JP2008176828A - エラー検出訂正回路のテスト回路およびテスト方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】メモリのECC回路のテストを少ない付加回路で行う。
【解決手段】初期データと初期データに基づいてパリティビット生成回路300で生成されたパリティビットをデータメモリ200とパリティビットメモリ400に書込んだ後、初期データと1ビット値の異なるデータをデータメモリ200のみに書き込むように制御して、メモリ読出し時に初期データに基づくパリティビットを用いてエラー検出訂正回路500でエラー訂正させて、エラー訂正された読出しデータと初期データとを比較することでECC回路のテストを行う。
【選択図】図1
【解決手段】初期データと初期データに基づいてパリティビット生成回路300で生成されたパリティビットをデータメモリ200とパリティビットメモリ400に書込んだ後、初期データと1ビット値の異なるデータをデータメモリ200のみに書き込むように制御して、メモリ読出し時に初期データに基づくパリティビットを用いてエラー検出訂正回路500でエラー訂正させて、エラー訂正された読出しデータと初期データとを比較することでECC回路のテストを行う。
【選択図】図1
Description
本発明は、エラー検出訂正回路のテスト回路およびテスト方法に関する。
情報処理システムの信頼性向上のため、情報処理システムで使用するメモリ装置にエラー検出/訂正回路(Error Check and Correct回路。以下ECC回路と略す。)を備えるものが使用されている。ECC回路は、メモリ装置に書き込んだデータにノイズやソフト・エラーなどでデータ誤りが発生した時、読み出し時に誤りを検出し、その誤りが訂正可能であれば訂正して、メモリ装置から読み出されるデータの信頼性を高めるものである。
ECC回路を除くメモリ装置のメモリ機能は、BIST回路などを用いてテストを行うことができるが、ECC回路は、その機能の正常性を試験する時は、ECC回路の機能により一般に誤りデータをメモリ装置に書込むことができないため、なんらかの試験用のメモリや回路が必要であった。その一例として、ECC回路の機能を検証するデータをメモリに記憶させる代わりに、メモリから読み出された正常データの1ビットを反転させた検証データを自動生成する回路を設け、その検証データをECC回路に入力して1ビットエラーの検出と1ビットのエラーが訂正されていることを確認することでECC回路の機能検証を行う技術が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
特開2000−242515号公報 (第3頁、図1)
しかしながら、特許文献1のように擬似エラーデータを生成する回路を設け、そのデータのエラーを検出させ、そのエラーを訂正させてECC機能を検査する方法では、テスト用のデータを記憶するメモリは不要であるものの、ECC機能で使用するコードが1ビット訂正2ビット検出(Single-bit Error Correct Double-bit Error Detect:SECDED)コード(64ビット+7ビット)のように生成対象のデータ長が大きくなる場合、付加する擬似エラーデータ生成回路の回路規模が大きくなるという問題があった。
本発明は、上記問題を解決するためになされたもので、ECC回路のテストを可能としながら、データ長が長くなっても少ない付加回路規模でECC機能を検査するテスト回路とテスト方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明のエラー検出訂正回路のテスト回路は、データを記憶するデータ用メモリと、前記データ用メモリに書き込まれるデータを常時受信してパリティビットデータを生成するパリティビット生成手段と、前記パリティビット生成手段で生成された前記パリティビットデータを記憶するパリティ用メモリと、前記データ用メモリから読み出された読出しデータと前記パリティ用メモリから読み出されたパリティビットデータとを受信して、前記読出しデータのエラー検出と訂正を行うエラー検出訂正手段と、前記パリティ用メモリへの前記パリティビットデータの書き込みを抑制する抑制手段と、第1データを前記データ用メモリに書き込むと同時に、前記パリティビット生成手段で生成された前記第1データのパリティビットデータを前記第1データの書き込みアドレスと対応するアドレスの前記パリティ用メモリに書き込み、前記抑制手段によって前記パリティ用メモリへの書き込みを抑制した状態で、前記第1データと1ビット値が異なる第2データを生成して、前記データ用メモリの前記第1データと同じアドレスに書き込み、前記データ用メモリと前記パリティ用メモリから同時に読み出した前記第2データおよび前記第1データのパリティビットデータとを前記エラー検出訂正回路に入力して前記第2データのエラー検出と訂正を行い、その訂正されたデータと前記第1データを比較して検査するテスト手段とを有することを特徴とする。
また、本発明のエラー検出訂正回路のテスト方法は、データ用メモリに検査データを書き込むと同時に、パリティビット生成手段によって生成された前記検査データのパリティビットデータをパリティ用メモリに書き込み、前記データ用メモリから前記検査データを読み出す時に同時に前記パリティ用メモリから前記パリティビットデータを読み出し、前記パリティビットデータを用いて前記検査データのエラー検出訂正を行うエラー検出訂正回路が付加されたメモリ装置の前記エラー検出訂正回路を検査する検査方法であって、第1データを前記データ用メモリに書き込むと同時に、前記パリティビット生成手段で生成された前記第1データのパリティビットデータを前記第1データの書き込みアドレスと対応するアドレスの前記パリティ用メモリに書き込み、抑制手段によって前記パリティ用メモリへの書き込みを抑制した状態で、前記第1データと1ビット値が異なる第2データを生成して、前記データ用メモリの前記第1データと同じアドレスに書き込み、前期データ用メモリと前記パリティ用メモリから同時に読み出した前記第2データおよび前記第1データのパリティビットデータとを前記エラー検出訂正回路に入力して前記第2データのエラー検出と訂正を行い、その訂正されたデータと前記第1データを比較して検査することを特徴とする。
本発明によれば、初期データと初期データに基づいてパリティビット生成回路で生成されたパリティビットデータをデータ用メモリとパリティ用メモリに書き込んだ後、パリティ用メモリの書き込みを抑止した状態で、初期データと1ビット値の異なるデータを同じアドレスのデータ用メモリに書き込むことで、メモリ読出し時に初期データに基づくパリティビットデータを用いてエラー検出訂正回路でエラー訂正させて、エラー訂正された読出しデータと初期データとを比較することでECC回路の検査を行うことができ、少ない付加回路でECC回路を検査することができる。
以下、本発明の実施例を説明する。
本発明の実施例1を、図1乃至図3を参照して説明する。
図1は、本発明の実施例に係るECC回路をテストするためのメモリ、プロセッサを内蔵するエラー検出訂正回路のテスト回路の構成を示すブロック図である。図2は、図1のメモリ書込み信号制御回路の構成を示すブロック図である。図3は、図1のエラー検出訂正回路のテスト回路を用いて検査する動作を示すフローチャートである。
図1に示す実施例に係るテスト回路1は、プログラムを実行するCPU100と、データを記憶するデータ用メモリ200と、パリティビット生成回路300と、パリティビットデータを記憶するパリティ用メモリ400と、エラー検出訂正回路500と、メモリ書込み信号制御回路600とから構成される。
データ用メモリ200は、CPU100が実行するプログラムのプログラムコードやデータを記憶し、CPU100とメモリアドレスバス(図示を省略)とデータバス110に接続される。このデータ用メモリ200に、メモリ書込み信号制御回路600からメモリ書込み信号610が入力されると、メモリアドレスバスで指定されるアドレスにデータバス110から入力されるデータが書き込まれる。また、図示を省略したメモリ読出し信号が入力されると、メモリアドレスバスで指定されるアドレスからデータを読み出して、読出しデータ210を出力する。データ用メモリ200からの読出しデータ210は、エラー検出訂正回路500に入力され、このエラー検出訂正回路500を介してデータバス110に出力される。
パリティビット生成回路300は、データバス110からのデータを受信し、受信したデータの1ビット誤り訂正・2ビット誤り検出コードとなるパリティビットデータを生成して、パリティビットデータ310としてパリティ用メモリ400に出力する。なお、パリティビット生成回路300で生成されるパリティビットデータは、ハミングコードに限定されず、エラー検出訂正が可能な付加コードであればよい。
パリティ用メモリ400は、データ用メモリ200に記憶されるデータに対応してパリティビット生成回路300で生成された誤り検出訂正符号であるパリティビットデータを記憶するため、CPU100とメモリアドレスバス(図示を省略)を介して接続されている。
また、パリティ用メモリ400は、メモリ書込み信号制御回路600からメモリ書込み信号620が入力されると、図示を省略したメモリアドレスバスで指定されるアドレスにパリティビットデータ310が書き込まれる。そして、図示を省略したメモリ読出し信号が入力されると、メモリアドレスバスで指定されるアドレスからパリティビットデータを読み出し、読出しパリティビットデータ410としてエラー検出訂正回路500に入力される。
エラー検出訂正回路500は、図示を省略したメモリ読出し信号が入力されると、データ用メモリ200とパリティ用メモリ400から読み出された読出しデータ210と読出しパリティビットデータ410を受信し、読出しパリティビットデータ410を用いて読出しデータ210の誤りを検出・訂正して、そのデータをデータバス110を介してCPU100に出力する。なお、エラー検出訂正回路500で誤りが検出されなければ、読み出しデータ210の復号化されたデータが出力される。
メモリ書込み信号制御回路600は、CPU100からのメモリ書込み信号150を受信し、データ用メモリ200にメモリ書込み信号610を、パリティ用メモリ400にメモリ書込み信号620を出力する。
図2は、メモリ書込み信号制御回路600の構成を示し、テスト制御レジスタ601と2入力のAND回路602から構成される。
メモリ書込み信号制御回路600では、CPU100から出力されるメモリ書込み信号150がデータ用メモリ200用のメモリ書込み信号610となって出力されるとともに、AND回路602の一方に入力される。AND回路602の他方にはテスト制御レジスタ601の信号が入力されている。そのAND回路602からパリティ用メモリ400用のメモリ書込み信号620が出力される。なお、テスト制御レジスタ601は、制御や入出力信号の図示を省略しているがCPU100から読み書き可能なレジスタであり、電源投入直後などの初期状態は論理「1」となって、「1」信号が出力される。
次に、図3を参照しながら、ECC回路のテスト動作の詳細を説明する。
この実施例の説明では、データ用メモリ200とパリティ用メモリ400のメモリ単体テストは、BIST(Built In Self-Test)などにより別途行われ、各メモリは正常に動作するものとする。そして、CPU100は、図示しないメモリよりテストプログラムを読み込み、テスト動作を行うものとする。更に、検査対象のECC回路はパリティビット生成回路300、エラー検出訂正回路500、およびそれぞれのメモリ200,400との接続回路などが含まれる。
まず、CPU100は、例えば64ビット長の第1レジスタに保持されている第1データR1[0000000000000000H(H:16進表示)]を、上述した動作にてデータ用メモリ200に書き込む(ステップS100)。
この時、書込みメモリアドレスは、検査対象のECC回路動作には影響しないので、データ用メモリ200のメモリ空間の任意のメモリアドレスであって良い。ここでは、例えばデータ用メモリ200に割り付けられているメモリアドレス1000H(H:16進表示)に第1データR1を書き込むとする。
よって、CPU100は、図示しないメモリアドレスバスにアドレス1000Hを出力し、データバス110に第1データR1を出力し、メモリ書込み信号150をアクティブ「1」とする。メモリ書込み信号制御回路600のテスト制御レジスタ601は、初期値「1」信号を出力しているため、メモリ書込み信号150に従ってメモリ書込み信号610とメモリ書込み信号620はアクティブ「1」になる。これにより、データ用メモリ200のアドレス1000Hには、第1データR1が書込まれる。また、第1データR1は、データバス110を介してパリティビット生成回路300に入力されて、7ビット長の第1パリティビットデータAが生成され、パリティ用メモリ400のアドレス1000Hには第1パリティビットデータAが書き込まれる。
次に、CPU100はテストモードとなって、テストフラグをONとし、64ビット長の第2レジスタに1をセットする(ステップS110)。
この時、テストモードとなったCPU100は、書き込み命令でテスト制御レジスタ601に「0」を設定する。
次に、CPU100は、第1データR1と第2データR2の排他的論理和演算を行って、第3レジスタにその結果(第3データR3)を書き込む(ステップS120)。
この時、第1データが[オール0]で、第2データが[1H]であるので、排他的論理和演算結果の[0000000000000001H]が第3レジスタに書き込まれる。即ち、故意に1ビットエラーとなるデータを生成したことになる。
次に、CPU100は、データ用メモリ200のアドレス1000Hに、第3レジスタに保持されている第3データR3[0000000000000001H]を書き込む(ステップS130)。
この時、CPU100は、図示しないメモリアドレスバスに1000Hを出力し、データバス110に第3データR3[0000000000000001H]を出力し、アクティブ「1」のメモリ書込み信号150を出力する。テスト制御レジスタ601からは、「0」信号が出力されているため、メモリ書込み信号150の変化に従ってメモリ書込み信号610はアクティブ「1」となるが、メモリ書込み信号620の出力は「0」である。このため、データ用メモリ200のアドレス1000Hには、第3データR3[0000000000000001H]が書込まれるが、パリティビット生成回路300によって生成される第3データR3に対応する7ビット長の第2パリティビットデータXは、パリティ用メモリ400のアドレス1000Hに書き込まれない。
次に、CPU100は、データ用メモリ200のアドレス1000Hから第3データR3を読み出す(ステップS140)。
この時、CPU100は、図示しないメモリアドレスバスに1000Hを出力するとともに、図示しないメモリ読出し信号をアクティブとする。これにより、データ用メモリ200は、メモリアドレス1000Hからの読出しデータ210として上記第3データR3を読み出しエラー検出訂正回路500に出力する。また、パリティ用メモリ400は、メモリアドレス1000Hからの読出しパリティビットデータ410としてステップS100で書き込んだ第1データR1の第1パリティビットデータAを読み出し、エラー検出訂正回路500に出力する。
エラー検出訂正回路500は、受信した読出しデータ210(即ち、第3データR3)を読出しパリティビットデータ410(即ち、第1パリティビットデータ)を用いてエラー検出・訂正動作を行う。読出しデータ210の第3データR3は、第1データR1と最下位ビットの1ビットが異なっている。このため、第1データR1の第1パリティビットデータAを用いることで、エラー検出訂正回路500は、読出しデータ210(第3データR3)を第1データR1に正しく訂正して、データバス110を介してCPU100に出力する。
次に、CPU100は、データバス110を介して受信したデータ(第1データR1)が第1レジスタの内容と等しいかを調べる(ステップS150)。そしてもし、両データが不一致であればテストフラグをOFFとして(ステップS200)、ECC回路の検査が「異常」であるとして終了する。なお、テストフラグをOFFとすると、CPU100はテストモードを解除するため書き込み命令でテスト制御レジスタ601に「1」を設定してテストを終了する。
ECC回路が正常動作している場合は、両データが一致する。一致した場合は、第2レジスタの値を左に1ビットシフトする(ステップS160)。
この時CPU100は、第2レジスタの値を左に1ビットシフトすると共に最下位ビットには「0」を挿入し、最上位ビットのデータを捨てる。その結果、第2レジスタの値は[2H]となり、論理「1」のビット位置が上位側にシフトして「10」のデータを生成する。
次に、第2レジスタの値が「0」であるか調べ(ステップS170)、この場合、「2H」であるのでステップS120に戻り、上記ステップS120乃至ステップS160の動作を行う。こうして、ECC回路が正常動作である場合は、論理「1」のビット位置を上位側にシフトした検査データを次々と生成し、その検査データを用いたECC回路の検査を継続する。テストステップを繰り返す毎に、ステップS120〜ステップS140における第2レジスタおよび第3レジスタおよび第3データR3の値は、2H、4H、8H、10H、・・・のように変化することになる。
そして、第2レジスタの値が「0」となった時は、CPU100はテストフラグをOFFとし(ステップS180)、ECC回路の検査が「正常」であったとして終了する。なお、テストフラグがOFFとされると、CPU100はテストモードを解除するため書き込み命令でテスト制御レジスタ601に「1」を設定する。
上述のように、初期データと、その初期データに基づいてパリティビット生成回路で生成されたパリティビットデータを、それぞれデータ用メモリとパリティ用メモリに書き込んだ後、初期データと1ビット値の異なるデータをデータ用メモリの同じ番地に書き込むように制御することで、同データをデータ用メモリから読み出す時に初期データに基づくパリティビットデータを用いてエラー検出訂正回路でエラー訂正させて、エラー訂正されたデータと初期データとを比較することで、ECC回路の検査を行うことができ、少ない付加回路でECC回路を検査するテスト回路を提供できる。
また、テスト回路はメモリのデータバス幅に依存しないので、キャッシュメモリなどのようにメモリのデータ長(ビット幅)が長くなっても、従来のような擬似エラーデータを生成回路のようにデータ長に比例して付加回路が増加することがなく、少ない付加回路でECC回路のテストを行うことができる。
また、テスト回路によるメモリの書き込みおよび読み出しのデータバス上に追加回路がないため、読み出しおよび書き込み時のデータ伝送に新たな遅延がなく、メモリのアクセス速度の低下を避けることができる。
本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々、変形して実施できることは勿論である。
例えば、初期データのデータ1として[0H]を用いて説明したが、データ1は任意のデータパターンを用いて良く、初期データパターンを変化させるテストステップを組み合わせることで、検査精度の向上を容易に図ることができる。
また、上述の実施例ではデータの1ビットエラーを訂正させてECC回路の検査を行わせていて、第2レジスタに「1」を初期値として設定しているが、任意の2ビットに”1”を設定してよく、この時はエラー検出訂正回路500の図示しないエラー検出信号をCPU100のステータス信号入力に接続してプログラムでエラー検出信号を検査するように設計すれば、ECC回路の2ビットエラーの検出を検査することができる。なお、この時は、第2レジスタの左シフト動作はローテート(循環)させるようにして、レジスタ長の回数だけシフト動作を行ったかをカウンタなどを用いて調べて、テスト動作を終了させるように制御する手順でテストを行う。
また更に、メモリ書込み信号制御回路600においてテスト制御レジスタ601ではなく、チップ外部からの信号を入力するようにしてメモリ書込み信号を制御するようにしてもよく、テスト専用の回路を削減することができる。
また更に、データバス110やメモリアドレスバスやメモリの読み書き信号をチップ外部と直接入出力できるインターフェースを設けて、外部のメモリテスターでECC回路の検査をするようにしても良く、通常使用しないテストプログラムを記憶するメモリをチップ内に設ける必要がなくチップサイズを削減することができる。
また更に、上述のテストプログラムでECC機能付きメモリに対して入出力制御対象であったデータバス110やメモリアドレスバスやメモリの読み書き信号などを、チップのI/Oポートと入出力するプログラムをCPUに実行させて、I/Oポートを介して外部のテスターで上述のテストプログラムと同等のECC回路の検査を行わせるようにしてもよく、この場合は、チップ内の信号線に新たなインターフェース回路が追加されないため配線容量などの増加による動作速度の低下を避けることができる。
1 テスト回路
100 CPU
110 データバス
150 書込み信号
200 データ用メモリ
210 読出しデータ
300 パリティビット生成回路
310 パリティビットデータ
400 パリティビット用メモリ
410 読出しパリティビットデータ
500 エラー検出訂正回路
600 メモリ書込み信号制御回路
610、620 メモリ書込み信号
100 CPU
110 データバス
150 書込み信号
200 データ用メモリ
210 読出しデータ
300 パリティビット生成回路
310 パリティビットデータ
400 パリティビット用メモリ
410 読出しパリティビットデータ
500 エラー検出訂正回路
600 メモリ書込み信号制御回路
610、620 メモリ書込み信号
Claims (4)
- データを記憶するデータ用メモリと、
前記データ用メモリに書き込まれるデータを常時受信してパリティビットデータを生成するパリティビット生成手段と、
前記パリティビット生成手段で生成された前記パリティビットデータを記憶するパリティ用メモリと、
前記データ用メモリから読み出された読出しデータと前記パリティ用メモリから読み出されたパリティビットデータとを受信して、前記読出しデータのエラー検出と訂正を行うエラー検出訂正手段と、
前記パリティ用メモリへの前記パリティビットデータの書き込みを抑制する抑制手段と、
第1データを前記データ用メモリに書き込むと同時に、前記パリティビット生成手段で生成された前記第1データのパリティビットデータを前記第1データの書き込みアドレスと対応するアドレスの前記パリティ用メモリに書き込み、前記抑制手段によって前記パリティ用メモリへの書き込みを抑制した状態で、前記第1データと1ビット値が異なる第2データを生成して、前記データ用メモリの前記第1データと同じアドレスに書き込み、前記データ用メモリと前記パリティ用メモリから同時に読み出した前記第2データおよび前記第1データのパリティビットデータとを前記エラー検出訂正回路に入力して前記第2データのエラー検出と訂正を行い、その訂正されたデータと前記第1データを比較して検査するテスト手段と
を有することを特徴とするエラー検出訂正回路のテスト回路。 - 前記抑止手段は、前記テスト手段から前記エラー検出訂正回路のテストモードが指定された時に前記パリティ用メモリへの前記パリティビットデータの書き込みを抑制することを特徴とする請求項1に記載のエラー検出訂正回路のテスト回路。
- 前記テスト手段は、1ビット値が異なる第2データを少なくとも前記データ用メモリのビット幅分順次生成して前記検査を実行することを特徴とする請求項1に記載のエラー検出訂正回路のテスト回路。
- データ用メモリに検査データを書き込むと同時に、パリティビット生成手段によって生成された前記検査データのパリティビットデータをパリティ用メモリに書き込み、前記データ用メモリから前記検査データを読み出す時に同時に前記パリティ用メモリから前記パリティビットデータを読み出し、前記パリティビットデータを用いて前記検査データのエラー検出訂正を行うエラー検出訂正回路が付加されたメモリ装置の前記エラー検出訂正回路を検査する方法であって、
第1データを前記データ用メモリに書き込むと同時に、前記パリティビット生成手段で生成された前記第1データのパリティビットデータを前記第1データの書き込みアドレスと対応するアドレスの前記パリティ用メモリに書き込み、
抑制手段によって前記パリティ用メモリへの書き込みを抑制した状態で、前記第1データと1ビット値が異なる第2データを生成して、前記データ用メモリの前記第1データと同じアドレスに書き込み、
前記データ用メモリと前記パリティ用メモリから同時に読み出した前記第2データおよび前記第1データのパリティビットデータとを前記エラー検出訂正回路に入力して前記第2データのエラー検出と訂正を行い、
その訂正されたデータと前記第1データを比較して検査する
ことを特徴とするエラー検出訂正回路のテスト方法。
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