JP2014053619A - 金属−セラミックス接合回路基板の製造方法 - Google Patents
金属−セラミックス接合回路基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014053619A JP2014053619A JP2013202975A JP2013202975A JP2014053619A JP 2014053619 A JP2014053619 A JP 2014053619A JP 2013202975 A JP2013202975 A JP 2013202975A JP 2013202975 A JP2013202975 A JP 2013202975A JP 2014053619 A JP2014053619 A JP 2014053619A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- brazing material
- circuit board
- ceramic
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
【解決手段】セラミックス基板10の両面にろう材12を介してCu板14を接合した後、 Cu板14の表面の所定の部分にUV硬化アルカリ剥離型レジスト16を塗布してCu板14の不要部分をエッチングすることにより金属回路部を形成し、レジスト16を維持したまま、不要なろう材12およびろう材12とセラミックス基板10との反応生成物を除去し(あるいは、不要なろう材12およびろう材12とセラミックス基板10との反応生成物を除去し、金属回路部の側面部をエッチングし)、その後、レジスト16を剥離し、 Ni−P無電解メッキ18を施す。
【選択図】図3
Description
金属成分が91Ag−7Cu−1.5Ti−0.5TiO2(wt%)になるように金属粉を秤量し、この金属粉に約10%のアクリル系のビヒクルを加え、自動乳鉢や3本ロールミルなどにより通常の方法で混錬して、ペースト状のろう材を作製した。
実施例1においてEDTAと過酸化水素水とpH調整剤の混合溶液により処理した後の基板を、再度塩化銅と塩酸と過酸化水素からなるエッチング液により処理し、次いでレジストを剥離し、Ni−P無電解メッキを施した。この実施例で得られた金属−セラミックス接合回路基板のろう材はみ出し量は120μmであり、ろう材除去性および回路パターン性は良好であった。
セラミックスとしてAl2O3を使用した以外は実施例2と同一の処理を行った。この実施例で得られた金属−セラミックス接合回路基板のろう材はみ出し量も120μmであり、ろう材除去性および回路パターン性は良好であった。
EDTAと過酸化水素水とpH調整剤の混合溶液のpHを7.0に調整し、この混合溶液の液温を23℃にし、ディップ時間を120分間にした以外は実施例2と同一の処理を行った。しかし、この比較例で使用したエッチングレジストは実施例1〜3と同様にアルカリ剥離型レジストであるため、レジストを維持できずに不要なろう材を除去した。その結果、この比較例で得られた金属−セラミックス接合回路基板のろう材はみ出し量は120μmであり、ろう材除去性は良好であったが、回路パターン性は良好でなかった。
730gの純粋に対して14gのEDTAと170mlの過酸化水素水(35w/w%)と110mlのアンモニア水(28w/w%)の割合で加えてpHを10以上に調整した混合溶液を用意し、この混合溶液の液温を23℃にし、ディップ時間を40分間とした以外は実施例1と同一の処理を行った。この比較例では、ろう材除去時にアルカリのためレジストが維持されなかった。この比較例で得られた金属−セラミックス接合回路基板のろう材除去性は良好であったが、回路パターン性は良好でなく、ろう材はみ出し量は−100μmであった。また、この場合の(Cuの平均溶解速度/ろう材の平均溶解速度)の値は0.1以下であった。
12 ろう材
14 Cu板
16 UV硬化アルカリ剥離型レジスト
18 Ni−P無電解メッキ
Claims (17)
- セラミックス基板の少なくとも一方の面にろう材を介して金属板を接合して回路パターンを形成するセラミックス回路基板の製造方法において、金属板を接合した後に、金属板の表面の所定の部分にレジストを塗布して金属板の不要部分をエッチングすることにより金属回路部を形成し、レジストを維持したまま、不要なろう材およびろう材とセラミックス基板との反応生成物を除去し、その後、レジストを剥離することを特徴とする、金属−セラミックス接合回路基板の製造方法。
- セラミックス基板の少なくとも一方の面にろう材を介して金属板を接合して回路パターンを形成するセラミックス回路基板の製造方法において、金属板を接合した後に、金属板の表面の所定の部分にレジストを塗布して金属板の不要部分をエッチングすることにより金属回路部を形成し、レジストを維持したまま、不要なろう材およびろう材とセラミックス基板との反応生成物を除去し、金属回路部の側面部をエッチングし、その後、レジストを剥離することを特徴とする、金属−セラミックス接合回路基板の製造方法。
- セラミックス基板の少なくとも一方の面にろう材を介して金属板を接合して回路パターンを形成するセラミックス回路基板の製造方法において、金属板を接合した後に、不要なろう材およびろう材とセラミックス基板との反応生成物を除去し、この除去の際に、金属の平均溶解速度/ろう材の平均溶解速度の値が1乃至20である薬液を使用することを特徴とする、金属−セラミックス接合回路基板の製造方法。
- 前記不要なろう材およびろう材とセラミックス基板との反応生成物を除去する際に、金属の平均溶解速度/ろう材の平均溶解速度の値が1乃至20であることを特徴とする、請求項1または2に記載の金属−セラミックス接合回路基板の製造方法。
