、
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の第1の金属層よりなる走査線が形成され、
ゲート電極上にはゲート電極よりも幅太く、走査線と信号線の交差点近傍には走査線よりも幅太く、ゲート絶縁層と不純物を含まない第1の半導体層との積層が島状に形成され、
ゲート電極上の第1の半導体層上にはゲート電極と重なるように不純物を含む第2の半導体層と耐熱金属層との積層からなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、走査線と信号線の交差点の第1の半導体層上には不純物を含む第2の半導体層と耐熱金属層との積層が島状に形成され、
前記ソース電極上と、第1の透明性絶縁基板上と、走査線と信号線の交差点近傍の耐熱金属層上に透明導電層と低抵抗金属層との積層からなる信号線と、前記ドレイン電極上と第1の透明性絶縁基板上にその周辺に低抵抗金属層を積層された透明導電性の絵素電極と、画像表示部外の領域で第1の透明性絶縁基板上に走査線の一部を含んで透明導電性の走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる透明導電性の信号線の電極端子が形成され、
前記絵素電極上と、前記走査線の電極端子上と信号線の電極端子上に開口部を有するパシベーション絶縁層が前記第1の透明性絶縁基板上に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 第1の透明性絶縁基板(アクティブ基板)と、前記第1の透明性絶縁基板と対向する第2の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも、
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の第1の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
前記走査線上に1層以上のゲート絶縁層が形成され、
ゲート電極上のゲート絶縁層上に不純物を含まない第1の半導体層が島状に形成され、
前記第1の半導体層上に不純物を含む第2の半導体層と耐熱金属層との積層からなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記ソース電極上と第1の透明性絶縁基板上に透明導電層と低抵抗金属層との積層からなる信号線と、前記ドレイン電極上と第1の透明性絶縁基板上にその周辺に低抵抗金属層を積層された透明導電性の絵素電極と、前記開口部上と開口部周辺の第1の半導体層と第2の半導体層と耐熱金属層との積層上に透明導電性の走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる透明導電性の信号線の電極端子が形成され、
前記絵素電極上と、前記走査線の電極端子上と信号線の電極端子上に開口部を有するパシベーション絶縁層が前記第1の透明性絶縁基板上に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 第1の透明性絶縁基板(アクティブ基板)と、前記第1の透明性絶縁基板と対向する第2の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも、
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の第1の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
前記走査線上に1層以上のゲート絶縁層が形成され、
ゲート電極上のゲート絶縁層上に不純物を含まない第1の半導体層が島状に形成され、
前記第1の半導体層上に不純物を含む第2の半導体層と耐熱金属層との積層からなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記ソース電極上と第1の透明性絶縁基板上に透明導電層と低抵抗金属層との積層からなる信号線と、前記ドレイン電極上と第1の透明性絶縁基板上にその周辺に低抵抗金属層を積層された透明導電性の絵素電極と、前記開口部を含んで透明導電性の走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる透明導電性の信号線の電極端子が形成され、
前記絵素電極上と、前記走査線の電極端子上と信号線の電極端子上に開口部を有するパシベーション絶縁層が前記第1の透明性絶縁基板上に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 第1の透明性絶縁基板(アクティブ基板)と、前記第1の透明性絶縁基板と対向する第2の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも、
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の第1の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
前記走査線上に1層以上のゲート絶縁層が形成され、
ゲート電極上のゲート絶縁層上に前記ゲート絶縁層よりもわずかに小さい不純物を含まない第1の半導体層が島状に形成され、
前記第1の半導体層上に不純物を含む第2の半導体層と耐熱金属層との積層からなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部が形成されて開口部内に走査線の一部が露出し、
前記ソース電極上と第1の透明性絶縁基板上に透明導電層と低抵抗金属層との積層からなる信号線と、前記ドレイン電極上と第1の透明性絶縁基板上にその周辺に低抵抗金属層を積層された透明導電性の絵素電極と、前記開口部を含んで透明導電性の走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる透明導電性の信号線の電極端子が形成され、
