JP2005091311A - 格子定数の測定方法 - Google Patents
格子定数の測定方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005091311A JP2005091311A JP2003328825A JP2003328825A JP2005091311A JP 2005091311 A JP2005091311 A JP 2005091311A JP 2003328825 A JP2003328825 A JP 2003328825A JP 2003328825 A JP2003328825 A JP 2003328825A JP 2005091311 A JP2005091311 A JP 2005091311A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- target region
- measurement target
- growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
【課題】 半導体基板からの回折X線の強度のピークとクラッド層からの回折X線の強度のピークとを、正しくかつ容易に識別することができ、半導体基板の格子定数とクラッド層の格子定数とを取り違えない格子定数の測定方法を提供することである。
【解決手段】 多層構造半導体21に設定される測定対象領域41に対して成長層側からエッチングが行われ、測定対象領域41内で、キャップ層34、中間層33およびp型第2クラッド層32の各一部が除去される。このように測定対象領域内41で、前記成長層32〜34の各一部が除去された後、X線回折法によって、前記測定対象領域41内の半導体基板23および成長層24〜31の格子定数が求められる。
【選択図】 図1
Description
Disc、略称MD)などの光ディスクの光ピックアップ用光源として、化合物半導体デバイスを用いた半導体レーザ装置が使われ、その半導体レーザ装置の需要は益々拡大している。また電気的および光学的な特性のばらつきが少なく、信頼性に優れた半導体レーザ装置が要求されている。
Multi Quantum Well、略称MQW)構造などが用いられるようになっている。前記分離閉じ込めヘテロ構造では、キャリア閉じ込め領域と光閉じ込め領域とが分離されている。前記多重量子井戸構造では、バンドギャップの小さい井戸層とバンドギャップの大きい障壁層とが交互に積層されて、活性層が構成されている。
多層構造半導体の前記測定対象領域に対して成長層の表面側からエッチングを行い、前記測定対象領域内でクラッド層の一部を除去した後、その一部が除去された測定対象領域内の半導体基板および成長層の格子定数を、X線回折法によって求めることを特徴とする格子定数の測定方法である。
多層構造半導体の所定の測定対象領域内で、前記複数の半導体層のうちのいずれかの半導体層の一部を除去した後、その一部が除去された測定対象領域にX線を照射して回折強度を測定し、この回折強度から各半導体層を識別することを特徴とするX線を用いた半導体多層構造の識別方法である。
22 半導体レーザ素子
23 半導体基板
24 第1バッファ層
25 第2バッファ層
26 n型クラッド層
27 第1光ガイド層
28 量子井戸活性層
29 第2光ガイド層
30 p型第1クラッド層
31 エッチングストップ層
32 p型第2クラッド層
33 中間層
34 キャップ層
41 測定対象領域
Claims (6)
- 半導体基板の一方面上に、複数の成長層が積層され、これらの成長層は、少なくとも活性層およびクラッド層を含む多層構造半導体の所定の測定対象領域に対して、X線を照射して格子定数を求めるX線回折法による格子定数の測定方法において、
多層構造半導体の前記測定対象領域に対して成長層の表面側からエッチングを行い、前記測定対象領域内でクラッド層の一部を除去した後、その一部が除去された測定対象領域内の半導体基板および成長層の格子定数を、X線回折法によって求めることを特徴とする格子定数の測定方法。 - 前記クラッド層の一部は、前記活性層に関して前記半導体基板とは反対側に存在するクラッド層の前記測定対象領域内での一部であることを特徴とする請求項1記載の格子定数の測定方法。
- 前記活性層に関して前記半導体基板とは反対側に、2つのクラッド層が存在し、これらのクラッド層の間には、クラッド層とは異なる成分のエッチングストップ層が介在される場合、前記測定対象領域内で、成長層の表面側から前記エッチングストップ層まで成長層を除去することによって、前記クラッド層の一部を除去することを特徴とする請求項2記載の格子定数の測定方法。
- 前記測定対象領域内で、部分的に、成長層の表面側から前記半導体基板まで成長層を除去することによって、前記クラッド層の一部を除去することを特徴とする請求項1記載の格子定数の測定方法。
- 前記測定対象領域は、前記X線のスポットと同程度の大きさの領域であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の格子定数の測定方法。
- 複数の半導体層を含む多層構造半導体の光学的特性の測定に用いられるX線を用いた半導体多層構造の識別方法において、
多層構造半導体の所定の測定対象領域内で、前記複数の半導体層のうちのいずれかの半導体層の一部を除去した後、その一部が除去された測定対象領域にX線を照射して回折強度を測定し、この回折強度から各半導体層を識別することを特徴とするX線を用いた半導体多層構造の識別方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003328825A JP4133709B2 (ja) | 2003-09-19 | 2003-09-19 | 格子定数の測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003328825A JP4133709B2 (ja) | 2003-09-19 | 2003-09-19 | 格子定数の測定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005091311A true JP2005091311A (ja) | 2005-04-07 |
JP4133709B2 JP4133709B2 (ja) | 2008-08-13 |
Family
ID=34458281
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003328825A Expired - Fee Related JP4133709B2 (ja) | 2003-09-19 | 2003-09-19 | 格子定数の測定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4133709B2 (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6484684A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-29 | Toshiba Corp | Semiconductor laser and the preparation thereof |
JPH0613446A (ja) * | 1992-06-24 | 1994-01-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法,半導体装置の断面形状評価装置及び評価方法 |
JPH09311111A (ja) * | 1996-05-23 | 1997-12-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶薄膜の評価方法 |
JPH10317143A (ja) * | 1997-05-15 | 1998-12-02 | Japan Aviation Electron Ind Ltd | Cvd成膜装置、cvd成膜装置を用いたx線ロッキングカーブ測定方法 |