- 前記レジストがアルカリ剥離型レジストであることを特徴とする、請求項1乃至4のいずれかに記載の金属−セラミックス接合回路基板の製造方法。
- 前記不要なろう材およびろう材とセラミックス基板との反応生成物を除去する際に、pHが3乃至6.5のろう材除去薬液を使用することを特徴とする、請求項1乃至5のいずれかに記載の金属−セラミックス接合回路基板の製造方法。
- 前記不要なろう材およびろう材とセラミックス基板との反応生成物を除去する際に、キレート剤と過酸化水素水から形成されるろう材除去薬液またはキレート剤と過酸化水素水とpH調整剤とから形成されるろう材除去薬液を使用することを特徴とする、請求項1乃至5のいずれかに記載の金属−セラミックス接合回路基板の製造方法。
- 前記キレート剤が、EDTA、NTA、CyDTA、DTPA、TTHA、GEDTAおよびこれらの塩からなる群から選ばれる1または2以上の化合物であることを特徴とする、請求項7に記載の金属−セラミックス接合回路基板の製造方法。
- 前記セラミックス基板の材料が、窒化物、酸化物または炭化物のいずれかであることを特徴とする、請求項1乃至8のいずれかに記載の金属−セラミックス接合回路基板の製造方法。
- 前記ろう材が、Agおよび活性金属を含む合金、化合物または混合物からなることを特徴とする、請求項1乃至9のいずれかに記載の金属−セラミックス接合回路基板の製造方法。
- 前記金属板が、Cu、Alおよびこれらの合金からなる群から選ばれる1または2以上からなることを特徴とする、請求項1乃至10のいずれかに記載の金属−セラミックス接合回路基板の製造方法。
- 前記金属板の不要部分をエッチングした後、前記不要なろう材およびろう材とセラミックス基板との反応生成物を除去する前に、前記ろう材の表面の塩化銀層を薬液処理により除去することを特徴とする、請求項1乃至11のいずれかに記載の金属−セラミックス接合回路基板の製造方法。
- 前記塩化銀層の除去に使用する薬液が、チオ硫酸アンモニウムまたはチオ硫酸のアルカリ塩の少なくとも1つであることを特徴とする、請求項12に記載の金属−セラミックス接合回路基板の製造方法。
- 前記金属回路部の端部から前記ろう材がはみ出す長さであるろう材はみ出し量が30μm以上であることを特徴とする、請求項1乃至13のいずれかに記載の金属−セラミックス接合回路基板の製造方法。
- 前記レジストを剥離した後、前記金属回路部および前記ろう材の部分にNiメッキ、Ni合金メッキ、金メッキまたは防錆処理のいずれかを施すことを特徴とする、請求項1乃至14のいずれかに記載の金属−セラミックス接合回路基板の製造方法。
- 請求項1乃至15のいずれかに記載の方法によって製造されることを特徴とする、パワーモジュール用金属−セラミックス接合回路基板。
- 請求項1乃至15のいずれかに記載の方法によって製造される金属−セラミックス接合回路基板を用いて組み立てられることを特徴とする、モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013202975A JP5741971B2 (ja) | 2013-09-30 | 2013-09-30 | 金属−セラミックス接合回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013202975A JP5741971B2 (ja) | 2013-09-30 | 2013-09-30 | 金属−セラミックス接合回路基板の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011116526A Division JP5643959B2 (ja) | 2011-05-25 | 2011-05-25 | 金属−セラミックス接合回路基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014053619A true JP2014053619A (ja) | 2014-03-20 |
JP5741971B2 JP5741971B2 (ja) | 2015-07-01 |
Family
ID=50611741
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013202975A Expired - Lifetime JP5741971B2 (ja) | 2013-09-30 | 2013-09-30 | 金属−セラミックス接合回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5741971B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016074565A (ja) * | 2014-10-07 | 2016-05-12 | Dowaメタルテック株式会社 | 金属−セラミックス回路基板およびその製造方法 |
WO2016098723A1 (ja) * | 2014-12-16 | 2016-06-23 | 京セラ株式会社 | 回路基板および電子装置 |
JP2017092211A (ja) * | 2015-11-09 | 2017-05-25 | 京セラ株式会社 | 回路基板および電子装置 |
US20180132358A1 (en) * | 2014-11-06 | 2018-05-10 | Semiconductor Components Industries, Llc | Substrate structures and methods of manufacture |
JP2018158325A (ja) * | 2017-03-24 | 2018-10-11 | Dowaテクノロジー株式会社 | 被処理液の処理方法および銀の回収方法 |
WO2020196616A1 (ja) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | 京セラ株式会社 | 配線基板、電子装置及び電子モジュール |
CN115151371A (zh) * | 2020-03-31 | 2022-10-04 | 同和金属技术有限公司 | 硬钎焊材料和其制造方法以及金属-陶瓷接合基板的制造方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05246771A (ja) * | 1991-03-15 | 1993-09-24 | Toshiba Corp | セラミックス−金属接合用組成物およびそれを用いたセラミックス−金属接合体 |
JPH0936541A (ja) * | 1995-07-24 | 1997-02-07 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 回路基板の製造方法 |
JPH10178270A (ja) * | 1996-12-17 | 1998-06-30 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 回路基板の製造方法 |
JPH10190176A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-07-21 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 回路基板 |
JPH10251878A (ja) * | 1997-03-14 | 1998-09-22 | Asahi Denka Kogyo Kk | 塩化銀除去剤 |
JPH11135915A (ja) * | 1997-10-27 | 1999-05-21 | Sumitomo Metal Smi Electron Devices Inc | セラミックス回路基板の製造方法 |
JPH11340598A (ja) * | 1998-05-22 | 1999-12-10 | Toshiba Corp | セラミックス回路基板 |
JP2000128529A (ja) * | 1998-10-26 | 2000-05-09 | Daiwa Kasei Kenkyusho:Kk | ハロゲン化銀を溶解するための溶液 |
-
2013
- 2013-09-30 JP JP2013202975A patent/JP5741971B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05246771A (ja) * | 1991-03-15 | 1993-09-24 | Toshiba Corp | セラミックス−金属接合用組成物およびそれを用いたセラミックス−金属接合体 |
JPH0936541A (ja) * | 1995-07-24 | 1997-02-07 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 回路基板の製造方法 |
JPH10178270A (ja) * | 1996-12-17 | 1998-06-30 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 回路基板の製造方法 |
JPH10190176A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-07-21 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 回路基板 |
JPH10251878A (ja) * | 1997-03-14 | 1998-09-22 | Asahi Denka Kogyo Kk | 塩化銀除去剤 |
JPH11135915A (ja) * | 1997-10-27 | 1999-05-21 | Sumitomo Metal Smi Electron Devices Inc | セラミックス回路基板の製造方法 |
JPH11340598A (ja) * | 1998-05-22 | 1999-12-10 | Toshiba Corp | セラミックス回路基板 |
JP2000128529A (ja) * | 1998-10-26 | 2000-05-09 | Daiwa Kasei Kenkyusho:Kk | ハロゲン化銀を溶解するための溶液 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016074565A (ja) * | 2014-10-07 | 2016-05-12 | Dowaメタルテック株式会社 | 金属−セラミックス回路基板およびその製造方法 |
US11419217B2 (en) * | 2014-11-06 | 2022-08-16 | Semiconductor Components Industries, Llc | Substrate structures and methods of manufacture |
US20180132358A1 (en) * | 2014-11-06 | 2018-05-10 | Semiconductor Components Industries, Llc | Substrate structures and methods of manufacture |