前記絵素電極上と、前記走査線の電極端子上と信号線の電極端子上に開口部を有するパシベーション絶縁層が前記第1の透明性絶縁基板上に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 第1の透明性絶縁基板(アクティブ基板)と、前記第1の透明性絶縁基板と対向する第2の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも、
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の第1の金属層よりなりその側面に絶縁層を有する走査線が形成され、
ゲート電極上と、走査線と信号線の交差点近傍の走査線上にゲート絶縁層と不純物を含まない第1の半導体層との積層が島状に形成され、
ゲート電極上の第1の半導体層上には不純物を含む第2の半導体層と耐熱金属層との積層からなる一対のソース・ドレイン電極が形成され、走査線と信号線の交差点の第1の半導体層上には不純物を含む第2の半導体層と耐熱金属層との積層が形成され、
前記ソース電極上と、第1の透明性絶縁基板上と、走査線と信号線の交差点の耐熱金属層上に透明導電層と低抵抗金属層との積層からなる信号線と、前記ドレイン電極上と第1の透明性絶縁基板上にその周辺に低抵抗金属層を積層された透明導電性の絵素電極と、画像表示部外の領域で第1の透明性絶縁基板上に走査線の一部を含んで透明導電性の走査線の電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる透明導電性の信号線の電極端子が形成され、
前記絵素電極上と、前記走査線の電極端子上と信号線の電極端子上に開口部を有するパシベーション絶縁層が前記第1の透明性絶縁基板上に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 走査線の側面に形成された絶縁層が有機絶縁層であることを特徴とする請求項4、請求項5、請求項6及び請求項7に記載の液晶表示装置。
- 第1の金属層が陽極酸化可能な金属層よりなり走査線の側面に形成された絶縁層が陽極酸化層であることを特徴とする請求項4、請求項5、請求項6及び請求項7に記載の液晶表示装置。
- 第1の透明性絶縁基板(アクティブ基板)と、前記第1の透明性絶縁基板と対向する第2の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも、
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の第1の金属層よりなる走査線を形成する工程と、
1層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第1の非晶質シリコン層と不純物を含む第2の非晶質シリコン層と耐熱金属層を順次被着する工程と、
ゲート電極上にゲート電極よりも幅太く前記耐熱金属層と第2非晶質シリコン層と第1の非晶質シリコン層とからなる積層を島状に形成してゲート絶縁層を露出する工程と、
画像表示部外の領域で走査線上のゲート絶縁層に開口部を形成して走査線の一部を露出する工程と、
透明導電層と低抵抗金属層を被着後、低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層と第2の非晶質シリコン層を選択的に除去し、ゲート絶縁層上にゲート電極と一部重なるように低抵抗金属層と透明導電層との積層からなるソース配線(信号線)及び擬似絵素電極となるドレイン配線と、前記開口部を含んで低抵抗金属層と透明導電層との積層からなる走査線の擬似電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる信号線の擬似電極端子を形成する工程と、
パシベーション絶縁層を被着後、前記擬似絵素電極上及び走査線と信号線の擬似電極端子上に開口部を形成し、前記開口部内のパシベーション絶縁層と低抵抗金属層を除去して前記開口部内に透明導電性の絵素電極及び透明導電性の走査線の電極端子と透明導電性の信号線の電極端子を露出する工程を有する液晶表示装置の製造方法。 - 第1の透明性絶縁基板(アクティブ基板)と、前記第1の透明性絶縁基板と対向する第2の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも、
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の第1の金属層よりなる走査線を形成する工程と、
1層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第1の非晶質シリコン層と不純物を含む第2の非晶質シリコン層と耐熱金属層を順次被着する工程と、
画像表示部外の領域で走査線上に開口部を有し、ゲート電極上の半導体層形成領域の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして前記開口部内の耐熱金属層と第2の非晶質シリコン層と第1の非晶質シリコン層を除去してゲート絶縁層を露出する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して前記耐熱金属層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとしてゲート電極上にゲート電極よりも幅太く耐熱金属層と第2の非晶質シリコン層と第1の非晶質シリコン層とからなる積層を島状に形成してゲート絶縁層を露出するとともに前記開口部内のゲート絶縁層を除去して走査線の一部を露出する工程と、
透明導電層と低抵抗金属層を被着後、低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層と第2の非晶質シリコン層を選択的に除去し、ゲート絶縁層上にゲート電極と一部重なるように低抵抗金属層と透明導電層との積層からなるソース配線(信号線)及び擬似絵素電極となるドレイン配線と、前記開口部を含んで低抵抗金属層と透明導電層との積層からなる走査線の擬似電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる信号線の擬似電極端子を形成する工程と、
