JP2005243767A

JP2005243767A - 金属−セラミックス回路基板およびその製造方法

Info

Publication number: JP2005243767A
Application number: JP2004049246A
Authority: JP
Inventors: Nobuyoshi Tsukaguchi; 信芳塚口
Original assignee: Dowa Mining Co Ltd
Current assignee: Dowa Holdings Co Ltd
Priority date: 2004-02-25
Filing date: 2004-02-25
Publication date: 2005-09-08

Abstract

【課題】金属回路板の表面のめっきの密着性、半田濡れ性、耐熱性などのめっきの特性を損なうことなく、Ｐｂの排出による環境汚染を低減することができる、金属−セラミックス回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１０の少なくとも一方の面に金属板１２を接合して回路パターンを形成した後、金属板１２の表面に無電解ニッケル合金めっきを施す、金属−セラミックス回路基板の製造方法において、無電解ニッケル合金めっき１６を施す前に、亜鉛置換法またはパラジウム活性法による前処理を行い、その後、ビスマスを含み且つ実質的に鉛を含まない無電解めっき液を使用して、鉛含量が元素換算で１００ｐｐｍ以下、好ましくは５０ｐｐｍ以下であり且つビスマス含量が元素換算で１０〜８００ｐｐｍの無電解ニッケル合金めっき１６を施す。
【選択図】図６

Description

本発明は、セラミックス基板上に金属板を接合して回路を形成した金属−セラミックス回路基板およびその製造方法に関し、特に、パワーモジュール用などの大電力素子搭載用の金属−セラミックス回路基板およびその製造方法に関する。

従来、金属−セラミックス回路基板の金属回路板の表面にめっきを施す方法として、亜鉛置換法またはパラジウム活性法による活性化処理を行った後に無電解ニッケルめっきを施す方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。また、無電解ニッケルめっき皮膜中に安定化剤としてＰｂを含有させる方法も知られている（例えば、特許文献２参照）。

特開２００３−３１７２０号公報（段落番号０００８−００１２）特開平１１−３４３５７７号公報（段落番号００２２）

しかし、特許文献１に記載されたような従来の方法により無電解ニッケルめっきを施した金属−セラミックス回路基板では、めっき膜が数１００ｐｐｍのＰｂを含有しているため、Ｐｂの排出による環境汚染のおそれがある。特に、特許文献２に記載されたように、無電解ニッケルめっき皮膜中にさらに安定化剤としてＰｂを含有させると、Ｐｂの排出による環境汚染の危険性がさらに高くなる。一方、無電解ニッケルめっきを施すために使用する無電解ニッケルめっき液が実質的にＰｂを含まないと、めっき液の自己分解が起こり、めっき液の安定性が損なわれる。

したがって、本発明は、このような従来の問題点に鑑み、金属回路板の表面のめっきの密着性、半田濡れ性、耐熱性などのめっきの特性を損なうことなく、Ｐｂの排出による環境汚染を低減することができる、金属−セラミックス回路基板およびその製造方法を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、金属−セラミックス回路基板の金属回路板の表面にめっきを施す際のめっき膜中へのＰｂの取り込み量を抑制し且つＢｉを添加することにより、めっき膜中のＰｂ含量を低減しても、めっきの密着性、半田濡れ性、耐熱性などのめっきの特性を損なうことがないことを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明による金属−セラミックス回路基板は、セラミックス基板の少なくとも一方の面に所定の回路パターンの金属回路板が接合され、この金属回路板の表面に無電解ニッケル合金めっきが施された金属−セラミックス回路基板において、無電解ニッケル合金めっき中の鉛含量が元素換算で１００ｐｐｍ以下であり且つビスマス含量が元素換算で１０〜８００ｐｐｍであることを特徴とする。

この金属−セラミックス回路基板において、無電解ニッケル合金めっき中の鉛含量が元素換算で５０ｐｐｍ以下であるのが好ましく、金属−セラミックス回路基板中の鉛含量が元素換算で１ｐｐｍ以下であるのが好ましい。セラミックス基板の主成分は、アルミナ、窒化アルミニウム、炭化珪素または窒化硅素であるのが好ましく、金属回路板が、アルミニウム、アルミニウム合金、銅または銅合金からなるのが好ましい。アルミニウム合金は、アルミニウム−シリコン系合金、アルミニウム−マグネシウム系合金、アルミニウム−シリコン−ボロン系合金またはアルミニウム−マグネシウム−シリコン系合金であるのが好ましく、銅または銅合金は、無酸素銅、タフピッチ銅または銅−ニッケル合金であるのが好ましい。無電解ニッケル合金めっきは、ニッケル−リン合金めっき、ニッケル−ホウ素合金めっき、またはニッケル−リン合金めっきとニッケル−ホウ素合金めっきの複合めっきであるのが好ましい。

