JP2005166012A - Ｒｆｉｄタグの製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】
アンテナの基材にＰＥＴフィルム、ＰＥＮフィルム又は紙を用いたＲＦＩＤタグのアンテナの歪みを抑制する。
【解決手段】
上記課題を解決する手段の一つとして、メモリを備えた半導体チップがアンテナに接合されており、該メモリに記録された情報が該アンテナを介して送信されるＲＦＩＤタグの製造方法において、アルミニウム又はアルミニウム合金で構成された金属箔が、ポリエチレンナフタレート又はポリエチレンテレフタレートを含む基材上に接着されているアンテナに対して、金バンプを備えた半導体チップを位置あわせし、半導体チップをアンテナに押し当てるとともに、該ポリエチレンナフタレート又は該ポリエチレンテレフタレートのガラス転移点以下の環境下で超音波を印加することにより該金バンプと前記金属箔を接合するようにするものがある。
【選択図】 図１

Description

本発明は、個体識別情報（ID情報）がメモリに格納された半導体チップがアンテナに整合されているＲＦＩＤタグの製造方法に関する。
従来のＲＦＩＤタグの製造方法の一つが特許文献１に記載されている。
この文献に記載された製造方法は、まず、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムの片面にウレタン系樹脂接着剤を介して硬質アルミを重ね、これを１５０℃、５ｋｇ／平方センチメートルの条件で熱ラミネートを経て積層接着させることにより金属箔積層材を製造する。さらに、その熱可塑性樹脂接着剤で金属箔積層材の上を覆う。また、金バンプを備えた半導体ベアチップに超音波を付与し、さらに１５０℃に加熱して、その半導体ベアチップを熱可塑性樹脂接着剤で覆った金属箔積層材の金属箔に接合することが記載されている。
特開２００３−２０３９４６号公報
上記文献に記載された製造方法は、半導体チップ搭載時における金属箔積層材の熱に対する影響を考慮していない。
一般的なＰＥＴのガラス転移点は６０℃〜８０℃であり、このガラス転移点を超える温度にすると、ゴムのような状態になる。
上記文献１では、１５０℃の温度雰囲気中でＰＥＴフィルムに接着した金属箔と半導体チップとの超音波接合を行っているので、接合時のＰＥＴフィルムは、ゴムのように柔らかくなる。
ＰＥＴフィルムが柔らかくなると、金属箔が歪むことになる。歪みがひどい場合は、金属箔が剥離したり、短絡したりし、アンテナとしての周波数特性に変動を与えてしまうことにもなりかねない。
また、この問題は、温度や歪みの程度こそ異なるが、ＰＥＮ（ポリスチレンナフタレート）フィルムを基材に用いた場合や紙を基材に用いた場合にも生じる。
本発明の目的は、耐熱性の低いアンテナの歪みを低減したＲＦＩＤタグを提供することにある。
一般に、超音波接合には、加熱が必要であるとされているが、本発明者らは、上記問題を克服するために、特別な加熱の必要がない常温での接合が可能な金属箔材料とバンプ材料を検討した。
その結果、アルミ系材料と金の超音波接合には、高い温度が必要ではなく、常温、つまり、製造装置の設置ルームの室温で搭載可能であることが分かった。
そこで、半導体チップが搭載されるアンテナ部材として耐熱性の低い部材を用いている場合、アンテナ部材をアルミ系材料とし、バンプを金により構成し、ガラス転移点以下である室温、半導体チップのアンテナ方向への加圧という環境下で、超音波を印加することにした。
特に、上記課題はポリエチレンタレフタラートやポリエチレンナフタレートをアンテナとなる金属箔の基材として用いた場合に、顕著であり、上記発明により顕著な効果を得ることができる。
また、基材として紙を用いた場合には、歪んだり燃えてしまったりするので、同様の問題が生じるので、有効である。
アンテナの基材にＰＥＴフィルム、ＰＥＮフィルム又は紙を用いたＲＦＩＤタグのアンテナの歪みを抑制する。
以下に、この発明に係るＲＦＩＤタグを製造するのに好適な実施形態を説明する。
図１に、ＲＦＩＤタグの斜視図を示す。
このＲＦＩＤタグ１は、半導体チップ２と、金属箔積層体１０と、保護層兼エッチングレジストとなる樹脂層１１を有する。
半導体チップ２は、４００μｍ角の大きさで、機能面に３００μｍピッチで半径６３μｍの４つの円形の金バンプを備えている。
金属箔積層体３は、２．４５ＧＨｚの周波数の電波を送受信できる形状に加工された金属箔（アルミ箔）１２が、この金属箔の基材となるＰＥＴフィルム１３（ポリエチレンテレフタレートを延伸して形成したフィルム）上に接着されている。また、金属箔１２の形状は、長方形にＬ字状の間隙部が設けた構造である。
図４に、この接合状況を示すが、金バンプは金属箔と電気的に接合され、樹脂層１１は半導体チップの金バンプの廻りを囲む構造となっている。
図２及び図３にこのＲＦＩＤタグの製造フローを示す。
図１のＲＦＩＤタグは、（Ａ）金属箔積層体の製造工程、（Ｂ）樹脂層形成工程、（Ｃ）アンテナパターン製造工程、（Ｄ）超音波実装工程、（Ｅ）インレット個片化工程の順に行うことで製造する。
（Ａ）金属箔積層体の製造工程
まず、２０μｍ厚のアルミ箔１２と、２５μｍ厚のＰＥＴフィルム１３を基材として用意する。
ＰＥＴフィルム１３の片面（図では上面）に、接着剤を介して２０μｍ厚のアルミ箔１２を配置し、１５０℃、圧力５ｋｇ／ｃｍ２の条件で熱ラミネートを行うことにより、ＰＥＴフィルムに金属箔が接着された積層体である金属箔積層体１０を形成する。
（Ｂ）樹脂層形成工程
工程（Ａ）で製造した金属箔積層材１０のアルミ箔１２の表面に所要アンテナパターン形状に加工した４〜６μｍ程度の樹脂層１１をグラビア印刷で形成する。この樹脂層１１は次の工程でアルミ箔１２をエッチングにより形成する際に、レジストとして機能する材料を用いる。
この樹脂層１１は、グラビア印刷で形成するだけでなく、金属箔積層材１０のアルミ箔１２の表面にパターン加工せずに光硬化性樹脂を塗布し、マスクを用いて光硬化樹脂を特定のパターンに硬化させ、特定のパターン以外を除去する、所謂一般的なフォトエッチング技術により形成してもよい。この塗布厚は、搭載されるチップのバンプサイズ乃至形状に応じて調整する。
なお、本実施態様では採用していないが、ＰＥＴフィルム１３に樹脂層１１のアンテナパターンを挟み込むようにスプロケット穴を設けるか、予め設けておいてその間に樹脂層１１のパターンを形成するようにしておけば、リールｔｏリールによる生産も可能となる。なお、この工程でスプロケット穴を設ける場合、ＰＥＴフィルム１３にアンテナパターンとは独立した２列の樹脂層１１を樹脂層１１のパターンを挟み込むように形成しておき、パンチャーで樹脂層１１側から金属箔積層体１０を打ち抜くことにより形成することが好ましい。これは、樹脂層１１がパンチャーの刃の潤滑材として機能するからである。
（Ｃ）アンテナパターン製造工程
次に、樹脂層１１のアンテナパターンのレジストから露出する部分のアルミ箔の領域をエッチング処理で除去する。このエッチングによりアンテナが形成される。このエッチングは、エッチングレジストパターン７から露出するアルミ箔の領域を、例えば、エッチング液であるＮａＯＨ（１２０ｇ／ｌ）に温度５０℃の条件にて晒すことによって行う。
（Ｄ）超音波実装工程
金属箔１２のアンテナパターンが基材となるＰＥＴフィルム１３上に形成された金属箔積層体１０と樹脂層１１とが積層されたものに対して、半導体チップ２を搭載予定位置に位置合わせを行う。
