JP2005150061A - 有機材料薄膜の形成方法及びその装置 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 239000011368 organic material Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 122
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 77
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 70
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 69
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 63
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 38
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 32
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 30
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 28
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 26
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 9
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 58
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 37
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 37
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 8
- 238000012803 optimization experiment Methods 0.000 description 7
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000000990 laser dye Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 229910017875 a-SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- -1 diamine compound Chemical class 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 1
- 150000002642 lithium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 description 1
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】 真空槽内に配置された有機材料用蒸発源に対向して設置された透明導電膜がパターニング形成された基板に有機材料用蒸発源内に充填された有機蒸発材料を加熱し、その加熱によって発生した蒸気を基板表面に付着させる際、(a)基板下の近接に、少なくとも二枚以上のコンビナトリアル用マスクを配し、(b)各コンビナトリアル用マスクを異なる方向へ直線移動して任意の素子を露出する位置制御手段を搭載し、蒸気の付着する位置および付着量を制御しながら有機薄膜を形成するものである。
【選択図】図1
Description
このように作製される有機EL素子は、各有機薄膜23〜25を、正孔輸送層、発光層、電子輸送層として機能させ、透明導電膜22に正電圧、電極26に負電圧を印加すると、発光層である有機薄膜24が電気ショックにより発光し、ガラス基板21を透過したEL光28が外部に放射される。
前記真空槽内には、少なくとも一個以上の有機材料用蒸発源が配置されており、設置されたガラス基板21の透明導電膜22を有機材料用蒸発源に対向させ、該真空槽内を所定圧力まで排気する。
前記有機材料用蒸発源には、予め有機蒸発材料を充填しておき、前記有機材料蒸発源を加熱すると、該真空槽内に該有機蒸発材料の蒸気が放出されるようになる。
このように、有機薄膜形成装置を用いれば、真空雰囲気中で該ガラス基板21表面に膜質の良い有機薄膜を形成することが可能となっている。
また、材料性能以外に、有機EL素子の効率化、長寿命化に効果を及ぼす主なパラメータとして、有機EL素子を構成する各機能層の膜厚の組み合わせおよびレーザー色素等をホスト材料に混入させたドーピング型素子における該ドーピングのホスト材料に対する重量パーセント濃度等の全体的な素子構造、各層における膜厚ならびに膜の組成があげられる。