また、本発明による金属−セラミックス回路基板の製造方法は、セラミックス基板の少なくとも一方の面に金属板を接合して回路パターンを形成した後、金属板の表面に無電解ニッケル合金めっきを施す、金属−セラミックス回路基板の製造方法において、無電解ニッケル合金めっきを施す際にビスマスを含み且つ実質的に鉛を含まない無電解めっき液を使用して、無電解ニッケル合金めっき中の鉛含量を元素換算で１００ｐｐｍ以下且つビスマス含量を元素換算で１０〜８００ｐｐｍにすることを特徴とする。

この金属−セラミックス回路基板の製造方法において、無電解ニッケル合金めっきを施す際に使用する無電解めっき液中のビスマスの濃度が０．０５〜０．３０ｐｐｍであり、鉛の濃度が５０ｐｐｂ以下であるのが好ましい。また、無電解ニッケル合金めっきを施す前に、亜鉛置換法またはパラジウム活性法による前処理を行うのが好ましく、金属回路板の表面に部分的に無電解ニッケル合金めっきを施す場合には、無電解ニッケル合金めっきを施す前に、所定形状のアルカリ剥離タイプまたは溶剤剥離タイプのレジストを金属板の表面に付着させ、このレジストの付着していない金属板の表面の部分に対して、亜鉛置換法またはパラジウム活性法による前処理を行い、無電解ニッケル合金めっきを施した後、レジストを剥離することにより所望のパターンにめっきを施すのが好ましい。これらの場合、前処理に使用する活性化処理液が、ビスマスを含み且つ実質的に鉛を含まない薬液であるのが好ましく、ビスマスの濃度が０．３０ｐｐｍ以下且つ鉛の濃度が５０ｐｐｂ以下の薬液であるのがさらに好ましい。また、亜鉛置換法が、酸性の亜鉛置換液を用いる方法であるのが好ましく、さらに、亜鉛置換法が、酸性の亜鉛置換液を用いるダブルジンケート法であり、硝酸、塩酸および硫酸の水溶液の少なくとも一つからなる酸性の水溶液により亜鉛置換膜を除去するのが好ましい。さらに、金属板のセラミックス基板への接合が、溶湯接合法、含浸接合法、ろう材接合法または直接接合法によって行われるのが好ましい。

本発明によれば、金属−セラミックス回路基板の金属回路板の表面のめっきの密着性、半田濡れ性、耐熱性などのめっきの特性を損なうことなく、Ｐｂの排出による環境汚染を低減することができる。

本発明による金属−セラミックス回路基板の製造方法の実施の形態では、セラミックス基板の少なくとも一方の面に金属板を接合して回路パターンを形成した後、金属板の表面に無電解ニッケル合金めっきを施す、金属−セラミックス回路基板の製造方法において、無電解ニッケル合金めっきを施す前に、亜鉛置換法またはパラジウム活性法による前処理（活性化処理）を行い、その後、ビスマス（Ｂｉ）を含み且つ実質的に鉛（Ｐｂ）を含まない無電解めっき液を使用して、Ｐｂ含量が元素換算で１００ｐｐｍ以下、好ましくは５０ｐｐｍ以下であり且つＢｉ含量が元素換算で１０〜８００ｐｐｍ、好ましくは２００〜４００ｐｐｍの無電解ニッケル合金めっきを施す。この方法で製造した金属−セラミックス回路基板中の鉛含量は、元素換算で１ｐｐｍ以下であるのが好ましい。

金属板として、一般に厚さ０．１〜０．５ｍｍ程度のアルミニウム、アルミニウム合金、銅または銅合金からなる金属板を使用することができる。アルミニウム合金として、アルミニウム−シリコン系合金（Ａｌ−Ｓｉ）、アルミニウム−マグネシウム系合金（Ａｌ−Ｍｇ）、アルミニウム−シリコン−ボロン系合金（Ａｌ−Ｓｉ−Ｂ）またはアルミニウム−マグネシウム−シリコン系合金（Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ）などを使用することができ、銅または銅合金として、無酸素銅、タフピッチ銅または銅−ニッケル合金（Ｃｕ−Ｎｉ）などを使用することができる。

セラミックス基板として、一般に厚さ０．２〜１．０ｍｍ程度のアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化珪素（ＳｉＣ）または窒化珪素（Ｓｉ_３Ｎ_４）を主成分とするセラミックス基板を使用することができる。

セラミックス基板に金属板を接合する方法として、溶湯接合法、含浸接合法、ろう材接合法および直接接合法などの方法を使用することができる。

金属回路板の表面に施す無電解ニッケル合金めっきは、ニッケル−リン合金めっき（Ｎｉ−Ｐ）、ニッケル−ホウ素合金めっき（Ｎｉ−Ｂ）、またはニッケル−リン合金めっきとニッケル−ホウ素合金めっきの複合めっき（Ｎｉ−Ｐ／Ｎｉ−Ｂ）のいずれでもよく、めっきの厚さは、１〜７μｍであるのが好ましく、２〜６μｍであるのがさらに好ましい。１μｍより薄くなると半田濡れ性が劣るとともに耐候性も劣り、７μｍより厚くなると応力が増大するからである。なお、めっきの密着性の評価は、クロスカット法またはワイヤーボンディング法により行うことができる。

無電解ニッケル合金めっきを施す際には、Ｂｉを含み且つ実質的にＰｂを含まない無電解めっき液、好ましくＢｉの濃度が０．０５〜０．３０ｐｐｍ且つＰｂの濃度が５０ｐｐｂ以下の無電解めっき液を使用する。また、前処理に使用する活性化処理液もＢｉを含み且つ実質的にＰｂを含まない活性化処理液、好ましくはＢｉの濃度が０．３０ｐｐｍ以下且つＰｂの濃度が５０ｐｐｂ以下の活性化処理液を使用する。これらのＰｂ含量が５０ｐｐｂを超えると、Ｐｂの濃度が高濃度過ぎてめっき膜中に取込まれ易くなる。なお、無電解めっき液が実質的にＰｂを含まないと、めっき液の自己分解が起こり易くなるが、無電解めっき液が０．０５〜０．３０ｐｐｍのＢｉを含むことにより、めっき液の自己分解を防止することができる。

また、この金属回路板の表面のチップ搭載部などのめっきが必要な部分以外の部分に、スクリーン印刷法または露光法などによりレジストを付着させ、このレジストが付着していない金属回路板の表面の部分に対して前処理を行ってめっきを施した後、レジストを剥離することにより所望の形状のめっき（部分めっき）を施してもよい。

なお、亜鉛置換法による前処理を行う場合には、酸性またはアルカリ性の亜鉛置換液を使用することができるが、酸性の亜鉛置換液を使用するとアルカリ剥離タイプのレジストを使用することができるので、酸性の亜鉛置換液を使用するのが好ましい。また、１回の亜鉛置換では表面の亜鉛置換膜が粗くて不均一になる傾向があり、めっきの密着性が悪くなる場合があるので、亜鉛置換を行った後に薬液により亜鉛置換膜を溶解除去し、再び亜鉛置換膜を形成するダブルジンケート処理（２回亜鉛置換）を行うことが好ましい。ダブルジンケート処理を行う場合には、亜鉛置換膜を溶解除去するために希硝酸、希硫酸、希塩酸または希酢酸のいずれかを使用するのが好ましい。亜鉛置換膜をムラ無く形成させることができるからである。これらの酸の希釈濃度は、レジストの耐薬液性にもよるが、亜鉛置換膜の除去のためには３〜５００倍希釈の水溶液にするのが好ましい。

また、パラジウム活性法による前処理を行う場合には、めっきを施した後に、めっきの密着性を向上させるために、１２０℃以上、好ましくは１４０〜１６５℃の温度で熱処理を行うのが好ましい。

なお、これらの活性化処理の前に、脱脂処理および化学研磨処理の少なくとも一方を行うのが好ましい。脱脂処理は、金属回路板への油分の付着による不良の発生を防ぐ効果があり、化学研磨処理は、金属回路板の表面を活性化し、活性化処理（亜鉛置換法またはパラジウム活性法による前処理）のムラを防ぎ、その後のめっきムラを防止する効果がある。

