JP2005109508A - 空間光変調器を有するマスクレスリソグラフィシステムを用いて光感応性表面にパターンをプリントする方法および装置 - Google Patents

空間光変調器を有するマスクレスリソグラフィシステムを用いて光感応性表面にパターンをプリントする方法および装置 Download PDF

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Abstract

【課題】光感応性表面のエリア内にパターンを生成する際、隣り合う各露光ゾーン間のステッチライン付近に発生するプリントパターンのステッチエラーを補償する。
【解決手段】所定のイメージデータに従い光感応性表面に第1の露光を実施し、第1の通過中、第1の露光が行われ、所定のエリア内に第1のイメージが生成される。識別されたイメージ欠陥を補償するためイメージデータが調整され、この場合、イメージ欠陥は第1のイメージの領域内にある。第2の通過中、調整されたイメージデータに従い光感応性表面の第2の露光が行われる。
【選択図】図1

Description

本発明は、空間光変調器(SLM)を有するマスクレスリソグラフィシステムを用いて光感応性表面にパターンをプリントする方法および装置、ならびに空間光変調器(SLM)を有するマスクレスリソグラフィシステムを用いて、光感応性表面にパターンをプリントする方法を実施するため、1つまたは複数のプロセッサにより実行させる1つまたは複数の命令から成る1つまたは複数のシーケンスを保持するコンピュータで読み取り可能な媒体に関する。
汎用のマスクレスリソグラフィツールにおけるプリントパターンは、一連の露光ないしはショットによって形成される。各ショットは、ウェハ基板のような光感応性面の表面に投影される空間光変調器(SLM)のイメージから得られる。その結果、この表面上の所定の露光ゾーン内に所定のドーズ量すなわち光源からの所定の照射量が堆積する。露光ゾーンは、基板表面が光源からの光のフラッシュにより照射されたときに生成される。パターンが単一の空間光変調器SLMの露光境界を越えると、露光は隣接境界に沿っていっしょにステッチされて、1つの完全なパターンが形成される。
プリントパターンにおける継ぎ合わせエラーすなわちステッチエラー(stitching error)は、露光の幾何学的アライメントのずれと光学的現象による妨害の双方に起因して、隣り合う露光ゾーン間のこのような境界付近で発生する。一般にステッチエラーはプリントされたパターンにおいて、予期される位置からのウェハ上での露光ゾーンの空間的アライメントずれに起因して発生する。たとえアライメントが完璧であるようなケースであっても、光学的作用によってステッチエラーが引き起こされる可能性もある。ショットの空間的アライメントずれが小さくても、結果としてステッチライン付近でプリントパターンの重大な摂動が生じる可能性がある。
光学的作用の原因は、各露光ゾーン内におけるドーズ量の分布が部分的にコヒーレントな光による露光の結果となることによる。2つの隣り合う露光ゾーンはそれぞれ異なる時点で露光されるので、露光は実際上はインコヒーレントであり、このため不所望な光学的作用が引き起こされる。
したがって本発明の課題は、隣り合う各露光ゾーン間のステッチライン付近に発生するプリントパターンのステッチエラーを補償することにある。
本発明によればこの課題は、所定のイメージデータに従い光感応性表面に第1の露光を実施し、該第1の露光により前記エリア内に第1のイメージを生成し、該第1のイメージにおける領域内でイメージ欠陥を識別し、識別されたイメージ欠陥を補償するためイメージデータを調整し、調整されたイメージデータに従い光感応性表面に第2の露光を実施することにより解決される。
次に、本発明のさらに別の特徴や利点ならびに本発明における種々の実施形態の構造や動作を図面を参照しながら詳しく説明する。
次に、本発明による実施形態を示す図面を参照しながら本発明について詳しく説明する。他の実施形態も可能であり、本発明の範囲内で様々な変形実施形態が可能である。したがって本発明は以下の説明に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載によってのみ規定されるものである。
当業者であれば、以下で説明する本発明を図中に示されているハードウェア、ソフトウェア、ファームウェアおよび/またはエンティティの多種多様な形態で実装できることは自明である。すべての実際のソフトウェアコードは本発明を実装するために制御される専用のハードウェアとともに本発明の限定事項ではない。したがって本発明の動作や振る舞いについては、ここに示す個々のレベルがあるならば各実施形態の変形が可能であるものとして説明することにする。
図1には、本発明による1つの実施形態に従って構成されたマスクレスリソグラフィシステムのブロック図が示されている。図1において、マスクレスリソグラフィシステム100にはコントロールシステム102が示されている。コントロールシステム102にはコンピュータプロセッサ、メモリおよびユーザインタフェースが含まれており、これによってユーザはマスクレスリソグラフィシステム100に指示するための入力データを入力してプリントパターンを生成することができる。
コントロールシステム102はパルス化光源104と接続されており、これによってエキシマレーザまたは他の何らかの適切なパルス化照射メカニズムのような光源から光のパルスが生成される。パルス化光源104はビームリレイシステム106と接続されており、これは典型的にはアナモルフィック系(anamorphic system)であり、これには一連のレンズが含まれており、これによりパルス化光源104により生成される光ビームにおいて所望の開口数が形成される。ビームリレイ106からのパルス化光源出力はプログラマブルアレイ108上に結像される。
プログラマブルアレイ108は、所望のリソグラフィパターンを表すイメージパターンデータ110を受け取り、イメージを表す光を投影光学系(PO)109へ反射させるように構成されている。パターンデータ110はマスクレイアウトデータとしても知られている。プログラマブルアレイ108から反射した光はPO109を通り抜けた後、基板112へ当射される。投影光学系の機能は、1)基板上に対象物のイメージを生成すること、2)対象物の寸法と対比してイメージを縮小することである。イメージデータ110を表すパターンはその後、ウェハ基板のような光感応性の表面112上に結像され、これは一定速度で走査される。当業者であればわかるように、光感応性の表面112上に投影すべきイメージはプログラマブルアレイ108に含まれており、コントロールシステム102を介してユーザにより変更可能である。
プログラマブルアレイ108は、空間光変調器SMLあるいは他の何らかの適切なマイクロミラーアレイを備えることができる。バックグラウンドとして述べておくと、空間光変調器SMLは個々に制御される多数のピクセル(SLM素子とも称する)から成るアレイである。制御可能なかたちで各ピクセルにより光学特性を変化させることができ、それによって対象物平面内のフィールドを変調することができる。典型的なSLMは矩形のアレイ内に配置された複数の正方形のピクセルを有しており、各ピクセルは所定の範囲内の光学特性を特徴づける複数のパラメータのうちただ1つのパラメータだけを変更できる能力(1パラメータ局所変調 one-parametric local modulation)を有している。
たとえば既存のSLMは2040×512個のアレイ内に配置された16×16mmの可傾型ミラーを有しており、1kHzのリフレッシュレートで動作する。種々のSLMにおいて実現されている光変調方式は透過率変調、光の偏向による変調、位相シフト変調、デフォーカス変調、および/またはこれら各種変調形式の組み合わせとして分類することができる。
図2には、図1のシステム100のようなマスクレスリソグラフィシステムのさらに詳細な外観を表す斜視図が示されている。図2の場合、システム200にはSLM202とPO 203と光感応性表面をもつ基板204が含まれている。SLM202はミラー素子206を有しており、これは2次元の露光領域210内の基板204上に光パルス208を反射させる。光パルス208は露光領域210内にパターン212を生成するために使用される。
バックグラウンドとして、マスクレスリソグラフィツールにおけるプリントパターンは2次元の露光またはショットのシーケンスによって形成される。この2次元のショットの各々は単一のSLMによるイメージから得られたものであり、これはウェハ表面に投影され、その結果、所定の露光ゾーン内でドーズが堆積することになる。これに加えて各露光は、パルス化された光源からの単一の光パルスにより形成される。2次元の露光ゾーンはエッジとエッジとで互いにステッチされるので、ステッチ動作は非常にクリティカルである。数nmのオーダでの1つの露光ゾーンのずれによってエッジに沿ってパターンエラーが生じる可能性があり、これは明瞭に目立つものでありパターン内のフィーチャを損傷するものである。図3に示されているように、1つの基板表面上を複数回通過させて単一の露光を実行することができる。
図3には1つのパターンフィーチャを形成する様子が示されており、このパターンフィーチャは隣り合う露光ゾーンの境界またはステッチラインを越えて延在している。図3の場合、ステッチされる露光ゾーン300には露光ゾーン301,302,304が含まれている。これらの露光ゾーン各々は、図1のパルス化光源104のような照射源からの単一光パルスにより生じる光感応性表面上のドーズの堆積によって生成される。つまり単一パルスの期間中、基板204のような光感応性表面が所定の距離だけ動かされ、その結果、ゾーン301,302,304の各々においてドーズの堆積が生じる。
露光ゾーン302,304の隣接境界によってステッチライン306が形成される。露光ゾーン301,302,304内でパターンフィーチャ308が形成され、これはステッチライン306を越えて位置している。各露光ゾーン内のドーズ量の分布が部分的にコヒーレントな光による露光の結果であることに起因して、フィーチャ308の光学的な作用または歪みが引き起こされる可能性がある。ついで2つの隣接する露光ゾーン302,304がそれぞれ異なる時点で露光されるので、これらの露光ゾーンは実際上はインコヒーレントである。
図4には、コヒーレントな照射であるとしたシナリオに関して所望の均一なパターンにおけるステッチライン付近のステッチ障害について示されている。図面に示す目的でコヒーレントな照射の例を使用した。それというのもコヒーレントな照射は、プリントパターンにおける最も重大なステッチエラー(障害)を引き起こすとみなされるからである。とはいえ本発明はこのような適用事例に限定されるものではない。
図4によればグラフ400は、均一に明るいフィールドが原点でステッチされた2つの露光で結合されたことを表している。第1の露光402は、絶対的に明るい状態にセットされた対象物平面において原点右側のピクセルから得られたものであるのに対し、原点左側の対象物平面フィールドはゼロである。結像平面において結果として生じた相対的強度分布または相対的ドーズ変化は、半分の平面における周知の回折限界結像である。
第2の露光404は原点を中心とした露光402の鏡像である。このグラフからただちにわかるように、両方の露光に関する原点での相対的ドーズ値(または相対的結像強度)はコヒーレントな照射のケースでは1/4である。右側エッジの露光402と左側エッジの露光404の組み合わせによって、ステッチ境界407に沿った相対的局所ドーズ値は1/2となる。1/2という相対的局所ドーズ値をもつステッチライン407における露光の組み合わせによって、ステッチアーチファクトまたはステッチエラー408が引き起こされる。
実際に即していえば、ステッチアーチファクト408のようなステッチアーチファクトは、境界407のようなステッチ境界を越えて形成されたフィーチャ(たとえば図3のフィーチャ308)の形態に妨害を及ぼすことになる。形態に対するこの種の妨害は、プリントパターンを形成するために用いられるラインの幅に関して変動が生じることである。
図5には、ステッチエラー補償技術がないときにライン変動に及ぼされるステッチエラーの影響について示されている。もっと詳しくいうと図5には、分離された暗いラインで表されたステッチ障害を示すテストケースが描かれている。図5の場合、一例として示されている露光502には明るい背景上に分離された水平方向の暗いライン503が含まれており、これはほぼ2000ナノメータ(nm)の長さであって(〜9λ/NA)、ここでλは光の波長でありNAは開口数である。水平方向の暗いライン503は、対象物平面内で可傾型ミラーピクセルを用いて形成される。
図5の例によればイメージ平面にスケーリングされた各ピクセルのサイズは式
M * L=40nm
によって求めることができる。ここでMは倍率であり、Lはピクセル長である。
ライン503は、α=λ/(2*L)および(−α)だけそれぞれ傾けられたミラーから成る2つの隣り合う水平方向のアレイ(列)によって形成され、ここでαは傾斜角度である。これらの列のピクセルはほぼ絶対的に暗いピクセルとして振る舞う。背景は明るく、フラットなミラーをもつピクセルにより形成される。
ライン503を形成するパターンは、図3を参照しながら説明したように3つの露光すなわち502,504,506によって露光される。露光502は基板の1回目の通過中に行われ、ライン503すべてを露光する。露光504および506は、基板の2回目の通過中に行われる2つの連続する露光である。2つの露光504,506各々により、暗いライン503のうち一方の半分がそれぞれ露光される。露光504および506とそれぞれ対応づけられたドーズ分布504aおよび506aがステッチライン付近で示されており、これは3つの露光各々から得られたものである。さらに3つの露光502,504,506の和508が示されており、これにはステッチライン509aに沿った露光不足エリアが含まれている。
グラフ510には、ステッチライン509a付近のライン幅の変化が示されている。図5の例ではライン幅はイメージ強度閾値を用いて計算され、70nmのライン512となった。グラフ510に示されているように、ライン514で表されている変化は+25nmに及んでいる。
図4および図5の例に示されているように、ステッチエラーによってプリントパターンを著しく劣化させる異常が発生する可能性があるけれども、本発明によればこのようなステッチエラーに起因する作用を補償するためのいくつかの技術が提供される。
オーバラップを利用しないステッチ補償
図6には、ステッチエラーの作用を補償するための1つのテクニック600が例示されている。さらに詳しく説明すると図6の技術によれば、露光エリアのオーバラップを利用しないステッチエラー補償が提供される。テクニック600によれば基板表面露光の2回目の通過中、補助フィーチャを付加することができる。本発明の適用事例では補助フィーチャは第2の通過中に加えられるけれども、補助フィーチャの加えられる通過があるフィーチャと同じ位置で境界線を有していないかぎり、後続のいずれの通過を利用してもよい。
補助フィーチャは、プリントパターンを生成するためSLMに入力されたマスクレイアウトまたはパターンデータ(たとえば図1のパターンデータ110)に加えられる。図6の事例では、第2の通過におけるラインを先行の通過に対応する同じポジションで太くしてステッチエラーの作用を補償する目的で、補助フィーチャがパターンデータに加えられる。
図6によれば、第1の露光中(すなわち照射源からの単一の光パルスの間)、基板の光感応性表面にラインが生成される。このラインには左側のセグメント602と右側のセグメント604が含まれており、これらは双方とも第1の通過中に形成される。左側のセグメント602と右側のセグメント604によって、ステッチライン609を越えたステッチ障害(くびれ部分)608をもつライン606が形成される。ステッチ障害608を補償するために、ライン606の生成に対応づけられたパターンデータに補助フィーチャ610が加えられる。
基板の2回目の通過中、補助フィーチャ610により、対象物平面に形成されたライン612においてステッチライン609のところにふくらみが形成される。補助フィーチャ610をもつライン612が対象物平面に形成されるけれども、これはライン606と組み合わせられて、対象物平面に1つのライン614が形成される。ライン614にはステッチ障害608がない。換言すれば、補助フィーチャ610により表されたふくらんだ部分によって、第1の通過により生じたくびれ部分つまりステッチ障害608が補償される。もっと一般的にいうと、1つの通過による露光ゾーンが別の通過による露光ゾーンに対しシフトされているならば、フィーチャがステッチラインにより影響を受けない通過を、フィーチャに影響を及ぼすステッチ障害を補償するために利用することができる。
走査中、隣りの露光ゾーンで露光が行われる。つまりウェハが一度走査され、その後、動かされて先行のゾーンと隣り合う別の露光ゾーンが生成される。後続のパルスが到来し、後続の露光ゾーンが形成される。その際、ステッチエラーが発生して、その露光ゾーン内で検出される可能性がある。露光ゾーン内のステッチエラーを検出または予測するプロセスを、当業者に周知のいくつかの技術を利用して実現することができる。