そのため、有機蒸発材料は有機EL素子の各機能層として形成させる際、最適な素子構造が各材料により異なるため、各機能層において種々膜厚を変化させ複数の構造の素子を作製し構造の最適化を行っている。
また、可動マスクの直線動作機構だけでなく固定マスクを回転させる駆動機構を搭載しなくてはならないため二つの異なる動作機構をもった複雑なものとなるという問題や、固定マスクと可動マスクとの開口部の配置によって成膜領域が選択されるが固定マスクの90°回転動作と可動マスクの直線動作による成膜領域選択プログラムにも制限がかかるという問題もあった。
そこで、本発明は、単純な動作機構により同一基板内に複数の異なる構造ならびに膜組成をもつ有機薄膜機能素子が簡便に形成することが可能な有機薄膜形成装置を実現することを目的とする。更に、膜厚のみをパラメータとしてとらえた素子構造の最適化実験ではなく膜厚とドーピング濃度をパラメータとしてとらえた最適化実験を効率的に行うことが可能な装置を提供することを目的とする。
具体的には、有機薄膜機能素子をマトリクス状に配列する基板と有機材料用蒸発源とを有する真空槽内部に、マトリクス状に配列した素子のX方向に該基板に対して水平移動するコンビナトリアル用マスクXと、マトリクス状に配列した素子のY方向に該基板に対して水平移動するコンビナトリアル用マスクYとを該基板下の近接位置に配置し、コンビナトリアル用マスクXおよびコンビナトリアル用マスクYを互いに直交する方向に独立に駆動する駆動源に接続する。
該B種の材料の堆積の際に、マスクXとマスクYの他方又は双方を順次移動することにより、該複数の基板の第3グループを露出してB種の材料の堆積を行い、次いで複数の基板の第4グループを露出してB種の材料の堆積を行い、ここで該第3グループと第4グループとでは重なる基板を含むように選択されている。
また、複数の素子を同時に成膜することも可能であるため、素子の最適化実験を迅速かつ効率的に行うことが可能となり、研究開発時間を著しく短縮することが可能となった。
更に、ガラス基板の消費を抑えることができるほか、比較的高価な材料として知られる有機薄膜機能材料の消費も抑えることができるためコスト削減の効果も奏する。
図1は本発明の一実施形態の有機薄膜形成装置であり、真空槽18を有している。
該真空槽18の低には2つの互いに独立した回転式有機蒸発源12、13が配置されており、天井側では、高さが約200mmのところに基板ホルダ112が配置されている。
該回転式有機蒸発源12、13ならびに該基板ホルダ112間には有機蒸発材料の蒸発速度が安定するまでの間、該蒸気を遮蔽するシャッター111が取り付けられている。
前記基板ホルダ112下の近接位置上に一辺が40mmの透明導電膜が5行5列パターニング形成されたガラス基板11を設置する。以下5行5列の素子を対象とする成膜について説明するが、素子の配列は自由に設定可能である。
まず、蒸着開始前に予め制御装置にマスク15および16の動作プログラムを入力する(S1)。
成膜時、Xマスク15およびYマスク16の移動は複数回行うが、同図に示すフローではXマスク15の移動をN回、Yマスク16の移動をM回行った時点で蒸着を終了するプログラムとする。Xマスク15のプログラム入力では、Xマスク15のn回目の停止位置および蒸着時間を入力する。同様にYマスク16のプログラム入力では、Yマスク16のm回目の停止位置および蒸着時間を入力する。n=1回目の停止位置とはXマスク15の初期位置を示し、m=1回目の停止位置とはYマスク16の初期位置を示す。
蒸着は、Xマスク15およびYマスク16を初期位置に移動した後開始する。初期位置における所定時間の蒸着後、Xマスク15を駆動しn=2回目の蒸着を、Yマスク16を駆動しm=2回目の蒸着を行う。同様に動作プログラムで指定された位置(S2)および時間(S3)に従いXマスク15およびYマスク16を移動し、プログラムされたマスクの移動及び所定時間の蒸着が終了(S4)した時点で成膜を終了する。
コンビナトリアル用Xマスク151は素子一列を露出するスリット開口部41を設け、Xマスク151を移動することにより任意の一列を蒸発源に露出する構成とする。Xマスク151の移動は列単位で段階的に行い、開口部41が素子一列を正確に露出する位置に停止するよう制御する。開口部41の両端には遮蔽領域44を設け、開口部41から露出する素子のみを成膜するものとする。
コンビナトリアルY用マスク161は素子一行を露出するスリット開口部42とその両端に遮蔽領域45を設け、行単位でYマスク161を移動することにより任意の一行のみを蒸発源に露出する構成とする。Yマスク161の移動はコンビナトリアル用Xマスク151と同様に制御する。
あるいは、二枚のX、Yマスク151、161のうち一方のマスクを全開とした状態で他方のマスクのみを駆動し、素子を一行ずつあるいは一列ずつ成膜を行ってもよい。
図5に示すXマスク152は、複数列の開口部51を備えることを特徴とする。Xマスク152には、パターニング形成された素子の列数と同数(本実施例では5列)の開口部51を設け、同時に素子全列を遮蔽可能な遮蔽領域53を設ける。開口部51の大きさおよびマスクの段階的移動は図4に示すXマスク151と同様である。
例えば、遮蔽領域53により素子全列を遮蔽した状態からXマスク152を段階的に移動し、露出列を一列づつ増やしていくことにより、各列の膜厚を段階的に変化させることが可能となる。成膜は全素子列を露出した状態から開始し一列ずつ段階的に遮蔽していく方法でも、全素子列を遮蔽した状態から開始し一列ずつ段階的に露出していく方法でもどちらでもよい。
図5ではXマスク152に素子列と同数の開口部51を、Yマスク162に素子行と同数の開口部52を設けたが、図6に示すようにXマスク153およびYマスク163に素子数と同数の開口部61、62を設けてもよい。このとき開口部61、62は各素子の大きさをそのまま投影した大きさとし、遮蔽領域63および64は図5に示すマスクと同様に設ける。Xマスク153およびYマスク163を図4に示すマスクと同様に操作することで、図4に示すマスクと同様の効果を得ることができる。
第一および第二実施構成ではXマスク15およびYマスク16に複数の開口部を設けたが、第三実施構成では遮蔽領域のみから形成されるXマスク154およびマスクY164を用いる。更に、マトリクス配列した全素子を露出する複数の開口部72を設けた有機蒸着用マスク71を基板下に固定配置し、遮蔽領域のみから形成されるXマスク154およびYマスク164を、有機蒸着用マスク71を覆って駆動する構成とする。Xマスク154を駆動することにより有機蒸着用マスク71から露出する素子を列単位で遮蔽し、Yマスク164を駆動することにより素子を行単位で遮蔽する。
前記真空槽18内を図示しない真空ポンプによって真空排気を行い、所定真空度(6.0×10-6Torr)に到達させる。
各有機蒸発源A12,B13容器(るつぼ)内には、主として図3に示す粉末状の昇華性有機化合物であるAlq3[Tris(8-hydroxy-quinoline)alminium]3-1や
α-NPD[N,N'-di-α-naphthyl-N,N'-diphenyl-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine3-2 等が有機蒸発材料として充填されている。
前記各有機材料用蒸発源A12、B13の容器(るつぼ)はセラミックスからなり、その周囲には抵抗加熱ヒータ(図示しない)が巻回されており、各有機材料用蒸発源A12,B13のヒータに通電加熱させ、前記有機蒸発材料の前記蒸気A19、B110を発生させ、真空槽18内へ蒸気が放出する。
該蒸気A19、B110の蒸発速度を基板上に堆積する蒸発物質量の時系列変化を検出しうる蒸着速度検出手段の中で好適なものとして水晶振動子上に堆積する物質により該振動子の固有振動数の変化を検出する蒸着速度検出手段14を利用し、これにより制御し、該蒸発速度を0.1nm〜2.0nm/secで安定させる。
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
本実施例は、図1に示す真空蒸着装置に図5から図8に示すいずれかのコンビナトリアル用マスクを用い、図3Aに示す化学構造式のジアミン系化合物であるα-NPDを正孔輸送性材料とし、図3Bに示すAlq3を電子輸送性発光材料としたシングルへテロ構造の有機EL素子を作製した例である。
図1の真空蒸着装置の真空槽18内天井に配置された基板ホルダ112上の近接した位置に、ガラス表面にITOからなる透明導電膜22が130nmの厚さにパターニング2.0mm×5.0mm×25形成された40mm×40mmのガラス基板11を配置し、該真空蒸着装置を真空度(6.0×10-6Torr)まで真空排気した。
有機材料用蒸発源A12の巻回コイルを図示しない電流電源により通電加熱し、α-NPD 31の蒸着速度を0.2nm/sに一定となるように、前記蒸着速度検出手段14から電流電源へフィードバック制御を行った。
この結果、同一ガラス基板11上にα-NPD 3-1の膜厚が48nm,54nm,60nm,66nm,72nmの5種類が存在することになる。
Alq3 3-2の蒸着速度を0.4nm/secで安定させ、前記コンビナトリアル用Xマスク15を全開状態のまま、コンビナトリアル用Yマスク16をその開口部が全素子を露出する位置に配置した後、該基板ホルダ112の下に配置した該シャッター111を開放する。
Alq3 3-2の抵抗加熱蒸着を120秒間行い該コンビナトリアル用Yマスク16の開口部に該蒸気B110が通過し、Alq3 3-2の該蒸気110が該ガラス基板11のα-NPD 3-2膜表面で48nmの膜厚になるように一様に堆積させる。
この結果、同一ガラス基板上にAlq3 3-2の膜厚が48nm,54nm,60nm,66nm,72nmの5種類が存在することになる。
前記基板ホルダ上の近接位置には複数の単位開口2.0mm×5.0mm×25個を有する陰極金属用蒸着マスク46が配置されている。
陰極金属材料としてアルミニウム金属を用いたが、有機薄膜とアルミニウム金属の中間層として低仕事関数として知られるリチウムの化合物であるLiF(フッ化リチウム)を導入するため、モリブデンの材質で形成された蒸着ボートにフッ化リチウムを配置し、蒸着速度を0.01〜0.02nm/sで一定に安定させるよう水晶振動子を利用した蒸着速度検出手段14によりフィードバック制御を行い、前記蒸着速度が安定した後、図示しない陰極金属蒸着用遮蔽シャッターを開放し、0.5nmの膜厚になるように有機薄膜上に抵抗加熱蒸着により堆積させた。
該ガラス基板11上のシングルへテロ構造における各層の膜厚の組み合わせは用いた基板内のITOパターン数と同じ25個であり作製された該シングルへテロ型の素子構造を以下に示す。
(2)ITO(130nm)/α-NPD(48nm)/Alq3(54nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm),
(3)ITO(130nm)/α-NPD(48nm)/Alq3(60nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm),
(4)ITO(130nm)/α-NPD(48nm)/Alq3(66nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm),
(5)ITO(130nm)/α-NPD(48nm)/Alq3(72nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm),
(6)ITO(130nm)/α-NPD(54nm)/Alq3(48nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm),
(7)ITO(130nm)/α-NPD(54nm)/Alq3(54nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm),
(8)ITO(130nm)/α-NPD(54nm)/Alq3(60nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm),
(9)ITO(130nm)/α-NPD(54nm)/Alq3(66nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm),
(10)ITO(130nm)/α-NPD(54nm)/Alq3(72nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm),
(11)ITO(130nm)/α-NPD(60nm)/Alq3(48nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm),
(12)ITO(130nm)/α-NPD(60nm)/Alq3(54nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm),
(13)ITO(130nm)/α-NPD(60nm)/Alq3(60nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm),
(14)ITO(130nm)/α-NPD(60nm)/Alq3(66nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm),
(15)ITO(130nm)/α-NPD(60nm)/Alq3(72nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm),
(16)ITO(130nm)/α-NPD(66nm)/Alq3(48nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm),
(17)ITO(130nm)/α-NPD(66nm)/Alq3(54nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm),
(18)ITO(130nm)/α-NPD(66nm)/Alq3(60nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm),
(19)ITO(130nm)/α-NPD(66nm)/Alq3(66nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm),
(20)ITO(130nm)/α-NPD(66nm)/Alq3(72nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm),
(21)ITO(130nm)/α-NPD(72nm)/Alq3(48nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm),
(22)ITO(130nm)/α-NPD(72nm)/Alq3(54nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm),
(23)ITO(130nm)/α-NPD(72nm)/Alq3(60nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm),
(24)ITO(130nm)/α-NPD(72nm)/Alq3(66nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm),
(25)ITO(130nm)/α-NPD(72nm)/Alq3(72nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm),
上記のように本発明のコンビナトリアルマスク機構を用いれば、従来の方法では素子構造の最適化実験を素子一列ずつあるいは一行ずつ成膜することによって時間を要してしまうところを、複数行あるいは複数列同時に成膜することによって短縮でき、膨大な研究開発時間および研究開発費用を解消することができる。
この例では、マスクにより露出される領域が順次段階的に減少するようにされているが、露出される領域が順次段階的に増加するようにすることもできる。
また、形成された複数種の有機薄膜機能素子を評価する手段を真空槽内部に組み込むことにより、複数種の機能素子の作成から評価までを真空槽内部で行うことが可能となる。例えば、評価手段である発光色の色度測定装置を真空槽に搭載することにより、白色有機EL素子の最適化実験を高効率に行うことが可能となる。
上記した実施の形態および実施例は本発明の技術的思想に基づいて変形することが可能である。
例えば、上記実施例に用いた抵抗加熱型回転式有機材料用蒸着源はこれ以外の加熱方法、材質、構造であってもよい。
また、上記実施例では有機EL素子の作製例をあげたが、それ以外の有機薄膜機能素子の作製にも利用できる。例えば、近年注力されている有機薄膜トランジスタの作製プロセスもしくは将来への応用が期待される有機太陽電池の作製プロセスにも利用してもよい。
また、上記実施例として用いた有機EL素子は、シングルへテロ構造であるが、通常有機ELの素子構造はさらに各機能層を有する積層構造のものが多くこれに利用してもよい。
また、実施例ではITOパターン2.0mm×5.0mmが25点有するガラス基板を使用したが、さらに多数のパターンを有するガラス基板を使用すれば異なる構造もしくは組成をもつ素子の素子がITOのパターン数だけ作製できるようになる。その際には上記実施例では5段階のコンビナトリアル用マスク移動停止プログラムを用いたが、ITOパターン数分の移動停止プログラムを適用すればよい。
また、上記実施例ではシングルへテロ構造の機能分離型二層素子の作製例であるが、これにレーザー色素等のドーピング材料を添加する素子の作製に応用してもよく、同一基板内にドーピング濃度の異なる素子の作製が可能となる。
また、上記実施例ではシングルへテロ構造の緑色発光有機EL素子の高効率の最適な素子構造を検索する例をあげたが、他のシングルへテロ構造の膜厚最適化実験の異なるアプローチとして有効と思われる例では、二波長加色式白色有機EL素子が挙げられる。本発明を用いれば比較的容易に白色発光が得られる膜厚を検索することが可能となり、前記白色素子を構成する各色発光材料の蒸着の際に適用すればよい。
図4に示す実施例では素子一列あるいは素子一行を露出する開口部を一つ設けたが、素子単位で複数の開口部を素子一列分あるいは素子一行分設けてもよい。
図8に示す実施例では素子単位で開口部を設けたが行単位あるいは列単位で開口部を設けてもよい。
12 有機材料用蒸発源A
13 有機材料用蒸発源B
14 水晶振動子による蒸着速度検出手段
15 コンビナトリアル用Xマスク
16 コンビナトリアル用Yマスク
17 制御装置
18 真空槽
19 蒸気B
110 蒸気A
111 蒸気遮蔽用シャッター
112 基板ホルダ
113 ステッピングモーターX
114 ステッピングモーターY
21 ガラス基板
22 透明導電膜
23 正孔輸送層
24 発光層
25 電子輸送層
26 陰極金属
27 缶(ステンレスもしくはセラミックス製)
28 EL光
31 α-NPD
32 Alq3
41 開口部
42 開口部
43 コンビナトリアル用マスクXの開口部およびコンビナトリアル用マスクYの開口部の重なる部分
44 遮蔽領域
45 遮蔽領域
46 陰極金属蒸着用マスク
51 開口部
52 開口部
53 遮蔽領域
54 遮蔽領域
61 開口部
62 開口部
63 遮蔽領域
64 遮蔽領域
71 有機蒸着用マスク
72 開口部
81 開口部
82 開口部
83 開口部
84 開口部
85 遮蔽領域
86 遮蔽領域
Claims (16)
- 複数の透明導電膜をマトリクス状に形成した基板上に有機薄膜材料を蒸着し、複数種の有機薄膜機能素子を形成する装置であって、
有機薄膜材料を充填しその蒸気を所定の軸線方向に放出させる蒸発源と、
該基板と該蒸発源との間に配置され、該基板の成膜領域を制限する二枚のコンビナトリアル用マスクとを有し、
前記二枚のコンビナトリアル用マスクは、基板面に平行な平面内を互いに直交する方向に直線移動可能であり、
該基板に対する二枚のコンビナトリアル用マスク位置を変化させることにより、該基板面内の成膜領域を任意に設定可能であることを特徴とする有機薄膜形成装置。 - 前記二枚のコンビナトリアル用マスクは、
マトリクス状に配列した素子のX方向に駆動するコンビナトリアル用マスクXと、
マトリクス状に配列した素子のY方向に駆動するコンビナトリアル用マスクYとにより構成され、
該コンビナトリアル用マスクXおよび該コンビナトリアル用マスクYは、該蒸発源に対して有機薄膜機能素子を露出する一乃至複数の開口部を有し、
該成膜基板に対して該コンビナトリアル用マスクを段階的に移動させることにより開口部を移動させ該成膜基板上の露出素子を変化させることを特徴とする請求項1記載の有機薄膜形成装置。 - 該コンビナトリアル用マスクXは素子一列を露出する開口部を有し、
該コンビナトリアル用マスクYは素子一行を露出する開口部を有し、
該コンビナトリアル用マスクXを駆動することにより任意の素子一列を露出し、
該コンビナトリアル用マスクYを駆動することにより任意の素子一行を露出し、
該コンビナトリアル用マスクXおよび該コンビナトリアル用マスクYを駆動することにより任意の1素子を露出することを特徴とする請求項2記載の有機薄膜形成装置。 - 該コンビナトリアル用マスクXおよび該コンビナトリアル用マスクYは、マトリクス状に配列した素子全てを露出する開口部と、素子全てを遮蔽する遮蔽領域とを設け、
該コンビナトリアル用マスクXを駆動することにより蒸発源に対して露出する素子を列単位で増減し、該コンビナトリアル用マスクYを駆動することにより蒸発源に対して露出する素子を行単位で増減することを特徴とする請求項2記載の有機薄膜形成装置。 - 前記薄膜形成装置は、該基板上に形成された全素子の成膜領域を設定する有機蒸着用マスクを固定配置し、
前記二枚のコンビナトリアル用マスクは、
マトリクス状に配列した素子のX方向に駆動するコンビナトリアル用マスクXと、
マトリクス状に配列した素子のY方向に駆動するコンビナトリアル用マスクYとにより構成され、
該コンビナトリアル用マスクXおよび該コンビナトリアル用マスクYは、該有機蒸着用マスクを覆って成膜領域を制限し、
該コンビナトリアル用マスクXを駆動することにより、該有機蒸着用マスクから露出する素子を列単位で遮蔽し、
該コンビナトリアル用マスクYを駆動することにより、該有機蒸着用マスクから露出する素子を行単位で遮蔽することを特徴とする請求項1記載の有機薄膜形成装置。 - 有機薄膜機能素子をマトリクス状に配列する基板と有機材料用蒸発源とを有する真空槽内部に、
マトリクス状に配列した素子のX方向に該基板に対して水平移動するコンビナトリアル用マスクXと、
マトリクス状に配列した素子のY方向に該基板に対して水平移動するコンビナトリアル用マスクYとを該基板下の近接位置に配置し、
該コンビナトリアル用マスクXおよび該コンビナトリアル用マスクYを互いに直交する方向に独立に駆動する駆動源に接続し、
該コンビナトリアル用マスクXはマトリクス状に配列した素子一列を露出する開口部を備え、
該コンビナトリアル用マスクYはマトリクス状に配列した素子一行を露出する開口部を備え、
該有機材料用蒸発源内に有機薄膜材料を充填して加熱し、該有機薄膜材料の蒸気を所定の軸線方向に放出させ、
該コンビナトリアル用マスクXもしくは該コンビナトリアル用マスクYを一回乃至複数回にわたり段階的に移動させ、該開口部から露出する素子表面に該蒸気の付着量を制御しながら有機薄膜を形成する有機薄膜形成装置。 - 透明導電膜をマトリクス状に形成した基板上に有機薄膜材料を蒸着し、複数種の有機薄膜機能素子を形成する方法であって、
マトリクス状に配列した素子一列を露出する開口部を有するコンビナトリアル用マスクXと、
マトリクス状に配列した素子一行を露出する開口部を有するコンビナトリアル用マスクYとを、
互いに直交する方向にそれぞれ独立に駆動し、
該コンビナトリアル用マスクXおよび該コンビナトリアル用マスクYの開口部位置を組み合わせることにより任意の素子を蒸発源に対して露出することを特徴とする有機薄膜形成方法。 - 透明導電膜をマトリクス状に形成した基板上に有機薄膜材料を蒸着し、複数種の有機薄膜機能素子を形成する方法であって、
マトリクス状に配列した素子全てを露出する開口部と、素子全て遮蔽する遮蔽領域とを有するコンビナトリアル用マスクXおよびコンビナトリアル用マスクYを互いに直交する方向にそれぞれ独立に駆動し、
蒸発源に対して露出する素子を列単位あるいは行単位で増減することにより任意の複数列あるいは任意の複数行を同時に成膜することを特徴とする有機薄膜形成方法。 - 透明導電膜をマトリクス状に形成した基板上に有機薄膜材料を蒸着し、複数種の有機薄膜機能素子を形成するシステムであって、
有機薄膜材料を充填しその蒸気を所定の軸線方向に放出させる蒸発源、
該基板と該蒸発源との間に配置され、該基板面に平行な平面内を該基板上に整列された素子のX方向に駆動し、該基板の成膜領域を行単位で制限するコンビナトリアル用マスクX、
該コンビナトリアル用マスクXを駆動するステッピングモーターX、
該基板と該蒸発源との間に配置され、該基板面に平行な平面内を該基板上に整列された素子のY方向に駆動し、該基板の成膜領域を列単位で制限するコンビナトリアル用マスクY、
該コンビナトリアル用マスクYを駆動するステッピングモーターY、
該ステッピングモーターXおよびステッピングモーターYに接続される制御装置とからなり、
該位置制御装置は、
