JP2002307165A - ろう付け方法 - Google Patents

ろう付け方法

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JP2002307165A JP2001112168A JP2001112168A JP2002307165A JP 2002307165 A JP2002307165 A JP 2002307165A JP 2001112168 A JP2001112168 A JP 2001112168A JP 2001112168 A JP2001112168 A JP 2001112168A JP 2002307165 A JP2002307165 A JP 2002307165A
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Mitsuo Takahashi
光雄 高橋
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 銅とアルミニュウムとの接合界面に熱抵抗と
なる有害な合金層の生成を可能な限り抑えるろう付け方
法を提供する。 【解決手段】 アルミニュウム製のヒートシンク11及
び表面に電気ニッケルメッキを施した銅板15を作成し
た。一方、薄い板状のZn−Al合金のろう材13を準
備し、その表面にCsF系フラックスを塗布した。ろう
材13をヒートシンク11及び銅板15の間に挟みこみ
これらを固定して炉に投入した。これによって、ろう材
13は溶融・固化し、ヒートシンク11と銅版15とは
強固にろう付けされ、その接合界面に合金層の生成は認
められなかった。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はろう付け方法に関
し、特にアルミニュウム部材と銅部材とをろう付けする
ろう付け方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図3を参照して、コンピューターのCP
U等の電子デバイスのヒートシンク11は、アルミニュ
ウムが良好な加工性、熱伝導性及び耐食性の点から主要
な材料として使われ、鍛造、ダイキャスト等によって製
造されている。
【0003】ヒートシンク11は電子デバイス61内の
発熱源から放出された熱を効率よく放散させるために,
デバイス61に接触する基盤(ヒートスプレッダー)2
2と、それに一体化又は接合されたフィン21とからな
る。電子デバイスの集積化及び小型化に加えて、高速化
及び高周波化が進み、ますますデバイスの発熱量が多く
なってきているので、ヒートシンク11の放熱効率の向
上が望まれている。
【0004】この要望に応えるためには、図4に示され
ているように従来から広く使用されている上記製法によ
るヒートシンク11に加えて、基盤22の一部又は全面
部に熱伝導性が高い銅版15を積層させることは電子デ
バイス61の熱をより多くヒートシンク11に伝達させ
るために有効である。この場合銅板15を積層させるの
に特に重要なことは、アルミニュウム/銅の積層界面に
おける熱抵抗を最小にするために適切な金属接合がなさ
れることにある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】アルミニュウムと銅と
を金属接合する一方法としてはSn−Zn系合金による
半田付けがある。しかし、アルミニュウムとの半田の濡
れがきわめて悪いため、解けた半田合金を摩擦によって
アルミニュウム表面に馴染ませた後、再び銅との間を半
田付けする煩雑な方法を探らなくてはならない。また、
半田接合界面は熱伝導性(67W/m.K)が悪いた
め、ヒートシンクにおける面接合法としては望ましいも
のではない。
【0006】アルミニュウムと銅とを金属接合する他の
方法としてZn−Al合金ろう材を使用することが考え
られる。Zn−Al合金ろうはアルミニュウム及び銅部
材の表面酸化膜を除去すれば高温で容易に合金化する。
特に、銅とZnが主成分であるZn−Alとの熱拡散反
応は速くCu‐Zn合金(黄銅又は真鍮に相当する)を
容易に形成する。ガストーチろう付け又は高周波ろう付
けなど短時間作業の場合には合金層形成を最小限に押さ
えることが可能であるが、ヒートシンクのような面接合
の場合には炉中で加熱しなければならないために厚い合
金層形成は避けられない。
【0007】ろう付けの観点からは相互の金属(銅/Z
n−Al合金ろう材)が濡れやすいことは望ましいこと
であるが、熱抵抗が問題になるヒートシンクに於いて
は、熱伝導性が悪化する合金層の形成は回避しなければ
ならない。
【0008】因みに、銅の熱伝導度は0.94cal/
cm・sec・℃であるのに対し、Cu−Al合金は
0.30cal/cm・sec・℃と1/3以下に悪
化してしまい、銅積層による性能向上の効果を著しく減
じることになる。
【0009】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、銅とアルミニュウムが強固に金属
接合され、その接合界面には熱抵抗となる有害な合金層
の形成を可能な限り抑えるろう付け方法を提供すること
を目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、請求項1記載の発明は、銅とアルミニュウムとを
Zn−Al系ろう材を使用してろう付けするろう付け方
法であって、銅の接合される表面に0.3〜10μmの
電気ニッケルメッキを施すことを特徴とするものであ
る。
【0011】このように構成すると、ろう材と銅とは直
接接触しないため、CuZn又はCuZnAlの合金層
の生成が抑えられる。
【0012】請求項2記載の発明は、請求項1記載の発
明の構成において、ろう材はZn成分が98〜70重量
%、Al成分が30〜2重量%とからなる二元系ろう材
であり、窒素又は水素ガスによる無酸化雰囲気の炉中に
おいて、温度390〜540℃で加熱されるものであ
る。
【0013】このように構成すると、ろう付け時のアル
ミニュウム材のエロ−ジョン現象が防止される。
【0014】請求項3記載の発明は、請求項2記載の発
明の構成において、Zn−Al系ろう材の表面にCsF
系フラックスを塗布するものである。
【0015】このように構成すると、無公害のろう付け
が可能となると共にろう付け後の洗浄が不要となり、さ
らに炉、治具への損傷がない。
【0016】請求項4記載の発明は、請求項2記載の発
明の構成において、銅及びアルミニュウムの各々の接合
面において、CsF系フラックスを塗布するものであ
る.このように構成すると、無公害のろう付けが可能と
なると共にろう付け後の洗浄が不要となり、さらに炉、
治具への損傷はない。
【0017】請求項5記載の発明は、請求項2記載の発
明の構成において、少なくともろう付け昇温時に、ろう
付け接合面に20〜120g/cmの荷重を付加する
ものである。
【0018】このように構成すると、ろう付け時におい
て接合界面に存在する空気層や異物が排出される。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1記載の発
明は、CuZn又はCuZnAlの合金層の生成が抑え
られるので、銅とアルミニュウムとの接合界面における
熱抵抗の増大が防止される。そのため、このろう付け方
法をヒートシンクの製造に適用した場合、銅の良好な熱
伝導性を低下させることなく効率的な放熱効率が維持さ
れることになる。
【0020】請求項2記載の発明は、請求項1記載の発
明の効果に加えて、アルミニュウムのエロージョン現象
が防止されるので、均一な接合が可能となり、ろう付け
の品質を向上する。
【0021】請求項3記載の発明は、請求項2記載の発
明の効果に加えて、安定したろう付けが可能となると共
に効率的なろう付けとなる。
【0022】請求項4記載の発明は、請求項2記載の発
明の効果に加えて、安定したろう付けが可能となると共
に効率的なろう付けとなる。
【0023】請求項5記載の発明は、請求項2記載の発
明の効果に加えて、ろう付け時において接合界面に存在
する空気層や異物が排出されるので、安定したろう付け
が可能になり、ろう付けの品質を向上する。
【0024】
【発明の実施の形態】(1)ろう材 Zn−Al合金の組成は、70〜98重量%のZn、3
0〜2重量%のAl、及び実質的に不可避的不純物を含
有する。このZn−Al合金の溶融点は380〜540
℃である。Znの含有量が70重量%未満であるとろう
材の溶融点が高すぎ、またZnの含有量が98重量%を
越えると、ろう付け時にアルミニュウム部材のエロージ
ョン現象が発生して均一な接合が出来ない。好ましく
は、Znの含有量が75〜85重量%で、Alの含有量
が25〜15%が良い。
【0025】ろう材の形状は、ヒートシンクでは銅部材
とアルミニュウム部材との接合部は平坦であるので薄板
状にして使用するのが好ましい。
【0026】(2)フラックス 低温ろう付け用フラックスとして、塩化物素系及びフッ
化物系があるが、塩化物系は有害ガスの発生とそのガス
による炉及び治具への損傷が発生するだけでなく、ろう
付け後に洗浄する必要がある等の問題がある。
【0027】これに対して、CsF系の非腐食性フラッ
クスは無公害のろう付けが出来るだけでなく、ろう付け
後の洗浄が不必要で且つ炉及び治具への損傷がない。
【0028】フラックスはCsxAlyOxで表され、
その化学組成は、CsFが59〜63モル%、AlF
が29〜32モル%、Alが6〜10モル%であ
る。フラックスの溶融点はモル比に応じて約420〜4
70℃まで変化する。第二のフラックスとしてCsF‐
AlFの二成分系でも良い。CsF/AlFの重量
比は40/60〜80/20の範囲であることが望まし
く、その重量比に応じてフラックスの溶融点は約420
〜470℃まで変化する。 (3)銅部材へのニッケルメッキ アルミニュウム部材と接合される銅部材の表面に薄層の
ニッケル電気メッキを施す。ニッケル層の役割は、溶融
したZn−Alろう材がCuと直接接触してCuZn又
はCuZnAlの合金層を形成しないよう拡散防止層と
して作用する。
【0029】銅表面のニッケルメッキとして簡単な無電
解ニッケルメッキが知られているが、メッキ膜を生成さ
せるために添加されるリンが膜中に存在するため、ろう
付けに対して悪影響を及ぼす。このため、純粋な金属ニ
ッケル層が形成される電気メッキでなくてはならない。
【0030】メッキ層の厚みは、0.3〜10μmであ
る。0.3μmよりも薄いと拡散防止としての役割が不
十分であり、10μmを超えても拡散防止層として効果
は変わることがない上経済的に不利になってしまうた
め、好ましくは1〜3μmがよい。
【0031】(4)ろう付け方法 上記ろう材及びフラックスを使用して銅部材とアルミニ
ュウム部材とをろう付けする場合、ろう材の両表面にフ
ラックスを塗布した後で両部材をセットする。または、
両部材の接合面にフラックスを塗布しても良い。両部材
の接合面が密着する様に治具で固定した状態で炉中に入
れ、全体を所定の温度に加熱する。
【0032】加熱は窒素又は水素ガスによる非酸化性雰
囲気が良く、且つ炉内圧力はプラス圧がよい。真空中で
は、加熱温度が約350℃からろう材のZnが蒸発をは
じめ、ろう材の組成が変化してしまうためろう付けが出
来ない。
【0033】非酸化性雰囲気の酸素濃度は100ppm
以下であることが望ましく、またその露点は−30℃以
下であるのが好ましい。ろう付け温度は一般に430〜
550℃程度であれば良く、460〜530℃程度が望
ましい。またろう付け時間は、ろう材が溶融して両部材
の接合面に濡れを引き起こすのに必要な時間で、対象物
の大きさ及び重量により異なるが、通常5〜20分程度
でよい。
【実施例】本発明を以下の実施例により具体的に記述す
るが、本発明はこれらの実施例の内容に限定されるもの
ではない。
【0034】図1はこの発明の第1の実施例によるヒー
トシンクの概略構造を示す斜視図である。
【0035】図1の(1)に示すように、外形寸法高さ
30mm×長さ45mmのアルミニュウム押型材製ヒー
トシンク11を作成し、また厚み1mm×長さ40mm
×幅40mmの表面に2μmの電気ニッケルメッキを施
した銅板15を作成した。一方、厚み0.1mm×長さ
40mm×幅40mmの薄板状のZn‐Al合金ろう材
(Zn:85重量%、Al:15重量%)13を準備
し、非腐食性フラックスとしてCsxAlyOx系フラ
ックス(CsF:63モル%,AlF:30モル%,
Al:7モル%)の水性スラリーを塗布した後乾
燥した。ろう材13をアルミニュウムのヒートシンク1
1及び銅板15の間に挟みこみ、全体を図示しないステ
ンレスの治具によってずれが生じないように固定して炉
に投入した。
【0036】図示しない加熱炉として、幅250mm、
高さ150mm及び長さ5000mmの有効寸法を有す
る連続式電気炉を使用した。
【0037】炉内を走行するコンベアの速度は300m
m/分であり、窒素ガスの供給量は4m/分であっ
た。加熱ゾーンの温度は520℃に設定し、サンプルは
15分で加熱ゾーンを通過し、次いで冷却ゾーンを通過
した。これにより、ろう材13は溶融・固化し、アルミ