本実施態様では、金属箔１２と樹脂層１１に形成したＬ字の間隙部１４の角が半導体チップ２の中心にくるように配置する。つまり、４つの金バンプ３で間隙部１４を挟み込む構造をしている。この配置は、斜め方向に信号用バンプを配置した場合に、間隙部に２辺が囲まれた金バンプ３の接合領域に一方の信号用バンプを配置することで、他方の信号用バンプが多少ずれても電気的な接続を確保できるので、位置決めの自由度を向上させることができるものである。
次に、金バンプ３を樹脂層１１に圧力をかけて押し付け、半導体チップ２の上面に５００μｍ角のホーン４を当て、金バンプの非搭載面に超音波５を付与する。
この超音波の振動により、金バンプ４は樹脂層１１を押しのけ、アルミ箔１２と接触し、接合する。この際の温度設定は、ＰＥＴフィルム１３のガラス転移点よりも低い温度である室温で行う。また、超音波は、負荷圧力０．２ｋｇ／ｍｍ２下で、振動数６３．５ＫＨｚ、出力２Ｗで数秒程度加える。
なお、本実施形態では室温で超音波を印加したが、ガラス転移点以下であれば、加熱しても構わない。
また、上記“数秒程度”という記載は、１秒以下を除外する意図ではない。
アンテナと半導体チップとの間の接合不良を抑制するとともに、アンテナ感度が落ちるのを防止する観点から考えると、最も適切な条件は、出力１．２Wで０．５秒程度の超音波印加である。
（Ｅ）インレット個片化工程
次に、樹脂層１１や金属箔１２のパターン、つまりアンテナパターンとほぼサイズで、下端が鋭利な刃となっている金属枠２０を樹脂層１１の上方から下降させることにより、半導体チップ２を搭載したＲＦＩＤタグ（インレット）を個片化する。
尚、上記の実施形態では、積層材１を構成する樹脂基材としてＰＥＴフィルム１３を使用したが、ＰＥＴフィルム１３の代わりにＰＥＮフィルム（ポリエチレンナフタレートを延伸したフィルム）やこれらの混合フィルム（ＰＥＴとＰＥＮの混合材料を延伸したフィルム）を使用することもできる。その場合、一般的なポリエチレンナフタレートのガラス転移点は、１００℃〜１２０℃程度であるので、この温度よりも低い温度とする。
以上のように、この実施形態では、ＰＥＴフィルム、ＰＥＮフィルム又は紙といった部材を含む基材（複数層で構成されている場合にいずれかの層にある場合も含む）上に、アルミ系（アルミ又はアルミ合金）金属箔のアンテナが形成されている場合、基材のガラス転移点等の変形温度以下の温度と所望の加圧条件下で、該アルミ系金属箔に半導体チップを搭載するようにし、従来の加熱加圧条件下における超音波接合技術を採用しなかったので、アンテナの歪みが抑制できている。
図５及び図６に他の実施例を示す。
実施例１の工程（Ｃ）では、アンテナパターンの樹脂層１１を残したままにしたが、この態様では図５及び図６に示すように、樹脂層１１を除去する。除去の方法は通常のフォトエッチング工程で用いる方法によりなす。この方法により、図1の樹脂層11だけが存在しない構造を製造することができる。
従って、実施例１の製造工程（Ｃ）〜（Ｅ）が（Ｃ‘）〜（Ｅ’）のように変わる。
（Ｃ‘）アンテナパターン製造工程
樹脂層１１のアンテナパターンのレジストから露出する部分のアルミ箔の領域をエッチング処理で除去する。このエッチングによりアンテナが形成される。このエッチングは、エッチングレジストパターン７から露出するアルミ箔の領域を、例えば、エッチング液であるＮａＯＨ（１２０ｇ／ｌ）に温度５０℃の条件にて晒すことによって行う。
この後、レジストとして機能させた樹脂層１１のパターンをレジスト除去剤により除去する。
（Ｄ‘）超音波実装工程
金属箔１２のアンテナパターンが基材となるＰＥＴフィルム１３上に形成された金属箔積層体１０に対して、半導体チップ２を搭載予定位置に位置合わせを行う。
