JP2005166184A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 データ書込み時において、既書込みデータを誤書込みによるデータ破壊から保護可能な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】 1または複数のデータ記憶素子で構成される単位データ記憶部11に記憶されたデータを消去することにより、消去後のデータが特定の消去データパターンとなる半導体記憶装置1において、単位データ記憶部11に記憶されたデータが消去データパターンとなっているか否かを判定し、消去データパターンとなっていない場合は、単位データ記憶部11へのデータの書込みを禁止するデータ保護機構15,16を備えている。
【選択図】 図1
【解決手段】 1または複数のデータ記憶素子で構成される単位データ記憶部11に記憶されたデータを消去することにより、消去後のデータが特定の消去データパターンとなる半導体記憶装置1において、単位データ記憶部11に記憶されたデータが消去データパターンとなっているか否かを判定し、消去データパターンとなっていない場合は、単位データ記憶部11へのデータの書込みを禁止するデータ保護機構15,16を備えている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、データ保護手段を備えた半導体記憶装置に関し、より詳しくは、既書込みデータの保護技術に関する。
データやプログラムコードの記憶装置として、従来のROM(読み出し専用メモリ)に替わり、記憶内容の更新が可能との利点からフラッシュメモリ等の不揮発性半導体記憶装置が用いられることが多くなっている。
記憶内容の更新が可能な不揮発性半導体記憶装置では、誤操作或いはノイズ等の誤信号による書込みや消去(以下、「誤書込み」、「誤消去」と記す。)によるデータ破壊が起こりうるため、誤書込みや誤消去を防ぐためにデータ保護機能を備えたものがある。
従来技術でのデータ保護の1番目の手法として、データ保護用の制御端子を用意し、その制御端子に“H”(高)レベルの入力電圧を印加している時には書込みや消去が許可され、制御端子に“L”(低)レベルの入力電圧を印加している時には、書込みや消去を禁止する機構を備える手法がある。記憶内容の更新時には、データ保護用の制御端子の入力レベルを“H”として、データ消去や更新データの書込みを行い、データ読出しのみ行う場合は制御端子の入力レベルを“L”にして誤書込みや誤消去を防止する。
また、従来技術でのデータ保護の2番目の手法として、フラッシュメモリ等では記憶領域を複数のブロックに分割し、各ブロックに対応したデータ保護情報を記録する記憶素子(以下、「ブロック保護ビット」と記す。)を用意して、ブロック保護ビットに“0”が書込まれている場合は対応するブロックへの書込みや消去が行え、“1”が書込まれている場合はそのブロックへの書込みや消去を禁止する機構を備える手法がある。データ更新時には、更新するブロックのブロック保護ビットに“0”を書込んでからブロックの消去及び更新データの書込みを行い、データ更新後はブロック保護ビットに“1”を書込んで誤書込みや誤消去によるデータ破壊を防ぐ。
更に、従来技術でのデータ保護の3番目の手法として、各記憶番地に対応したデータ保護情報を記録する記憶素子(以下データ保護ビットと記す)を用意して、データ保護ビットに“0”が書込まれている場合はその記憶番地への書込みが行え、“1”が書込まれている場合はその記憶番地への書込みを禁止する機構を備える手法がある(下記特許文献1及び2参照)。
特開平1−103752号公報
特開昭63−68948号公報
上記従来技術の1番目及び2番目の手法を用いた場合、データ更新時にはデータ保護を解除するため、データ保護解除中での誤書込みによるデータ破壊から既書込みデータを保護できないといった課題がある。
上記従来技術の1番目の手法では、データ更新時には制御端子の入力レベルを“H”としてデータ書込みを許可しており、この間は既書込みデータが誤書込みによって別データに書き換えられる可能性がある。
上記従来技術の2番目の手法では、データ更新を行わないブロックに対してはブロック保護ビットを“1”とすることで、既書込みデータを誤書込みによるデータ書き換えから保護できるが、データ更新を行うブロックに対してはブロック保護ビットを“0”としてデータ書込みを許可しており、既書込みデータが誤書込みによって別データに書き換えられる可能性がある。
上記従来技術の3番目の手法では、既書込み番地に対応する保護ビットに“1”を書込むことで既書込みデータの保護が可能であるが、各記憶番地に対しデータ保護ビットが必要となるため記憶素子面積が増大するといった課題がある。たとえば、語長が8ビット構成の記憶装置の場合、8ビットのデータ記憶素子に対し1ビットのデータ保護記憶素子の追加が必要となり、記憶素子面積が12.5%増大することになる。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、データ書込み時において、既書込みデータを誤書込みによるデータ破壊から保護可能な半導体記憶装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明に係る半導体記憶装置は、1または複数のデータ記憶素子で構成される単位データ記憶部に記憶されたデータを消去することにより、消去後の前記データが特定の消去データパターンとなる半導体記憶装置において、前記単位データ記憶部に記憶されたデータが前記消去データパターンとなっていない場合は、当該単位データ記憶部へのデータの書込みを禁止するデータ保護機構を備えていることを第1の特徴とする。
また、本発明に係る半導体記憶装置は、1または複数のデータ記憶素子で構成される単位データ記憶部に記憶されたデータを消去することにより、消去後のデータを特定の消去データパターンとする消去機構と、前記単位データ記憶部に記憶されたデータが前記消去データパターンとなっていない場合は、当該単位データ記憶部へのデータの書込みを禁止するデータ保護機構と、を備えていることを第2の特徴とする。
上記第1または第2の特徴の本発明に係る半導体記憶装置によれば、単位データ記憶部へのデータ書込みを実行する前に、データ保護機構によって書込み対象の単位データ記憶部に記憶されたデータが特定の消去データパターンとなっているか否かの確認がなされ、消去データパターンとなっていない場合は、既書込みデータが存在すると判断され、当該単位データ記憶部へのデータの書込みが禁止されるので、既書込みデータが誤書込みによるデータ破壊から保護される。また、単位データ記憶部に記憶されたデータが消去データパターンとなっている場合は未書込みの単位データ記憶部であると判断して安全に書込み処理を実行できる。
本発明に係る半導体記憶装置(以下、適宜「本発明装置」という。)の一実施の形態につき、図面に基づいて説明する。
先ず、本発明装置を説明する前に、既存のフラッシュメモリの動作について簡単に説明する。
1ビットデータを記憶可能なフラッシュメモリセルに対しては、データの消去と書込みの操作が行え、消去を行うとセルデータは“1”状態となり、書込みを行うとセルデータは“0”となる。
消去は、一般にブロック単位に行われるため、消去を行ったブロック内の全てのメモリセルのセルデータは“1”状態となる。
書込みは、記憶番地単位に行える。但し、書込みではセルデータを“1”状態から“0”状態にすることはできるが、セルデータを“0”状態から“1”状態にすることはできない。 例えば、消去により0番地のデータが“FFh”(以下16進表記は末尾にhを付けて表す。)となっているフラッシュメモリに対し、0番地に“0Fh”を書込むと0番地のデータは“0Fh”となる。 この状態で0番地に“F0h”を書込んでも0番地のデータは“F0h”とはならずに“00h”となる。0番地のデータを“0Fh”から“F0h”に更新するには、先ず消去を行って0番地のデータを“FFh”とした後で“F0h”を書込む必要がある。
このため一般にフラッシュメモリのデータ更新を行う場合、更新を行うブロックを消去してから更新データの書込みを行う。
(第1実施形態)
次に、本発明装置の第1実施形態の構成及びデータ保護機能について、図1及び図2を用いて説明する。
次に、本発明装置の第1実施形態の構成及びデータ保護機能について、図1及び図2を用いて説明する。
本発明装置は、メモリセル(データ記憶素子に該当)に不揮発性記憶素子であるフラッシュメモリセルを用いた半導体記憶装置である。図1に示すように、第1実施形態に係る本発明装置1は、メモリアレイ10、Xデコーダ12、Yデコーダ13、センスアンプ14、制御回路15、保護判定回路16、及び、I/O回路17を備えて構成される。
図1に示す例では、説明の簡単のため、本発明装置1において記憶領域を形成するメモリアレイ10は、記憶番地が0番地から7番地までの8つの単位データ記憶部11で構成されているものを想定する。単位データ記憶部11は夫々語長8ビットのデータを記憶可能であり、1ビットデータを記憶可能なメモリセル(図示せず)が8つ集まって構成される。
0番地から7番地までの全番地の単位データ記憶部11で1つの消去ブロック(1消去単位)を構成しているため、消去を行うと全番地の単位データ記憶部11のデータが“FFh”となる。本実施形態の場合、この消去後のデータ“FFh”が本発明における消去データパターンとなる。
Xデコーダ12とYデコーダ13は、アドレス信号で指定された記憶番地に対応する1つの単位データ記憶部11を選択する。
センスアンプ14は単位データ記憶部11から8ビットデータをビット単位で個別に読み出す回路である。本実施形態では、センスアンプ14は単位データ記憶部11への8ビットデータをビット単位で個別に書込む回路も含まれる。
I/O回路17は、センスアンプ14を介して単位データ記憶部11から読み出されたデータの出力や、センスアンプ14を介して単位データ記憶部11へ書込むためのデータ入力を行う。
保護判定回路16は、センスアンプ14を介して読み出された単位データ記憶部11のデータが消去データパターン“FFh”の時には、WREN信号を発生してその単位データ記憶部11への書込みを許可する。また、読み出されたデータが消去データパターン以外の場合は、WRPRH信号を発生してその単位データ記憶部11への書込みを禁止する。
制御回路15は、RD信号、ER信号、WR信号を発生して、読出し処理、消去処理、書込み処理を制御する。
RD信号が発生すると、選択している記憶番地に対応する単位データ記憶部11のデータがセンスアンプ14を介して読み出され、読み出されたデータはI/O回路17と保護判定回路16に送られる。
ER信号が発生すると、全ての単位データ記憶部11(メモリアレイ10)に対して消去が行われ、全番地の単位データ記憶部11が消去データパターン“FFh”となる。
WR信号が発生すると、書込みデータはI/O回路17からセンスアンプ14を介して、アドレス信号にて指定された記憶番地に対応する単位データ記憶部11に書込まれる。
消去処理では、制御回路15がER信号を発生し、全番地の単位データ記憶部11を消去する。
読出し処理では、制御回路15がRD信号を発生し、アドレス信号にて指定された記憶番地に対応する単位データ記憶部11より読み出されたデータが、センスアンプ14を介してI/O回路17から出力される。
書込み処理では、制御回路15は先ずRD信号を発生し、アドレス信号にて指定された記憶番地に対応する単位データ記憶部11より読み出されたデータが保護判定回路16に送られる。
保護判定回路16は、読み出されたデータが消去データパターン“FFh”であった場合、WREN信号を発生して書込みを許可する。WREN信号が発生すると、制御回路15はRD信号を解除した後、WR信号を発生して、アドレス信号にて指定された記憶番地に対応する単位データ記憶部11への書込みを行う。
保護判定回路16は、読み出されたデータが消去データパターン以外であった場合、WRPRH信号を発生して書込みを禁止する。WRPRH信号が発生すると、制御回路15はRD信号を解除し、書込み処理を中止する。
本発明装置1において、0番地のデータ更新とその後に0番地への誤書込み信号が発生した場合を想定して、消去を行った後に0番地の単位データ記憶部11に更新データ“0Fh”を書込み、その後、誤書込み信号として同じ0番地の単位データ記憶部11にデータ“F0h”を書込もうとした場合の動作について、0番地のデータ内容と内部信号の状態を示した図2のタイミングチャートを用いて説明する。
尚、本実施形態における消去操作ではアドレスやデータを指定する必要はなく、図2のタイミングチャートでは「unknown」と記載している。
先ず、消去処理ではER信号が発生し、全番地の単位データ記憶部11が“FFh”となる。
次に、0番地の単位データ記憶部11へのデータ“0Fh”の書込み処理では、先ず制御回路15がRD信号を発生し、0番地の単位データ記憶部11のデータが読み出される。この時、消去データパターン“FFh”が読み出されて保護判定回路16がWREN信号を発生するため、制御回路15はRD信号を解除した後、WR信号を発生して0番地の単位データ記憶部11に“0Fh”を書込む。
その後の0番地の単位データ記憶部11へのデータ“F0h”の書込処理では、先ず制御回路15がRD信号を発生し、0番地のメモリセルデータが読み出される。この時、データとして“0Fh”が読み出されて保護判定回路16がWRPRH信号を発生するため、制御回路15はRD信号を解除して書込み処理を中止する。この結果、0番地の単位データ記憶部11の既書込みデータは誤書込みから保護され“0Fh”を保持する。
(第2実施形態)
次に、本発明装置の第2実施形態の構成及びデータ保護機能について、図3及び図4を用いて説明する。尚、第1実施形態における図1の構成と同じ回路部分及び信号には同じ符号を付して説明する。
次に、本発明装置の第2実施形態の構成及びデータ保護機能について、図3及び図4を用いて説明する。尚、第1実施形態における図1の構成と同じ回路部分及び信号には同じ符号を付して説明する。
本発明装置は、第1実施形態と同様に、メモリセル(データ記憶素子に該当)に不揮発性記憶素子であるフラッシュメモリセルを用いた半導体記憶装置である。図3に示すように、第2実施形態に係る本発明装置2は、メモリアレイ10、Xデコーダ12、Yデコーダ13、センスアンプ14、I/O回路17、及び、制御用マイクロコントローラ18を備えて構成される。
図3に示す例では、説明の簡単のため、本発明装置2において記憶領域を形成するメモリアレイ10は、記憶番地が0番地から7番地までの8つの単位データ記憶部11で構成されているものを想定する。単位データ記憶部11は夫々語長8ビットのデータを記憶可能であり、1ビットデータを記憶可能なメモリセル(図示せず)が8つ集まって構成される。
0番地から7番地までの全番地の単位データ記憶部11で1つの消去ブロック(1消去単位)を構成しているため、消去を行うと全番地の単位データ記憶部11のデータが“FFh”となる。本実施形態の場合、この消去後のデータ“FFh”が本発明における消去データパターンとなる。
Xデコーダ12、Yデコーダ13、及び、センスアンプ14は、第1実施形態に係る本発明装置1のものと同じであるので、重複する説明は割愛する。
I/O回路17は、センスアンプ14を介して単位データ記憶部11から読み出されたデータの出力や、制御用マイクロコントローラ18へ送るための書込みデータの入力を行う。
制御用マイクロコントローラ18は、RD信号、ER信号、WR信号を発生して、読出し処理、消去処理、書込み処理を制御する。また、I/O回路17からの書込みデータの取込みや、DQ線を通してセンスアンプ14を介した単位データ記憶部11との間のデータの読出しや書込みを行う。
RD信号が発生すると、選択している記憶番地に対応する単位データ記憶部11のデータがセンスアンプ14を介して読み出され、読み出されたデータはI/O回路17と制御用マイクロコントローラ18に送られる。
ER信号が発生すると、全ての単位データ記憶部11(メモリアレイ10)に対して消去が行われ、全番地の単位データ記憶部11が消去データパターン“FFh”となる。
WR信号が発生すると、I/O回路17から制御用マイクロコントローラ18に取込まれた書込みデータがセンスアンプを介して、アドレス信号にて指定された記憶番地に対応する単位データ記憶部11に書込まれる。
図4に、制御用マイクロコントローラ18の動作フローを示す。
先ず、動作が開始すると、実行すべき処理が、読出し、書込み、及び、消去の何れであるかの判断を行う(ステップ#100)。
消去処理の場合は、制御用マイクロコントローラ18がER信号を発生し、全番地の単位データ記憶部11を消去する(ステップ#101)。
読出し処理の場合は、制御用マイクロコントローラ18がRD信号を発生し、アドレス信号にて指定された記憶番地に対応する単位データ記憶部11より読み出されたデータが、センスアンプ14を介してI/O回路17から出力される(ステップ#102)。
書込み処理の場合は、制御用マイクロコントローラ18は、先ずRD信号を発生しアドレス信号にて指定された記憶番地に対応する単位データ記憶部11のデータをDQ線から読み出す(ステップ#103)。
この読み出したデータが消去データパターン“FFh”と一致するかを確認し(ステップ#104)、一致した場合はRD信号を解除し、I/O回路17から取込んだ書込みデータをDQ線に出力した後、WR信号を発生してアドレス信号にて指定された記憶番地に対応する単位データ記憶部11に対し、該データの書込みを行う(ステップ#105)。ステップ#104において、読み出したデータが消去データパターンと一致しない場合は、RD信号を解除し、書込み処理を中止する。
(第3実施形態)
次に、本発明装置の第3実施形態の構成及びデータ保護機能について、図5及び図6を用いて説明する。尚、第1または第2実施形態における図1または図2の構成と同じ回路部分及び信号には同じ符号を付して説明する。
次に、本発明装置の第3実施形態の構成及びデータ保護機能について、図5及び図6を用いて説明する。尚、第1または第2実施形態における図1または図2の構成と同じ回路部分及び信号には同じ符号を付して説明する。
フラッシュメモリセル以外の記憶素子を用いた記憶装置の場合でも、特定の消去データパターンを書込む機構を備えることで、上記第1及び第2実施形態と同様のデータ保護が可能となる。第3実施形態に係る本発明装置3は、消去時に単位データ記憶部11に消去データパターンを書込む機構を備えることにより、上記データ保護を実現する。
図5に示すように、第3実施形態に係る本発明装置3は、メモリアレイ10、Xデコーダ12、Yデコーダ13、センスアンプ14、I/O回路17、及び、制御用マイクロコントローラ18を備えて構成される。
図3に示す例では、説明の簡単のため、本発明装置2において記憶領域を形成するメモリアレイ10は、記憶番地が0番地から7番地までの8つの単位データ記憶部11で構成されているものを想定する。単位データ記憶部11は夫々語長8ビットのデータを記憶可能であり、1ビットデータを記憶可能なメモリセル(図示せず)が8つ集まって構成される。
Xデコーダ12とYデコーダ13は、制御用マイクロコントローラ18から出力されるADR信号で指定された記憶番地に対応する単位データ記憶部11を選択する。
I/O回路17は、センスアンプ14を介して単位データ記憶部11から読み出されたデータの出力や、制御用マイクロコントローラ18へ送るための書込みデータの入力を行う。
制御用マイクロコントローラ18は、RD信号、WR信号、及び、ADR信号を発生して、読出し処理、消去処理、書込み処理を制御する。また、I/O回路17からの書込みデータの取込みや、DQ線を通してセンスアンプ14を介した単位データ記憶部11との間のデータの読出しや書込みを行う。
RD信号が発生すると、選択している記憶番地に対応する単位データ記憶部11のデータがセンスアンプ14にて読み出され、読み出されたデータはI/O回路17と制御用マイクロコントローラ18に送られる。
WR信号が発生すると、制御用マイクロコントローラ18からDQ線に出力されたデータがセンスアンプ14を介して、ADR信号で指定された記憶番地に対応する単位データ記憶部11に書込まれる。
図6に、制御用マイクロコントローラ18の動作フローを示す。
先ず、動作が開始すると、実行すべき処理が、読出し、書込み、及び、消去の何れであるかの判断を行う(ステップ#200)。
消去処理の場合は、制御用マイクロコントローラ18は、ADR信号を変えながら0番地から7番地の単位データ記憶部11を順番に選択していく(ステップ#201〜#203)。その際、ADR信号の各番地において、WR信号を発生して、各番地に対応する単位データ記憶部11にデータ“00h”を書込む(ステップ#202)。本実施形態では この書込みデータ“00h”が消去データパターンとなる。
読出し処理の場合は、制御用マイクロコントローラ18がRD信号を発生し、ADR信号にて指定された記憶番地に対応する単位データ記憶部11より読み出されたデータが、センスアンプ14を介してI/O回路17から出力される(ステップ#204)。
書込み処理の場合は、制御用マイクロコントローラ18は、先ずRD信号を発生しADR信号にて指定された記憶番地に対応する単位データ記憶部11のデータをDQ線から読み出す(ステップ#205)。
この読み出したデータが消去データパターン“00h”と一致するかを確認し(ステップ#206)、一致した場合はRD信号を解除し、I/O回路17から取込んだ書込みデータをDQ線に出力した後、WR信号を発生してADR信号にて指定された記憶番地に対応する単位データ記憶部11に対し、該データの書込みを行う(ステップ#207)。ステップ#206において、読み出したデータが消去データパターンと一致しない場合は、RD信号を解除し、書込み処理を中止する。
以上、本発明装置の実施の形態について詳細に説明したが、上記各実施形態において、書込みデータを一纏まりとして記憶する単位データ記憶部11が記憶するデータ長の8ビットは、一例であり、上記実施形態に限定されるものではない。また、記憶領域を形成するメモリアレイ10のサイズも上記実施形態に限定されるものではない。また、上記第1及び第2実施形態では、消去ブロックが1つの場合を例に説明したが、記憶領域を複数の消去ブロックで形成しても構わない。更に、上記第1及び第2実施形態では、メモリセルに不揮発性記憶素子であるフラッシュメモリセルを用いた半導体記憶装置を想定したが、メモリセルは、フラッシュメモリセルに限定されるものではない。
更に、本発明装置は、別実施形態として、第1または第2実施形態の不揮発性記憶素子で構成されたメモリアレイと第3実施形態のその他の記憶素子で形成されたメモリアレイが混在する形態であっても構わない。
以上、本発明装置によれば、記憶領域の面積を増やすことなく、データ更新時における誤書込みから既書込みデータの保護を行うことが可能となる。
また、消去のみ無効化する機構を備えたフラッシュメモリに本発明のデータ保護機構を適用すると、一度書込みを行った記憶番地に対し、消去や上書きを禁止することができるため、データの追記は行えるが改竄は行えない不揮発性半導体記憶装置を提供することが可能となる。
1,2,3 本発明に係る半導体記憶装置
10 メモリアレイ
11 単位データ記憶部
12 Xデコーダ
13 Yデコーダ
14 センスアンプ
15 制御回路
16 保護判定回路
17 I/O回路
18 制御用マイクロコントローラ
10 メモリアレイ
11 単位データ記憶部
12 Xデコーダ
13 Yデコーダ
14 センスアンプ
15 制御回路
16 保護判定回路
17 I/O回路
18 制御用マイクロコントローラ
Claims (3)
- 1または複数のデータ記憶素子で構成される単位データ記憶部に記憶されたデータを消去することにより、消去後の前記データが特定の消去データパターンとなる半導体記憶装置において、
前記単位データ記憶部に記憶されたデータが前記消去データパターンとなっていない場合は、当該単位データ記憶部へのデータの書込みを禁止するデータ保護機構を備えていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 1または複数のデータ記憶素子で構成される単位データ記憶部に記憶されたデータを消去することにより、消去後のデータを特定の消去データパターンとする消去機構と、
前記単位データ記憶部に記憶されたデータが前記消去データパターンとなっていない場合は、当該単位データ記憶部へのデータの書込みを禁止するデータ保護機構と、を備えていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記データ記憶素子が、不揮発性記憶素子で構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体記憶装置。
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2004
- 2004-12-03 US US11/004,391 patent/US7079429B2/en active Active
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Legal Events
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071002 |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080219 |