該コンビナトリアル用マスクXが該基板上素子の予め設定された一行または複数行を予め設定された時間露出するようステッピングモーターXを駆動する第一の制御と、
該コンビナトリアル用マスクYが該基板上素子の予め設定された一列または複数列を予め設定された時間露出するようステッピングモーターYを駆動する第二の制御とを同時に行い、
該コンビナトリアル用マスクXおよび該コンビナトリアル用マスクYが同時に露出する該基板上素子を該蒸発源に露出して成膜を行うことを特徴とする成膜システム。 - マトリクス状に配置された複数の基板上に、少なくとも2種類のA種とB種の材料源からの蒸発材料を堆積させて、複数の異なる素子を形成する方法であって、
該基板と該材料源との間に提供されるX方向に移動するコンビナトリアル用マスクXとY方向に移動するコンビナトリアル用マスクYを制御し、
該A種の材料の堆積の際に、該マスクXとマスクYのいずれか一方又は双方を順次移動することにより、該複数の基板の第1グループを露出して該A種の材料の堆積を行い、次いで該複数の基板の第2グループを露出して該A種の材料の堆積を行い、ここで該第1グループと第2グループとでは重なる基板を含むように選択されており、
該B種の材料の堆積の際に、該マスクXとマスクYの他方又は双方を順次移動することにより、該複数の基板の第3グループを露出して該B種の材料の堆積を行い、次いで該複数の基板の第4グループを露出して該B種の材料の堆積を行い、ここで該第3グループと第4グループとでは重なる基板を含むように選択されている形成方法。 - 該第1グループは基板の少なくとも1個の列からなり、該第2グループは該第1グループ内の基板の列と及び基板の少なくとも1個の追加された列からなる請求項10の形成方法。
- 該第3グループは、基板の少なくとも1個の行からなり、該第4グループは該第3グループ内の基板の列と、及び基板の少なくとも1個の追加された行からなる請求項10又は11の形成方法。
- 該第1グループは基板の少なくとも2個の列を含み、該第2グループは該第1グループ内の基板の列から少なくとも1個の列を削除した基板の列からなる請求項10の形成方法。
- 該第3グループは、基板の少なくとも2個の行からなり、該第4グループは該第3グループ内の基板の行から少なくとも1個の列を削除した基板の行からなる請求項10又は13の形成方法。
- マトリクス状に配置された複数の基板上に、少なくとも2種類のA種とB種の材料源からの蒸発材料を堆積させて、複数の異なる素子を形成する方法であって、
該基板と該材料源との間に提供されるX方向に移動するコンビナトリアル用マスクXとY方向に移動するコンビナトリアル用マスクYを制御し、
該マスクXとマスクYのいずれか一方又は双方を順次移動することにより、該複数の基板の1乃至複数素子を露出して該A種と該B種の材料の堆積を行い、該A種の材料に対する該B種の材料のドーピング濃度を制御して堆積する形成方法。 - マトリクス状に形成した各基板上に少なくとも2種のA材料とB材料とを蒸着し、複数種の機能素子を形成する装置であって、
材料AとBを充填しその蒸気を所定の軸線方向に放出させる蒸発源、
該基板と該蒸発源との間に配置され、該基板の成膜領域を制限する二枚のコンビナトリアル用マスクX、Yと、
前記二枚のコンビナトリアル用マスクを基板面に平行な平面内を互いに直交する方向に移動させる制御装置とからなる薄膜形成装置において、
該制御装置は請求項10〜15の1の方法を実行するプログラムを含む薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003390319A JP4495951B2 (ja) | 2003-11-20 | 2003-11-20 | 有機材料薄膜の形成方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003390319A JP4495951B2 (ja) | 2003-11-20 | 2003-11-20 | 有機材料薄膜の形成方法及びその装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005150061A true JP2005150061A (ja) | 2005-06-09 |
JP4495951B2 JP4495951B2 (ja) | 2010-07-07 |
Family
ID=34696742
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003390319A Expired - Lifetime JP4495951B2 (ja) | 2003-11-20 | 2003-11-20 | 有機材料薄膜の形成方法及びその装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4495951B2 (ja) |
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JP4495951B2 (ja) | 2010-07-07 |
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