JP2005132711A - 高純度炭素系材料及びセラミックス膜被覆高純度炭素系材料 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の高純度炭素系材料は、SIMS分析法により測定される酸素の含有量が1×1018atoms/cm3以下である。また、SIMS分析法により測定される塩素の含有量が1×1016atoms/cm3以下であることが好ましい。また、SIMS分析法により測定される窒素の含有量が5×1018atoms/cm3以下であることが好ましい。リン、硫黄、ホウ素の含有量についても所定値以下であることが好ましい。このような高純度炭素系材料にセラミック膜を被覆する。
【選択図】なし
Description
一方、通常、黒鉛材料はその気孔及び黒鉛層間に金属不純物をトラップしておりこのままでは使用することができない。そこで、出願人は黒鉛材料をハロゲン含有ガス等で高純度処理して金属不純物(灰分)を5ppm以下とした高純度黒鉛材料を半導体、原子力用途に供することを下記特許文献2、3で提案した。また、近年では化合物半導体製造用として窒素含有量が少ない炭素系材料についても下記特許文献4で提案した。
また、本発明の高純度炭素系材料は、SIMS分析法によって測定される塩素の含有量が1×1016atoms/cm3以下である。その理由は、例えば炭化珪素のエピタキシャル成長用炉内治具として炭素系材料を使用する場合、塩素濃度を5×1015atoms/cm3以下にすることにより、エピタキシャル成長膜中への塩素の取り込みを大幅に減少させることが可能となるからである。塩素の含有量は、8×1015atoms/cm3以下とすることがさらに好ましく、5×1015atoms/cm3以下とすることが特に好ましい。
また、本発明の高純度炭素系材料は、SIMS分析法によって測定される窒素の含有量が5×1018atoms/cm3以下である。炭化珪素単結晶を製造する際には主要な不純物として混入する窒素の濃度を極力低減させることが必要となる。例えば、窒素の含有量が5×1018atoms/cm3以下の炭素系材料を使用することにより、炭化珪素単結晶中の窒素濃度を大幅に減少させることができる。窒素の含有量は、5×1017atoms/cm3以下とすることがさらに好ましく、5×1016atoms/cm3以下とすることが特に好ましい。
また、本発明の炭素系材料はSIMS分析法によって測定されるリンの含有量が1×1016atoms/cm3以下である。リンの含有量が1×1016atoms/cm3以下の炭素系材料を炭化珪素単結晶製造用治具として用いた場合、単結晶中のリンの濃度を大幅に減少させることが可能となるからである。リンの含有量は3×1015atoms/cm3以下とすることがさらに好ましく、1×1015atoms/cm3以下とすることが特に好ましい。
また、本発明の炭素系材料はSIMS分析法によって測定される硫黄の含有量が1×1016atoms/cm3以下である。硫黄の含有量が1×1016atoms/cm3以下の炭素系材料をヒーターとして用いてCaF2単結晶を製造した場合、透過率が大幅に向上させることが可能となる。硫黄の含有量は、5×1015atoms/cm3以下とすることがさらに好ましく、3×1015atoms/cm3以下とすることが特に好ましい。
また、本発明の炭素系材料はSIMS分析法によって測定されるホウ素の含有量が5×1016atoms/cm3以下である。ホウ素は炭化珪素半導体を製造する際に混入する主要な不純物のひとつである。例えば、ホウ素濃度が5×1016atoms/cm3以下の炭素系材料を製造用治具に使用することにより、ホウ素濃度の低い優れた半導体特性を有する炭化珪素単結晶を作成することが可能となるからである。ホウ素の含有量は、1×1016atoms/cm3以下とすることがさらに好ましく、5×1015atoms/cm3以下とすることが特に好ましい。
上記の高純度炭素系材料をセラミックス膜被覆高純度炭素系材料の基材として、その表面に炭化珪素、窒化ホウ素、炭化タンタルなどのセラミックス膜を被覆すれば、不純物濃度の少ないセラミックス膜被覆高純度炭素系材料を得ることができる。
本発明に係る高純度炭素系材料とは、通常炭素材料として定義されたものを高純度化処理したものである。例えば、(1)微粒子状に粉砕した天然黒鉛、人造黒鉛、石油コークス、石炭コークス、ピッチコークス、カーボンブラック、メソカーボンの1種以上と、ピッチ、コールタール、コールタールピッチ、熱硬化性樹脂等の結合材とを添加、混練、粉砕、成形、焼成した焼成炭素材料、それをさらに必要に応じて黒鉛化した黒鉛化炭素材料、(2)フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂を炭化した非晶質(ガラス状)炭素材料、(3)ポリアクリロニトリル(PAN)系、ピッチ系、レーヨン系等の各種炭素繊維に上述したピッチ、フェノール樹脂等から選ばれる結合材を塗布・含浸、成形、焼成、樹脂含浸を繰り返して製造されたレジンチャー法による炭素繊維強化炭素複合材料、あるいは樹脂に変えて熱分解炭素を含浸あるいは被覆した炭素繊維強化炭素複合材料、(4)天然黒鉛、人造黒鉛粉末を数10〜数百倍に膨張化させた後、圧縮成形したシート状黒鉛などを高純度化処理したものである。
