JP2005144450A - 半導体プロセスチャンバから生じるオフガスを処理する方法 - Google Patents

半導体プロセスチャンバから生じるオフガスを処理する方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2005144450A
JP2005144450A JP2004328710A JP2004328710A JP2005144450A JP 2005144450 A JP2005144450 A JP 2005144450A JP 2004328710 A JP2004328710 A JP 2004328710A JP 2004328710 A JP2004328710 A JP 2004328710A JP 2005144450 A JP2005144450 A JP 2005144450A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fluorochemical
reactive
temperature
gas
less reactive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004328710A
Other languages
English (en)
Inventor
Donald Prentice Satchell Jr
ドナルド・プレンティス・サッチェル,ジュニア
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Messer LLC
Original Assignee
BOC Group Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOC Group Inc filed Critical BOC Group Inc
Publication of JP2005144450A publication Critical patent/JP2005144450A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45593Recirculation of reactive gases
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D53/00Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/46Removing components of defined structure
    • B01D53/68Halogens or halogen compounds
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D53/00Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/46Removing components of defined structure
    • B01D53/68Halogens or halogen compounds
    • B01D53/70Organic halogen compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02CCAPTURE, STORAGE, SEQUESTRATION OR DISPOSAL OF GREENHOUSE GASES [GHG]
    • Y02C20/00Capture or disposal of greenhouse gases
    • Y02C20/30Capture or disposal of greenhouse gases of perfluorocarbons [PFC], hydrofluorocarbons [HFC] or sulfur hexafluoride [SF6]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Treating Waste Gases (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】 半導体装置製造のためのプラズマクリーニング及びエッチング工程のためのフルオロケミカル類を選択し、使用し、再生し、リサイクルする方法を提供する。
【解決手段】 半導体プロセスチャンバから生じ、より反応性がないフルオロケミカル及びより反応性があるフルオロケミカルを含むオフガスを処理する方法であって:前記より反応性がないフルオロケミカルの濃度が増大するフッ素化工程と;前記より反応性があるフルオロケミカルが選択的に除去される脱フッ素化工程と;を含む方法。本発明は、環境に悪影響を及ぼすこと無く、最も費用効果的でかつ安全なチャンバクリーニングガスの効果的な使用を可能にする。
【選択図】 図1

Description

本発明は、半導体電子装置及び薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造におけるクリーニング及びエッチングガスの利用を増大させる方法に関する。特に、本発明は、チャンバクリーニングまたはエッチングのための材料を選択し、半導体製造プロセスから発生するガスを処理して、フルオロケミカル作動流体を再生する方法に関する。
半導体電子装置及び薄膜トランジスタ液晶表示装置のための製造プロセスは一般に、ガス状フルオロケミカル類の例えば三フッ化窒素(NF3)、六フッ化硫黄(SF6)、四フッ化炭素(CF4)を、エッチャント及びチャンバクリーニングガスとして使用する。エッチング製造工程において、ガス状フルオロケミカル類から生じたフッ素との反応によってシリコンを半導体装置から除去して、主にSiF4を生成する。チャンバクリーニング工程において、ガス状フルオロケミカル類から生じたフッ素との反応によってプロセスチャンバの壁表面の堆積物を除去して、プロセスチャンバ壁表面のデブリ中のシリコン、水素、及び炭素原子から主としてSiF4、HF、及びCF4を生成する。プロセスチャンバ内部でのこうしたガスの消費は典型的に低く、通常20%未満である。典型的に、炭化水素燃料を用いる燃焼を使用して、プロセスチャンバクリーニング及びエッチングプロセス工程から生じた流出物流れ中に存在するフルオロケミカル種内部のフッ素原子をHFに転換した。このアプローチには2つの主要な問題が存在する。第1に、従来の炭化水素燃焼プロセスから生じたHF生成物は、シリコンエッチングまたはチャンバクリーニングプロセスを実行するためのリサイクルに適さない。従って、半導体プロセスは典型的にエッチング及びクリーニングガス供給物のほんのわずかを有用に利用し、残りはかなりの廃棄物処理問題を引き起こす。第2に、利用できる燃焼排気低減システムは典型的に、最も安定なフルオロケミカルガス、特にSF6及びCF4の不完全な転換及び回収を実現する。この結果、最初のフルオロケミカル供給物ガスのかなりの部分が最終的には雰囲気に放出され得る。こうした非常に安定なフルオロケミカルエッチング及びチャンバクリーニングガスは雰囲気中に長く残存し、非常に有効に赤外線を吸収し、この結果、地球温暖化問題に対し不釣り合いに大きく寄与する。このため、半導体業界は、チャンバクリーニング及びエッチングガス排出の影響を減少させる方法を探し求めた。
半導体業界において地球温暖化ガス排出を減少する3つの一般的な戦略が現れた。第1に、雰囲気中にはるかに短く残存し、従って、はるかに低い地球温暖化係数を有するフルオロケミカル類を使用するという、革新的なアプローチが提案された。例えば、米国出願第2003/0010354号は、分子状フッ素を利用して、より高い地球温暖化係数を有するフルオロケミカルガスの例えばNF3、CF4、C26、及びSF6の使用を避けるチャンバクリーニング方法を教示している。このアプローチの1不利益は、最低の地球温暖化係数を有するフルオロケミカルガスの例えばF2及びClF3は、一般に非常に反応性があり、有毒であり、従ってプラントの安全に悪影響を及ぼすという点である。
第2に、業界は、より有効な排気低減技術を開発しようと試みた。例えば、米国特許第5,965,786号は、常圧プラズマを使用して、未使用の過フッ化及び/またはヒドロフルオロカーボンチャンバクリーニング及びエッチングガスを破壊する方法を教示している。このアプローチに伴うかなりの困難は、こうしたプラズマプロセスも不完全な転換及び不満足な選択性を示したことである。
第3に、革新者たちは、クリーニングガスを回収し、精製し、リサイクルするための様々なアプローチを試した。例えば、米国特許第6,032,484号は、膜を使用したフルオロケミカル類の分離及び回収方法を教示している。このアプローチの不利益は、チャンバ流出物は高度に希釈され、未転換のクリーニングガスと非常に反応性がある副産物の例えば分子状フッ素との複雑な混合物はこのような低減及びリサイクルを非常に困難で効果のないものにしてしまう点である。
米国特許出願第2003/0056388号は、非常に高いエッチレート、効果的なクリーニング、及び優れたプロセスコストパフォーマンスを、F2−SF6、NF3−SF6、及びO2−SF6混合物を用いて実現することができることを教示している。あいにく、SF6供給物のほんのわずかがプロセスチャンバ中で消費され、SF6は非常に高い地球温暖化係数を有し、破壊するかまたは回収し、リサイクルするのが困難である。
従って、半導体処理技術におけるフルオロケミカル類の効果的な使用に関連した必要が従来技術において依然として存在する。また、従来技術に関して上記に言及した問題に対する費用効果的な解決を見い出す必要が依然として存在する。
本発明は、半導体装置の製造においてプラズマクリーニングまたはエッチング工程のためのフルオロケミカル類を選択し、使用し、再生し、リサイクルする方法を教示する。特に、本発明の方法は、再生可能なフルオロケミカル作動流体及びより活性なフルオロケミカル類の選択と、チャンバクリーニングまたはエッチングのための再生可能なフルオロケミカル作動流体を使用することと、フルオロケミカル作動流体をより活性なフルオロケミカルと共に、逐次フッ素化工程及びそれに続く脱フッ素化工程を含む2段プロセスで再生することと、再生したフルオロケミカル作動流体を回収し、リサイクルすることとを含む。
理想的なチャンバクリーニングガスは周囲温度で低い反応性を有し、高温で適度に安定であり、低い毒性を有し、低い地球温暖化係数を有する。表1は、フルオロケミカルエッチング及びチャンバクリーニングガスをキャラクタリゼーションし、回収及びリサイクルプロセスを定義する有用な行列を要約する。以下の検討で、こうしたパラメータの各々を考察する。
Figure 2005144450
多くのフルオロケミカル類は、雰囲気中での並外れて長い寿命及び並外れて高い赤外吸光度を有し、地球温暖化に及ぼす非常に大きな影響を生じる。地球温暖化係数(GWP)を使用して、赤外吸収が原因で他のガスが地球温暖化に及ぼす相対的影響を100年の時間枠にわたって重量比較基準を使用してCO2と比較して評価する。例えば、表1に説明するように、1グラムのNF3は10,090グラムのCO2とほぼ同じ影響を有すると思われる。表1に列記するフルオロケミカル類は、F2及びClF3の場合のCO2未満からSF6の場合のCO2の地球温暖化係数の23,900倍まで、非常に広範囲の地球温暖化係数を有する。
米国産業衛生専門家会議(the American Conference of Governmental Industrial Hygienists)(ACGIH)は、周囲濃度(ppm)しきい値制限値(TLV)を確立した。大部分の労働者は、健康への悪影響無しに、TLVの化学薬品に毎日繰り返し暴露されることができる。従って、ACGIH−TLV値は、相対的毒性の有用な尺度を提供する。窒息性は、酸素含量を約21から19.5体積%未満に減少する(約15,000ppmvと同等と思われる)ことで健康に有害な要因を引き起こす。表1に示すように、列記したフルオロケミカル類のACGIH−TLV値は、F2の場合の約1ppmからCF4の場合の約1,500ppmv(窒息性)の範囲にわたる。
フルオロケミカルフッ素化反応性の広く受け入れられた尺度は存在しない。しかしながら、特定の状況下で、フッ素ラジカル(F(g))がフルオロケミカルの並外れた反応性の主な原因であるという一般的な合意が存在する。従って、第1のフッ素解離定数は、フルオロケミカルの反応性の有用な尺度を提供すると思われる。ウインドウズコンピュータプログラム用のオウトクンプHSCケミストリー(バージョン4)(the Outokumpu HSC Chemistry for Windows(登録商標) computer program (Version 4))は、広範囲の化合物の第1のフッ素解離定数を推定するための便利な方法を提供する。例えば、NF3の場合、第1の解離反応はNF3(g)→NF2(g)+F(g)であり、第1のフッ素解離定数は、次から計算してよい、K1NF3=PNF2F/PNF3[式中、PNF2、PF、及びPNF3は、それぞれNF2(g)、F(g)、及びNF3(g)の気圧単位の分圧である。]。第1のフッ素解離定数(K1)が10-22、10-13、及び10-4気圧に等しい温度(それぞれT1、T2、及びT3)は、フルオロカーボンの反応性の有用な尺度及び本発明のための反応器稼働条件を選択するための指針を提供することが見い出された。室温での分子状フッ素のK1の値(約10-22)は、適度なフッ素化率のための有用でよく知られたベンチマークを提供する。他のフルオロケミカル類のT1値(幾つかは表1に言及した)を次に、K1値10-22に基づいて計算する。実際の経験は、約10-13を超えるK1値は、広く様々なフルオロケミカル種のための低減プロセスに適したフッ素化率をもたらすことを示唆する。従って、T2は、広範囲のフルオロケミカル類のための妥当なフッ素化率を実現するために必要な温度の推定を提供し、また、熱低減プロセスのための最低温度のための妥当な推定を提供する。より低いT2値を有するフルオロケミカル類は、より高いフッ素化活性を有することに注意されたい。フルオロケミカルの安定性を次に2つの様式で評価することができる。T3は、不均化反応が存在しないと仮定して、約1%のフルオロケミカルを解離するために必要な温度である。T4は、最も安定な反応物からの種の形成のギブズの自由エネルギーが正になる温度であり、不均化傾向の尺度である。例えば、CH22の場合の最も安定な反応物はHF及び炭素であると思われ、NF3の場合の最も安定な反応物はN2及びF2であると思われる。T3及びT4は、最大実用作動フルオロケミカル温度の尺度として使用される。
表1のデータは、フルオロケミカルプロセスチャンバクリーニング及びエッチングガスを選択するのに伴う困難を明確に示す。特に、比較的に複雑で高価な試薬の例えばCH22のみが安定であり、穏当な毒性及び地球温暖化係数の両方を有する。より高価でない試薬は様々な問題を有する。例えば、幾つかの単純な試薬は高度に有毒でありかつ非常に反応性があり、これは例えばClF3またはF2である。他のフルオロケミカル類は安定であるが高い地球温暖化係数を有し、これは例えばNF3、SF6またはCF4である。本発明は、より反応性があるフルオロケミカル類及びより反応性がないフルオロケミカル類の組合せの使用方法を提供して、安全及び環境上の目標を費用効果的にかつ同時に実現する。
図1は、本発明による方法に関するブロック系統線図であり、ここで、より反応性があるフルオロケミカルガス及びより反応性がないフルオロケミカルガスの組合せを利用する。特に、本発明によれば、半導体製造プロセスにおけるさらなる使用のために、より反応性がないフルオロケミカルガスをリサイクルし、従ってこのようなガスの使用効率を増大させ、地球温暖化の可能性のある排出の影響を減少させる。さらに、より反応性がないフルオロケミカルガスをリサイクルすることで、かなりのコストの節減を実現できる。
本発明のためには、フルオロケミカルは、幾つかのフッ素原子を含む化合物である。より反応性がないフルオロケミカルガスは、より反応性があるフルオロケミカルガスと比較してより高いT2値を有するガスを意味する。好ましくは、より反応性がないフルオロケミカルのT2値は、より反応性があるフルオロケミカルガスのT2値を少なくとも10℃超え、より好ましくは少なくとも20℃高く、最も好ましくは少なくとも50℃高い。
図1に示すように、リサイクルされたより反応性がないフルオロケミカルガスを、半導体プロセスチャンバ3に供給する。単数または複数のより反応性がないフルオロケミカルガス2を加えるかまたは除去して、単数または複数のより反応性がないフルオロケミカルガス1を消費または過剰生成するために調節してよい。より反応性がないフルオロケミカルガスは、実質的に純粋なフルオロケミカル、フルオロケミカル類の混合物、またはフルオロケミカル及び非フルオロケミカル類、通常不活性ガスの例えばアルゴン、窒素、若しくはヘリウムの混合物としてよい。より反応性がないフルオロケミカルガス1または2は、非フッ素原子を含み、T2を超えるT4値を有しなければならない。例えば、また表1を参照すると、ClF3はより反応性がないフルオロケミカルガスであるとみなすことはできず、というのはT2はT4を超えるからであるい。F2はより反応性がないフルオロケミカルであるとみなすことはできず、というのはこれはいかなる非フッ素結合も含まないからである。NFハ、F2またはClF3と比較するとより反応性がないフルオロケミカルであるとみなされる可能性があるが、CF4またはSF6と比較するとそうではなく、というのはそのT2値はCF4またはSF6のT2の値未満だからである。より反応性がないフルオロケミカル1は、より反応性がないフルオロケミカル1を高温または減圧にさらすことで蒸発するかもしれない。補充プロセスチャンバ供給物ガス4を、プロセスチャンバ3に入る前のより反応性がないフルオロケミカルガス1に加えるかまたはプロセスチャンバ3に直接に供給することができる。補充供給物ガス4は、典型的に不活性ガス、例えばアルゴン、またはヘリウムを含んで、プラズマを持続するのを助けるものであり、他の非フルオロケミカルクリーニングまたはエッチングガスの例えばN2O、O2、Cl2、またはより反応性があるフルオロケミカルガス、すなわち、より反応性がないフルオロケミカルガス1の主要なフルオロケミカル成分未満のT2値を有するガスを含む可能性がある。他に、プロセスチャンバ補充供給物ガス4は、より反応性がないフルオロケミカルガス1中に見い出される成分を含む可能性があり、半導体製造プロセスにおいて失われるかまたは消費される比較的に少量を補給するのに役立つ。従来の遠隔プラズマチャンバを使用して、プロセスチャンバ3中でまたはプロセスチャンバ3に入る前に、より反応性がないフルオロケミカルガス1及び補充供給物ガス4をプラズマ放電にさらしてよい。遠隔またはプロセスチャンバプラズマを使用して、より反応性があるフルオロケミカル種をより反応性がないガス及び補充ガス供給物から生成してもよい。例えば、遠隔またはプロセスチャンバプラズマは、SF6及びO2を含む供給物を、より反応性がないSF6フルオロケミカルに加えてより反応性があるフッ素ラジカル及び分子状フッ素フルオロケミカル種に転換する可能性がある。プロセスチャンバ3は典型的に、様々なタイプのプロセス工程、例えば薄膜トランジスタ半導体装置を製造するための薄層の選択的堆積及び薄膜のエッチングにおいて稼働する。定期的にプロセスチャンバ3をクリーニングして、プロセスチャンバ壁表面に必然的に蓄積するデブリによる薄膜層の汚染を防がなければならない。本発明によれば、より反応性がないフルオロケミカルガス及びより反応性があるフルオロケミカルガスの組合せをクリーニング作業のために使用する。他に、より反応性がないフルオロケミカルガス及びより反応性があるフルオロケミカルガスの混合物を、プロセスチャンバ3中で実行されるエッチング作業のために使用することができる。従来の真空ポンプを使用して、プロセスチャンバ3の生成物ガスの圧力をほぼ大気圧に増大させる。本発明の方法はさらに、プロセスチャンバ3から生じたオフガス5からのより反応性がないフルオロケミカルガスの再生に対処したものである。
プロセスチャンバオフガス5は典型的に、未反応のエッチングまたはクリーニングガス、例えばCF4、SF6、O2、F2、若しくはNF3;エッチングまたはクリーニング副産物、例えばCF4、CO2、SiF4、若しくはAlF3;及びフルオロケミカル分解生成物、例えばF2、OF2、若しくはSOxy[式中、yは1、2、3または4であり、2×xとyの和は6以下である。]の複雑な混合物である。オフガス5中のフルオロケミカル成分の多くは高度に反応性があるか、有毒であるか、または高い地球温暖化係数を有する。従って、オフガス5のより問題のある成分を、より少ない危険を生じるかまたはプロセスチャンバ3中で実行される他のプロセスにおいてリサイクルし、再使用できる他の成分に転換することが望ましい。
本発明によれば、プロセスチャンバオフガス5のより反応性があるフルオロケミカル種(T2値はより反応性がないフルオロケミカルガス1のT2値未満)または所望によりフッ素化工程補充供給物7を使用して、オフガス5をフッ素化工程6にさらす。補充フッ素化工程供給物7は、非水素含有燃料、例えば炭素、硫黄、SO2若しくはCS2、亜フッ素化フルオロケミカル、例えばSO22、またはより反応性があるフルオロケミカル、例えばF2若しくはNF3とすることができる。フッ素化工程6は、ほぼオフガス5の圧力である通常ほぼ大気圧で稼働する。フッ素化工程6の好ましい温度は、プロセスチャンバ3のオフガス5中のより反応性があるフルオロケミカル成分のT2を超えかつより反応性がないフルオロケミカルガス1中の主成分のT3またはT4のうちのより低い方未満である。フッ素化工程6の好ましい温度範囲は、間接伝導加熱、アーク放電を用いた直接加熱、間接誘導結合加熱、常圧プラズマ放電、発熱反応、例えば1/2S2(g)+3F2(g)→SF6(g)若しくはSO2+3F2→SF6+O2、または他の従来の加熱手段によって実現してよい。しかしながら、水素含有燃料(炭化水素)を用いる燃焼を使用してオフガス5を加熱してはならない。フッ素化工程6は、供給物及び生成物ガスを接続した閉じた反応器容器内部で実行される。金属充填材を好都合にフッ素化工程反応器に加えて、フッ素化反応及び熱伝達率を増大させる。ニッケル、モネル、及び銅は、フッ素化工程充填材のための好ましい構成材料である。場合によっては、プロセスチャンバ3のオフガス5は、フッ素化工程6への十分に適切な供給物である。このような場合には、高温フッ素化工程補充供給物7は必要ではない。非常に急速なフッ素化反応、例えばF2(g)+SF4(g)→SF6(g)が本質的に完了して、高温フッ素生成物ガス8を生成するまで、オフガス5及び任意の補充フッ素化工程供給物7をフッ素化工程6において接触させる。フッ素化工程6におけるガス滞留時間は、好ましくは0.25〜20秒、より好ましくは0.5〜10秒、最も好ましくは1〜5秒である。ガス滞留時間を、平均フッ素化工程温度及び圧力での、平均総ガス体積供給速度で割ったフッ素化工程反応器空間体積の比と定義する。フッ素化工程圧力は、好ましくは0.5〜3気圧、より好ましくは0.75〜2気圧、最も好ましくは約1気圧である。フッ素化工程6を実行することで、プロセスチャンバ3のオフガス5中のより反応性があるフルオロケミカル類ガスの幾らかを、好ましいより反応性がないフルオロケミカルガス1に転換する。従って、生成物ガス8は、オフガス5よりも大きなパーセンテージのより反応性がないフルオロケミカルガス1、特により多くのリサイクルされるフルオロケミカルガスを含む。
生成物ガス8を次に、フッ素原子ゲッター9を使用して脱フッ素化工程10にさらして、生成物ガス8中のより反応性があるフルオロケミカル成分、例えばF2、OF2、SiF4の濃度を選択的に低下させる。脱フッ素化工程10の稼働圧力は、好ましくはフッ素化工程の50%を超え、より好ましくは75%を超え、最も好ましくは90%を超える。好ましい脱フッ素化工程10の稼働温度は、より反応性がないフルオロケミカルガス1中の主要なフルオロケミカル成分のT2未満でありかつより反応性があるフルオロケミカルガスのT1を超える。ガス滞留時間を調節して、より反応性がないフルオロケミカルガス1中のより反応性がないフルオロケミカル成分の非常にわずかな損失で、より反応性があるフルオロケミカル類を本質的に完全に転換する。より反応性があるフルオロケミカルの好ましくは80%を超え、より好ましくは90%を超え、最も好ましくは95%を超えるものが除去され、より反応性がないフルオロケミカルの好ましくは20%未満、より好ましくは10%未満、最も好ましくは5%未満が除去される。脱フッ素化工程7におけるガス滞留時間は、好ましくは0.1〜10秒、より好ましくは0.5〜5秒、最も好ましくは1〜3秒である。フッ素原子ゲッター9は、低温フッ素化生成物11から容易に分離でき、適度な温度でフッ素ラジカル、例えばF(g)、若しくは反応性成分、例えばSiF4と反応し、有用なフルオロケミカル生成物若しくは容易に除去され、便利に廃棄することができるフルオロケミカル廃棄生成物を生成する任意の材料または材料の組合せとしてよい。例えば、元素状硫黄またはフッ化水素アンモニウム融解物は、フッ素原子ゲッター9として使用され、リサイクルし、再使用できるSF6またはNF3生成物をそれぞれ生成する可能性がある。他に、アルミナ床がフッ素原子ゲッター9として使用される可能性があり、低温フッ素化工程廃棄生成物12として容易に回収できるようにアルミナ床中に残ると思われるAlF3廃棄生成物、及び低温フッ素化生成物11中の成分であると思われるO2を生成する。他に、加水分解によってF2、SiF4、SOxy化合物を除去するために、水また水溶液が脱フッ素化工程10のための流れ9供給物として使用される可能性がある。フッ素ラジカルの反応性の性質は、多くの可能なフッ素原子ゲッター9の選択肢を提供し、こうしたものとしては、フッ素原子ゲッターの組合せの使用またはフッ素原子ゲッターの逐次使用が挙げられる。例えば、逐次に生成物ガス8を硫黄と接触させてSF6を生成し、次にアルミナと接触させて、残存しているより反応性があるフルオロケミカル類を低温フッ素化生成物11から事実上無くすことができる可能性がある。
脱フッ素化生成物11を次にリサイクルフルオロケミカル回収工程13にさらして、より反応性がないフルオロケミカルガス1を回収する。好ましくは、脱フッ素化生成物11を、より反応性がないフルオロケミカルガス1の分配圧力である通常2〜5気圧に圧縮し、極低温蒸留を実行して、より反応性がないフルオロケミカルガス1を脱フッ素化生成物11から回収する。蒸留工程の前に、任意の高凝固点成分、例えばH2O及びHFを適切な吸着剤、例えばアルミナを使用して好都合に除去してよい。
回収したより反応性がないフルオロケミカルガス1を、さらなる半導体処理用にプロセスチャンバ3にリサイクルする。蒸留副産物14を適切に、さらなる低減、リサイクルまたは廃棄のために送ってよい。
本発明によれば、製造業者は、プロセスチャンバ3中で実行されるプロセス、及び利用されるプロセスガスに基づいて、オフガス5の組成を決定することができる。これを考慮して、主要な稼働条件、例えば、フッ素化工程6及び脱フッ素化工程10のための温度を、オフガス5中のフルオロケミカル成分のT2値を使用して決定することができる。以下の実施例は、本発明による方法を使用する幾つかの具体例を提供して、いかにして本発明の方法が作動するかを示すが、本発明の範囲を限定することを意図したものではない。
実施例1
図2を使用して、エッチモードで稼働するプロセスチャンバ3へのHe−NF3−SF6−O2供給物を使用する本発明の具体例を示す。
補充供給物ガス4は、ヘリウム供給物15、酸素供給物16、及びNF3供給物17で構成される。SF6リサイクルガス供給物18を、補充供給物ガス4と組み合わせてまたは別個にプロセスチャンバ3に供給する。典型的なヘリウム対NF3、SF6対NF3、O2対NF3のプロセスチャンバ3モル供給比は、それぞれ12/1及び6/1、及び0.5/1である。プロセスチャンバ3は、マイクロ波励起源を使用して約10ミリバールで稼働する。プロセスチャンバ3のオフガス19を真空ポンプ20に指向して、プロセスチャンバ3の圧力を維持し、オフガス19の圧力をほぼ大気圧に増大させる。より反応性がないフルオロケミカルガス21の一部分を好都合に真空ポンプ20用のバラストガスとして使用してよく、従来の窒素に取って代わるものである。これは、バラストガスとしての窒素の使用はそれに続く極低温精製システムにおける凍結を防ぐために必要な稼働圧力または還流率を増大させるので、好都合である。より反応性がないフルオロケミカルガス21の流量は、典型的にオフガス19のモル流量の約30%である。
真空ポンプのオフガス5をフッ素化工程6に供給する。元素状硫黄22を所望により高温フッ素化工程6に供給して、補給SF6を生成する。他に、補給SF6を補充供給物ガス4に加えてよい。フッ素化工程6は、銅またはニッケル反応床23、電気ヒーター24及び絶縁物25を備えた容器中で行う。フッ素化工程6は、分子状フッ素を使用して、オフガス5中のより酸化されていない硫黄種からSF6を生成する。プロセスチャンバ3は、主にNF3供給物17からフッ素化工程6のためのフッ素反応物を生成した。先に言及したように、フッ素化工程6の稼働温度を、オフガス5のより反応性があるフルオロケミカル成分のT2を超えかつオフガス5のより反応性がない成分のT3またはT4のうちのより低い方未満となるように選択する。この実施例においては、F2はより反応性があるフルオロケミカル成分であり、SF6及びNF3はより反応性がないフルオロケミカル成分である。従って、フッ素化工程6の適切な温度は、F2のT2値、例えば約200℃からSF6またはNF3のT3またはT4値のうちの最も低いもの、例えば約500℃である。ガス滞留時間をこの温度で約2秒として、S210、SOF2、SOF4タイプの種からSF6への本質的に完全な転換を確実にするべきである。
フッ素化工程生成物ガス8を、フッ素化工程インタークーラー26中でわずかにフッ素化工程10稼働温度未満の温度に冷却して、脱フッ素化工程供給物27を生成する。脱フッ素化工程10は、ガスプレヒーター床28、フッ化物ゲッター床29、電気ヒーター24及び絶縁物25を備えた容器中で行う。ガスプレヒーター床28は熱伝達を向上して、ガスが活性アルミナフッ化物ゲッター床29と接触する前にガス温度均一性を増大させる。フッ化物ゲッター床29は、NF3またはSF6のかなりの転換無しに、本質的に全てのフッ素及び他の反応性がある成分を1000ppm未満の濃度に消費する。先に言及したように、脱フッ素化工程10の稼働温度は、オフガス5のより反応性がないフルオロケミカル成分のT2値未満である。この実施例においては、稼働温度は、NF3またはSF6のT2値未満、例えば100℃〜200℃とするべきである。フッ化物ゲッター床29におけるガス滞留時間は約2秒とするべきである。活性アルミナフッ化物ゲッター床29材料は定期的に交換しなければならず、2つのフッ化物ゲッター床29を脱フッ素化工程供給物27とは向流パターンで好都合に使用して、転換に悪影響を及ぼすこと無くフッ化物ゲッターの利用を増大させてよい。
次に脱フッ素化工程生成物11をフッ素化工程アフタークーラー30中で冷却する。冷却した脱フッ素化工程生成物31を蒸留供給物圧縮機32中に導入して、圧力を適切な分配圧力に増大させ、極低温蒸留を使用するリサイクルフルオロケミカル回収工程における凍結を避ける。蒸留供給物ガス33を2〜8barに圧縮する。リサイクルフルオロケミカル回収工程は、より揮発性がない成分の除去塔34及びより揮発がある成分の除去塔35を含む。より揮発性がない成分の除去塔34は、蒸留供給物ガス33中の、より反応性がないフルオロケミカルガス1よりも揮発性がない成分、例えばより低い蒸気対液体モル分率比を有する成分を除去する。より揮発性がない成分の除去塔34は、リボイラー36、ノックバック凝縮器37、精留区画38及びストリッピング区画39を有する従来の極低温蒸留塔である。精留区画38及びストリッピング区画39を形成するために構造化充填材を好ましくは使用するが、従来のランダム充填材または蒸留トレーも使用される可能性がある。許容可能な重質成分パージ流れ40を実現するまでリボイラー36またはノックバック凝縮器37の熱負荷を調節し、選択された蒸留供給物圧縮機32出口圧力でより揮発性がない成分の除去塔34において凍結は起きない。リボイラー36またはノックバック凝縮器37の熱負荷を調節して、上記生成物の純度及び塔稼働性の目標を実現する一方、他の負荷を調節して、より揮発性がない成分の除去塔34中の一定の液体ストックを維持する。必要なリボイラー36及びノックバック凝縮器37の熱負荷並びに精留区画38、ストリッピング区画39、リボイラー36及びノックバック凝縮器37の寸法は、標準的な技術を使用して推定できる。中間蒸留流れ41は、より揮発性がない成分の除去塔34からの塔頂留出物であり、より揮発がある成分の除去塔35への供給物である。より揮発がある成分の除去塔35も、ノックバック凝縮器42、上部精留区画43、下部精留区画44、ストリッピング区画45及びリボイラー46を備える。ノックバック凝縮器42は好ましくは、NF3凝固点、例えば約66°Kをわずかに超える温度で稼働して、軽質成分パージ流れ47中のNF3損失を最小にする。典型的に、直接に使用するかまたはプロセスチャンバ3にリサイクルする前に精製してよい粗NF3生成物48の抜き出し率を使用して上部精留区画43中の温度及びNF3ストックを制御するのに十分なNF3が中間蒸留流れ41中に存在する。十分なNF3が中間蒸留流れ41中に存在する場合、極低温蒸留NF3供給物49を使用して上部精留区画43中の温度及びNF3ストックを制御する。構造充填材を好ましくは、より揮発がある成分の除去塔35の上部精留区画43、下部精留区画44及びストリッピング区画45のために使用する。ノックバック凝縮器42の温度を設定した後、正味の粗NF3生成物48及び極低温蒸留NF3供給物49、リボイラー46の熱負荷を設定して、リサイクルされるより反応性がないフルオロケミカルガス1の所望の純度を実現する。従来の技術を使用して、ノックバック凝縮器42、上部精留区画43、下部精留区画44、ストリッピング区画45及びリボイラー46の妥当な寸法を確立することができる。元素状硫黄22供給物がプロセス要件を超える場合、SF6が豊富な副産物であるフルオロケミカルガス2を生成する。貴重なヘリウムを軽質成分パージ流れ47中に濃縮し、また好都合に回収してよい。
実施例2
図3を、チャンバクリーニング工程のための第2の例示となる実施例のために使用する。この実施例においては、補充ガス4は実質的に純粋なO2であり、リサイクルされるより反応性がないフルオロケミカルガス1の主成分はSF6である。従来の遠隔プラズマは、主としてF、F2、O、SOxy、及びSF6チャンバクリーニングガスを生成して、プロセスチャンバ3壁からデブリを除去する。予想されるプロセスチャンバ3のオフガス5の主成分は、この場合には、SF6、F2、O2、SiF4、HF、SOF、SOF2、及びSO22を含むと思われる。従って、F2はより反応性があるフルオロケミカルであり、SF6はリサイクルのためのより反応性がないフルオロケミカルであり、SO22はより反応性がない廃棄生成物である。流れ5を約500℃に加熱して、実質的に全てのSOxy及びSFz(z<6)種をSF6及びSO22に転換する。次に、得られた流れ8を従来の水性スクラバー9中で水性流れ9と接触させて、いかなる残存しているF2、SiF4も、またSOxy種のかなりの部分も加水分解によって流れ11を経て除去する。次に、SF6精製システム13はまず従来の技術を使用して流れ11から水を除去し、次にSF6リサイクル流れ1を生成し、流れ15を従来の蒸留によって廃棄すると思われる。
本発明の他の具体例及び変形例は、前述の説明及び実施例を考慮すれば当業者には容易に明瞭になろうということは予想され、このような具体例及び変形例は同様に、添付の請求の範囲に示す本発明の範囲内に含まれることが意図されている。
本発明の方法に関するブロック系統線図である。 本発明による方法の第1の実施例に関する簡易プロセス系統線図である。 本発明による方法の第2の実施例に関するブロック系統線図である。
符号の説明
1 より反応性がないフルオロケミカルガス
2 より反応性がないフルオロケミカルガス
3 半導体プロセスチャンバ
4 補充プロセスチャンバ供給物ガス
5 プロセスチャンバオフガス
6 フッ素化工程
7 補充フッ素化工程供給物
8 高温フッ素生成物ガス
9 フッ素原子ゲッター
10 脱フッ素化工程
11 低温フッ素化生成物
12 低温フッ素化工程廃棄生成物
13 リサイクルフルオロケミカル回収工程
14 蒸留副産物
15 ヘリウム供給物
16 酸素供給物
17 NF3供給物
18 SF6リサイクルガス供給物
19 オフガス
20 真空ポンプ
21 より反応性がないフルオロケミカルガス
22 元素状硫黄
23 銅またはニッケル反応床
24 電気ヒーター
25 絶縁物
26 フッ素化工程インタークーラー
27 脱フッ素化工程供給物
28 ガスプレヒーター床
29 フッ化物ゲッター床
30 フッ素化工程アフタークーラー
31 冷却した脱フッ素化工程生成物
32 蒸留供給物圧縮機
33 蒸留供給物ガス
34 より揮発性がない成分の除去塔
35 より揮発がある成分の除去塔
36 リボイラー
37 ノックバック凝縮器
38 精留区画
39 ストリッピング区画
40 重質成分パージ流れ
41 中間蒸留流れ
42 ノックバック凝縮器
43 上部精留区画
44 下部精留区画
45 ストリッピング区画
46 リボイラー
47 軽質成分パージ流れ
48 粗NF3生成物
49 極低温蒸留NF3供給物

Claims (25)

  1. 半導体プロセスチャンバから生じ、より反応性がないフルオロケミカル及びより反応性があるフルオロケミカルを含むオフガスを処理する方法であって:
    前記より反応性がないフルオロケミカルの濃度が増大するフッ素化工程と;
    前記より反応性があるフルオロケミカルが選択的に除去される脱フッ素化工程と;
    を含む方法。
  2. 前記フッ素化工程は、前記より反応性があるフルオロケミカルのT2を超えかつ前記より反応性がないフルオロケミカルのT3またはT4のうちのより低い方未満の温度で実行され、前記脱フッ素化工程は、前記より反応性があるフルオロケミカルのT1を超えかつ前記より反応性がないフルオロケミカルのT2未満の温度で実行される、請求項1に記載の方法。
  3. 前記より反応性がないフルオロケミカルのT2は、前記より反応性があるフルオロケミカルのT2を少なくとも10℃超える、請求項2に記載の方法。
  4. 前記より反応性がないフルオロケミカルのT2は、前記より反応性があるフルオロケミカルのT2を少なくとも20℃超える、請求項2に記載の方法。
  5. 前記より反応性がないフルオロケミカルのT2は、前記より反応性があるフルオロケミカルのT2を少なくとも50℃超える、請求項2に記載の方法。
  6. 前記オフガスは、CF4、SF6、O2、F2、NF3、ClF3、CH22、CO2、SIF4、AlF3、OF2、SOxy[式中、yは1、2、3または4であり、2(x)+yは6以下である。]、及びこれらの任意の組合せからなる群から選択されるガスを含む、請求項1に記載の方法。
  7. 前記より反応性がないフルオロケミカルは、NF3、SF6、CF4及びこれらの組合せからなる群から選択され、前記より反応性があるフルオロケミカルは、NF3、CF4、ClF3、CH22、SF6、F2及びこれらの組合せからなる群から選択される、請求項1に記載の方法。
  8. 前記より反応性がないフルオロケミカルはSF6であり、前記より反応性があるフルオロケミカルはNF3であり、前記フッ素化工程は約360℃〜1270℃の温度で稼働し、前記脱フッ素化工程は約170℃〜650℃の温度で稼働する、請求項7に記載の方法。
  9. 前記より反応性がないフルオロケミカルはSF2であり、前記より反応性があるフルオロケミカルはF2であり、前記フッ素化工程は約160℃〜1270℃の温度で稼働し、前記脱フッ素化工程は約20℃〜650℃の温度で稼働する、請求項7に記載の方法。
  10. 前記より反応性がないフルオロケミカルはNF3であり、前記より反応性があるフルオロケミカルはF2であり、前記フッ素化工程は約160℃〜670℃の温度で稼働し、前記脱フッ素化工程は約20℃〜360℃の温度で稼働する、請求項7に記載の方法。
  11. 前記オフガスはSF6、NF3、及びF2の混合物を含み、前記より反応性がないフルオロケミカルはSF6であり、前記より反応性があるフルオロケミカルはF2及びNF3の混合物であり、前記フッ素化工程は約360℃〜1270℃の温度で稼働し、前記脱フッ素化工程は約170℃〜650℃の温度で稼働する、請求項7に記載の方法。
  12. 前記オフガスはSF6、NF3、及びF2の混合物を含み、前記より反応性がないフルオロケミカルはSF6及びNF3の混合物であり、前記より反応性があるフルオロケミカルはF2であり、前記フッ素化工程は約160℃〜670℃の温度で稼働し、前記脱フッ素化工程は約20℃〜360℃の温度で稼働する、請求項7に記載の方法。
  13. 前記より反応性があるフルオロケミカルは、少なくとも部分的に、前記プロセスチャンバ中で前記より反応性がないフルオロケミカルから生成される、請求項1に記載の方法。
  14. 前記より反応性があるフルオロケミカルは前記プロセスチャンバに供給される、請求項1に記載の方法。
  15. 前記より反応性があるフルオロケミカルは前記フッ素化工程に供給される、請求項1に記載の方法。
  16. 反応の速度または熱伝達を増大させるための、前記フッ素化工程における、ニッケル、モネル及び銅からなる群から選択される金属充填材の使用をさらに含む、請求項1に記載の方法。
  17. NF3生成のための水、水溶液、活性アルミナ、元素状硫黄、及びアンモニウム酸フッ化物からなる群から選択されるフッ素ゲッターの存在下で前記脱フッ素化工程を行うことをさらに含む、請求項1に記載の方法。
  18. 前記脱フッ素化工程から生じた前記より反応性がないフルオロケミカルは精製され、前記プロセスチャンバに提供される、請求項1に記載の方法。
  19. 前記より反応性がないフルオロケミカルは極低温蒸留によって精製される、請求項18に記載の方法。
  20. 前記脱フッ素化工程から生じた前記より反応性がないフルオロケミカルは精製され、前記プロセスチャンバに関連する真空ポンプ用のバラストガスとして利用される、請求項1に記載の方法。
  21. 逐次フッ素化及び脱フッ素化工程においてより反応性があるフルオロケミカルを使用する、半導体装置の製造のためのプロセスチャンバへのより反応性がないフルオロケミカル供給物の再生方法であって、前記フッ素化工程は前記より反応性があるフルオロケミカルのT2を超えかつ前記より反応性がないフルオロケミカルのT3またはT4のうちのより低い方未満の温度で稼働し、前記脱フッ素化工程はフッ素ゲッターを利用し、前記より反応性があるフルオロケミカルのT1を超えかつ前記より反応性がないフルオロケミカルのT2未満の温度で稼働する、方法。
  22. 半導体プロセスチャンバから生じ、より反応性がないフルオロケミカル及びより反応性があるフルオロケミカルを含むオフガスを処理する方法であって:
    前記より反応性があるフルオロケミカルの少なくとも一部分はフッ素化され、前記より反応性がないフルオロケミカルに転換されているように、フッ素化作業を前記オフガスに対して実行して、中間ガスを生成することと;
    前記フッ素化作業後に残存しているいかなる前記より反応性があるフルオロケミカルも前記中間ガスから無くすように、脱フッ素化作業を前記中間ガスに対して実行することと;
    を含む方法。
  23. 第1のフッ素解離定数が10-22気圧に等しい温度であるT1値を、前記オフガス中の各前記フルオロケミカルにつき決定する工程と;
    不均化反応が存在しないと仮定して、第1のフッ素解離定数が10-4気圧に等しい場合に、約1%のフルオロケミカルが解離する温度であるT3値を、前記オフガス中の各前記フルオロケミカルにつき決定する工程と;
    前記フルオロケミカルの最も安定な反応物の形成のギブズの自由エネルギーが正になる温度であるT4値を、前記オフガス中の各前記フルオロケミカルにつき決定する工程と;
    第1のフッ素解離定数が10-13気圧に等しい温度であるT2値を、前記オフガス中の各前記フルオロケミカルにつき決定する工程と;
    前記より反応性があるフルオロケミカルの前記T2と前記より反応性がないフルオロケミカルの前記T3値または前記T4値のうちのより低い方との間の温度で前記フッ素化作業を実行する工程と;
    前記より反応性があるフルオロケミカルの前記T1値と前記より反応性がないフルオロケミカルの前記T2値との間の温度で前記脱フッ素化作業を実行する工程と;
    をさらに含む、請求項22に記載の方法。
  24. 前記より反応性がないフルオロケミカルはSF6である、請求項22に記載の方法。
  25. 第2のフルオロケミカルよりも反応性がない第1のフルオロケミカル及び前記第2のフルオロケミカルを含む半導体プロセスチャンバのオフガスから生じた第1のフルオロケミカル供給物ガスの再生方法であって:
    前記第2のフルオロケミカルがフッ素化される温度を超えてかつ前記第1のフルオロケミカルが安定なままである温度未満で稼働するフッ素化工程と;
    前記第2のフルオロケミカルがフッ素化を開始する温度を超えてかつ前記第1のフルオロケミカルがかなりのフッ素化を経験する温度未満で稼働する脱フッ素化工程と;
    を含む方法。
JP2004328710A 2003-11-12 2004-11-12 半導体プロセスチャンバから生じるオフガスを処理する方法 Pending JP2005144450A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US51920303P 2003-11-12 2003-11-12
US55691204P 2004-03-26 2004-03-26
US10/985,355 US20050118085A1 (en) 2003-11-12 2004-11-10 Chamber cleaning or etching gas regeneration and recycle method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005144450A true JP2005144450A (ja) 2005-06-09

Family

ID=34437678

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004328710A Pending JP2005144450A (ja) 2003-11-12 2004-11-12 半導体プロセスチャンバから生じるオフガスを処理する方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20050118085A1 (ja)
EP (1) EP1531190A1 (ja)
JP (1) JP2005144450A (ja)
KR (1) KR20050045934A (ja)
CN (1) CN1680005A (ja)
SG (1) SG112111A1 (ja)
TW (1) TW200523995A (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7404904B2 (en) * 2001-10-02 2008-07-29 Melvin Stanley Method and apparatus to clean particulate matter from a toxic fluid
US7485580B2 (en) * 2005-09-20 2009-02-03 Air Products And Chemicals, Inc. Method for removing organic electroluminescent residues from a substrate