WO2016098723A1 (ja) * | 2014-12-16 | 2016-06-23 | 京セラ株式会社 | 回路基板および電子装置 |
CN107004643A (zh) * | 2014-12-16 | 2017-08-01 | 京瓷株式会社 | 电路基板及电子装置 |
JPWO2016098723A1 (ja) * | 2014-12-16 | 2017-11-30 | 京セラ株式会社 | 回路基板および電子装置 |
JP2017092211A (ja) * | 2015-11-09 | 2017-05-25 | 京セラ株式会社 | 回路基板および電子装置 |
JP2018158325A (ja) * | 2017-03-24 | 2018-10-11 | Dowaテクノロジー株式会社 | 被処理液の処理方法および銀の回収方法 |
JPWO2020196616A1 (ja) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | ||
CN113614904A (zh) * | 2019-03-25 | 2021-11-05 | 京瓷株式会社 | 布线基板、电子装置以及电子模块 |
WO2020196616A1 (ja) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | 京セラ株式会社 | 配線基板、電子装置及び電子モジュール |
JP7171894B2 (ja) | 2019-03-25 | 2022-11-15 | 京セラ株式会社 | 配線基板、電子装置及び電子モジュール |
CN115151371A (zh) * | 2020-03-31 | 2022-10-04 | 同和金属技术有限公司 | 硬钎焊材料和其制造方法以及金属-陶瓷接合基板的制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5741971B2 (ja) | 2015-07-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4811756B2 (ja) | 金属−セラミックス接合回路基板の製造方法 | |
JP5741971B2 (ja) | 金属−セラミックス接合回路基板の製造方法 | |
JP4168114B2 (ja) | 金属−セラミックス接合体 | |
JP6799479B2 (ja) | 金属−セラミックス回路基板の製造方法 | |
TWI495759B (zh) | 處理銅合金表面以改善金屬表面與與彼結合之聚合物材料間附著力用的溶液及方法 | |
WO2015029478A1 (ja) | セラミックス回路基板の製造方法 | |
US11129282B2 (en) | Method for manufacturing ceramic circuit board | |
JP2005035874A (ja) | 金属−セラミックス接合基板の製造方法 | |
JP4887583B2 (ja) | セラミックス回路基板の製造方法 | |
CN111627822A (zh) | 一种覆铜陶瓷基板的活性金属层的蚀刻液及其刻蚀方法 | |
JP2007324301A (ja) | 窒化物セラミックス回路基板の製造方法。 | |
JP5643959B2 (ja) | 金属−セラミックス接合回路基板の製造方法 | |
JP2007134563A (ja) | 段差回路基板、その製造方法およびそれを用いた電力制御部品。 | |
JP3795354B2 (ja) | 金属−セラミックス接合基板の製造方法 | |
JP3959044B2 (ja) | アルミニウムおよびアルミニウム合金のめっき前処理方法 | |
JP4302095B2 (ja) | 金属−セラミックス接合基板の製造方法 | |
JP3353990B2 (ja) | 回路基板の製造方法 | |
JPH11322455A (ja) | セラミックス/金属接合体およびその製造方法 | |
JP2005243767A (ja) | 金属−セラミックス回路基板およびその製造方法 | |
JP3734359B2 (ja) | 回路基板 | |
JP3812988B2 (ja) | 回路基板 | |
JP6162986B2 (ja) | 金属−セラミックス回路基板の製造方法 | |
JP2022052848A (ja) | 絶縁回路基板の製造方法 | |
JP3155885B2 (ja) | 回路基板 | |
KR20230102013A (ko) | 와이어 금도금 조성물, 와이어 금 도금방법 및 이로부터 제조된 금도금 와이어 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141001 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141029 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150406 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20150415 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150415 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20150415 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5741971 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |