JP2005126386A - フルオロピロリジン誘導体の製造方法 - Google Patents

フルオロピロリジン誘導体の製造方法 Download PDF

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保路 福田
Yoshikazu Asahina
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Abstract

【課題】 工業的実施が可能で効率的なフルオロピロリジン誘導体の製造方法を提供する。
【解決手段】 ヒドロキシピロリジン誘導体にフッ素化剤としてパーフルオロアルキルスルホニルフルオライドを反応させることによる工業的実施が可能で効率的なフルオロピロリジン誘導体の製造方法を提供する。
【選択図】 なし

Description

本発明は、フルオロピロリジン誘導体の効率的な製造方法に関する。
フルオロピロリジン誘導体は各種医薬品や生理活性物質の製造中間体として重要であり、その製造は対応するヒドロキシピロリジン誘導体をフッ素化剤によって直接フッ素化するか、ヒドロキシピロリジン誘導体の水酸基を反応性の高い脱離基に変換した後にフッ素アニオンで置換する方法によって実施されていた。
しかし、対応するヒドロキシピロリジン誘導体をフッ素化剤によって直接フッ素化してフルオロピロリジン誘導体を製造する方法は、フッ素化剤にジエチルアミノサルファートリフルオライド(DAST)などの三フッ化硫黄誘導体を用いるために、フッ素化剤の爆発性や経済面でその工業的な使用には問題がある(非特許文献1-5)。また、ヒドロキシピロリジン誘導体の水酸基を反応性の高い脱離基に変換した後にフッ素アニオンで置換する方法は、少なくとも2工程を必要とするために効率的ではない(非特許文献6、7)。
一方、水酸基をフッ素に置換するフッ素化剤としてパーフルオロアルキルスルホニルフルオライドの一種であるパーフルオロブタンスルホニルフルオライドが報告されている(非特許文献8)。
Tetrahedron Lett., 39, 1169(1998). Tetrahedron, 58, 8453(2002). Tetrahedron Lett., 42, 651(2001). Tetrahedron Lett., 33, 1509(1992). Bioorg. & Med. Chem., 4, 1365(1996). Synlett, 1, 55(1995). Chem. Commun., 11, 1223(1998). Tetrahedron Lett., 36, 2611(1995).
本発明が解決しようとする課題は、工業的に実施容易で効率的なフルオロピロリジン誘導体の製造方法を提供するところにある。
本発明者らは、ヒドロキシピロリジン誘導体にフッ素化剤としてパーフルオロアルキルスルホニルフルオライドを反応させることにより、工業的に実施容易で効率的にフルオロピロリジン誘導体を製造方法できることを見出し本発明を完成した。
即ち、本発明は、一般式(1)
Figure 2005126386
(式中、Rは水素原子、CO(Rはカルボン酸の保護基を示す。)、CONHR(Rはアミド基の保護基を示す。)またはCHOR(Rは水酸基の保護基を示す。)を示し、Xはアミノ基の保護基を示す。)で表されるヒドロキシピロリジン誘導体と、
一般式(2)

CF(CFSOF (2)

(式中、nは1−10の整数を示す。)で表されるパーフルオロアルキルスルホニルフルオライドを塩基の存在下で反応させることを特徴とする
一般式(3)
Figure 2005126386
(式中、R及びXは前記と同じ。)で表されるフルオロピロリジン誘導体の製造方法を提供する。
本発明のフルオロピロリジン誘導体の製造方法は、爆発性や経済面などの問題から工業的に利用困難なフッ素化剤を用いることなく、また水酸基を反応性の高い脱離基に変換するための製造工程を経ることなく、ヒドロキシピロリジン誘導体から直接フルオロピロリジン誘導体を効率的に製造することができる。また、本発明の製造方法は、従来のフッ素化剤を用いたフルオロピロリジン誘導体の製造方法のように極低温下での操作や加熱操作を必要としない点においても優れている。
本発明の一般式(1)で示される化合物は公知または公知の方法によって得ることができる(例えば、(非特許文献1))。一般式(1)及び(3)で示されるRは水素原子、CO(Rはカルボン酸の保護基を示す。)、CONHR(Rはアミド基の保護基を示す。)及びCHOR(Rは水酸基の保護基を示す。)を示し、Xはアミノ基の保護基を示す。
ここでRのカルボン酸の保護基、Rのアミド基の保護基、Rの水酸基の保護基、およびXのアミノ基の保護基としては、それぞれ公知の保護基の中から、本反応に関与しない保護基が選択される。例えば、Rのカルボン酸の保護基としては、メチル基、エチル基、2,2,2−トリクロロエチル基、t−ブチル基、ベンジル基およびベンズヒドリル基などが挙げられる。Rのアミド基の保護基としては、t−ブチル基、ベンジル基およびベンズヒドリル基などが挙げられる。Rの水酸基の保護基としては、アセチル基、ベンゾイル基、テトラヒドロピラニル基、メトキシメチル基、メチル基、t−ブチル基、ベンジル基、ベンズヒドリル基およびトリチル基などが挙げられる。Xのアミノ基の保護基としては、ベンジル基、ベンズヒドリル基、アセチル基、ベンゾイル基、メトキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、p−トルエンスルホニル基および2,2,2−トリクロロエトキシカルボニル基などが挙げられる。
一般式(1)で表されるヒドロキシピロリジン誘導体には、1個または2個以上の不斉中心に基づく複数の光学異性体が存在し得るが、本発明にはこれらの光学異性体もしくはジアステレオ異性体のいずれをも使用することができ、またそれらの任意の比率を示す混合物またはラセミ体を使用することも可能である。
本反応は、−40〜110℃、好ましくは−15〜40℃で円滑に進行する。本反応に用いる塩基としては、トリエチルアミン、ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン、ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン、ホスファゼンベースまたはペンタイソプロピルグアニジン等が例示できる。本反応に用いられる溶媒としては、反応に関与しない不活性な溶媒、例えばトルエン、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチルエーテル、t−ブチルメチルエーテル、ジメトキシエタン、酢酸エチル、ジクロロメタンなどが用いられる。
実施例
以下の実施例により本発明の有用性を示すが、本発明は実施例に限定されるものではない。
(2S、4S)−1−(t−ブトキシカルボニル)−4−フルオロピロリジン−2−カルボン酸メチルの合成
(2S、4R)−1−(t−ブトキシカルボニル)−4−ヒドロキシピロリジン−2−カルボン酸メチル(490mg)をトルエン(17mL)に溶解し、氷水浴上で冷却しながら、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン(0.90mL)を加えた後、パーフルオロオクタンスルホニルフルオライド(0.83mL)を滴下した。5℃以下で30分間撹拌後、トルエン層をデカントして分取し、残留した黄赤色タール状物質にトルエン(10mL)を加え、再度デカントしてトルエン層を分取した。トルエン層を合わせ減圧濃縮し、残渣をシリカゲルカラム(溶出溶媒:ヘキサン:酢酸エチル=2:1)で精製し、淡褐色油状の(2S、4S)−1−(t−ブトキシカルボニル)−4−フルオロピロリジン−2−カルボン酸メチルを355mg(72%)得た。
MS(EI)m/z=247(M).
H NMR(CDCl):δ 1.44(s、5H)、1.49(s、4H)、2.24−2.54(m、2H)、3.56−3.93(m、2H)、3.75(s、3H)、4.43(d、J=9.2Hz、0.54H)、4.55(d、J=9.8Hz、0.43H)、5.20(d、J=53.2Hz、1H).
ヒドロキシピロリジン誘導体にフッ素化剤としてパーフルオロアルキルスルホニルフルオライドを反応させることにより工業的に容易に実施ができ、かつ効率的なフルオロピロリジン誘導体の製造方法を提供する。

Claims (1)

  1. 一般式(1)
    Figure 2005126386
    (式中、Rは水素原子、CO(Rはカルボン酸の保護基を示す。)、CONHR(Rはアミド基の保護基を示す。)またはCHOR(Rは水酸基の保護基を示す。)を示し、Xはアミノ基の保護基を示す。)で表されるヒドロキシピロリジン誘導体と、
    一般式(2)

    CF(CFSOF (2)

    (式中、nは1−10の整数を示す。)で表されるパーフルオロアルキルスルホニルフルオライドを塩基の存在下で反応させることを特徴とする、
    一般式(3)
    Figure 2005126386
    (式中、R及びXは前記と同じ。)で表されるフルオロピロリジン誘導体の製造方法。

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