JP2000188285A (ja) * | 1998-10-13 | 2000-07-04 | Sony Corp | エッチング方法および結晶性評価方法並びに半導体装置の製造方法 |
JP2000195916A (ja) * | 1998-12-24 | 2000-07-14 | Toshiba Electronic Engineering Corp | エピタキシャルウェーハ及びその評価方法 |
JP2003121391A (ja) * | 2001-10-16 | 2003-04-23 | Nikko Materials Co Ltd | 半導体単結晶の構造解析方法 |
-
2003
- 2003-09-19 JP JP2003328825A patent/JP4133709B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6484684A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-29 | Toshiba Corp | Semiconductor laser and the preparation thereof |
JPH0613446A (ja) * | 1992-06-24 | 1994-01-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法,半導体装置の断面形状評価装置及び評価方法 |
JPH09311111A (ja) * | 1996-05-23 | 1997-12-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶薄膜の評価方法 |
JPH10317143A (ja) * | 1997-05-15 | 1998-12-02 | Japan Aviation Electron Ind Ltd | Cvd成膜装置、cvd成膜装置を用いたx線ロッキングカーブ測定方法 |
JP2000188285A (ja) * | 1998-10-13 | 2000-07-04 | Sony Corp | エッチング方法および結晶性評価方法並びに半導体装置の製造方法 |
JP2000195916A (ja) * | 1998-12-24 | 2000-07-14 | Toshiba Electronic Engineering Corp | エピタキシャルウェーハ及びその評価方法 |
JP2003121391A (ja) * | 2001-10-16 | 2003-04-23 | Nikko Materials Co Ltd | 半導体単結晶の構造解析方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4133709B2 (ja) | 2008-08-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4671793B2 (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
US8085827B2 (en) | Vertical cavity surface emitting laser and method of manufacturing the same | |
JP4038046B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
JP2007294732A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
JP2011096787A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2009111088A (ja) | 光半導体デバイスの作製方法 | |
US20120114004A1 (en) | Nitride semiconductor laser device and method of manufacturing the same | |
JP4133709B2 (ja) | 格子定数の測定方法 | |
US20030194823A1 (en) | Semiconductor laser device fabricating method | |
US20060222026A1 (en) | Semiconductor laser device and manufacturing method therefor | |
US6819697B2 (en) | Moisture passivated planar index-guided VCSEL | |
US6967119B2 (en) | Semiconductor laser device and method of fabricating the same | |
JP2005347478A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP2007194390A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
JP3709077B2 (ja) | 半導体レーザ装置およびその製造方法、並びに、ピックアップ装置 | |
JP2006269988A (ja) | 半導体レーザ | |
JP4062648B2 (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
US7034341B2 (en) | Semiconductor laser device having a multi-layer buffer layer | |
US20060093004A1 (en) | Semiconductor laser device and method for manufacturing the same | |
US20020141468A1 (en) | Semiconductor laser device, method of fabricating the same and optical information reproduction apparatus | |
KR101145965B1 (ko) | 반도체 발광 장치 및 그 제조 방법 | |
JP3888927B2 (ja) | 化合物半導体デバイス製造方法 | |
JP3795332B2 (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
JP2008270434A (ja) | 不純物拡散方法、ならびにモノリシック型半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
US20050053108A1 (en) | Semiconductor laser device and method for manufacturing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050810 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070810 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070828 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071024 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071204 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080129 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080513 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080602 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110606 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |