JP2005093781A - ヒートシンク及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 板材又はブロック材からなる母材21、31、41の片面又は両面に流路60を形成し、これらの母材の表面にAuコーティング層53を形成し、これらの母材同士を、Au−Sn合金又はSnからなるハンダ層54を用いて接合することにより、ヒートシンク10を形成する。ハンダ層54による接合の際に、Auコーティング層53とハンダ層54とを拡散させて、Au91wt%以上、Sn9wt%以下のAu−Sn合金層55を形成する。
【選択図】 図1
Description
図1に示すように、このヒートシンクは、板状をなす3枚の母材21,31,41を有している。母材21,31,41としては、熱伝導性に優れる材料であるCuが、好ましく使用されるが、Cu−W系合金、Mo、Fe−Ni−Co系合金、窒化アルミニウム等であってもよい。これらは、いずれも熱伝導性に優れるため、ヒートシンクの母材としては好適である。Cuを使用する場合には、熱伝導性が高い、99.75〜99.999%の組成のCuが好ましく使用される。更には、導電性単結晶炭化珪素は、純銅を超える熱伝導率(400W/mK以上)と半導体レーザー素子の熱膨張率(約6ppm)に近い値(約4〜5ppm)を有するため、実施形態の一つとして有効である。尚、導電性を得るには基板に窒素をドープし、Ni等を電極層として使用する方法がある。
上記数式(1)のAは、Auコーティング層53中のAuの質量、Bはハンダ層54中のAuの質量、Cはハンダ層54中のSnの質量である。そして、ハンダ層54中のSnの質量が、上記数式(1)で求められるCの質量よりも少なくなるように、Auコーティング層53の厚さ、ハンダ層54の使用量などを定めればよい。
図5に示す部材を用いて、本発明のヒートシンク90を製造した。このヒートシンク90は、W20mm×H11mm×t0.5mmの銅の板材からなる、第1母材91と、第2母材92と、第3母材93とを接合して構成され、各母材の内部には冷却液を流すための流路が設けられている。
以上のように流路が形成された各母材91,92,93の表面に、5μmの厚さのNiコーティング層と、更にその上層に3μmの厚さのAuコーティング層とをメッキによって形成した。
実施例1で得られたヒートシンク90の耐圧試験を行った。図6に、本試験に使用した装置の概略構造が示されている。この耐圧試験装置80は、流路81aが形成されたマニホールド81上に、上記で得られたヒートシンク90が、Au−Sn合金ハンダよりなる接合層82を介して接合される。
次に、上記ヒートシンク90の試験片を4個作製して、それらのヒートシンク90の各母材91,92,93を接合するAu−Sn合金層の元素を定量分析した。その結果を、表1に示す。
次に、本発明のヒートシンクの耐食性を確認するために、以下のような耐アルカリ性試験を行った。
21、91 第1母材
31、92 第2母材
41、93 第3母材
51 ハンダフィレット
52 Niコーティング層
53 Auコーティング層
54 ハンダ層
55 Au−Sn合金層
52a Ni−Sn合金層
60 流路
61 流入孔
62 流出孔
63 接続孔
70 半導体デバイス
Claims (8)
- 板材又はブロック材からなる母材の片面又は両面に流路を形成し、この母材を複数枚接合して、その内部に冷却媒体の流路を形成してなる、半導体デバイスを装着して冷却するために用いられるヒートシンクにおいて、前記母材の表面にAuコーティング層が形成され、前記母材同士がAu91wt%以上、Sn9wt%以下の合金層を介して接合されていることを特徴とするヒートシンク。
- 前記母材がCu、Cu−W系合金、Mo、Fe−Ni−Co系合金、窒化アルミニウム、炭化珪素から選ばれた一種又は二種以上の材料からなる請求項1記載のヒートシンク。
- 前記半導体デバイスが単一のレーザー素子、アレイ状に複数の素子から構成されたレーザーバー、高消費電力の各種トランジスタ、及び集積回路から選ばれた一種である請求項1又は2記載のヒートシンク。
- 前記母材の表面に、Niコーティング層を介して、前記Auコーティング層が形成されている請求項1〜3のいずれか1つに記載のヒートシンク。
- 板材又はブロック材からなる母材の片面又は両面に流路を形成し、この母材を複数枚接合して、その内部に冷却媒体の流路を形成する、半導体デバイスを装着して冷却するために用いられるヒートシンクの製造方法において、前記母材の表面にAuコーティング層を形成し、前記母材の接合面同士を、Au−Sn合金ハンダ又はSnハンダを介して接合し、該接合時に前記Auコーティング層と前記Au−Sn合金ハンダ又は前記Snハンダとを互いに拡散させて、Au91wt%以上、Sn9wt%以下の合金層を形成することを特徴とするヒートシンクの製造方法。
- 前記母材の接合面の間に、Au−Sn合金ハンダ又はSnハンダのシートを挟ませて、前記ハンダの液相線以上の温度に加熱することにより、前記母材を接合する請求項5記載のヒートシンクの製造方法。
- 前記母材の接合面の少なくとも一方に、Au−Sn合金ハンダ又はSnハンダのコーティング層を形成し、接合面同士を圧接した状態で、前記ハンダの液相線以上の温度に加熱することにより、前記母材を接合する請求項5記載のヒートシンクの製造方法。
- 前記母材の接合面同士をAu−Sn合金ハンダ又はSnハンダを介して接合する際、0.1〜10MPaで加圧しつつ、280〜600℃の温度で1〜120分間保持する請求項5〜7のいずれか1つに記載のヒートシンクの製造方法。
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