JP2005167275A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2005167275A5
JP2005167275A5 JP2005015790A JP2005015790A JP2005167275A5 JP 2005167275 A5 JP2005167275 A5 JP 2005167275A5 JP 2005015790 A JP2005015790 A JP 2005015790A JP 2005015790 A JP2005015790 A JP 2005015790A JP 2005167275 A5 JP2005167275 A5 JP 2005167275A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
underlayer
less
substrate
conductive layer
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005015790A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2005167275A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2005015790A priority Critical patent/JP2005167275A/ja
Priority claimed from JP2005015790A external-priority patent/JP2005167275A/ja
Publication of JP2005167275A publication Critical patent/JP2005167275A/ja
Publication of JP2005167275A5 publication Critical patent/JP2005167275A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2005015790A 2000-12-07 2005-01-24 半導体素子 Pending JP2005167275A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005015790A JP2005167275A (ja) 2000-12-07 2005-01-24 半導体素子

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000373039 2000-12-07
JP2001153693 2001-05-23
JP2005015790A JP2005167275A (ja) 2000-12-07 2005-01-24 半導体素子

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001267299A Division JP3836697B2 (ja) 2000-12-07 2001-09-04 半導体素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005167275A JP2005167275A (ja) 2005-06-23
JP2005167275A5 true JP2005167275A5 (https=) 2007-03-22

Family

ID=34743337

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005015790A Pending JP2005167275A (ja) 2000-12-07 2005-01-24 半導体素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005167275A (https=)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8545629B2 (en) 2001-12-24 2013-10-01 Crystal Is, Inc. Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride
JP5010467B2 (ja) 2005-03-17 2012-08-29 日本電気株式会社 フィルム外装電気デバイスおよびその製造方法
JP5281408B2 (ja) 2005-12-02 2013-09-04 クリスタル・イズ,インコーポレイテッド ドープされた窒化アルミニウム結晶及びそれを製造する方法
JP5098649B2 (ja) 2005-12-28 2012-12-12 日本電気株式会社 電界効果トランジスタ、ならびに、該電界効果トランジスタの作製に供される多層エピタキシャル膜
US9034103B2 (en) 2006-03-30 2015-05-19 Crystal Is, Inc. Aluminum nitride bulk crystals having high transparency to ultraviolet light and methods of forming them
JP2007273843A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Fujifilm Corp 成膜方法、半導体層、及び半導体素子
JP2008053703A (ja) * 2006-07-28 2008-03-06 Kanagawa Acad Of Sci & Technol AlN層およびAlGaN層並びにそれらの製造方法
US8323406B2 (en) 2007-01-17 2012-12-04 Crystal Is, Inc. Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth
US9771666B2 (en) 2007-01-17 2017-09-26 Crystal Is, Inc. Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth
US8080833B2 (en) 2007-01-26 2011-12-20 Crystal Is, Inc. Thick pseudomorphic nitride epitaxial layers
CN101652832B (zh) * 2007-01-26 2011-06-22 晶体公司 厚的赝晶氮化物外延层
JP2008205221A (ja) * 2007-02-20 2008-09-04 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体素子
JP4888537B2 (ja) 2009-08-28 2012-02-29 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物半導体積層ウェハ及びiii族窒化物半導体デバイス
WO2012003304A1 (en) 2010-06-30 2012-01-05 Crystal Is, Inc. Growth of large aluminum nitride single crystals with thermal-gradient control
US8962359B2 (en) 2011-07-19 2015-02-24 Crystal Is, Inc. Photon extraction from nitride ultraviolet light-emitting devices
JP5416754B2 (ja) * 2011-11-15 2014-02-12 フューチャー ライト リミテッド ライアビリティ カンパニー 半導体基板およびその製造方法
JP2012064977A (ja) * 2011-12-15 2012-03-29 Sumitomo Electric Ind Ltd Iii族窒化物半導体積層ウェハ及びiii族窒化物半導体デバイス
JP6275817B2 (ja) 2013-03-15 2018-02-07 クリスタル アイエス, インコーポレーテッドCrystal Is, Inc. 仮像電子及び光学電子装置に対する平面コンタクト
US10636663B2 (en) 2017-03-29 2020-04-28 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device including implanting impurities into an implanted region of a semiconductor layer and annealing the implanted region
JP7039684B2 (ja) * 2017-07-20 2022-03-22 スウェガン、アクチボラグ 高電子移動度トランジスタのためのヘテロ構造及びその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2005167275A5 (https=)
JP3836697B2 (ja) 半導体素子
WO2012164750A1 (ja) 窒化物電子デバイス、窒化物電子デバイスを作製する方法
JP2009231561A (ja) 窒化物半導体結晶薄膜およびその作製方法、半導体装置およびその製造方法
CN103594509A (zh) 一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法
CN113555431A (zh) 基于P型GaN漏电隔离层的同质外延氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法
CN102969341A (zh) 组分渐变AlyGa1-yN缓冲层的氮化物高电子迁移率晶体管外延结构
JP2005167275A (ja) 半導体素子
JP6729416B2 (ja) 窒化物半導体デバイス及び窒化物半導体デバイスの製造方法
CN118782699B (zh) 一种发光二极管的外延片及其制备方法
WO2018098952A1 (zh) 氮化镓基外延结构、半导体器件及其形成方法
JP6173493B2 (ja) 半導体素子用のエピタキシャル基板およびその製造方法
JP2019125737A (ja) 窒化物半導体エピタキシャル基板
JP4888537B2 (ja) Iii族窒化物半導体積層ウェハ及びiii族窒化物半導体デバイス
JP2006114652A (ja) 半導体エピタキシャルウェハ及び電界効果トランジスタ
JP5716765B2 (ja) エピタキシャル基板
JP5460751B2 (ja) 半導体装置
JP2006114655A (ja) 半導体エピタキシャルウェハ及び電界効果トランジスタ
JP5616420B2 (ja) 高周波用半導体素子形成用のエピタキシャル基板および高周波用半導体素子形成用エピタキシャル基板の作製方法
JP5195532B2 (ja) 化合物半導体電子デバイス及び化合物半導体集積電子デバイス
JP2010056298A (ja) 高周波用半導体素子形成用のエピタキシャル基板および高周波用半導体素子形成用エピタキシャル基板の作製方法
JP2012064977A (ja) Iii族窒化物半導体積層ウェハ及びiii族窒化物半導体デバイス
CN110444598B (zh) 高电子迁移率晶体管及其制备方法
JP5299053B2 (ja) 化合物半導体電子デバイス、及び化合物半導体集積電子デバイス
JP4315271B2 (ja) 電子デバイス