本実施態様では、金属箔１２に形成したＬ字の間隙部１４の角が半導体チップ２の中心にくるように配置する。つまり、４つの金バンプ３で間隙部１４を挟み込む構造をしている。この配置は、斜め方向に信号用バンプを配置した場合に、間隙部に２辺が囲まれた金バンプ３の接合領域に一方の信号用バンプを配置することで、他方の信号用バンプが多少ずれても電気的な接続を確保できるので、位置決めの自由度を向上させることができるものである。
次に、金バンプ３を金属箔１２に圧力をかけて押し付け、半導体チップ２の上面に５００μｍ角のホーン４を当て、金バンプの非搭載面に超音波５を付与する。
この超音波の振動により、金バンプ４は樹脂層１１を押しのけ、アルミ箔１２と接触し、接合する。この際の温度設定は、ＰＥＴフィルム１３のガラス転移点よりも低い温度である室温で行う。また、超音波は、負荷圧力０．２ｋｇ／ｍｍ２下で、振動数６３．５ＫＨｚ、出力２Ｗで数秒程度加える。
なお、本実施形態では室温で超音波を印加したが、ガラス転移点以下であれば、加熱しても構わない。
また、上記“数秒程度”という記載は、１秒以下を除外する意図ではない。
アンテナと半導体チップとの間の接合不良を抑制するとともに、アンテナ感度が落ちるのを防止する観点から考えると、最も適切な条件は、出力１．２Wで０．５秒程度の超音波印加である。
（Ｅ‘）インレット個片化工程
次に、金属箔１２のパターン、つまりアンテナパターンとほぼサイズで、下端が鋭利な刃となっている金属枠２０を金属箔１２の上方から下降させることにより、半導体チップ２を搭載したＲＦＩＤタグ（インレット）を個片化する。
図６に、半導体チップ搭載部におけるＲＦＩＤタグの拡大図を示す。
図２の工程（Ｃ）で樹脂層が除去されているので、半導体チップ２と金属箔１２との間には隙間がある。接合信頼性を高める必要がある場合、この隙間に樹脂を充填してもよい。
実施例１及び２では、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムやＰＥＮ（ポリエチレンネフタレート）フィルムを採用していたが、これらの変わりに、紙を用いる。
実施例１及び２のＰＥＴフィルム１３を紙に変更する以外は、全く同じである。
ただし、紙にはガラス転移点は存在しないので、変形や燃焼が生じない温度とする。従って、特別な加熱装置が不要な点を考慮すれば、室温であることが好ましい。
図１に、ＲＦＩＤタグの斜視図を示す。
このＲＦＩＤタグ１は、半導体チップ２と、金属箔積層体１０と、保護層兼エッチングレジストとなる樹脂層１１を有する。
半導体チップ２は、４００μｍ角の大きさで、機能面に３００μｍピッチで直径６０μｍ程度の４つの円形の金バンプを備えている。
金属箔積層体３は、2.45ＧＨｚなどのマイクロ波帯または800ＭＨｚから950ＭＨｚなどのＵＨＦ帯あるいはその両方の周波数の電波を送受信できる形状に加工された金属箔（アルミ箔）１２が、この金属箔の基材となるＰＥＴフィルム１３（ポリエチレンテレフタレートを延伸して形成したフィルム）上に接着されている。また、金属箔１２の形状は、長方形にＬ字状の間隙部が設けた構造である。
図４に、この接合状況を示すが、金バンプ３は金属箔１２と電気的に接合され、樹脂層１１は半導体チップの金バンプの廻りを囲む構造となっている。
図２及び図３にこのＲＦＩＤタグの製造フローを示す。
図１のＲＦＩＤタグは、（Ａ）金属箔積層体の製造工程、（Ｂ）樹脂層形成工程、（Ｃ）アンテナパターン製造工程、（Ｄ）超音波実装工程、（Ｅ）インレット個片化工程の順に行うことで製造する。
（Ａ）金属箔積層体の製造工程
まず、２０μｍ厚のアルミ箔１２と、２５μｍ厚のＰＥＴフィルム１３を基材として用意する。
ＰＥＴフィルム１３の片面（図では上面）に、接着剤を介して２０μｍ厚のアルミ箔１２を配置し、１５０℃、線圧力１ｋｇ／ｃｍの条件で熱ラミネートを行うことにより、ＰＥＴフィルムに金属箔が接着された積層体である金属箔積層体１０を形成する。
