JP2005078431A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】テストモードにおいて、メモリ11から読み出されたデータを構成する少なくとも1ビットについて擬似エラー発生回路14により擬似エラーを発生させ、この擬似エラーをECC回路12へ供給してこのECC回路12を活性化し、メモリ11から読み出されたデータのビットエラーを訂正し、この訂正データをBIST回路13に送ってテストするように構成される。
【選択図】 図1
Description
まず、図1を参照して第1の実施形態を説明する。図1において、メモリアレイ11は例えばSRAMで構成され、データを構成する所定数のデータビットと、エラー訂正コードの所定数のエラービットとの合計数のビットを1ワードユニットとして各アドレス位置に記憶する。メモリアレイ11の各アドレス位置を指定するための行、列方向のアドレスデコーダなどがメモリアレイ11に付属して設けられるが、ここでは説明の簡単化のためにこれらは省略されている。また、メモリアレイ11にはデータの入出力のための入力ポートIn1および出力ポートOut1とが設けられ、さらにクロックCLKを受けるクロック入力ポートC11が設けられている。
Feedback Shift Register:LFSR)であり、8個の直列接続されたシフトレジスタSR1〜SR8と、シフトレジスタSR1、SR2の間、SR5、SR6の間、SR6、SR7の間に夫々挿入されたEXOR回路EX1、EX2、EX3とにより構成される。各シフトレジスタSR1〜SR8からの出力S0〜S7は夫々次段の回路に供給されるとともに、8ビットの出力(n=8)として図1のデコーダ14Bに供給される。更に、最終段のシフトレジスタSR8の出力S7は、帰還回路FLを介してEXOR回路EX3、EX2、EX1に供給されるとともに、最初の段のシフトレジスタSR1の入力端子に帰還される。
図3はこの考えに基づいて構成されたこの発明の他の実施形態の構成を示すブロック図である。図3において、図1と対応する部分は同一または類似の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。
図4に示す実施形態はこのような考えに基づいて構成されており、ECC回路12Bとして、SEC−DED(Single Error Correction-Double Error Detection)型コードを用いた回路を使用する。このSEC−DEDコードは、1ビット誤り訂正、2ビット誤り検出が可能なコードである。
図5はこの考えに基づいて構成されたこの発明の他の実施形態の構成を示すブロック図である。図5において、図4と対応する部分は同一または類似の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。
図6において、この擬似エラー発生回路14Aは、8個の直列接続されたシフトレジスタSR1〜SR8と、各シフトレジスタSR1〜SR8の出力ビットが一方の入力端子に供給され、メモリアレイ11の8ビットのビット出力が他方の入力端子にそれぞれ個々に供給され、出力端子からの出力Out<0>〜Out<7>がECC回路12に夫々供給されるように接続された8個のEXOR回路EX1〜EX8とにより構成される。
以上に説明した第1乃至第5の実施形態ではいずれも任意のデータビットに対して擬似エラーが発生するように構成したが、擬似エラーが発生するビットを固定するようにしても同様の効果が得られる。
第1乃至第6の実施形態ではいずれも、メモリアレイからECC回路へのビットパス上に設けたEXORを用いて擬似ソフトエラーを発生させている。このようにビットパス上のEXORはテスト回路としての動作速度低下の原因となることがある。
Claims (13)
- データを記憶するメモリと、
このメモリから読み出されたデータのビットエラーを訂正して訂正データを生成するECC回路と、
このECC回路から出力された訂正データを試験するBIST回路と、
テストモードにおいて、前記メモリから読み出されたデータを構成する少なくとも1ビットについて擬似エラーを発生させてECC回路へ供給する擬似エラー発生回路と、
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記擬似エラー発生回路は、テストモード時には前記メモリから読み出されたビットデータを反転する反転手段を有することを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記反転手段は、前記メモリのデータ出力端子と前記ECC回路のデータ入力端子との間に設けられている、請求項2に記載の半導体装置。
- 前記反転手段はEXOR回路を含むことを特徴とする、請求項2に記載の半導体装置。
- 前記擬似エラー発生回路は、乱数発生回路と、この乱数発生回路から発生された乱数データをデコードするデコーダと、このデコーダ出力とテスト信号とを受ける論理回路と、テストモード時にはこの論理回路の出力により前記メモリから読み出されたビットデータを反転する反転手段とを含むことを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記乱数発生回路は、複数の直列接続された線形帰還シフトレジスタ回路と、このシフトレジスタ回路の所定の位置に最終段出力を帰還させる帰還回路と、この帰還された最終段出力と前段のシフトレジスタ出力とが入力される少なくとも1個のEXOR回路とを含むことを特徴とする、請求項5に記載の半導体装置。
- 前記反転手段はEXOR回路を含むことを特徴とする、請求項5に記載の半導体装置。
- 前記乱数発生回路は、前記デコーダへと出力するビット数よりも少なくとも1ビット以上多いレジスタを直列接続した線形帰還シフトレジスタ回路であることを特徴とする、請求項5に記載の半導体装置。
- 前記データ反転手段はシフトレジスタを含んで構成された複数のデータパスを有し、シフトレジスタ出力により選択されたデータパスを通るビットデータのみ反転させることを特徴とする、請求項2に記載の半導体装置。
- 前記ECC回路は1ビット誤り訂正機能と、2ビット誤り検出機能を持ち、前記BIST回路はECC回路による2ビット誤り検出時にもパス(Pass)出力を生成する構成を有することを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記EXOR回路は前記メモリの特定のビット出力端子とECC回路の特定の入力端子間に固定的に接続されていることを特徴とする、請求項2に記載の半導体装置。
- データビットおよびECCコードビットを記憶するメモリと、
このメモリから読み出されたデータビットおよびコードビットのビットエラーを訂正して訂正データを生成するECC回路と、
このECC回路から出力された訂正データを試験するBIST回路と、
テストモードにおいて、前記ECC回路を非動作状態に設定する手段と、
この非動作状態に設定されたECC回路を介してメモリにデータビット及びコードビットを書き込む書き込み手段と、
この書き込み手段により書き込まれたデータビットおよびコードビットを前記メモリから読み出してECC回路へ供給する手段と、
を具備することを特徴とする半導体装置。 - ECC回路の動作状態においてデータビットおよびECCコードビットをメモリに記憶し、
テストモードにおいて、前記ECC回路が非動作状態に設定された状態で、データビットおよびECCコードビットをメモリに上書きし、
このメモリからデータビットおよびコードビットを読み出してECC回路に供給し、
このECC回路から出力された訂正データをBIST回路に供給する、
ことを特徴とする半導体装置のテスト方法。
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