US20080034970A1 (en) * 2006-08-10 2008-02-14 Frank Jansen Sulfur hexafluoride recycling system and method for recycling sulfur hexafluoride
US20110023908A1 (en) * 2009-07-30 2011-02-03 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for process abatement with recovery and reuse of abatement effluent
US20120091099A1 (en) * 2010-10-18 2012-04-19 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for recovery and reuse of reagents
US9416445B2 (en) * 2012-02-08 2016-08-16 Iwatani Corporation Method for treating inner surface of chlorine trifluoride supply passage in apparatus using chlorine trifluoride
US10765997B1 (en) * 2018-08-23 2020-09-08 U.S. Department Of Energy Regenerable non-aqueous basic immobilized amine slurries for removal of CO2 from a gaseous mixture and a method of use thereof
CN110756038A (zh) * 2019-10-24 2020-02-07 陕西中节能环保科技有限公司 一种干法脱氟除尘烟气净化系统及方法
US20230031381A1 (en) * 2021-07-31 2023-02-02 Applied Materials, Inc. Apparatus for removing etch stop layers

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5137701A (en) * 1984-09-17 1992-08-11 Mundt Randall S Apparatus and method for eliminating unwanted materials from a gas flow line
US5750823A (en) * 1995-07-10 1998-05-12 R.F. Environmental Systems, Inc. Process and device for destruction of halohydrocarbons
US6322756B1 (en) * 1996-12-31 2001-11-27 Advanced Technology And Materials, Inc. Effluent gas stream treatment system having utility for oxidation treatment of semiconductor manufacturing effluent gases

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050045934A (ko) 2005-05-17
CN1680005A (zh) 2005-10-12
US20050118085A1 (en) 2005-06-02
SG112111A1 (en) 2005-06-29
TW200523995A (en) 2005-07-16
EP1531190A1 (en) 2005-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100654286B1 (ko) Nf3의 정제 방법
US20110023908A1 (en) Methods and apparatus for process abatement with recovery and reuse of abatement effluent
US5779863A (en) Perfluorocompound separation and purification method and system
US7208644B2 (en) Production and use of hexafluoroethane
JP4758722B2 (ja) 塩化水素ガスの精製方法
KR20160008531A (ko) 염화수소의 정제 방법
JP2005144450A (ja) 半導体プロセスチャンバから生じるオフガスを処理する方法
CN104529692B (zh) 一种纯化六氟乙烷的方法
JP2002069014A (ja) オクタフルオロプロパンの製造方法及びその用途
JP4703865B2 (ja) パーフルオロカーボン類の製造方法およびその用途
JP3650588B2 (ja) パーフルオロコンパウンドのリサイクル利用方法
JP3078115B2 (ja) 塩酸の精製方法
JP4574259B2 (ja) フルオロメタンの精製方法
EP1153885B1 (en) A process for concentrating fluorine compounds
JP3463873B2 (ja) パーフルオロコンパウンドのリサイクル利用方法
US20020183568A1 (en) Process for producing hexafluoroethane and use thereof
JPH09241187A (ja) テトラフルオロメタンの製造方法
KR101462752B1 (ko) 배가스 중의 삼불화질소 회수 방법
JP2010037166A (ja) クリプトン及びキセノンの精製方法
KR20030038792A (ko) 헥사플루오로에탄의 제조방법 및 용도
KR100481795B1 (ko) 고 순도의 삼불화 질소 가스 제조 방법
KR860000556B1 (ko) 정제염산의 제조방법
KR20060041265A (ko) 플루오로메탄과 염화수소의 공비 혼합물 및 플루오로메탄의정제 방법
JP2003055278A (ja) ヘキサフルオロエタンの製造方法およびその用途
WO2002064236A1 (en) Recovery of fluorine containing compounds

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050309