図1に本発明の高純度炭素系材料の製造方法のフローチャートを示す。
本発明の高純度炭素系材料の製造方法は、例えば、塩素、トリクロロメタン、ジクロロメタン、モノクロロメタン、フッ素、トリフルオロメタン、ジフルオロメタン、モノフルオロメタン、モノクロロトリフルオロメタン、ジクロロフルオロメタン、トリクロロフルオロメタン、モノクロロエタン、モノクロロフルオロエタン、モノクロロジフルオロエタン、モノクロロトリフルオロエタン、ジクロロエタン、ジクロロモノフルオロエタン、ジクロロジフルオロエタン、ジクロロトリフルオロエタン、トリクロロエタン、トリクロロモノフルオロエタン、トリクロロジフルオロエタン、テトラクロロエタン等のハロゲンまたはその化合物のガス雰囲気下において、2400℃以上(好ましくは2450℃以上)で高純度化を行い、主にホウ素(B)やバナジウム(V)等の金属不純物を除去する(高純度化工程)。
その後、圧力0.2Pa〜0.1MPa(好ましくは0.5Pa〜0.05MPa)の減圧下で、ハロゲンまたはその化合物のガス雰囲気下において2000℃以上(好ましくは2050℃〜2400℃で高純度化を行い、揮発性のハロゲン化物を形成する金属不純物を除去する(超高純度化工程)。
さらに、これらの高純度処理を施した炭素系材料を、100Pa以下(好ましくは50Pa以下)に減圧された真空炉内で1400℃〜1600℃、好ましくは1450℃〜1550℃で5時間以上(好ましくは10時間以上)加熱を行い、窒素や酸素などの揮発性の不純物を除去する(脱(窒素)ガス工程)。
最後に、脱(窒素)ガス工程に引き続いて、1400℃〜1600℃(好ましくは1450℃〜1550℃)に加熱された真空炉内に水素を100Pa〜1000Pa(好ましくは200Pa〜900Pa)導入し、揮発性の水素化物を形成しやすい不純物を除去するとともに、被処理物である炭素系材料を大気に開放した際に、窒素(N)や酸素(O)、リン(P)、硫黄(S)等の不純物が炭素系材料に付着しにくいように、炭素系材料の表面を水素化する(水素化工程)。
これらの処理によって、炭素系材料の気孔または炭素原子間化学的に結合した不純物を除去するとともに、不純物の再付着を防止することができるようになる。
1.高純度化工程
常圧で、2400℃〜2800℃に加熱した状態の常圧黒鉛化炉に、被処理物である炭素系材料を設置し、ジクロロジフルオルメタンを流す。これにより、ホウ素(B)やバナジウム(V)を効率よく除去することが可能となる。
2.超高純度化工程
2000℃〜2400℃に加熱された真空加熱炉に炭素系材料を設置し、10000Pa〜50000Paで塩素(Cl2)とジクロルジフルオルメタンをそれぞれ流す。流量は被処理物の量によって変化するが、概ね0.1〜1NLM/kgを目安とする。主に金属不純物を除去する。
3.脱(窒素)ガス工程
100Pa以下に減圧された真空炉内に炭素系材料を設置し、1400℃〜1600℃で10時間〜50時間加熱する。主に、窒素や酸素などの揮発性の不純物を除去する。
4.水素化工程
1400℃〜1600℃に加熱された真空炉内に水素を100Pa〜1000Pa導入しながら、1時間〜10時間保持する。揮発性の水素化物を形成しやすい不純物を除去するとともに、被処理物である炭素系材料表面に水素を吸着させ、大気に開放した際に、窒素(N)や酸素(O)、リン(P)、硫黄(S)等の不純物が炭素系材料に再付着するのを防止する。
SIMS分析法は、数百〜20kVに加速されたイオン(通常はO2 +、Cs+、Ga+)で材料表面をスパッタリングし、飛び出した正または負に帯電した粒子の質量を測定することによって材料の組成を分析することにより組成を分析する分析法である。SIMS分析法の最大の特長は、材料中に含まれている1H〜238Uまでのすべての元素を検出できることである。SIMS分析法は、照射するイオンの量によりStatic SIMS分析法とDynamic SIMS分析法に分類される。本発明の評価には、後者のDynamic SIMS分析法を用いた。
まず、常圧黒鉛化及び高純度化炉を用いて、本発明に係る高純度炭素系材料の基材となる炭素材料を作製する。
そして、常圧黒鉛化及び高純度化炉内の発熱体を徐々に加熱して、黒鉛化された東洋炭素(株)製の寸法が20mm×20mm×2mmの等方性炭素材料を1atmで、2450℃に加熱しながら、ハロゲン又はその化合物のガス、例えばジクロロジフルオルメタンを(流量は容器内に充填する被加熱炭素材の量により増減されるが、例えば1〜7NLM程度)8時間程度供給する(高純度化工程)。
そして、高純度化工程で得られた高純度化炭素材料を引き続き、減圧下で、炉内を2250℃で保持するとともに、再びハロゲン又はその化合物のガス、例えばジクロロジフルオルメタンを供給する。容器内圧力を1000Paに減圧したまま5時間処理を行う(超高純度化工程)。
その後、容器内圧力を10Paに保持したまま1450℃まで冷却し、1450℃で48時間保持する(脱(窒素)ガス工程)。
脱窒素ガス工程を行った後、炉内に水素を導入しながら100Paに1時間保持する(水素化処理)。
そして、容器内に希ガスとしてアルゴンガスを導入し、室温まで冷却する。室温まで冷却した後、大気に晒されないように、ポリエチレン樹脂フィルムからなる袋内にアルゴンガスと共に封入して保管した。
実施例1と同様の方法により、高純度化および超高純度化工程を経た黒鉛材料を、一旦、処理炉から取り出した。このとき、できるだけ、大気に晒されないようにポリエチレン樹脂フィルムからなる袋内にアルゴンガスと共に封入して保管した。そして、この黒鉛材料をポリエチレン樹脂フィルムからなる袋から取り出し、再度、炉内に設置し、1450℃に再加熱するとともに、容器内圧力を10Paに減圧し、48時間熱処理を行う(脱(窒素)ガス工程)。そして、所定時間熱処理を行った後、炉内に水素を導入しながら100Paに1時間保持する(水素化処理)。容器内に希ガスとしてアルゴンガスを導入し、室温まで冷却する。室温まで冷却した後、大気に晒されないように、樹脂フィルムからなる袋内にアルゴンガスと共に封入して保管した。
脱(窒素)ガス工程として、容器圧力を10-2Paに減圧した後、1450℃で脱(窒素)ガス工程を24時間行い、その後1450℃で水素化工程を行ったことを除き、実施例1同様の操作を行った。
実施例1と同じ東洋炭素(株)製の同寸法のC/C材料(炭素繊維強化炭素複合材料)を作製し、実施例1と同様の方法により処理した。
東洋炭素(株)製の寸法が20mm×20mm×1mmの膨張黒鉛シート材料を、実施例1と同様の方法により処理した。
実施例1で使用したものと同じサンプル及び同様の方法によって、高純度化工程を完了した黒鉛材料を、2100℃で超高純度化工程を5時間行った。その後、1400℃で脱(窒素)ガス工程を20時間行い、同じく1400℃で水素を導入して100Paで1時間水素化工程を行った材料を実施例6の試料とした。
実施例1で使用したものと同じサンプル及び同様の方法によって、高純度化工程を完了した黒鉛材料を、2100℃で超高純度化工程を5時間行った。その後、1500℃で脱(窒素)ガス工程を20時間行い、同じく1500℃で水素を導入して100Paで1時間水素化工程を行った材料を実施例7の試料とした。
実施例1と同様の方法により、高純度化及び超高純度化工程、脱(窒素)ガス工程、水素化工程を経た黒鉛材料を基材として表面に100μmの厚さにSiCを熱CVD法を用いて被覆した材料を実施例8の試料とした。
実施例1と同じサンプル及び同様の方法によって、高純度化工程を完了した黒鉛材料を超高純度化工程、脱(窒素)ガス工程を行うことなく、窒素ガスで冷却し、大気中で保管しておいた材料を比較例1の試料とした。
超高純度化工程のみを完了した黒鉛材料を脱(窒素)ガス工程を行うことなく、窒素ガスで冷却し、大気中で保管しておいた材料を比較例2の試料とした。
実施例1と同様の方法によって、高純度化および超高純度化工程を完了した黒鉛材料を脱(窒素)ガス工程を行うことなく、窒素ガスで冷却し、大気中で保管しておいた材料を比較例3の試料とした。
脱(窒素)ガス工程として、容器内圧力を10Paに減圧した後、1450℃で脱(窒素)ガス工程を48時間行った。その後に続く水素化工程は実施しなかった。それ以外は、実施例1と同様な操作を行った。このようにして得られた材料を比較例4の試料とした。
脱(窒素)ガス工程として、容器内圧力を10Paに減圧した後、1300℃で脱(窒素)ガス工程を48時間行った。同じく1300℃で水素を導入して100Paで1時間水素化工程を行った。それ以外は、実施例1と同様な操作を行った。このようにして得られた材料を比較例5の試料とした。
高純度化工程を行わずに、黒鉛材料を超高純度化工程、脱(窒素)ガス工程、水素化工程を施した材料を比較例6の試料とした。
脱(窒素)ガス工程として、容器内圧力を10Paに減圧した後、1200℃で48時間処理した。それ以外は、実施例1と同様な操作を行った。このようにして得られた材料を比較例7の試料とした。
実施例4で用いたものと同じ東洋炭素(株)製のC/C材料に対して、比較例1と同様な処理を行った。このようにして得られた材料を比較例8の試料とした。
実施例5で用いたものと同じ東洋炭素(株)製の膨張黒鉛シート材料に対して、比較例1と同様な処理を行った。このようにして得られた材料を比較例9の試料とした。
比較例3で使用したものと同じサンプル及び同じ方法によって、高純度化工程及び超高純度化工程を完了した黒鉛材料の表面に、実施例8と同様の方法によりSiC膜を被覆した材料を比較例10の試料とした。
さらに、ホウ素濃度も低い実施例1〜4及び7の黒鉛材料を使用することにより、ドナー密度の低いSiC半導体を作製することが可能となる。
また、実施例6のホウ素濃度を低減した黒鉛材料は、CZ法等のシリコン単結晶引き上げ用治具としても利用でき、得られたシリコン単結晶のホウ素濃度を大幅に低減させることができる。
なお、上記各実施例の黒鉛材料を、原子炉内で使用される黒鉛減速材や高温ガス炉の燃料体黒鉛ブロックなどの原子炉内で使用される黒鉛部品に対して用いれば、不純物濃度が少ないことから放射化を抑えることができる。
Claims (12)
- SIMS分析法によって測定される酸素の含有量が1×1018atoms/cm3以下である高純度炭素系材料。
- SIMS分析法によって測定される塩素の含有量が1×1016atoms/cm3以下である請求項1に記載の高純度炭素系材料。
- SIMS分析法によって測定される窒素の含有量が5×1018atoms/cm3以下である請求項1又は請求項2に記載の高純度炭素系材料。
