JP2005175056A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005175056A5 JP2005175056A5 JP2003410153A JP2003410153A JP2005175056A5 JP 2005175056 A5 JP2005175056 A5 JP 2005175056A5 JP 2003410153 A JP2003410153 A JP 2003410153A JP 2003410153 A JP2003410153 A JP 2003410153A JP 2005175056 A5 JP2005175056 A5 JP 2005175056A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride semiconductor
- region
- main surface
- semiconductor substrate
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 49
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 21
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003410153A JP4665394B2 (ja) | 2003-12-09 | 2003-12-09 | 窒化物半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003410153A JP4665394B2 (ja) | 2003-12-09 | 2003-12-09 | 窒化物半導体レーザ素子 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005175056A JP2005175056A (ja) | 2005-06-30 |
| JP2005175056A5 true JP2005175056A5 (enExample) | 2007-02-01 |
| JP4665394B2 JP4665394B2 (ja) | 2011-04-06 |
Family
ID=34731306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003410153A Expired - Lifetime JP4665394B2 (ja) | 2003-12-09 | 2003-12-09 | 窒化物半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4665394B2 (enExample) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4316454B2 (ja) * | 2004-09-10 | 2009-08-19 | 株式会社東芝 | 半導体基板、半導体素子、半導体素子の製造方法及び半導体基板の製造方法 |
| JP2007088269A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光素子の製造方法 |
| JP4535997B2 (ja) * | 2005-12-09 | 2010-09-01 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| EP1981093A4 (en) * | 2006-01-20 | 2011-10-05 | Panasonic Corp | SEMICONDUCTOR ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE |
| JP5056142B2 (ja) | 2006-05-11 | 2012-10-24 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子の製造方法及び窒化物半導体レーザ素子 |
| JP2008141187A (ja) * | 2006-11-09 | 2008-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体レーザ装置 |
| US7838316B2 (en) | 2007-07-18 | 2010-11-23 | Nichia Corporation | Method for manufacturing a nitride semiconductor laser element and a nitride semiconductor laser element |
| CN101855798B (zh) | 2007-11-08 | 2013-02-27 | 日亚化学工业株式会社 | 半导体激光器元件 |
| JP5053893B2 (ja) | 2008-03-07 | 2012-10-24 | 住友電気工業株式会社 | 窒化物半導体レーザを作製する方法 |
| KR101142672B1 (ko) | 2008-09-11 | 2012-05-11 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 질화물계 반도체 광소자, 질화물계 반도체 광소자용의 에피택셜 웨이퍼, 및 반도체 발광 소자를 제조하는 방법 |
| JP5355158B2 (ja) * | 2009-03-13 | 2013-11-27 | 株式会社東芝 | 半導体基板及び半導体素子 |
| JP5304428B2 (ja) * | 2009-05-15 | 2013-10-02 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ |
| JP4450112B2 (ja) * | 2009-06-29 | 2010-04-14 | 住友電気工業株式会社 | 窒化物系半導体光素子 |
| JP2021012900A (ja) * | 2019-07-03 | 2021-02-04 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Iii族窒化物系半導体レーザ素子 |
| JP7336377B2 (ja) * | 2019-12-12 | 2023-08-31 | シャープ福山レーザー株式会社 | 半導体レーザ素子 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3682827B2 (ja) * | 1997-12-05 | 2005-08-17 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| JP4457417B2 (ja) * | 1998-09-22 | 2010-04-28 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| JP3794530B2 (ja) * | 1998-12-24 | 2006-07-05 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| JP2001148540A (ja) * | 1999-09-09 | 2001-05-29 | Sharp Corp | 半導体発光素子 |
| JP2002141283A (ja) * | 2000-08-08 | 2002-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体基板、その製造方法、半導体装置及びパターン形成方法 |
| JP4889142B2 (ja) * | 2000-10-17 | 2012-03-07 | 三洋電機株式会社 | 窒化物系半導体レーザ素子 |
| JP3973523B2 (ja) * | 2002-09-20 | 2007-09-12 | 三洋電機株式会社 | 窒化物系半導体レーザ素子 |
| JP4245638B2 (ja) * | 2007-03-15 | 2009-03-25 | 三洋電機株式会社 | 窒化物系半導体レーザ素子 |
-
2003
- 2003-12-09 JP JP2003410153A patent/JP4665394B2/ja not_active Expired - Lifetime
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2005175056A5 (enExample) | ||
| JP5206923B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| TWI396299B (zh) | 薄膜發光二極體晶片及製造薄膜發光二極體晶片之方法 | |
| JPS6129562A (ja) | 印字用発光ダイオ−ド | |
| JP2006005215A5 (enExample) | ||
| JP2003133649A5 (enExample) | ||
| JP7312997B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| TW200633331A (en) | Semiconductor laser device and fabricating method thereof | |
| TWI347054B (en) | Nitride semiconductor laser device and method of manufacturing the nitride semiconductor laser device | |
| JP2009528704A (ja) | 光検出器アレイ用フロントサイド電気コンタクトとその製造方法 | |
| TW497280B (en) | Semiconductor-chip for the optoelectronics | |
| TWI250708B (en) | Optically pumped radiation-emitting semiconductor-device and its production method | |
| TWI244248B (en) | Semiconductor laser element | |
| JP2007531031A5 (enExample) | ||
| JP4872753B2 (ja) | 窒化物led素子の製造方法 | |
| EP1469569A3 (en) | Semiconductor laser diode and semiconductor laser diode assembly containing the same | |
| JP2004500704A5 (enExample) | ||
| CN107591463B (zh) | 发光组件及发光组件的制造方法 | |
| JPH0738146A (ja) | 半導体発光装置 | |
| US10727052B2 (en) | Semiconductor chip having a mask layer with openings | |
| KR100809508B1 (ko) | 평면 프레즈넬 렌즈를 구비한 발광 소자 및 그 제조방법 | |
| TW200515664A (en) | Edge-emitting laser with circular beam | |
| JP2007300017A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2003258381A5 (enExample) | ||
| CN113594318A (zh) | 高亮度发光二极管芯片及其制造方法 |