JP2005101366A - 高周波モジュール - Google Patents

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Abstract

【課題】電力増幅素子による発熱に影響されずにフィルタ素子の電気的特性を維持できる小型で高性能な高周波モジュールを提供する。
【解決手段】誘電体基板２の一方の主面に、電力増幅素子４およびフィルタ素子８を主面上に実装してなり、前記電力増幅素子実装下部に前記誘電体基板の一方の主面から他方の主面まで貫通する導体６を形成してなるとともに、前記フィルタ素子実装面２ｂの下部における前記誘電体基板内部に、最大直径が０．２ｍｍ以下の空孔を点在せしめたことを特徴とする。特に空孔９を、断面方向で千鳥状に配置すること、前記空孔を、前記誘電体基板の単位体積当り５〜５０％の割合で含有する部分を設けることが望ましい。
【選択図】 図１

Description

本発明は携帯型情報端末機、無線ＬＡＮ、ＷＬＬ（Ｗｉｒｅｌｅｓｓ Ｌｏｃａｌ Ｌｏｏｐ）等の電子機器・電子装置等に用いられる、高周波電力増幅装置、高周波フィルタ装置および高周波分波器装置を一体構成した小型・高性能かつ低価格な高周波モジュールに関するものである。
高周波モジュールにおいて高周波電力増幅装置を構成する高周波電力増幅素子は、現在の移動体通信システムにおける伝送容量の増加や伝送スピードの高速化に伴い大きな高周波電力を取り扱うため、高周波電力増幅素子自身の発熱量が増加している。その放熱対策として、放熱フィンを取り付ける方法や、高周波電力増幅素子が実装される誘電体基板に熱伝導率が大きな高熱伝導セラミックスである窒化アルミニウム等を用いる方法があり、良好な放熱性を得ることが出来る。
さらに特開２０００−３１３３１号公報では、高周波電力増幅素子を配線基板の背面に配置し外部回路基板に半田付けすることで放熱性を向上する技術が提案されている。
また、高周波モジュールにおいて、高周波電力増幅素子の近傍に設置されるフィルタ素子として一般に用いられる弾性表面波素子は、通常、リチウムタンタレート等の圧電体基板に弾性表面波を伝播させるための櫛形電極が形成されたものであるが、圧電体基板自身の電気的特性が温度変化による影響を大きく受けるため、モジュール内で高周波電力増幅素子等の発熱体から離れた位置に配置することが必要不可欠となっている。このため、従来の高周波電力増幅装置と高周波フィルタ素子等とを一体に形成した高周波モジュールは、近年の移動体通信用情報端末機等の小型化・軽量化・高密度化・低価格化のための要求に十分に応えることができないという問題点があった。
これに対し、例えば特開平７−５８５８６号公報には、高周波電力増幅素子である能動回路素子を、弾性表面波素子である受動回路素子を形成した一個の圧電体基板上に実装することにより、小型で低価格な高周波回路装置を構成することが提案されている。
また特開２００３−１００９８９では半導体素子と超音波素子の間に空洞を設けて熱抵抗を大きくすることで、超音波素子と発熱の大きい半導体素子を同一基板に高密度に実装することが可能な高周波モジュールが提案されている。
特開２０００−３１３３１号公報 特開平７−５８５８６号公報 特開２００３−１００９８９
しかしながら、特開平７−５８５８６号公報に開示された高周波回路装置では、近年の移動体通信システムにおける伝送容量の増加や伝送スピードの高速化に伴い大きな高周波電力を取り扱う必要がある場合に、高周波電力増幅素子である能動回路素子を弾性表面波素子である受動回路素子を形成した一個の圧電体基板上に実装すると、高周波電力増幅素子自身が大きく発熱することから、圧電体基板に形成された高周波フィルタにおけるその熱によるフィルタ特性の劣化が問題となり、大きな高周波電力を取り扱う移動体通信システムで使用される小型の情報端末機器には使用できないという問題点があった。
また特開２００３−１００９８９が提案している構造は、高周波モジュールに空洞を設けていることから、小型の情報端末を落下した時、高周波モジュールが壊れないために必要な基板強度が大幅に低下する問題があった。また情報端末を作成する工程で部品実装のプロセスと筐体に基板を取り付けプロセスによって、実装基板に応力が発生し、高周波モジュールが空洞を基点に破壊する問題があった。さらに誘電体で高周波モジュールの基板を形成した場合、空洞によって基板表面や超音波素子と半導体素子の実装表面に凹凸が発生する問題があった。
