JP2005167096A - 半導体保護装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数のダイオードとその間に接続された抵抗とで構成されたフィルタ回路を含む半導体保護装置であって、半導体基板に形成された前記ダイオード表面のN型領域(24)が前記抵抗として形成され、前記N型領域(24)上で一定の距離を保った少なくとも二箇所に各々異なる外部端子に接続する外部電極(21,22)が形成されている。これにより、サージから電子機器を保護する保護回路とEMIフィルタとを兼ね備えた半導体保護装置を一つの半導体チップ内に新たな抵抗体を設けることなく構成できる。
【選択図】 図2
Description
23 絶縁層
24 N型層
25 P型半導体基板
121 入力端子
122 出力端子
123 抵抗
124,125 ツェナーダイオード
126 グランド
201,202 アルミ配線
201a,202a ボンディングパット
203 抵抗体
204 絶縁層
205,206 N型層
207 P型半導体基板
Claims (5)
- 複数のダイオードとその間に接続された抵抗とで構成されたフィルタ回路を含む半導体保護装置であって、
半導体基板に形成された前記ダイオード表面のN型領域が前記抵抗として形成され、
前記N型領域上で一定の距離を保った少なくとも二箇所に各々異なる外部端子に接続する外部電極が形成されていることを特徴とする半導体保護装置。 - 前記外部電極は一方が入力端子に、他方が出力端子に接続される請求項1に記載の半導体保護装置。
- 前記二箇所の外部電極間のN型層の抵抗成分と前記ダイオードのPN接合間の容量とでフィルタを構成する請求項1又は2に記載の半導体保護装置。
- 前記フィルタは、保護回路とEMI(電磁妨害又は電磁干渉)フィルタの機能を有する請求項1〜3のいずれかに記載の半導体保護装置。
- 前記二箇所の外部電極を方形に形成した請求項1〜3のいずれかに記載の半導体保護装置。
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- 2003-12-04 JP JP2003406471A patent/JP2005167096A/ja active Pending
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