（Ｂ）樹脂層形成工程
工程（Ａ）で製造した金属箔積層材１０のアルミ箔１２の表面に所要アンテナパターン形状に加工した0.5〜3μｍ程度の樹脂層１１をグラビア印刷で形成する。この樹脂層１１は次の工程でアルミ箔１２をエッチングにより形成する際に、レジストとして機能する材料を用いる。
この樹脂層１１は、グラビア印刷で形成するだけでなく、金属箔積層体１０のアルミ箔１２の表面にパターン加工せずに光硬化性樹脂を塗布し、マスクを用いて光硬化樹脂を特定のパターンに硬化させ、特定のパターン以外を除去する、所謂一般的なフォトエッチング技術により形成してもよい。この塗布厚は、搭載されるチップのバンプサイズ乃至形状に応じて調整する。
なお、本実施態様では採用していないが、ＰＥＴフィルム１３に樹脂層１１のアンテナパターンを挟み込むようにスプロケット穴を設けるか、予め設けておいてその間に樹脂層１１のパターンを形成するようにしておけば、リールｔｏリールによる生産も可能となる。
なお、この工程でスプロケット穴を設ける場合、ＰＥＴフィルム１３にアンテナパターンとは独立した２列の樹脂層１１を樹脂層１１のアンテナパターンを挟み込むように形成しておき、パンチャーで樹脂層１１側から金属箔積層体１０を打ち抜くことにより形成することが好ましい。これは、樹脂層１１がパンチャーの刃の潤滑材として機能するからである。
（Ｃ）アンテナパターン製造工程
次に、樹脂層１１のアンテナパターンのレジストから露出する部分のアルミ箔の領域をエッチング処理で除去する。このエッチングによりアンテナが形成される。このエッチングは、エッチングレジストパターン７から露出するアルミ箔の領域を、例えば、エッチング液である塩酸または塩化第二鉄水溶液に温度５０℃の条件にて晒すことによって行う。
（Ｄ）超音波実装工程
金属箔１２のアンテナパターンが基材となるＰＥＴフィルム１３上に形成された金属箔積層体１０と樹脂層１１とが積層されたものに対して、半導体チップ２を搭載予定位置に位置合わせを行う。
本実施態様では、金属箔１２と樹脂層１１に形成したＬ字の間隙部１４の角が半導体チップ２の中心にくるように配置する。つまり、４つの金バンプ３で間隙部１４を挟み込む構造をしている。この配置は、斜め方向に信号用バンプを配置した場合に、間隙部に２辺が囲まれた金バンプ３の接合領域に一方の信号用バンプを配置することで、他方の信号用バンプが多少ずれても電気的な接続を確保できるので、位置決めの自由度を向上できるものである。
次に、金バンプ３を樹脂層１１に圧力をかけて押し付け、半導体チップ２の非機能面に５００μｍ角のホーン４をあてがい、金バンプの非搭載面に超音波５を伝達する。
この超音波の振動により、金バンプ３は樹脂層１１を押しのけ、金属箔１２と接触し、接合する。この際の温度設定は、ＰＥＴフィルム１３のガラス転移点よりも低い温度である室温で行う。また、超音波は、加圧力0.2ｋｇ重で荷重をかけながら、振動数63.5ｋＨｚ、出力1.2Ｗで0.5秒程度加える。
なお、本実施形態では室温で超音波を印加したが、ガラス転移点以下であれば、加熱しても構わない。
また、所望の堅牢さを達成するために、半導体チップ２の周囲に熱硬化性樹脂を注入または塗布し、加熱硬化しても良い。
（Ｅ）インレット個片化工程
次に、樹脂層１１や金属箔１２のパターン、つまりアンテナパターンとほぼサイズで、下端が鋭利な刃となっている金属枠２０を樹脂層１１の上方から下降させることにより、半導体チップ２を搭載したＲＦＩＤタグ（少なくともＲＦＩＤチップとアンテナからなる構造体）を個片化する。
尚、上記の実施形態では、積層材１を構成する樹脂基材としてＰＥＴフィルム１３を使用したが、ＰＥＴフィルム１３の代わりにＰＥＮフィルム（ポリエチレンナフタレートを延伸したフィルム）を使用することもできる。その場合、一般的なポリエチレンナフタレートのガラス転移点は、１００℃〜１２０℃程度であるので、この温度よりも低い温度とする。
以上のように、この実施形態では、ＰＥＴフィルム、ＰＥＮフィルム又は紙といった部材を含む基材（複数層で構成されている場合にいずれかの層にある場合も含む）上に、アルミ系（アルミ又はアルミ合金）金属箔のアンテナが形成されている場合、基材のガラス転移点等の変形容易温度以下の温度と所望の加圧条件下で、該アルミ系金属箔に半導体チップを搭載するようにし、従来の加熱加圧条件下における超音波接合技術を採用しなかったので、アンテナの歪みが抑制でき、安定した接合が得られている。
図５及び図６に他の実施例を示す。
実施例４の工程（Ｃ）では、アンテナパターンの樹脂層１１を残したままにしたが、この態様では図５及び図６に示すように、樹脂層１１を除去する。除去の方法はレジスト除去剤溶液に浸漬することで樹脂層１１がアンテナパターンから脱落することを利用する。この方法により、図1の樹脂層１１だけが存在しない構造を製造することができる。
従って、実施例４の製造工程（Ｃ）〜（Ｅ）が（Ｃ’）〜（Ｅ’）のように変わる。
（Ｃ’）アンテナパターン製造工程
樹脂層１１のアンテナパターンのレジストから露出する部分のアルミ箔の領域をエッチング処理で除去する。このエッチングによりアンテナが形成される。このエッチングは、エッチングレジストパターン７から露出するアルミ箔の領域を、例えば、エッチング液である塩酸または塩化第二鉄水溶液に温度５０℃の条件にて晒すことによって行う。
この後、レジストとして機能させた樹脂層１１のパターンをレジスト除去剤により除去する。
（Ｄ’）超音波実装工程
金属箔１２のアンテナパターンが基材となるＰＥＴフィルム１３上に形成された金属箔積層体１０に対して、半導体チップ２を搭載予定位置に位置合わせを行う。
本実施態様では、金属箔１２に形成したＬ字の間隙部１４の角が半導体チップ２の中心にくるように配置する。つまり、４つの金バンプ３で間隙部１４を挟み込む構造をしている。この配置は、斜め方向に信号用バンプを配置した場合に、間隙部に２辺が囲まれた金バンプ３の接合領域に一方の信号用バンプを配置することで、他方の信号用バンプが多少ずれても電気的な接続を確保できるので、位置決めの自由度を向上させることができるものである。
次に、金バンプ３を金属箔１２に圧力をかけて押し付け、半導体チップ２の上面に５００μｍ角のホーン４をあてがい、金バンプの非搭載面に超音波５を付与する。
この超音波の振動により、金バンプ４は樹脂層１１を押しのけ、金属箔１２と接触し、接合する。この際の温度設定は、ＰＥＴフィルム１３のガラス転移点よりも低い温度である室温で行う。また、超音波は、加圧力0.2ｋｇ重で荷重をかけながら、振動数63.5ｋＨｚ、出力1Ｗで0.5秒程度加える。
なお、本実施形態では室温で超音波を印加したが、ガラス転移点以下であれば、加熱しても構わない。
（Ｅ’）インレット個片化工程
次に、金属箔１２のパターン、つまりアンテナパターンとほぼサイズで、下端が鋭利な刃となっている金属枠２０を金属箔１２の上方から下降させることにより、半導体チップ２を搭載したＲＦＩＤタグ（少なくともＲＦＩＤチップとアンテナからなる構造体）を個片化する。
図６に、半導体チップ搭載部におけるＲＦＩＤタグの拡大図を示す。
図２の工程（Ｃ）で樹脂層が除去されているので、半導体チップ２と金属箔１２との間には隙間がある。堅牢性を高める必要がある場合、この隙間および半導体チップ２周辺に樹脂を注入または塗布し、加熱硬化してもよい。