パシベーション絶縁層を被着後、前記擬似絵素電極上及び走査線と信号線の擬似電極端子上に開口部を形成し、前記開口部内のパシベーション絶縁層と低抵抗金属層を除去して前記開口部内に透明導電性の絵素電極及び透明導電性の走査線の電極端子と透明導電性の信号線の電極端子を露出する工程を有する液晶表示装置の製造方法。 - 第1の透明性絶縁基板(アクティブ基板)と、前記第1の透明性絶縁基板と対向する第2の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも、
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の第1の金属層よりなる走査線を形成する工程と、
1層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第1の非晶質シリコン層と不純物を含む第2の非晶質シリコン層と耐熱金属層を順次被着する工程と、
ゲート電極上にはゲート電極よりも幅太く、走査線と信号線の交差点近傍には走査線よりも幅太く前記耐熱金属層と第2の非晶質シリコン層と第1の非晶質シリコン層とゲート絶縁層からなる積層を島状に形成して走査線を露出する工程と、
透明導電層と低抵抗金属層を被着後、低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層と第2の非晶質シリコン層を選択的に除去し、第1の透明性絶縁基板上にゲート電極と一部重なるように低抵抗金属層と透明導電層との積層からなるソース配線(信号線)及び擬似絵素電極となるドレイン配線と、画像表示部外の領域で走査線上に低抵抗金属層と透明導電層との積層からなる走査線の擬似電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる信号線の擬似電極端子を形成する工程と、
パシベーション絶縁層を被着後、前記擬似絵素電極上及び走査線と信号線の擬似電極端子上に開口部を形成し、前記開口部内のパシベーション絶縁層と低抵抗金属層を除去して前記開口部内に透明導電性の絵素電極及び透明導電性の走査線の電極端子と透明導電性の信号線の電極端子を露出する工程を有する液晶表示装置の製造方法。 - 第1の透明性絶縁基板(アクティブ基板)と、前記第1の透明性絶縁基板と対向する第2の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも、
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の第1の金属層と1層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第1の非晶質シリコン層と不純物を含む第2の非晶質シリコン層と耐熱金属層を順次被着する工程と、
走査線に対応し、画像表示部外の領域で走査線のコンタクト(開口部)上の膜厚が他の領域よりも薄い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして前記耐熱金属層と第2の非晶質シリコン層と第1の非晶質シリコン層とゲート絶縁層と第1の金属層を順次食刻する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して前記開口部内に耐熱金属層を露出する工程と、
走査線の側面に絶縁層を形成する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして前記開口部内の耐熱金属層と第2の非晶質シリコン層と第1の非晶質シリコン層とゲート絶縁層を食刻して走査線の一部を露出する工程と、
ゲート電極上に耐熱金属層と第2の非晶質シリコン層と第1の非晶質シリコン層とからなる積層を島状に形成してゲート絶縁層を露出するとともに、前記開口部を保護して開口部の周囲に耐熱金属層と第2非晶質シリコン層と第1の非晶質シリコン層を残す工程と、
透明導電層と低抵抗金属層を被着後、低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層と第2の非晶質シリコン層を選択的に除去し、第1の透明性絶縁基板上にゲート電極と一部重なるように低抵抗金属層と透明導電層との積層からなるソース配線(信号線)及び擬似絵素電極となるドレイン配線と、前記開口部上及びその周辺部上に低抵抗金属層と透明導電層との積層からなる走査線の擬似電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる信号線の擬似電極端子を形成する工程と、
パシベーション絶縁層を被着後、前記擬似絵素電極上及び走査線と信号線の擬似電極端子上に開口部を形成し、前記開口部内のパシベーション絶縁層と低抵抗金属層を除去して前記開口部内に透明導電性の絵素電極及び透明導電性の走査線の電極端子と透明導電性の信号線の電極端子を露出する工程を有する液晶表示装置の製造方法。 - 第1の透明性絶縁基板(アクティブ基板)と、前記第1の透明性絶縁基板と対向する第2の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも、
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の第1の金属層と1層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第1の非晶質シリコン層と不純物を含む第2の非晶質シリコン層と耐熱金属層を順次被着する工程と、
走査線に対応し、ゲート電極上の半導体層形成領域上の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして前記耐熱金属層と第2の非晶質シリコン層と第1の非晶質シリコン層とゲート絶縁層と第1の金属層を順次食刻する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して前記耐熱金属層を露出する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとしてゲート電極上に耐熱金属層と第2の非晶質シリコン層と第1の非晶質シリコン層とからなる積層を島状に形成してゲート絶縁層を露出する工程と、
走査線の側面に絶縁層を形成する工程と、
画像表示部外の領域で走査線上に開口部を形成して前記開口部内に走査線の一部を露出する工程と、
透明導電層と低抵抗金属層を被着後、低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層と第2の非晶質シリコン層を選択的に除去し、第1の透明性絶縁基板上にゲート電極と一部重なるように低抵抗金属層と透明導電層との積層からなるソース配線(信号線)及び擬似絵素電極となるドレイン配線と、前記開口部上に低抵抗金属層と透明導電層との積層からなる走査線の擬似電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる信号線の擬似電極端子を形成する工程と、
パシベーション絶縁層を被着後、前記擬似絵素電極上及び走査線と信号線の擬似電極端子上に開口部を形成し、前記開口部内のパシベーション絶縁層と低抵抗金属層を除去して前記開口部内に透明導電性の絵素電極及び透明導電性の走査線の電極端子と透明導電性の信号線の電極端子を露出する工程を有する液晶表示装置の製造方法。 - 第1の透明性絶縁基板(アクティブ基板)と、前記第1の透明性絶縁基板と対向する第2の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも、
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の第1の金属層と1層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第1の非晶質シリコン層と不純物を含む第2の非晶質シリコン層と耐熱金属層を順次被着する工程と、
半導体層形成領域に耐熱金属層と第2の非晶質シリコン層と第1の非晶質シリコン層とからなる積層を島状に形成してゲート絶縁層を露出する工程と、
走査線に対応し、画像表示部外の領域で走査線のコンタクト(開口部)上の膜厚が他の領域よりも薄い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして少なくとも前記ゲート絶縁層と第1の金属層を順次食刻する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して前記開口部内にゲート絶縁層を露出する工程と、
走査線の側面に絶縁層を形成する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして前記開口部内のゲート絶縁層を除去して走査線の一部を露出する工程と、
透明導電層と低抵抗金属層を被着後、低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層と第2の非晶質シリコン層を選択的に除去し、第1の透明性絶縁基板上にゲート電極と一部重なるように低抵抗金属層と透明導電層との積層からなるソース配線(信号線)及び擬似絵素電極となるドレイン配線と、前記開口部上に低抵抗金属層と透明導電層との積層からなる走査線の擬似電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる信号線の擬似電極端子を形成する工程と、
パシベーション絶縁層を被着後、前記擬似絵素電極上及び走査線と信号線の擬似電極端子上に開口部を形成し、前記開口部内のパシベーション絶縁層と低抵抗金属層を除去して前記開口部内に透明導電性の絵素電極及び透明導電性の走査線の電極端子と透明導電性の信号線の電極端子を露出する工程を有する液晶表示装置の製造方法。 - 第1の透明性絶縁基板(アクティブ基板)と、前記第1の透明性絶縁基板と対向する第2の透明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填してなる液晶表示装置において、少なくとも、
第1の透明性絶縁基板の一主面上に1層以上の第1の金属層と1層以上のゲート絶縁層と不純物を含まない第1の非晶質シリコン層と不純物を含む第2の非晶質シリコン層と耐熱金属層を順次被着する工程と、
走査線に対応し、かつゲート電極上と、走査線と信号線の交差点近傍の走査線上の膜厚が他の領域よりも厚い感光性樹脂パターンを形成する工程と、
前記感光性樹脂パターンをマスクとして前記耐熱金属層と第2の非晶質シリコン層と第1の非晶質シリコン層とゲート絶縁層と第1の金属層を順次食刻する工程と、
前記感光性樹脂パターンの膜厚を減少して走査線上の耐熱金属層を露出する工程と、
走査線の側面に絶縁層を形成する工程と、
前記膜厚を減ぜられた感光性樹脂パターンをマスクとして走査線上の耐熱金属層と第2の非晶質シリコン層と第1の非晶質シリコン層とゲート絶縁層を順次食刻して走査線を露出する工程と、
透明導電層と低抵抗金属層を被着後、低抵抗金属層と透明導電層と耐熱金属層と第2の非晶質シリコン層を選択的に除去し、第1の透明性絶縁基板上にゲート電極と一部重なるように低抵抗金属層と透明導電層との積層からなるソース配線(信号線)及び擬似絵素電極となるドレイン配線と、画像表示部外の領域で走査線上に低抵抗金属層と透明導電層との積層からなる走査線の擬似電極端子と、画像表示部外の領域で信号線の一部よりなる信号線の擬似電極端子を形成する工程と、
パシベーション絶縁層を被着後、前記擬似絵素電極上及び走査線と信号線の擬似電極端子上に開口部を形成し、前記開口部内のパシベーション絶縁層と低抵抗金属層を除去して前記開口部内に透明導電性の絵素電極及び透明導電性の走査線の電極端子と透明導電性の信号線の電極端子を露出する工程を有する液晶表示装置の製造方法。
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