ニュウムのヒートシンク11とメッキ処理された銅板1
5とは図1の(2)に示すように強固にろう付けされ
た。
【0038】次いで、試料のろう付け接合部における合
金層の生成を観察するため、中央部を切断して湿式羽毛
にて研磨後、100倍の倍率で金属顕微鏡にて調査を行
った。その結果、接合界面には合金層の生成は認められ
なかった。
【0039】一方、比較のために、前記試料と同時に、
同一の寸法を持ちニッケルメッキが施されていない銅板
を使用した試料を同条件でろう付けを行なった。その結
果金属的な接合は充分になされていたが、銅板の端面で
ろう材の近傍にある部分は黄銅色に変色していた。次い
で、ろう付け接合部における合金層の生成を観察するた
め、中央部を切断して湿式羽毛にて研磨後、100倍の
倍率で金属顕微鏡にて調査を行った。その結果、接合界
面には50〜200μmの合金層が観察された。
【0040】図2はこの発明の第2の実施例によるヒー
トシンクの概略構造を示す斜視図である。
【0041】図2の(1)に示すように、厚さ0.3m
m及び幅45mmのアルミニュウムシートを屈曲加工
し、高さ30mmのアルミニュウムフィン31を作成し
た。また厚さ5mm×長さ45mm×幅45mmの銅板
35を準備し、その表面に2μmの電気ニッケルメッキ
を施した。
【0042】一方、厚み0.1mm×長さ40mm×幅
40mmの薄板状のZn‐Al合金ろう材(Zn:85
重量%,Al:15重量%)33を準備し、非腐食性フ
ラックスとしてCxAlyOx系フラックス(CsF:
63モル%、AlF;30モル%、Al:7モ
ル%)の水性スラリーを塗布した後乾燥した。ろう材3
3をアルミニュウムフィン31及び銅板35の間に挟み
込み、全体を図示しないステンレスの治具によってずれ
が生じないように固定して炉に投入した。
【0043】図示しない加熱炉として、幅250mm、
高さ150mm及び長さ5000mmの有効寸法を有す
る連続式電気炉を使用した。
【0044】炉内を走行するコンベアの速度は300m
m/分であり、窒素ガスの供給量は4m/分であっ
た。加熱ゾーンの温度は520℃に設定し、サンプルは
15分で加熱ゾーンを通過し、次いで冷却ゾーンを通過
した。これにより、ろう材33は溶融・固化し、アルミ
ニュウムフィン31とメッキ処理された銅板35とは、
図2の(2)に示すように強固にろう付けされてヒート
シンク37が製造された。
【0045】次いで、試料のろう付け接合部における合
金層の生成を観察するため、中央部を切断して湿式羽毛
にて研磨後、100倍の倍率で金属顕微鏡にて調査を行
った。その結果、接合界面には合金層の生成は認められ
なかった。
【0046】一方比較のために、前記試料と同時に、同
一の寸法を持ちニッケルメッキが施されていない銅板を
使用した試料を同条件でろう付けを行った。その結果金
属的な接合は充分になされていたが、銅板の端面でろう
材の近傍にある部分は黄銅色に変色していた。次いで、
ろう付け接合部における合金層の生成を観察するため、
中央部を切断して湿式羽毛にて研磨後、100倍の倍率
で金属顕微鏡にて調査を行った。その結果、接合界面に
は50〜200μmの合金層が観察された。
【0047】尚、上記の各実施例では、ろう材を被ろう
付対象となるアルミニュウム材料と銅版との間に挟みこ
み、これをステンレスの治具によって固定しているが、
好ましくはこれらの接合部分を少なくともろう付け昇温
時に一定の荷重を付加するようにすれば、よりろう付け
の品質が向上する。この荷重の付加は、接合界面に存在
する空気層や欠陥の原因となる異物を排除する効果を奏
する。具体的には付加する荷重が20g/cm未満で
は荷重の効果が十分に発揮されず、荷重が120g/c
を超えてはろう材層が過度に排出されて効果的なろ
う付けがなされない。すなわち、付加する荷重は20〜
120g/cmとすることが効果的である。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施例によるヒートシンクの
概略構造を示す斜視図である。
【図2】この発明の第2の実施例によるヒートシンクの
概略構造を示す斜視図でる。
【図3】一般のヒートシンクの使用状態を示した概略斜
視図である。
【図4】図3のヒートシンクに銅板を積層した状態を示
す分解斜視図である。
【符号の説明】