実施例４及び５では、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムやＰＥＮ（ポリエチレンネフタレート）フィルムを採用していたが、これらの代わりに、紙を用いる。
実施例４及び５のＰＥＴフィルム１３を紙に変更することによって、金属箔１２の成形に金型によるうち抜き加工を使用することが望ましい。
ただし、紙にはガラス転移点は存在しないので、変形や燃焼が生じない温度とする。従って、特別な加熱装置が不要な点を考慮すれば、室温であることが好ましい。
図１はＲＦＩＤタグの構造を示す図である。 図２は製造フローを示す図である。 図３は製造フローを示す図である。 図４は半導体チップ搭載部におけるＲＦＩＤタグの拡大図である。 図５は製造フローを示す図である。 図６は半導体チップ搭載部におけるＲＦＩＤタグの拡大図である。
符号の説明
１…ＲＦＩＤタグ、２…半導体チップ、３…金バンプ、４…ホーン、５…超音波、１０…
金属箔積層材、１１…樹脂層、１２…金属箔、１３…ＰＥＴフィルム

Claims (5)

  1. メモリを備えた半導体チップがアンテナに接合されており、該メモリに記録された情報が該アンテナを介して送信されるＲＦＩＤタグの製造方法において、
    アルミニウム又はアルミニウム合金で構成された金属箔が、ポリエチレンナフタレート又はポリエチレンテレフタレートを含む基材上に接着されているアンテナに対して、金バンプを備えた半導体チップを位置あわせし、半導体チップをアンテナに押し当てるとともに、該ポリエチレンナフタレート又は該ポリエチレンテレフタレートのガラス転移点以下の環境下で超音波を印加することにより該金バンプと前記金属箔を接合することを特徴とするＲＦＩＤタグの製造方法。
  2. メモリを備えた半導体チップがアンテナに接合されており、該メモリに記録された情報が該アンテナを介して送信されるＲＦＩＤタグの製造方法において、
    アルミニウム箔又はアルミニウム合金箔で構成された金属箔がポリエチレンナフタレート又はポリエチレンテレフタレートを含む基材上に接着されかつ該金属箔の上面に樹脂層が形成されているアンテナに対して、金バンプを備えた半導体チップを樹脂層上で位置合わせし、半導体チップを樹脂層に押し当てるとともに、ポリエチレンナフタレート又はポリエチレンテレフタレートのガラス転移点以下の環境下で超音波を印加することにより該金バンプと前記金属箔を接合することを特徴とするＲＦＩＤタグの製造方法。
  3. 請求項１又は２において、
    前記超音波の印加を、室温の環境下でなすことを特徴とするＲＦＩＤタグの製造方法。
  4. メモリを備えた半導体チップがアンテナに接合されており、該メモリに記録された情報が該アンテナを介して送信されるＲＦＩＤタグの製造方法において、
    アルミニウム又はアルミニウム合金で構成された金属箔が紙を含む基材上に接着されているアンテナに対して金バンプを備えた半導体チップを位置あわせし、半導体チップを金属箔に押し当てるとともに、室温で超音波を印加することにより金バンプと前記金属箔を接合することを特徴とするＲＦＩＤタグの製造方法。
  5. メモリを備えた半導体チップがアンテナに接合されており、該メモリに記録された情報が該アンテナを介して送信されるＲＦＩＤタグの製造方法において、
    アルミニウム箔又はアルミニウム合金箔で構成された金属箔が紙を含む基材上に接着されかつ該金属箔の上面に樹脂層１１が形成されているアンテナに対して、金バンプを備えた半導体チップを位置合わせし、半導体チップをアンテナに押し当てるとともに、室温で超音波を印加することにより金バンプと前記金属箔を接合することを特徴とするＲＦＩＤタグの製造方法。
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