本発明は、上記従来技術における問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、大電力の高周波用等の電力増幅素子による発熱に影響されることなく、その近傍に配置された弾性表面波素子等の高周波フィルタ特性等の電気的特性を維持することができ、かつ小型で高性能で強度劣化が少なく、しかも低価格な、携帯型情報端末機、無線ＬＡＮ、ＷＬＬ等の電子機器・電子装置等に好適な高周波モジュールを提供することにある。
本発明の高周波モジュールは、誘電体基板の一方の主面に、電力増幅素子およびフィルタ素子を主面上に実装してなり、前記電力増幅素子実装下部に前記誘電体基板の一方の主面から他方の主面まで貫通する導体を形成してなるとともに、前記フィルタ素子実装面の下部における前記誘電体基板内部に、最大直径が０．２ｍｍ以下の空孔を点在せしめたことを特徴とする。
特に、前記空孔を、断面方向で千鳥状に配置することが望ましく、また、前記空孔を前記誘電体基板の単位体積当り５〜５０％の割合で含有する部分を設けることが望ましい。
また、前記電力増幅素子およびフィルタ素子が実装された誘電体基板主面を絶縁性樹脂を含有する封止材で封止することが望ましい。
さらに、前記誘電体基板の主面側を電磁波放射を防止する金属ケースによって被うことが望ましい。
前記フィルタ素子が、表面弾性波素子またはＦＢＡＲ素子からなることが望ましい。
また、複数の誘電体層を積層して成る誘電体基板の一方の主面に構成される電力増幅素子実装面がフィルタ素子実装面よりも他方の主面に近い位置で形成されることが望ましい。
本発明の上記高周波モジュールによれば、フィルタ素子実装面の下部の誘電体層内に０．２ｍｍ以下の空孔を点在せしめることで、この空孔群が断熱部を形成する結果、電力増幅素子から発生した熱がその断熱部でブロックされ、フィルタ素子に影響を与えることを防止することができる。特に、電力増幅素子下部に形成された貫通導体から高周波モジュールが実装された外部回路基板側に熱放散されるが、その場合でも、外部回路基板を経由して高周波モジュール表面に実装されたフィルタ素子に熱が回るのを、フィルタ素子の少なくとも直下に空孔を設けることによって熱の周り込みが防止できる。
しかも、空孔を最大直径が０．２ｍｍ以下として点在することによって、誘電体基板の強度を低下させることなく、携帯端末の落下や基板取り付け時の応力印加によって基板が破損することはなく、基板の強度低下を抑えることができる。しかも、空孔の大きさが、０．２ｍｍ以下とすることで、空孔が原因となる基板表面や超音波素子実装表面に凹凸が発生することもない。
また、上記の高周波モジュールにおいては、電力増幅素子から発生した熱のフィルタ素子への影響をさらに効率的に低減する上で、前記空孔を、フィルタ素子実装面下部の誘電体層の体積に対して５〜５０％の割合で存在させることが適当である。
この改善によって、フィルタ素子の高周波フィルタ特性、高周波分波器特性等の電気的特性を劣化させることなく、小型で高性能な高周波モジュールを提供することができる。
以下、図面に基づいて本発明の高周波モジュールを詳細に説明する。
図１は、本発明の高周波モジュールの実施の形態を示す断面図であり、この例において、高周波モジュール１はマザーボード等の外部電気回路基板７に搭載され実装されている。
図１の高周波モジュールにおいては、誘電体基板２の上面において、電力増幅素子実装部２ａと、平面部のフィルタ部品実装部２ｂとが所定の間隔をおいて形成されている。
電力増幅素子実装部２ａの下面には、導体層２ａ１が形成されており、電力増幅素子４がワイヤボンディング３ａを介して電気的に接続し搭載されている。
電力増幅素子４としては、例えばｐｎ接合ゲート型電界効果型トランジスタやショットキー障壁ゲート型電界効果型トランジスタ、ヘテロ接合型電界効果型トランジスタ、ｐｎ接合ゲート型へテロ接合型電界効果型トランジスタ等が用いられる