また、部分めっきの場合には、化学研磨の時間が長過ぎるか温度が高過ぎると、レジストがアタックされ、活性化処理時にレジストの下の部分も活性化されてめっきが付着し、パターンの直線性などに不具合が生じる場合がある。一方、化学研磨の時間が短過ぎるか温度が低過ぎると、金属回路板の表面の活性化が不十分になり、特に、レジスト近傍に不めっき不良（めっきが付着しないこと）が生じる場合がある。そのため、レジストがアタックされず且つレジスト近傍に不めっき不良が生じない程度に化学研磨を行うのが好ましい。

上述した本発明による金属−セラミックス回路基板は、パワーモジュール用などの大電力素子搭載用の絶縁回路基板として使用することができる。

以下、添付図面を参照して、本発明による金属−セラミックス回路基板およびその製造方法の実施例について詳細に説明する。

［実施例１］
図１〜図４に示すように、セラミックス基板１０として４１ｍｍ×３５．５ｍｍ×０．６３５ｍｍの大きさの窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板を用意し（図１）、溶湯接合法により厚さ０．４ｍｍの純アルミニウムからなる金属板１２をＡｌＮ基板１０に接合して研磨した（図２）後、アルカリ剥離タイプのレジスト（三井化学（株）製のＭＴ−ＵＶ−５２０３Ｐ）１４を回路パターン形状にスクリーン印刷して硬化させ（図３）、その後、塩化鉄溶液により不要部分をエッチング除去して、回路を形成した（図４）。

次に、図５〜図６に示すように、３％ＮａＯＨ溶液によりレジスト１４を剥離した（図５）後、アルミニウム用の脱脂液および化学研磨液で処理し、その後、０．０９ｐｐｍのＢｉを含み且つ実質的にＰｂを含まない（Ｐｂ含量０．０１ｐｐｍ未満）酸性の亜鉛置換液（（株）ワールドメタル製のアルボンドＡＭ）を用いて、亜鉛置換、水洗、１．４重量％の硝酸に浸漬、水洗、亜鉛置換、水洗の順で活性化処理し、０．１２ｐｐｍのＢｉを含み且つ実質的にＰｂを含まない（Ｐｂ含量０．０１ｐｐｍ未満）無電解ニッケルめっき液（（株）ワールドメタル製のリンデン５０６−Ｌ）によってニッケル−リンの合金めっき１６を施した（図６）。このとき、めっき浴のｐＨは４．８であり、めっき膜の厚さは３．０μｍであった。

このようにして得られた金属−セラミックス回路基板のめっき膜を硝酸に溶解し、めっき中のＰｂ含量をＩＣＰ質量分析法により測定したところ、めっき膜中のＰｂ含量は２４ｐｐｍ未満であり、Ｂｉ含量は３６２ｐｐｍであった。また、金属−セラミックス回路基板との重量比では、Ｐｂ含量は０．１ｐｐｍ未満であり、Ｂｉ含量は３．３ｐｐｍであった。

また、この金属−セラミックス回路基板について、めっきの密着性、半田濡れ性および耐熱性を評価した。めっきの密着性は、めっき膜をカッターで１ｍｍ四方にカットしたものを１００個以上作成し、それらにセロテープを貼り付けて剥離したときに剥がれないものを良好として評価した。半田濡れ性は、共晶半田を半田槽に溶かし、金属−セラミックス回路基板を２７０℃で２０秒間浸漬したときに、めっきされた面の９５％以上の面積が半田に濡れたものを良好として評価した。耐熱性は、めっき後に大気中において４００℃で２０分間加熱したときにふくれがないものを良好として評価した。その結果、この金属−セラミックス回路基板では、めっきの密着性、半田濡れ性および耐熱性が良好な所望のめっきパターンが得られた。

［実施例２］
パラジウム活性法により活性化処理を行った以外は、実施例１と同様の方法により金属−セラミックス回路基板を作製した。なお、めっき浴のｐＨは４．８であり、めっきの膜の厚さは３．１μｍであった。

このようにして得られた金属−セラミックス回路基板のめっき膜を硝酸に溶解し、めっき中のＰｂ含量をＩＣＰ質量分析法により測定したところ、めっき膜中のＰｂ含量は１０ｐｐｍ未満であり、Ｂｉ含量は２３５ｐｐｍであった。また、金属−セラミックス回路基板との重量比では、Ｐｂ含量は０．１ｐｐｍ未満であり、Ｂｉ含量は２．１ｐｐｍであった。また、この金属−セラミックス回路基板では、めっきの密着性、半田濡れ性および耐熱性が良好な所望のめっきパターンが得られた。

［実施例３］
図１〜図４に示すように、セラミックス基板１０として４１ｍｍ×３５．５ｍｍ×０．６３５ｍｍの大きさの窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板を用意し（図１）、ろう材接合法により厚さ０．２５ｍｍの無酸素銅からなる金属板１２をＡｌＮ基板１０に接合した（図２）後、アルカリ剥離タイプのレジスト（三井化学（株）製のＭＴ−ＵＶ−５２０３Ｐ）１４を回路パターン形状にスクリーン印刷して硬化させ（図３）、その後、塩化銅溶液により不要部分をエッチング除去して、回路を形成した（図４）。

次に、図５〜図６に示すように、３％ＮａＯＨ溶液によりレジスト１４を剥離した（図５）後、銅用の脱脂液および化学研磨液で処理し、その後、実施例２と同様にパラジウム活性法による活性化処理を行い、Ｂｉを含み且つ実質的にＰｂを含まない無電解ニッケルめっき液（（株）ワールドメタル製のリンデン５０６−Ｌ）によってニッケル−リンの合金めっき１６を施した（図６）。このとき、めっき浴のｐＨは４．８であり、めっき膜の厚さは３．０μｍであった。

このようにして得られた金属−セラミックス回路基板のめっき膜を硝酸に溶解し、めっき中のＰｂ含量をＩＣＰ質量分析法により測定したところ、めっき膜中のＰｂ含量は１０ｐｐｍ未満であり、Ｂｉ含量は２５７ｐｐｍであった。また、金属−セラミックス回路基板との重量比では、Ｐｂ含量は０．１ｐｐｍ未満であり、Ｂｉ含量は１．８ｐｐｍであった。また、この金属−セラミックス回路基板では、めっきの密着性、半田濡れ性および耐熱性が良好な所望のめっきパターンが得られた。

［比較例］
パラジウム活性化液として１５ｐｐｍのＰｂを含むパラジウム活性化液（上村工業（株）製のＡＴ３６０）を使用し、無電解ニッケルめっき液として０．１９ｐｐｍのＰｂを含む無電解ニッケルめっき液（上村工業（株）製ニムデンＳＸ）を使用した以外は、実施例２と同様の方法により金属−セラミックス回路基板を作製した。なお、めっき浴のｐＨは４．５であり、めっきの膜の厚さは３．０μｍであった。

このようにして得られた金属−セラミックス回路基板のめっき膜を硝酸に溶解し、めっき中のＰｂ含量をＩＣＰ質量分析法により測定したところ、めっき膜中のＰｂ含量は６８４ｐｐｍ（Ｂｉ含量は１０ｐｐｍ未満）、金属−セラミックス回路基板中のＰｂ含量は８．９ｐｐｍ（Ｂｉ含量は０．１ｐｐｍ未満）であり、実施例１〜３よりもかなり多量のＰｂを含んでいた。

本発明による金属−セラミックス回路基板の製造工程を示す断面図。本発明による金属−セラミックス回路基板の製造工程を示す断面図。本発明による金属−セラミックス回路基板の製造工程を示す断面図。本発明による金属−セラミックス回路基板の製造工程を示す断面図。本発明による金属−セラミックス回路基板の製造工程を示す断面図。本発明による金属−セラミックス回路基板の製造工程を示す断面図。