11…ヒートシンク 13,33…ろう材 15,35…銅板 22…基盤 31…アルミニュウムフィン 尚、各図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) B23K 35/363 B23K 35/363 K B23K 101:14 101:14 103:18 103:18

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 銅とアルミニュウムとをZn−Al系ろ
    う材を使用してろう付けするろう付け方法であって、 前記銅の接合される表面に0.3〜10μmの電気ニッ
    ケルメッキを施すことを特徴とする、ろう付け方法。
  2. 【請求項2】 前記ろう材は、Zn成分が98〜70重
    量%、Al成分が30〜2重量%からなる2元系ろう材
    であり、窒素または水素ガスによる無酸化雰囲気の炉中
    において、温度390〜540℃で加熱される、請求項
    1記載のろう付け方法。
  3. 【請求項3】 前記Zn−Al系ろう材の表面にCsF
    系フラックスを塗布する、請求項2記載のろう付け方
    法。
  4. 【請求項4】 前記銅及び前記アルミニュウムの各々の
    接合面に、CsF系フラックスを塗布する、請求項2記
    載のろう付け方法。
  5. 【請求項5】 少なくともろう付け昇温時に、ろう付け
    接合面に20〜120g/cmの荷重を付加する、請
    求項2記載のろう付け方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007083271A (ja) * 2005-09-21 2007-04-05 Nippon Light Metal Co Ltd アルミニウム合金鋳物のろう付け方法及びろう付けされた液冷部品
EP2236241A1 (en) * 2009-04-01 2010-10-06 Solvay Fluor GmbH Process for brazing of aluminium parts and copper parts
CN101596632B (zh) * 2009-07-03 2011-11-16 西安交通大学 一种空气气氛中铝材和铜材的钎焊方法
CN102350554A (zh) * 2011-09-13 2012-02-15 中国电子科技集团公司第四十三研究所 陶瓷与可伐合金的密封钎焊方法
JP2013063485A (ja) * 2011-09-16 2013-04-11 Allied Material Corp 回転切削工具およびその製造方法
JP2014097514A (ja) * 2012-11-13 2014-05-29 Harima Chemicals Inc Al−Cuろう付け用ペーストおよびAl−Cuろう付け方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007083271A (ja) * 2005-09-21 2007-04-05 Nippon Light Metal Co Ltd アルミニウム合金鋳物のろう付け方法及びろう付けされた液冷部品
JP4635796B2 (ja) * 2005-09-21 2011-02-23 日本軽金属株式会社 アルミニウム合金鋳物のろう付け方法及びろう付けされた液冷部品
EP2236241A1 (en) * 2009-04-01 2010-10-06 Solvay Fluor GmbH Process for brazing of aluminium parts and copper parts
CN101596632B (zh) * 2009-07-03 2011-11-16 西安交通大学 一种空气气氛中铝材和铜材的钎焊方法
CN102350554A (zh) * 2011-09-13 2012-02-15 中国电子科技集团公司第四十三研究所 陶瓷与可伐合金的密封钎焊方法
JP2013063485A (ja) * 2011-09-16 2013-04-11 Allied Material Corp 回転切削工具およびその製造方法
JP2014097514A (ja) * 2012-11-13 2014-05-29 Harima Chemicals Inc Al−Cuろう付け用ペーストおよびAl−Cuろう付け方法

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