さらにパターンのプレプリント分析が、たとえばモデリングツールおよびシミュレーションツールを利用したイメージモデリングなどを利用して行われる。このようなモデリングツールあるいはこれと類似したツールを利用することで、ステッチ境界におけるステッチエラーの発生をシミュレートすることもできる。シミュレーションは先験的にまたはリアルタイムで実行することができる。したがって図6のテクニック600のような技術を、先験的にまたはリアルタイムに実施することができる。
露光エリアのオーバラップを利用しないステッチエラーを補償する別の技術は、アクティブな補償である。アクティブな補償によれば、突き合わせ(butting)により(すなわちオーバラップなしで)露光が実施され、ステッチライン付近のSLMピクセルの状態を調節することができる。つまりステッチライン付近のSLMピクセルを、ステッチ障害を補償できるよう選択することができる。
たとえば、エッジ効果に起因する露光不足の結果、ステッチ障害によってステッチライン付近でプリントラインの幅が広がってしまう可能性がある。このためステッチライン付近でSLMピクセルをいっそう明るい状態で使用することにより、ライン幅が広がる作用を抑えることができる。したがってプリントラインの幅の広がりを補償するために、ステッチラインと隣り合う4つのSLMピクセルの状態を比例量に従い調節することができる。とはいえ、少数のピクセルを調節するだけでステッチ作用がいつも十分に補償されるわけではなく、逆問題の解決により状態を計算して調節しながらステッチライン付近でいっそう多くの個数のピクセルを利用すれば、適切な補償を達成することができる。
補償データをパターンデータ(たとえばパターンデータ110)に加えることで、ピクセルにより所望のパターンがプリントされるようピクセル状態の計算を調整することができる。ピクセルポジションの計算は、ステッチラインの位置が考慮されるように求められる。ピクセルポジションの決定により、そのステッチラインにより分離された露光領域がそれぞれ異なるショットで露光されることにもなる。そして露光がそれぞれ異なるショットで行われることから、それらの露光におけるフィールド間でコヒーレンスが生じない。しかしアクティブな補償中、まえもって決められた照射モードに基づき各露光内では部分的がコヒーレンスが生じる。
図7は、図6のテクニック600を実施するための一例としての方法700を示すフローチャートである。1つの実施例によれば方法700は上述のシステム200によって実行されるが、そのような構成に必ずしも限定されるわけではない。図7によれば、まえもって決められたイメージデータに従い光感応性表面に対し第1の露光が実行される(ステップ702)。この第1の露光は基板表面の1回目の通過中に行われ、これにより1つの基板領域内に第1のイメージが形成される。ステップ704によれば、第1のイメージにおけるある領域内でイメージ欠陥が識別される。ついで識別されたイメージ欠陥が補償されるようイメージデータが調整される(ステップ706)。さらにステップ708において2回目の通過中、調整されたイメージデータに従い光感応性表面に対し第2の露光が実行される。
減衰を行う露光ゾーンのオーバラップ
図8には、ステップ障害作用を補償するための別のテクニック800が例示されている。テクニック800は露光ゾーンのオーバラップを利用し、これによればオーバラップ領域内で空間イメージの減衰が行われる。要するにテクニック800によれば、ステッチライン付近で発生するプリントパターンのステッチ障害を補償するために露光ゾーンの小さいオーバラップが利用される。ステッチライン付近のオーバラップ領域は、余分に多くの露光により余計なドーズ量を受け取り、このような余分に多くの露光を補償するために空間イメージの減衰が実施される。この減衰はアクティブにまたはパッシブに実行することができる。
アクティブな減衰がベースとするのは、オーバラップゾーンにおいて減衰を行うためにSLMアレイのピクセル状態をダイナミックに調節することである。このようなアクティブな減衰によれば照射モード、幅、オーバラップの幾何学的形状、オーバラップゾーンをまたいでプリントされた特定のパターンならびに他のファクタを考慮することができる。
他方、パッシブな減衰によれば、減衰を行うためにSLMに関連するハードウェアの変更が利用される。限定するわけではないけれどもパッシブな減衰の実現方法には、アポダイズされたアパーチャ、焦点ぼけ/視野絞りならびにSLM素子を事前に加工して変形することが含まれる。
アポダイズされたアパーチャ
アポダイズされたアパーチャは、対象物の前あるいは中間イメージ平面中に挿入可能である。このアパーチャはSLMアレイまたはその中間イメージのエッジ付近で可変の伝達特性をもち、これによって空間イメージの減衰が確実に行われる。オーバラップゾーンにおける余分な露光を補償するため、アポダイゼーションを垂直方向の前縁または後縁付近で実行するのが有利である。伝達特性の変化を表す式を、特定の照射条件に依存させることができる(これによりいっそう良好なステッチ照射条件が得られる)。さらにこの式を、照射条件の広い範囲にわたり申し分なく妥当に機能する一般式とすることができる(たとえば強度伝達特性の直線的な変化)。このような式は従来技術から導出される。
アポダイゼーションはパッシブであってもよいし(アポダイズされたアパーチャの利用)、アクティブであってもよく(ステッチライン付近におけるSLMアレイのピクセルの調整)、あるいはこれら2つの組み合わせであってもよい。パッシブなアポダイゼーションを、対象物平面または(中間)イメージ平面において実行することができる。
焦点ぼけ/視野絞り
焦点ぼけ/視野絞りはアポダイズされたアパーチャに対する代案であり、この場合、僅かに焦点のずらされたアパーチャを使用することができるかまたは、SLMの前にマスクプレートが置かれる。
事前に加工された変形
オーバラップゾーン内でSLM素子を事前に加工して変形することが基礎とするのは、空間イメージの所望の減衰が確実に行われるようオーバラップゾーン内に入るピクセルが事前に変形されることである。
SLM素子を事前に加工して変形する一例として挙げられるのは、SLMアレイ内の個々のミラーを傾けたりピストニング(pistoning)したりすることを利用して、SLMアレイに対するオーバラップゾーン内のマイクロミラー表面の反射率を変化させることである。このような変化は非連続的であってもよいし(各ミラー内では一定の反射率ただしミラーごとに異なる)、あるいは連続的であってもよい。何らかの変調原理を利用して(マイクロミラーを用いずに)、SLMアレイに対して反射率を変化させることができる。たとえばオーバラップゾーン内で、伝達特性の変化を利用するSLMアレイのピクセルをそれらの最も明るい状態の最大伝達特性が所望のように変化するよう事前に加工することができる。
SLM素子を事前に加工して変形することに関するさらに別の例として挙げられるのは、SLM素子またはピクセルの非連続的な状態を組込型で変形することである。この変形が想定しているのは、オーバラップゾーン内でのSLM素子の非連続的な状態(たとえば可傾型マイクロミラーの傾斜)が他のSLM素子の非連続的な状態と比べて変形またはシフトされていることである。このような組込型変形技術はパッシブな減衰の別の例であり、何らかの変調方式を利用してSLMに適用することができる
図8には、上述のアクティブな減衰の一例が示されている。詳しくは図8には、アクティブな減衰のアプローチを用いて空間イメージの減衰を行う露光ゾーンのオーバラップを利用したテクニックが例示されている。図8によれば、図5に示した露光502,504,506がアクティブな減衰のアプローチを適用して再分析される。この場合、露光502,504,506の結合によりディスプレイ800が形成される。例示の目的で露光504および506は、オーバラップゾーン804内にフィーチャ802を生成するために10個のピクセルの幅でオーバラップしている。オーバラップゾーン804内で、上述のパッシブな減衰技術のうちの1つに従い対象物平面フィールドの直線的な減衰が実施される。アクティブな減衰を利用した後、露光502,504、506の結合により結果として得られたイメージ807が生成される。グラフ808には、ライン幅の変化について低減により実現された改善が示されている。特にグラフ808には、図5に示したライン512に対応づけられたライン幅の変化810を(図5に示した)25nmから5nmよりも小さく減少させることができる。
図9は、オーバラップ領域内の空間イメージのアクティブな減衰を実行するための方法900の一例を示すフローチャートである。方法900によれば、光感応性表面上の2つまたはそれよりも多くの露光領域が規定される(ステップ902)。これらの露光領域は個々のエッジ部分に沿ってオーバラップしており、これによりそれらの領域間にオーバラップが形成されている。ステップ904において、2つまたはそれよりも多くの露光領域が露光されてそこにイメージがプリントされ、その際、露光はオーバラップゾーンを通して広がっている。次にステップ906に示されているように、オーバラップ内で生じた露光が減衰される。
明示的な減衰を行わないオーバラップの利用
図10には、明示的な減衰を行わずにオーバラップを利用してステッチ障害を補償するテクニック1000が例示されている。このテクニック1000は、明示的な減衰を行わずにオーバラップを利用したアプローチの一例である。さらに詳しく言えば、テクニック1000は、ステッチ境界に沿って振動ないしは揺動するステッチラインが形成される。換言すれば、方向がジグザグパターンまたは他の何らかのやり方で変化するステッチ境界を生成するためにオーバラップゾーンが使用される。
テクニック1000によれば露光ゾーンがオーバラップされる。そしてこのオーバラップゾーン内で、2つのオーバラップしたピクセルのうち一方だけがパターンを担う。他のオーバラップしたピクセルはオフにされる。このため結果として生じたプリントパターンは2つのオーバラップした露光ゾーンの間で、これら2つの隣り合う露光ゾーン間の有効な境界がたとえば「鮫の歯」状のラインまたは急激に揺動する他の何らかのラインとなるよう配分される。このような揺動ラインはステッチ障害の空間的な平均化を成すものであり、ひいてはプリントパターンの作用が低減されることを表す。
図10のテクニック1000は揺動するステッチラインのアプローチの一例である。図10によれば、ステッチゾーン1007に沿ってプリントフィーチャ1005を形成するために、オーバラップした露光ゾーン1002,1004,1006が使用される。ただしテクニック1000の場合には(オーバラップした露光1002,1004,1006を生成するために使用されるピクセルのうちから)選択されたピクセルがアクティブにされ、ステッチ障害に対応するエネルギーが空間的に平均化される。この空間的な平均化によってジグザグパターン1009が生成される。たとえば露光ゾーン1004内において、オーバラップしたピクセルのセットから選択された(オーバラップした)ピクセルがゾーン部分1004a,1004b,1004cを表している。ついでこれらの選択されたピクセルに対し、フィーチャ1005の形成に使用されるパターンが1つのショットで露光1004と対応づけられたピクセルからのみ生成されるようエネルギーが与えられる。
同様に、パターンの他のセグメントを形成するために、露光1006から露光部分1006a,1006b,1006cを生成する選択されたオーバラップピクセルが使用される。露光1004と1006が結合されると露光1008が形成され、これはオーバラップ領域1010内で実質的に低減されたステッチアーチファクトを有している。これに対する代案として、オーバラップした露光を形成するためピクセルセットから選択されたピクセルを択一的にオン/オフして、図10Aに描かれているようなチェッカーボードパターン1020のような他の何らかのパターンを形成することができる。
たとえばオーバラップしたピクセルを、一方の露光に属する白い(オン)ピクセルと他方の露光に属する黒い(オフ)ピクセルをもつチェッカーボードパターンで各露光の間に配分させることができる。この場合、揺動する境界よりも比較的高い空間周波数が使用されるので(パターンが適切に選択されるならばこの空間周波数もオーバラップゾーンをまたいで変化させることもできる)、いっそう良好なステッチを作り出すことができる。
図10および図10Aの場合、露光ゾーンがオーバラップされ、オーバラップしたゾーン内で2つのオーバラップピクセルのうち一方のピクセルだけがパターンを担う。他方のオーバラップピクセルはオフにされる。したがって2つのオーバラップした露光の間でプリントパターンが配分され、プリントパターンは有利にはこれらの露光間において比較的高い空間周波数で配分される。さらにオーバラップした露光のために、2つの露光間で揺動する接続境界を形成する必要がない。
図11には、図10で示した本発明を実施するための方法1100が例示されている。図11の場合、基板表面のまえもって定められた領域内で2つまたは複数の露光領域が定義される。各領域はSLMの選択されたピクセルに対応する(ステップ1101)。ステップ1102において、2つまたはそれよりも多くの露光領域の間に1つのオーバラップ領域が形成され、このオーバラップ領域は露光領域における個々のオーバラップエッジにより規定される。さらにオーバラップエッジは、各領域から選択されたピクセルのオーバラップペアに対応する。ステップ1104において各ペア内でピクセルが、このペア内のピクセルのうち一方だけがパターン形成に使用されるよう択一的にアクティブにされる。
(減衰を伴わずに)オーバラップの幅を適切に選択することにより、ステッチ障害を補償することができる。いかなる照射モードであっても、突き合わせ(オーバラップがゼロの露光)の結果、ステッチラインに沿って露光不足となる(たとえばコヒーレント照射ではステッチラインに沿ったドーズ量はステッチ作用のない値の50%である)。他方、減衰の伴わない((λ/(M*NA)を数倍越える)かなり長いオーバラップの結果として、ステッチラインに沿ってドーズ量の過剰露光が生じてしまう。オーバラップゾーンの幅がこれら2つの極値の間で適切に選ばれれば、ステッチラインにおける1つの精確な位置において精確なドーズ量を受け取ることができ、これによってステッチライン付近で障害を補償できるようになる。
イメージ平面に接近した視野絞りを伴うオーバラップによっても、ステッチ/エッジ効果が低減されることになる。この場合、露光ゾーンがオーバラップされ、視野絞りがイメージ平面にきわめて接近して配置され、これによりこの視野絞りによって、エッジ効果を最も受けたオーバラップゾーンにおけるイメージの一部分(SLMイメージの外側部分)がブロックされる。視野絞りによりエッジ効果を確実にブロックできるようにするため、露光ゾーンの幅を十分に広くすべきである(>>(λ/(M*NA))。これに加えて、視野絞りによりほとんどブロックされたピクセルを変調して、視野絞りを通過するイメージ内に残されたエッジ効果を余分に補償することができる。
その結果、イメージ平面に到達するイメージはそこにおいて実質的にエッジ効果がゼロであるかまたはごく僅かなエッジ効果しかもたず、2つのイメージどうしを突き合わせることでステッチを実行することができる。
視野絞りを伴うオーバラップの一例は以下の通りである:ステッチ境界を横切る分離されたラインがプリントされ、視野絞りによりブロックされたピクセルが視野絞り上にラインのイメージの延長を形成する。ブロックされたピクセルの層の幅が十分に大きければ((λ/(M*NA)よりもかなり大きければ)、半分のラインのイメージを形成する単一の露光の結果、シャープなエッジをもつ半分のラインとなる。その理由は、エッジスミア効果(edge-smearing effect)が視野絞りによってブロックされるからである。ラインの第2の半部が同様に結像されれば、2つのイメージどうしを突き合わせることによりステッチを実行することができる。
以下で述べる非本質的な付加的ファクタによっても、ステッチ障害の作用に影響が及ぼされることになる。
イメージのスミア
露光中のウェハの動きに起因するイメージのスミアは、ステッチ障害の作用に影響を及ぼす付加的な現象である。マスクレスリソグラフィツールにおける露光メカニズムによれば、一定の速度で動かされるウェハに対して実行される短いレーザパルスにより露光を行うことができる。このような露光メカニズムによって、動き方向でイメージのスミアが生じる。
レーザパルスの期間は、プリントパターンに重大な作用を及ぼさないようスミアに対し十分に小さくなければならない。典型的な走査速度およびレーザパルス期間に関して、スミアの作用は数nmを超えてはならない。この作用はレーザパルスの同期合わせにより補償することができる。それと同時にこのようなスミアは、走査方向に対し垂直なステッチライン付近で発生するステッチ障害を自然に低減するならば、有利となる可能性がある。
レーザパルスのジッタ
レーザパルスのジッタは、ステッチ障害の作用に影響を及ぼすことになる他のファクタである。以前の段落で説明した露光シナリオの場合、レーザパルスは過度に早くまたは過度に遅く到達する可能性がある(レーザジッタ現象)。レーザパルスジッタの特徴的な大きさは3σ=10ns(nsec)である。このような遅れまたは進みの結果、このレーザパルスから生じるウェハ上の露光位置がウェハ走査方向または反対方向でずれる可能性がある。このような小さいずれによってステッチされた露光の空間的アライメントずれが引き起こされる可能性があり、(他の原因に起因して発生する露光のアライメントずれともども)このアライメントずれはステッチ障害の一因となる。しかしながら本発明に示されているステッチ補償の技術を、レーザパルスジッタの作用を補償するために用いることができる。
上述のように本発明をハードウェアで実装することもできるし、あるいはソフトウェアとハードウェアの組み合わせとして実現することもできる。したがって本発明をコンピュータシステムまたは他の処理システムの環境で実現することができる。この種のコンピュータシステム1200の一例を図12に示す。
コンピュータシステム1200にはプロセッサ1204のような1つまたは複数のプロセッサが設けられている。プロセッサ1204は通信インフラストラクチャ1206(たとえばバスまたはネットワーク)と接続されている。この実施例のコンピュータシステムに関しては種々のソフトウェアの実装について説明する。この説明を読めば、他のコンピュータシステムおよび/またはコンピュータアーキテクチャを利用して本発明をどのように実装するかは当業者には自明である。
コンピュータシステム1200にはメインメモリ1208有利にはランダムアクセスメモリ(RAM)が含まれており、さらに補助記憶装置1210を設けることもできる。補助記憶装置1210にはたとえばハードディスクドライブ1212および/またはフロッピィディスクドライブ、磁気テープドライブ、光学ディスクドライブなどのリムーバブル記憶ドライブ1214を設けることができる。リムーバブル記憶ドライブ1214は周知のやり方でリムーバブル記憶ユニット1218から読み取りを行い、あるいはそこへ書き込みを行う。リムーバブル記憶ユニット1218はフロッピィディスク、磁気テープ、光学ディスクなどであり、これはリムーバブル記憶ユニット1214により読み出され、および/または書き込まれる。自明であるが、リムーバブル記憶ユニット1218はコンピュータソフトウェアおよび/またはデータが格納されたコンピュータで使用可能な記憶媒体を有している。
択一的な実施形態によれば補助記憶装置1210に、コンピュータシステム1200へコンピュータプログラムまたは他の命令をロードできるようにする他の同様な手段を含めることができる。このような手段としてたとえば、リムーバブル記憶ユニット1222ならびにインタフェース1220を挙げることができる。このような手段の例として、プログラムカートリッジおよびカートリッジインタフェース(これはビデオゲームデバイスで用いられる)、リムーバブルメモリチップ(EPROMまたはPROMなど)およびこれに対応するソケットを含めることができ、さらにはリムーバブル記憶ユニット1222からコンピュータシステム1200へソフトウェアとデータを転送できるようにするその他のリムーバブル記憶ユニット1222およびインタフェース1220を含めることができる。
コンピュータシステム1200には通信インタフェース1224を含めることもできる。通信インタフェース1224によって、コンピュータシステム1200と外部デバイスとの間でソフトウェアならびにデータを転送することができる。通信インタフェース1224の一例として、モデム、ネットワークインタフェース(イーサネットカードなど)、通信ポート、PCMCIAスロットやPCMCIAカードなどを挙げることができる。通信インタフェース1224を介して伝送されるソフトウェアおよびデータは、通信インタフェース1224により受信可能な電子信号、電磁信号、光学信号またはその他の信号とすることのできる信号1228の形態をとる。これらの信号1228は、通信経路1226を介して通信インタフェース1224へ供給される。通信経路1226は信号1228を搬送し、これはワイヤまたはケーブル、光ファイバ、電話線、セルラ電話回線、RFリンク、および他の通信チャネルを使用して実装することができる。
本明細書において用語「コンピュータで読み取り可能な媒体」、「コンピュータで使用可能な媒体」は、リムーバブル記憶ドライブ1214、ハードディスクドライブ1212に組み込まれたハードディスクならびに信号1228のようなメディア一般を呼ぶために用いられる。これらのコンピュータプログラム製品は、コンピュータシステム1200に対してソフトウェアを供給する手段である。
コンピュータプログラム(コンピュータコントロールロジックとも称する)は、メインメモリ1208および/または補助記憶装置1210に格納される。コンピュータプログラムを通信インタフェース1224を介して受け取ることもできる。このようなコンピュータプログラムによればその実行時、コンピュータシステム1200はこれまで説明してきた本発明を実施できるようになる。
詳細にはこのコンピュータプログラムによればその実行時、プロセッサ1204が本発明のプロセスを実施できるようになる。たとえば本発明の1つの実施形態によれば、エンコーダおよびまたはデコーダから成る信号処理ブロックにより実行されるプロセスまたは方法を、コンピュータコントロールロジックにより実施することができる。ソフトウェアを利用して本発明が実施されるところでは、ソフトウェアをコンピュータプログラム製品に格納しておくことができ、リムーバブル記憶ドライブ1214、ハードディスクドライブ1212または通信インタフェース1224を利用してコンピュータシステム1200へロードすることができる。
結論
本発明によれば、マスクレスリソグラフィパターンにおいてステッチライン付近で発生する可能性のあるステッチエラーの作用を補償するいくつかのユニークなアプローチが提供される。これらのアプローチによればa)露光領域のオーバラップを利用しない技術、b)オーバラップと減衰を利用する技術、c)明示的な減衰を行わずにオーバラップを利用する技術が含まれる。これらのアプローチは単独でもあるいはそれらの組み合わせでも、ステッチ障害、光学的異常ならびに光感応性表面にプリントされるリソグラフィパターンにさもなければ入り込むその他の作用が低減される。
本発明についてこれまで、特定の機能の実行やそれらの機能の関係について例示した機能構成単位を用いて説明してきた。これらの機能構成単位の境界は説明の都合上、任意に定義してきた。特定の機能やそれらの機能の関係が適切に実行されるかぎり、これに代わる境界を定義してもかまわない。
したがって代替となるどのような境界であっても本発明の範囲内である。当業者であれば自明であるとおり、これらの機能構成単位をアナログ回路および/またはディジタル回路、個別コンポーネント、特定用途向け集積回路、ファームウェア、適切なソフトウェアを実行するプロセッサ等ならびにこれらの組み合わせによって実現することができる。したがって本発明の範囲は上述の実施形態に限定されるものではなく、以下の特許請求の範囲およびそれと等価のものよってのみ規定されるものである。
固有の実施形態に関するこれまでの説明によれば本発明の一般的な特徴がすべて示されており、当業者であれば不適切な試みを用いずとも本発明の一般的な概から逸脱することなくこれらの固有の実施形態を様々な用途のためにただちに変形および/または整合させることができる。したがってこのような整合や変形は、本発明の教示や指示を基礎として開示された実施形態の趣旨や範囲内にあるものとする。当然ながらここで用いた表現や用語は説明の目的で用いたものであり、限定を示すものではなく、本発明の明細書の用語や表現はこれまで説明した本発明の教示や指示を参照しながら当業者によって解釈されるべきものである。
本発明の1つの実施形態に従って構成され配置されたマスクレスリソグラフィシステムを示すブロック図である。 光感応性表面の露光を示す斜視図である。 複数の露光ゾーン内のドーズ量の堆積を示す図である。 所望の均一なパターンにおけるステッチライン付近でのステッチ障害を示すグラフである。 分離された暗いラインにおけるステッチ障害の作用を示す図である。 露光ゾーンのオーバラップを用いないでステッチ障害を補償する技術の一例を示す図である。 図6に示した技術を実施する方法の一例を示すフローチャートである。 露光ゾーンのオーバラップを用い減衰を行ってステッチ障害を補償する技術の一例を示す図である。 図8に示した技術を実施する方法の一例を示すフローチャートである。 オーバラップを用い明示的な減衰を行わず揺動するタイプのパターンを生成してステッチ障害を補償する技術の一例を示す図である。 図10に示した技術においてチェッカーボードタイプのパターンを生成する様子を示す図である。 図10に示した技術を実施する方法の一例を示すフローチャートである。 本発明を実施可能なコンピュータシステムの一例を示すブロック図である。
符号の説明
100 マスクレスリソグラフィシステム
102 コントロールシステム
104 パルス化光源
106 ビームリレイ
108 プログラマブルアレイ
109 投影光学系
110 パターンデータ
112 基板
202 空間光変調器
203 投影光学系
204 光感応性表面をもつ基板
206 ミラー素子
208 光パルス
210 露光領域
212 パターン
300,301,302,304 露光ゾーン
306、407 ステッチライン
408 ステッチ障害

Claims (22)

  1. 光感応性表面のエリア内にパターンを形成する方法において、
    所定のイメージデータに従い光感応性表面に第1の露光を実施し、
    該第1の露光により前記エリア内に第1のイメージを生成し、
    該第1のイメージにおける領域内でイメージ欠陥を識別し、
    識別されたイメージ欠陥を補償するためイメージデータを調整し、
    調整されたイメージデータに従い光感応性表面に第2の露光を実施することを特徴とする、
    光感応性表面のエリア内にパターンを形成する方法。
  2. 前記イメージデータにピクセル変調情報を含める、請求項1記載の方法。
  3. 前記第1のイメージを1つのイメージ平面内に形成する、請求項1記載の方法。
  4. 前記識別ステップをモデリング/シミュレーションに基づき先験的に実施する、請求項1記載の方法。
  5. 前記識別ステップをイメージ欠陥予測に基づきリアルタイムに実施する、請求項1記載の方法。
  6. 前記欠陥にはステッチエラーが含まれる、請求項1記載の方法。
  7. 前記第1のイメージにおける領域は露光ゾーンを分離するステッチである、請求項1記載の方法。
  8. 識別される欠陥にはステッチのネック状部分が含まれる、請求項1記載の方法。
  9. 前記第2の露光ステップにより、識別されたイメージ欠陥のないエリア内に適正なイメージを生成する、請求項1記載の方法。
  10. 第2の露光を実施する前記ステップにおいて、i)ステッチのふくらみ部分を含む対象物平面内に第2のイメージを形成し、ii)領域内に第2のイメージをプリントし、該プリントによりイメージ平面内に適正なイメージを生成する、請求項1記載の方法。
  11. 光感応性表面のエリア内にパターンを形成するための装置において、
    所定のイメージデータに従い光感応性表面に第1の露光を実施する手段が設けられており、該第1の露光により前記エリア内に第1のイメージが生成され、
    第1のイメージの領域内でイメージ欠陥を識別する手段と、
    識別されたイメージ欠陥を補償するためイメージデータを調整する手段と、
    調整されたイメージデータに従い光感応性表面に第2の露光を実施する手段が設けられていることを特徴とする、
    光感応性表面のエリア内にパターンを形成するための装置。
  12. 前記イメージデータにはピクセル変調情報が含まれている、請求項11記載の装置。
  13. 前記第1のイメージは1つのイメージ平面内に形成される、請求項11記載の装置。
  14. 前記識別手段はモデリング/シミュレーションに基づき先験的に識別を実行する、請求項11記載の装置。
  15. 前記識別手段はイメージ欠陥予測に基づきリアルタイムに識別を実施する、請求項11記載の装置。
  16. 前記欠陥にはステッチエラーが含まれる、請求項11記載の装置。
  17. 前記第1のイメージの領域は露光ゾーンを分離するステッチである、請求項11記載の装置。
  18. 識別される欠陥にはステッチのくびれ部分が含まれる、請求項11記載の装置。
  19. 前記第2の露光により、識別されたイメージ欠陥のない領域内に適正なイメージが生成される、請求項11記載の装置。
  20. 第2の露光を実施する前記手段には、i)ステッチのふくらみを含む対象物平面内に第2のイメージを形成する手段と、ii)エリア内に第2のイメージをプリントする手段が設けられており、該プリントにより前記イメージ平面内に適正なイメージが生成される、請求項11記載の装置。
  21. 光感応性表面のエリア内にパターンを形成する方法を実施する1つまたは複数のプロセッサにより実行させるための1つまたは複数の命令から成る1つまたは複数のシーケンスを保持するコンピュータで読み取り可能な媒体において、
    前記命令が1つまたは複数のプロセッサにより実行されると1つまたは複数のプロセッサにより、
    所定のイメージデータに従い光感応性表面に第1の露光を実施し、該第1の露光により前記エリア内に第1のイメージを生成するステップと、
    前記第1のイメージの領域内のイメージ欠陥を識別するステップと、
    識別されたイメージ欠陥を補償するイメージデータを調整するステップと、
    調整されたイメージデータに従い光感応性表面に第2の露光を実施するステップ、
    が実行されることを特徴とする、
    コンピュータで読み取り可能な媒体。
  22. 光感応性表面のエリア内にパターンを形成する方法において、
    所定のイメージデータに従い光感応性表面に第1の露光を実施し、該第1の露光により前記エリア内に第1のイメージを生成し、
    イメージ欠陥を補償するためにイメージデータを調整し、
    調整されたイメージデータに従い光感応性表面に第2の露光を実施し、イメージ欠陥は前記第1のイメージ領域内にあることを特徴とする、
    光感応性表面のエリア内にパターンを形成する方法。
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7023526B2 (en) * 2003-09-30 2006-04-04 Asml Holding N.V. Methods and systems to compensate for a stitching disturbance of a printed pattern in a maskless lithography system utilizing overlap without an explicit attenuation
US7410736B2 (en) * 2003-09-30 2008-08-12 Asml Holding N.V. Methods and systems to compensate for a stitching disturbance of a printed pattern in a maskless lithography system not utilizing overlap of the exposure zones
US6876440B1 (en) 2003-09-30 2005-04-05 Asml Holding N.V. Methods and systems to compensate for a stitching disturbance of a printed pattern in a maskless lithography system utilizing overlap of exposure zones with attenuation of the aerial image in the overlap region
US7391499B2 (en) * 2004-12-02 2008-06-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4758443B2 (ja) * 2005-01-28 2011-08-31 エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. 大域的最適化に基づくマスクレスリソグラフィ・ラスタライゼーション技術の方法、装置およびコンピュータ読取可能媒体
US7936445B2 (en) * 2006-06-19 2011-05-03 Asml Netherlands B.V. Altering pattern data based on measured optical element characteristics
US7790336B2 (en) * 2006-11-14 2010-09-07 Dalsa Corporation Method of joining a plurality of reticles for use in producing a semiconductor layout pattern, a computerized system for implementing such a method and a semiconductor mask arrangement produced by implementing such a method
BRPI0720906B8 (pt) * 2007-01-10 2021-06-22 Nobel Biocare Services Ag método e sistema para planejar um procedimento restaurativo dental e sistema de computador para realizar o método
US8139199B2 (en) * 2007-04-02 2012-03-20 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, light converging pattern formation member, mask, and device manufacturing method
US8537416B2 (en) * 2009-03-06 2013-09-17 Micronic Laser Systems Ab Rotor optics imaging method and system with variable dose during sweep
US8806393B1 (en) 2013-03-25 2014-08-12 International Business Machines Corporation Generation of design shapes for confining stitch-induced via structures
US9601367B2 (en) 2013-03-25 2017-03-21 International Business Machines Corporation Interconnect level structures for confining stitch-induced via structures
CN104570611B (zh) * 2013-10-21 2016-06-08 合肥京东方光电科技有限公司 掩膜板及其改善拼接曝光姆拉现象的方法
US9047658B2 (en) * 2013-11-05 2015-06-02 United Microelectronics Corp. Method of optical proximity correction
US9087740B2 (en) 2013-12-09 2015-07-21 International Business Machines Corporation Fabrication of lithographic image fields using a proximity stitch metrology
US9454631B2 (en) 2014-05-23 2016-09-27 International Business Machines Corporation Stitch-derived via structures and methods of generating the same
US9710592B2 (en) 2014-05-23 2017-07-18 International Business Machines Corporation Multiple-depth trench interconnect technology at advanced semiconductor nodes
KR102275708B1 (ko) 2015-04-24 2021-07-09 삼성전자주식회사 디스플레이 드라이버 집적 회로의 제조 방법
EP3829852A4 (en) * 2018-07-31 2022-06-01 Prellis Biologics, Inc. PROCESSES AND SYSTEMS FOR THREE-DIMENSIONAL PRINTING
CN113643964A (zh) * 2021-07-13 2021-11-12 上海华力集成电路制造有限公司 一种拼接工艺拼接处的优化方法

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01276717A (ja) 1988-04-28 1989-11-07 Fujitsu Ltd 半導体の露光方法
US5523193A (en) 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
US5296891A (en) 1990-05-02 1994-03-22 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Illumination device
JPH05136020A (ja) 1991-11-11 1993-06-01 Fujitsu Ltd 半導体装置の露光方法
US5229872A (en) 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
US6219015B1 (en) 1992-04-28 2001-04-17 The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images
JP3224041B2 (ja) 1992-07-29 2001-10-29 株式会社ニコン 露光方法及び装置
US5729331A (en) 1993-06-30 1998-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
JP3339149B2 (ja) 1993-12-08 2002-10-28 株式会社ニコン 走査型露光装置ならびに露光方法
US5677703A (en) 1995-01-06 1997-10-14 Texas Instruments Incorporated Data loading circuit for digital micro-mirror device
US5530482A (en) 1995-03-21 1996-06-25 Texas Instruments Incorporated Pixel data processing for spatial light modulator having staggered pixels
EP0991959B1 (en) 1996-02-28 2004-06-23 Kenneth C. Johnson Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy
US5691541A (en) * 1996-05-14 1997-11-25 The Regents Of The University Of California Maskless, reticle-free, lithography
US6312134B1 (en) * 1996-07-25 2001-11-06 Anvik Corporation Seamless, maskless lithography system using spatial light modulator
AU2048097A (en) 1997-01-29 1998-08-18 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate
US6177980B1 (en) 1997-02-20 2001-01-23 Kenneth C. Johnson High-throughput, maskless lithography system
SE509062C2 (sv) 1997-02-28 1998-11-30 Micronic Laser Systems Ab Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster
US5982553A (en) 1997-03-20 1999-11-09 Silicon Light Machines Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array
JP3301595B2 (ja) 1997-06-16 2002-07-15 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置
SE9800665D0 (sv) * 1998-03-02 1998-03-02 Micronic Laser Systems Ab Improved method for projection printing using a micromirror SLM
US6498685B1 (en) * 1999-01-11 2002-12-24 Kenneth C. Johnson Maskless, microlens EUV lithography system
US6493685B1 (en) * 1999-02-10 2002-12-10 The Chase Manhattan Bank Electronic account presentation and response system and method
SE516914C2 (sv) * 1999-09-09 2002-03-19 Micronic Laser Systems Ab Metoder och rastrerare för högpresterande mönstergenerering
JP2001217178A (ja) * 2000-02-02 2001-08-10 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
TW520526B (en) 2000-05-22 2003-02-11 Nikon Corp Exposure apparatus, method for manufacturing thereof, method for exposing and method for manufacturing micro-device
US6537738B1 (en) * 2000-08-08 2003-03-25 Ball Semiconductor, Inc. System and method for making smooth diagonal components with a digital photolithography system
SE0100336L (sv) 2001-02-05 2002-08-06 Micronic Laser Systems Ab Adresseringsmetod och apparat som använder densamma tekniskt område
US6833908B2 (en) * 2001-03-23 2004-12-21 Ultratech, Inc. Computer architecture for and method of high-resolution imaging using a low-resolution image transducer
JP4495898B2 (ja) 2001-04-04 2010-07-07 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット 改良型パターン・ジェネレータ
TW529172B (en) * 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
US7302111B2 (en) 2001-09-12 2007-11-27 Micronic Laser Systems A.B. Graphics engine for high precision lithography
JP3563384B2 (ja) 2001-11-08 2004-09-08 大日本スクリーン製造株式会社 画像記録装置
US7106490B2 (en) * 2001-12-14 2006-09-12 Micronic Laser Systems Ab Methods and systems for improved boundary contrast
SE0104238D0 (sv) * 2001-12-14 2001-12-14 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for patterning a workpiece
JP4114184B2 (ja) 2001-12-28 2008-07-09 株式会社オーク製作所 多重露光描画装置および多重露光描画方法
SE0200787D0 (sv) 2002-03-15 2002-03-15 Micronic Laser Systems Ab Improved addressing method
SE0200788D0 (sv) 2002-03-15 2002-03-15 Micronic Laser Systems Ab Method using a movable micro-element
JP2005524112A (ja) 2002-04-29 2005-08-11 フラウンホーファー−ゲゼルシャフト・ツール・フェルデルング・デル・アンゲヴァンテン・フォルシュング・アインゲトラーゲネル・フェライン チップの保護装置およびチップの作動方法
US6717650B2 (en) * 2002-05-01 2004-04-06 Anvik Corporation Maskless lithography with sub-pixel resolution
US6870601B2 (en) 2002-06-12 2005-03-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1520201B1 (en) 2002-07-04 2014-04-23 Micronic Mydata AB Method for controlling deformable actuators
US6870554B2 (en) 2003-01-07 2005-03-22 Anvik Corporation Maskless lithography with multiplexed spatial light modulators
US6989920B2 (en) * 2003-05-29 2006-01-24 Asml Holding N.V. System and method for dose control in a lithographic system
US7061591B2 (en) * 2003-05-30 2006-06-13 Asml Holding N.V. Maskless lithography systems and methods utilizing spatial light modulator arrays
US20040239901A1 (en) * 2003-05-29 2004-12-02 Asml Holding N.V. System and method for producing gray scaling using multiple spatial light modulators in a maskless lithography system
EP1482373A1 (en) 2003-05-30 2004-12-01 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7410736B2 (en) * 2003-09-30 2008-08-12 Asml Holding N.V. Methods and systems to compensate for a stitching disturbance of a printed pattern in a maskless lithography system not utilizing overlap of the exposure zones
US7023526B2 (en) * 2003-09-30 2006-04-04 Asml Holding N.V. Methods and systems to compensate for a stitching disturbance of a printed pattern in a maskless lithography system utilizing overlap without an explicit attenuation
US6876440B1 (en) * 2003-09-30 2005-04-05 Asml Holding N.V. Methods and systems to compensate for a stitching disturbance of a printed pattern in a maskless lithography system utilizing overlap of exposure zones with attenuation of the aerial image in the overlap region

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