符号の説明

１０セラミックス基板
１２金属板
１４レジスト
１６合金めっき

Claims

セラミックス基板の少なくとも一方の面に所定の回路パターンの金属回路板が接合され、この金属回路板の表面に無電解ニッケル合金めっきが施された金属−セラミックス回路基板において、無電解ニッケル合金めっき中の鉛含量が元素換算で１００ｐｐｍ以下であり且つビスマス含量が元素換算で１０〜８００ｐｐｍであることを特徴とする、金属−セラミックス回路基板。
前記無電解ニッケル合金めっき中の鉛含量が元素換算で５０ｐｐｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の金属−セラミックス回路基板。
前記金属−セラミックス回路基板中の鉛含量が元素換算で１ｐｐｍ以下であることを特徴とする、請求項１または２に記載の金属−セラミックス回路基板。
前記セラミックス基板の主成分が、アルミナ、窒化アルミニウム、炭化珪素または窒化硅素であることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれかに記載の金属−セラミックス回路基板。
前記金属回路板が、アルミニウム、アルミニウム合金、銅または銅合金からなることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれかに記載の金属−セラミックス回路基板。
前記アルミニウム合金が、アルミニウム−シリコン系合金、アルミニウム−マグネシウム系合金、アルミニウム−シリコン−ボロン系合金またはアルミニウム−マグネシウム−シリコン系合金であることを特徴とする、請求項５に記載の金属−セラミックス回路基板。
前記銅または銅合金が、無酸素銅、タフピッチ銅または銅−ニッケル合金であることを特徴とする、請求項５に記載の金属−セラミックス回路基板。
前記無電解ニッケル合金めっきが、ニッケル−リン合金めっき、ニッケル−ホウ素合金めっき、またはニッケル−リン合金めっきとニッケル−ホウ素合金めっきの複合めっきであることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれかに記載の金属−セラミックス回路基板。
セラミックス基板の少なくとも一方の面に金属板を接合して回路パターンを形成した後、金属板の表面に無電解ニッケル合金めっきを施す、金属−セラミックス回路基板の製造方法において、無電解ニッケル合金めっきを施す際にビスマスを含み且つ実質的に鉛を含まない無電解めっき液を使用して、無電解ニッケル合金めっき中の鉛含量を元素換算で１００ｐｐｍ以下且つビスマス含量を元素換算で１０〜８００ｐｐｍにすることを特徴とする、金属−セラミックス回路基板の製造方法。
前記無電解めっき液中のビスマスの濃度が０．０５〜０．３０ｐｐｍであり、鉛の濃度が５０ｐｐｂ以下であることを特徴とする、請求項９に記載の金属−セラミックス回路基板の製造方法。
前記無電解ニッケル合金めっきを施す前に、亜鉛置換法またはパラジウム活性法による前処理を行うことを特徴とする、請求項９または１０に記載の金属−セラミックス回路基板の製造方法。
前記無電解ニッケル合金めっきを施す前に、所定形状のアルカリ剥離タイプまたは溶剤剥離タイプのレジストを金属板の表面に付着させ、このレジストの付着していない金属板の表面の部分に対して、亜鉛置換法またはパラジウム活性法による前処理を行い、無電解ニッケル合金めっきを施した後、レジストを剥離することにより所望のパターンにめっきを施すことを特徴とする、請求項９または１０に記載の金属−セラミックス回路基板の製造方法。
前記前処理に使用する活性化処理液が、ビスマスを含み且つ実質的に鉛を含まない薬液であることを特徴とする、請求項１１または１２に記載の金属−セラミックス回路基板の製造方法。
前記前処理に使用する活性化処理液が、ビスマスの濃度が０．３０ｐｐｍ以下且つ鉛の濃度が５０ｐｐｂ以下の薬液であることを特徴とする、請求項１１または１２に記載の金属−セラミックス回路基板の製造方法。
前記亜鉛置換法が、酸性の亜鉛置換液を用いる方法であることを特徴とする、請求項１２乃至１４のいずれかに記載の金属−セラミックス回路基板の製造方法。
前記亜鉛置換法が、酸性の亜鉛置換液を用いるダブルジンケート法であり、硝酸、塩酸および硫酸の水溶液の少なくとも一つからなる酸性の水溶液により亜鉛置換膜を除去することを特徴とする、請求項１２乃至１４のいずれかに記載の金属−セラミックス回路基板の製造方法。
前記金属板のセラミックス基板への接合が、溶湯接合法、含浸接合法、ろう材接合法または直接接合法によって行われることを特徴とする、請求項９乃至１６のいずれかに記載の金属−セラミックス回路基板の製造方法。
請求項９乃至１７のいずれかに記載の金属−セラミックス回路基板の製造方法によって製造された金属−セラミックス回路基板。