また、電力増幅素子４と導体層２ａ１との間には、その接続部や素子面を保護する目的で封止樹脂５が注入される。封止樹脂５は、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の熱を加えることにより硬化するものを用いることができる。また、封止樹脂５は、本発明の高周波モジュール１においては熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以下のものを用いることが望ましく、約１０Ｗ／ｍ・Ｋ以下のエポキシ樹脂製のものを用いることが好ましい。これにより、電力増幅素子４による発熱の誘電体基板２自身への伝達を抑制することが可能となる。
また、電力増幅素子実装部２ａの下部には、誘電体基板２を他方の主面まで貫通する貫通導体６が形成されている。この貫通導体６は、外部電気回路基板７へと熱を伝達しやすくする上で、誘電体基板２の熱伝導率よりも５倍以上大きくすることが望ましく、さらには熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上のものを用いることが好ましい。さらに貫通導体６は直径（短径）が０．１〜０．５ｍｍであることが望ましい。また、この貫通導体６は、必ずしも円形である必要はなく、長円形状、スリット形状であってもよい。
そして、この貫通導体６は、ロウ材１３を介して外部電気回路基板７の上面の放熱用導体１５に取着されている。これによって、電力増幅素子４から発生した熱は、貫通導体６およびロウ材１３を介して、外部電気回路基板７の表面に形成された放熱用導体１５に効率的に伝達される。
一方、フィルタ部品実装部２ｂには、フィルタ部品８が、導体バンプ３ｂを介してフィルタ部品実装部２ｂの下面に形成された導体層２ｂ１から成る電極部に電気的に接続して搭載されている。ここで、導体バンプ３ｂには金や半田、熱硬化型Ａｇペースト等を用いることができる。
フィルタ部品８としては、例えば共振器型フィルタ・共振子ラダー型および格子型接続フィルタ・マルチＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）型フィルタ等の表面弾性波素子や、ＦＢＡＲ（Ｆｉｌｍ Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）フィルタ素子、ＢＡＷ（Ｂuｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）フィルタ素子等が用いられる。その他、上記のような各種フィルタ素子を収納し気密に封止したパッケージであってもよい。このフィルタ部品８が例えば共振器型フィルタの場合には、圧電体基板として、３６°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ３結晶、６４°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＮｂＯ３結晶、４５°Ｘカット−Ｚ伝搬のＬｉＢ４Ｏ７結晶等が、電気機械結合係数が大きくかつ群遅延時間温度係数が小さいことから、好適に使用される。また、フィルタ部品８には、圧電体基板表面上を弾性表面波を励起させ、伝播・共振させるため、その表面に、互いに噛み合うように形成された少なくとも一対の櫛歯状電極のＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極（図示せず）を設ける。このＩＤＴ電極は、所望のフィルタ特性を得るために、複数対の櫛歯状電極を直列接続や並列接続等の方式で接続して構成される。このようなＩＤＴ電極は、圧電体基板上に蒸着法・スパッタリング法またはＣＶＤ法等の薄膜形成法により所望の形状・寸法に形成することができる。
図２は、図１の高周波モジュールをＡ−Ａ’線で切断したときの概略平面図で示す。本発明によれば、フィルタ素子実装部２ｂの下部の誘電体基板２内に最大径０．２ｍｍ以下、特に０．１ｍｍ以下の空孔９を点在させたことが大きな特徴である。特に、この例によれば、図１の概略断面図に示すように、空孔９が隣接する上下の誘電体層間で互い違いになるように配置した、いわゆる千鳥状に配置させることが望ましい。また、図２に示すように、平面的にみても、この空孔９を千鳥状に配置することが望ましい。これによって、空孔９を均一に分散させ、応力の集中を抑制することができる。
また、この空孔９の最大径を０．２ｍｍ以下としたのは、最大径が０．２μｍよりも大きくなると、誘電体基板に応力が印加された時に、空孔に応力が集中しやすくなり、その結果、誘電体基板の強度が著しく劣化し、空孔を起点として基板が破壊しやすくなるためである。この空孔９は、必ずしも円形である必要はなく、長円形状、スリット形状であってもよい。
さらに、この空孔９による断熱性を高めるために、空孔を、誘電体基板の単位体積当り５〜５０％、特に１０〜３０％の割合で含有することが望ましい。このような空孔を点在させた部分は、誘電体基板２内のフィルタ素子８実装部２ｂの下部において、誘電体基板２の内部において、０．４ｍｍ以上の厚みで設けておくことが望ましい。
また、電力増幅素子４と、フィルタ素子８には、その接続部や素子面を保護する目的で、熱硬化性樹脂などの封止樹脂５によって封止されていることが望ましい。封止樹脂５は、熱伝導率の向上と、熱膨張率を抑制する為、アルミナ等のフィラーをエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の熱硬化性を有するものを用いることができる。また、封止樹脂５は、本発明の高周波モジュール１においては、熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以下のものを用いることが望ましく、約１０Ｗ／ｍ・Ｋ以下のエポキシ樹脂製のものを用いることが好ましい。これにより、電力増幅素子４による発熱の誘電体基板２自身への伝達を抑制することが可能となる。
本発明の高周波モジュールによれば、図１の概略断面図に示すように、電力増幅素子の実装部２ａを誘電体基板２の凹部内に設けることによって、フィルタ素子の実装部２ｂよりも、他方の主面に近くなるように配置することで、電力増幅素子４から発生する熱を、貫通導体６を介して外部回路基板７に効率的に伝えるができ、電力増幅素子４から誘電体層や導体層を介してフィルタ素子８に伝わる伝熱量をより効果的に低減させることが可能となり、フィルタ素子８の熱的な影響による電気的特性の劣化をより確実に防止しすることができる。
本発明の高周波モジュール１においては、電力増幅素子４およびフィルタ素子８を電気的に機能させるため、内部導体配線および表層導体配線ならびにビアホール導体を形成して、誘電体基板２の上面に電子回路を構成するのに抵抗、コンデンサ、インダクタ、半導体素子、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）等の電子部品を搭載し、所望の電子回路を構成することができる。
また、必要に応じて、誘電体基板２の内部には、導体配線を利用した、コンデンサ、インダクタ等による高周波フィルタ（図示せず）等を内蔵させることにより、さらに高機能で小型の高周波モジュール１を構成することができる。
さらに、高周波モジュール１表面にバリスタやチップインダクタ等の電子部品や、誘電体基板２の内部にインダクタを内蔵させることにより、静電気対策を施した高周波モジュール１を構成することができる。
また、この高周波モジュール１は、外部回路基板７に対して、信号伝達用として、高周波モジュール１に形成された電極パッドをロウ材を介して外部回路基板７表面に形成された信号用配線層２１と接続される。
さらにフィルタ素子８は、表面弾性波素子、ＦＢＡＲ素子等のチップスケールパッケージで構成されるフィルタ素子が直接実装さている。また、高周波モジュール１表面に実装された電子部品や回路を保護する目的で、アルミナ等のフィラーを混入した封止樹脂５で保護層を形成した後、シールドケース１０を取着することにより、外部からの機械的応力や雰囲気の影響や電磁ノイズを遮断または抑制させることが出来る。
この高周波モジュール１における誘電体基板２は、複数の誘電体層を積層して成るものであり、誘電体層には、例えばアルミナセラミックス、ムライトセラミックス、ガラスセラミックスなどの低温焼成セラミックスや、有機樹脂材料とセラミック材料との混合材料を用いることができる。とりわけ、導体としてＣｕ、Ａｇを使用し同時焼成にて形成する上では、ガラスセラミックスなどの低温焼成セラミックス、有機樹脂材料とセラミック材料との混合材料が挙げられ、熱的安定性に優れる点で、ガラスセラミックスなどの低温焼成セラミックスが最も望ましい。