- SIMS分析法によって測定されるリンの含有量が1×1016atoms/cm3以下である請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の高純度炭素系材料。
- SIMS分析法によって測定される硫黄の含有量が1×1016atoms/cm3以下である請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の高純度炭素系材料。
- SIMS分析法によって測定されるホウ素の含有量が5×1016atoms/cm3以下である請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の高純度炭素系材料。
- SIMS分析法によって測定されるホウ素の含有量が1×1016atoms/cm3以下である高純度炭素系材料。
- SIMS分析法によって測定される窒素の含有量が5×1018atoms/cm3以下である請求項7に記載の高純度炭素系材料。
- 炭化珪素単結晶、シリコン単結晶、窒化ガリウム単結晶又はフッ化カルシウム単結晶の製造に用いられる請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の高純度炭素系材料。
- 炭化珪素、窒化ガリウム、シリコンのエピタキシャル成長用治具として用いられる請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の高純度炭素系材料。
- セラミックス膜の被覆用基材として用いられる請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の高純度炭素系材料。
- 請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の高純度炭素系材料を基材とし、セラミックス膜が表面に被覆されたセラミックス膜被覆高純度炭素系材料。
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7387835B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-06-17 | Toyo Tanso Co., Ltd. | Silicon carbide-coated carbonaceous material and carbonaceous material to be coated with silicon carbide |
JP2009269774A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-19 | Ibiden Co Ltd | 高純度炭素繊維強化炭素複合材およびその製造方法 |
JP2011051866A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-17 | Toyo Tanso Kk | 炭化ケイ素被覆炭素基材の製造方法及び炭化ケイ素被覆炭素基材並びに炭化ケイ素炭素複合焼結体、セラミックス被覆炭化ケイ素炭素複合焼結体及び炭化ケイ素炭素複合焼結体の製造方法 |
WO2012086239A1 (ja) | 2010-12-24 | 2012-06-28 | 東洋炭素株式会社 | 単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材及び単結晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長方法 |
WO2012086237A1 (ja) | 2010-12-24 | 2012-06-28 | 東洋炭素株式会社 | 単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用ユニット及び単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法 |
WO2012086238A1 (ja) | 2010-12-24 | 2012-06-28 | 東洋炭素株式会社 | 単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材及び単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法 |
WO2012086240A1 (ja) | 2010-12-24 | 2012-06-28 | 東洋炭素株式会社 | 単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材及び単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法 |
JP2013028494A (ja) * | 2011-07-28 | 2013-02-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 黒鉛およびその製造方法 |
WO2013172286A1 (ja) * | 2012-05-15 | 2013-11-21 | 東洋炭素株式会社 | 炭素材-セラミック材接合体の製造方法、及び炭素材-セラミック材接合体 |
JP2014065651A (ja) * | 2012-05-15 | 2014-04-17 | Toyo Tanso Kk | 炭素材−無機材接合体の製造方法、及び炭素材−無機材接合体 |
JP2014084248A (ja) * | 2012-10-23 | 2014-05-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法 |
CN111257267A (zh) * | 2020-03-30 | 2020-06-09 | 宁波材料所杭州湾研究院 | 一种测定碳化硅陶瓷材料中氧含量的方法 |
Families Citing this family (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005031692B4 (de) * | 2005-07-05 | 2007-07-19 | Sicrystal Ag | Verfahren zur Herstellung eines hochohmigen Siliciumcarbid-Einkristalls |
US7723262B2 (en) * | 2005-11-21 | 2010-05-25 | Energ2, Llc | Activated carbon cryogels and related methods |
US7835136B2 (en) | 2006-11-15 | 2010-11-16 | Energ2, Inc. | Electric double layer capacitance device |
JP5227660B2 (ja) * | 2007-07-11 | 2013-07-03 | 日精樹脂工業株式会社 | カーボンナノ複合材料の製造方法 |
WO2009031641A1 (ja) * | 2007-09-06 | 2009-03-12 | Bridgestone Corporation | 炭化珪素粉体の製造方法 |
JP5463059B2 (ja) * | 2009-03-23 | 2014-04-09 | 東洋炭素株式会社 | ダイヤモンド薄膜を被覆した炭素材料及びその製造方法 |
WO2011002536A2 (en) | 2009-04-08 | 2011-01-06 | Energ2, Inc. | Manufacturing methods for the production of carbon materials |
WO2011003033A1 (en) | 2009-07-01 | 2011-01-06 | Energ2, Inc. | Ultrapure synthetic carbon materials |
EP2471981A4 (en) * | 2009-08-27 | 2013-04-17 | Nippon Steel & Sumitomo Metal Corp | SIC MONOCRYSTAL WAFER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
BR112012014092A2 (pt) * | 2009-12-11 | 2016-07-05 | Energ2 Technologies Inc | materiais de carvão compreendendo um modificador eletroquímico. |
US8916296B2 (en) | 2010-03-12 | 2014-12-23 | Energ2 Technologies, Inc. | Mesoporous carbon materials comprising bifunctional catalysts |
WO2012045002A1 (en) | 2010-09-30 | 2012-04-05 | Energ2 Technologies, Inc. | Enhanced packing of energy storage particles |
JP6324726B2 (ja) | 2010-12-28 | 2018-05-16 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se | 電気化学特性が向上した炭素材料 |
US20120262127A1 (en) | 2011-04-15 | 2012-10-18 | Energ2 Technologies, Inc. | Flow ultracapacitor |
CN102126721B (zh) * | 2011-04-27 | 2013-03-20 | 深圳市贝特瑞新能源材料股份有限公司 | 石墨材料的纯化和石墨化方法 |
CN103947017B (zh) | 2011-06-03 | 2017-11-17 | 巴斯福股份公司 | 用于混合能量存储装置中的碳‑铅共混物 |
CN103608498B (zh) * | 2011-07-20 | 2018-04-10 | 住友电气工业株式会社 | 碳化硅衬底、半导体装置及它们的制造方法 |
WO2013120011A1 (en) | 2012-02-09 | 2013-08-15 | Energ2 Technologies, Inc. | Preparation of polymeric resins and carbon materials |
JP5905297B2 (ja) * | 2012-02-27 | 2016-04-20 | 株式会社パイロットコーポレーション | 筆記具 |
JP5803786B2 (ja) | 2012-04-02 | 2015-11-04 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素基板、半導体装置およびこれらの製造方法 |
JP5219230B1 (ja) * | 2012-09-04 | 2013-06-26 | エルシード株式会社 | SiC蛍光材料及びその製造方法並びに発光素子 |
WO2014143213A1 (en) | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Energ2 Technologies, Inc. | Composite carbon materials comprising lithium alloying electrochemical modifiers |
US10195583B2 (en) | 2013-11-05 | 2019-02-05 | Group 14 Technologies, Inc. | Carbon-based compositions with highly efficient volumetric gas sorption |
WO2015137980A1 (en) | 2014-03-14 | 2015-09-17 | Energ2 Technologies, Inc. | Novel methods for sol-gel polymerization in absence of solvent and creation of tunable carbon structure from same |
US20190097222A1 (en) | 2015-08-14 | 2019-03-28 | Energ2 Technologies, Inc. | Composites of porous nano-featured silicon materials and carbon materials |
CN113224274A (zh) | 2015-08-28 | 2021-08-06 | 14集团技术公司 | 具有极其持久的锂嵌入的新型材料及其制造方法 |
EP3593369A4 (en) | 2017-03-09 | 2021-03-03 | Group14 Technologies, Inc. | DECOMPOSITION OF PRECURSORS CONTAINING SILICON ON POROUS SCAFFOLDING MATERIALS |
EP3514129A1 (en) | 2018-01-18 | 2019-07-24 | Heraeus GMSI LLC | Process for manufacturing a silicon carbide coated body |
EP3514259A1 (en) | 2018-01-18 | 2019-07-24 | Heraeus GMSI LLC | Process for manufacturing a silicon carbide coated body |
EP3514130A1 (en) | 2018-01-18 | 2019-07-24 | Heraeus GMSI LLC | Process for manufacturing a silicon carbide coated body |
EP3514128A1 (en) | 2018-01-18 | 2019-07-24 | Heraeus GMSI LLC | Process for manufacturing a silicon carbide coated body |
EP3514257A1 (en) | 2018-01-18 | 2019-07-24 | Heraeus GMSI LLC | Process for manufacturing a silicon carbide coated body |
EP3514127A1 (en) * | 2018-01-18 | 2019-07-24 | Heraeus GMSI LLC | Process for manufacturing a silicon carbide coated body |
US11131503B2 (en) * | 2018-03-26 | 2021-09-28 | Goodrich Corporation | Carbon fiber, carbon composite and furnace purification by hydrogen reduction followed by thermal heat treatment |
CN108529615A (zh) * | 2018-06-01 | 2018-09-14 | 中钢集团新型材料(浙江)有限公司 | 一种添加氟化盐为浸渍剂的石墨提纯方法 |
EP3626865A1 (en) | 2018-09-20 | 2020-03-25 | Heraeus GMSI LLC | Susceptor and method for manufacturing the same |
CN109370541B (zh) * | 2018-09-29 | 2021-06-01 | 江苏墨泰新材料有限公司 | 石墨-陶瓷复合导热膜及其制备方法和应用 |
US11335903B2 (en) | 2020-08-18 | 2022-05-17 | Group14 Technologies, Inc. | Highly efficient manufacturing of silicon-carbon composites materials comprising ultra low z |
US11174167B1 (en) | 2020-08-18 | 2021-11-16 | Group14 Technologies, Inc. | Silicon carbon composites comprising ultra low Z |
US11639292B2 (en) | 2020-08-18 | 2023-05-02 | Group14 Technologies, Inc. | Particulate composite materials |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL199674A (ja) | 1955-08-03 | |||
BE595807A (ja) | 1960-09-16 | |||
US4161743A (en) * | 1977-03-28 | 1979-07-17 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Semiconductor device with silicon carbide-glass-silicon carbide passivating overcoat |
US4591892A (en) * | 1982-08-24 | 1986-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor photoelectric conversion device |
US4701427A (en) * | 1985-10-17 | 1987-10-20 | Stemcor Corporation | Sintered silicon carbide ceramic body of high electrical resistivity |
JPH0635325B2 (ja) * | 1986-09-22 | 1994-05-11 | 東洋炭素株式会社 | 高純度黒鉛材の製造方法 |
JPS6418964A (en) | 1987-07-10 | 1989-01-23 | Hitachi Ltd | Oxide-based high-temperature superconductor |
US4833034A (en) * | 1988-04-26 | 1989-05-23 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Carbonaceous film coating |
US4921656A (en) | 1988-08-25 | 1990-05-01 | Basf Aktiengesellschaft | Formation of melt-spun acrylic fibers which are particularly suited for thermal conversion to high strength carbon fibers |
US5045298A (en) * | 1988-11-04 | 1991-09-03 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Carbon material and process for production thereof |
US5248705A (en) * | 1992-03-30 | 1993-09-28 | General Electric Company | Method of forming a porous carbonaceous preform from water-based slurry |
JPH0635325A (ja) | 1992-07-21 | 1994-02-10 | Nec Corp | 電子写真式プリンタの現像装置 |
KR100269924B1 (ko) * | 1993-10-08 | 2000-11-01 | 하지메 히토추야나기 | 합성 다이아몬와 그 제조방법 |
US5538675A (en) * | 1994-04-14 | 1996-07-23 | The Dow Chemical Company | Method for producing silicon nitride/silicon carbide composite |
CN1040638C (zh) * | 1994-05-13 | 1998-11-11 | 中国矿业大学北京研究生部 | 天然石墨高温氯化提纯工艺和所用的反应炉 |
WO1998005063A1 (fr) * | 1996-07-29 | 1998-02-05 | Sumitomo Sitix Corporation | Plaquette epitaxiale en silicium et son procede de fabrication |
CN2335953Y (zh) * | 1997-12-19 | 1999-09-01 | 夏云凯 | 提纯天然鳞片石墨用沸腾氯化炉 |
JP3797643B2 (ja) | 1998-11-02 | 2006-07-19 | キヤノン株式会社 | 結晶作製装置 |
JP2002083974A (ja) * | 2000-06-19 | 2002-03-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2002249376A (ja) | 2000-12-18 | 2002-09-06 | Toyo Tanso Kk | 低窒素濃度炭素系材料及びその製造方法 |
US6881680B2 (en) | 2002-06-14 | 2005-04-19 | Toyo Tanso Co., Ltd. | Low nitrogen concentration carbonaceous material and manufacturing method thereof |
JP4387159B2 (ja) * | 2003-10-28 | 2009-12-16 | 東洋炭素株式会社 | 黒鉛材料、炭素繊維強化炭素複合材料、及び、膨張黒鉛シート |
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2004
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Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7387835B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-06-17 | Toyo Tanso Co., Ltd. | Silicon carbide-coated carbonaceous material and carbonaceous material to be coated with silicon carbide |
JP2009269774A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-19 | Ibiden Co Ltd | 高純度炭素繊維強化炭素複合材およびその製造方法 |
JP2011051866A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-17 | Toyo Tanso Kk | 炭化ケイ素被覆炭素基材の製造方法及び炭化ケイ素被覆炭素基材並びに炭化ケイ素炭素複合焼結体、セラミックス被覆炭化ケイ素炭素複合焼結体及び炭化ケイ素炭素複合焼結体の製造方法 |
WO2012086240A1 (ja) | 2010-12-24 | 2012-06-28 | 東洋炭素株式会社 | 単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材及び単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法 |
WO2012086237A1 (ja) | 2010-12-24 | 2012-06-28 | 東洋炭素株式会社 | 単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用ユニット及び単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法 |
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JP2013028494A (ja) * | 2011-07-28 | 2013-02-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 黒鉛およびその製造方法 |
WO2013172286A1 (ja) * | 2012-05-15 | 2013-11-21 | 東洋炭素株式会社 | 炭素材-セラミック材接合体の製造方法、及び炭素材-セラミック材接合体 |
JP2014065651A (ja) * | 2012-05-15 | 2014-04-17 | Toyo Tanso Kk | 炭素材−無機材接合体の製造方法、及び炭素材−無機材接合体 |
JPWO2013172286A1 (ja) * | 2012-05-15 | 2016-01-12 | 東洋炭素株式会社 | 炭素材−セラミック材接合体の製造方法、及び炭素材−セラミック材接合体 |
JP2014084248A (ja) * | 2012-10-23 | 2014-05-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法 |
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