誘電体基板２を構成する誘電体材料の熱伝導率は、２０Ｗ／ｍ・Ｋ以下、特に１０Ｗ／ｍ・Ｋ以下、さらには５Ｗ／ｍ・Ｋ以下、さらに望ましくは３Ｗ／ｍ・Ｋ以下とするのがよい。この熱伝導率は、誘電体材料を形成する樹脂やセラミック材料の熱伝導率の異なる複数の成分の混合比を調整することによって、容易に制御することができる。
本発明の上記高周波モジュールは、従来の周知の方法で作製することができる。ここでは、好適な例として、誘電体基板がガラスセラミック組成物からなる場合について、以下に簡単に説明する。
まず、誘電体基板２における各誘電体層を形成するために各誘電体層となるガラスセラミック組成物からなるセラミックグリーンシートを作製する。誘電体層となるセラミックグリーンシートは、ホウ珪酸ガラス、ホウ珪酸亜鉛系ガラス、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−アルカリ土類酸化物などの周知のガラス３０〜９０質量％に、アルミナ、クオーツ、ムライト、ＡｌＮ、フォルステライトなどの無機フィラーを１０〜７０質量％の割合で混合した混合物に、アルキルメタクリレート等の有機バインダ、ＤＢＰ（ジブチルフタレート）等の可塑剤とトルエン等の有機溶剤を混合し、ボールミルで４〜８時間混練してスラリーを作製し、このスラリーを用いてドクターブレード法等によりテープ成形を行ない、これを所定の寸法に切断して作製する。
そして、所定のセラミックグリーンシートに、貫通導体６、内部導体配線と表層導体配線とを接続するためのビアホール導体を形成するため、あるいは空孔９を形成するため、マイクロドリル、パンチング、レーザーで形成したり、さらには感光性樹脂を含むグリーンシートに露光、現像処理を施すなどの処理によって凹部やそれぞれの様々な円形、楕円形、長孔などの様々な形状の貫通穴を形成することができる。
そして、このうち、貫通導体６の貫通穴にＣｕあるいはＡｇ系導体ペーストを充填する。なお、空孔を形成する貫通孔には、何も充填しないか、または樹脂等の焼成時に焼失する成分を充填する。また、同時に、各グリーンシートに内層導体配線、表層導体配線、導体層２ａ１、２ｂ１となるパターンをＣｕあるいはＡｇ系導体ペーストを用いてスクリーン印刷法や、グラビア印刷法などによって印刷形成する。
ここで、ＣｕあるいはＡｇ系導体ペーストには、例えばＣｕ粉末、ＣｕＯ粉末、Ａｇ粉末の他、Ａｇ合金であるＡｇ−Ｐｄ粉末、Ａｇ−Ｐｔ粉末が使用可能であり、必要に応じて例えば所定量のホウケイ酸系の低融点ガラスや、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＣａＯなどのアルカリ土類金属酸化物、Ｂｉ２Ｏ３等の金属酸化物を加え、さらにエチルセルロース等の有機バインダと、例えば２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイソブチレート等の有機溶剤とを混合して均質混練したものが用いられる。
これらの金属粉末と、必要に応じて例えば所定量のホウケイ酸亜鉛系ガラス、ホウケイ酸鉛系ガラスなどのホウケイ酸系の低融点ガラス、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ，ＣａＯ、ＳｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３等の金属酸化物などの無機物と、エチルセルロース等の有機バインダと、２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイソブチレート等の有機溶剤とを混合して均質混練したものが用いられ、金属粉末に対する低融点ガラスや金属酸化物の添加量の割合によって熱伝導率が制御可能である。
上記のようにして得られたセラミックグリーンシートを例えば形成パターンを基準に位置合わせし、積層順序に応じて積層し、熱圧着することにより未焼成の積層体を形成する。
その後、この未焼成状態の積層体を例えば酸化雰囲気中で焼成し焼結一体化する。具体的には、酸素雰囲気または大気雰囲気中において８００〜１０００℃で焼成することにより、モジュール基板を作製することができる。
そして、このモジュール基板表面に、フィルタ素子８、電力増幅素子４などを実装し、封止樹脂５を充填して封止することによって、本発明の高周波モジュールを作成することができる。
誘電体材料として、ホウケイ酸ガラス７０質量％、アルミナ３０質量％からなれる熱伝導率が２Ｗ／ｍ・Ｋのガラスセラミック系誘電体材料を用い、貫通導体および配線材料を１５０Ｗ／ｍ・ＫのＡｇ系導体材料を用いて高周波モジュール基板を作製した。なお、モジュール基板の上面には電力増幅素子を実装するために深さ０．３ｍｍの凹部を形成した。
そして、この高周波モジュール基板の表面に、２０×１６×０．６ｍｍの大きさ弾性表面波フィルタからなるフィルタ素子を半田実装するとともに、凹部内に電力増幅素子を半田実装した。
なお、作製した高周波モジュール基板においては、図２に示すように電力増幅素子実装部の下部に直径が０．２ｍｍのサーマルビアを千鳥状に６個配置した。また、フィルタ素子実装部下部に２０×１６ｍｍの領域に表１に示す密度で直径が０．１〜０．３ｍｍの空孔を設けた。空孔は、フィルタ素子実装部下部の２０×１６ｍｍの領域に、０．５ｍｍ厚みで設けた。
その後、高周波モジュールをガラス織布−エポキシ樹脂複合材料からなる絶縁基板上に、銅からなるパターンや信号用配線層を形成したマザーボード表面に、半田を用いて実装した。
これに、電力増幅素子（ＰＡ）の電源を３．４Ｖ印加し、２８ｄＢｍの出力が得られるよう入力信号の条件を設定したのち、フィルタ素子８表面の定常温度を測定した。また、作製した個々の試料の高周波モジュール１０個を評価ボードに実装し、筐体に固定した後、それぞれ高さ１．８ｍから自然落下させ、その結果、破損または導通不良が認められた基板の個数を表１に示した。さらにモジュールの基板表面の弾性表面波素子実装部分の凹凸を表面粗さ計にて測定した。
Figure 2005101366
表１の結果より、本発明の構造によれば、貫通導体、空孔を設けることによって、電力増幅素子の熱がフィルタ素子へ伝熱することを低減できることがわかった。また、かかる構成においては、空孔の占有体積が多いほど、その効果に優れることがわかった。なお、空孔の径が０．２ｍｍよりも大きくなると、基板表面の凹凸が顕著となり実装不良が発生した。
本発明の高周波モジュールの実施の形態の一例を示す概略断面図である。 本発明の高周波モジュールにおける空孔の配置の例を示す、図１のＡ−Ａ’線における概略平面図である。
符号の説明
１・・・・・・・高周波モジュール
２・・・・・・・誘電体基板
２ａ・・・・・・電力増幅素子実装部
２ｂ・・・・・・フィルタ素子実装部
３ａ・・・・・・ワイヤボンディング
３ｂ・・・・・・導体バンプ
４・・・・・・・電力増幅素子
５・・・・・・・封止樹脂
６・・・・・・・貫通導体
７・・・・・・・外部回路基板
８・・・・・・・フィルタ素子
９・・・・・・・空孔
１０・・・・・・シールドケース

Claims (7)

  1. 誘電体基板の一方の主面に、電力増幅素子およびフィルタ素子を主面上に実装してなり、前記電力増幅素子実装下部に前記誘電体基板の一方の主面から他方の主面まで貫通する導体を形成してなるとともに、前記フィルタ素子実装面の下部における前記誘電体基板内部に、最大直径が０．２ｍｍ以下の空孔を点在せしめたことを特徴とする高周波モジュール。
  2. 前記空孔を、断面方向で千鳥状に配置したことを特徴とする請求項１記載の高周波モジュール。
  3. 前記空孔を、前記誘電体基板の単位体積当り５〜５０％の割合で含有する部分を設けたことを特徴とする請求項１記載の高周波モジュール。
  4. 前記電力増幅素子およびフィルタ素子が実装された誘電体基板主面を絶縁性樹脂を含有する封止材で封止したことを特徴とする請求項１記載の高周波モジュール。
  5. 前記誘電体基板の主面側を電磁波放射を防止する金属ケースによって被ったことを特徴とする請求項１記載の高周波モジュール。
  6. 前記フィルタ素子が、表面弾性波素子またはＦＢＡＲ素子からなることを特徴とする請求項１記載の高周波モジュール。
  7. 複数の誘電体層を積層して成る誘電体基板の一方の主面に構成される電力増幅素子実装面がフィルタ素子実装面よりも他方の主面に近い位置で形成されることを特徴とする請求項１記載の高周波モジュール。
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