JP2005072264A - トランジスタの製造方法、トランジスタ、回路基板、電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体膜を含む異なる2以上の膜から構成され、該半導体膜の膜内及び/又は界面近傍に未結合手を有する積層膜の上層に、未結合手の終端化を促進する補助膜を形成した後、熱処理を行う工程を含むトランジスタの製造方法であって、前記熱処理以後の工程を、製造プロセス温度が350℃を越えない範囲で行うことを特徴とするトランジスタの製造方法により、課題を解決する。
【選択図】 図10
Description
[TFTアレイ基板の製造]
(半導体薄膜の形成)
図1(a)に示すように、基板11上に半導体膜13を形成する。
次に、図1(b)に示すように、堆積した半導体膜13の結晶化を行う。ここで、「結晶化」とは、非晶質の半導体膜に対して熱エネルギを与え、多結晶あるいは単結晶の半導体膜に変質させること、更には、微結晶膜や多結晶膜の半導体膜に対して熱エネルギを与えて、結晶膜の膜質の改善や溶融固化による再結晶化を行うことについても用いられる。本明細書では、非晶質の結晶化のみならず、多結晶質や微結晶質の結晶化をも含めて総て結晶化と称する。
次に、図1(c)に示すように、TFTの領域を画定する素子分離を行う。素子分離技術としてはLOCOS法、フィールドシールド法、STI法などを使用することもできるが、ここでは、TFT製造工程で一般的なフォトリソグラフィーおよびエッチングにより素子分離を行う方法について説明する。
次に、図1(d)に示すように、半導体膜13の形成後に、この上にTFTのゲート絶縁層として絶縁膜15を形成する。
図1(e)に示すように、酸化シリコン膜(ゲート絶縁膜)15の上にゲート配線17を形成する。
続いて、半導体膜15に不純物イオン注入を行ってソース・ドレイン領域を形成する。このとき、ゲート電極17がイオン注入のマスクとなっているので、チャンネルはゲート電極下のみに形成される自己整合構造となる。不純物イオン注入は質量非分離型イオン注入装置を用いて注入不純物元素の水素化物と水素を注入するイオン・ドーピング法と、質量分離型イオン注入装置を用いて所望の不純物元索のみを注入するイオン打ち込み法の二種類が適応され得る。イオン・ドーピング法の原料ガスとしては水素中に希釈された濃度0.1%程度から10%程度のホスフィン(PH3)やジボラン(B2H6)等の注入不純物元素の水素化物を用いる。ゲート絶緑膜を安定に保つ為には、イオン・ドーピング法及びイオン打ち込み法のいずれにおいても、イオン注入時の基板温度は350℃以下であることが好ましい。CMOSTFTを作成するときはポリイミド樹脂等の適当なマスク材を用いてNMOS又はPMOSの一方を交互にマスクで覆い、上述の方法にてそれぞれのイオン注入を行う。
次に、図2(f)に示すように、基板11上にCVD法などによって酸化シリコンを堆積し、層間絶縁膜18を形成する。
次に、図2(g)に示すように、ゲート絶縁膜15のソース/ドレイン領域に対応する領域にコンタクトホールを形成する。その後、コンタクトホールを設けたゲート絶縁膜15上に補助膜としての金属膜19を堆積する。金属膜19の材料としては、例えば、アルミニウムAl、マグネシウムMg、あるいはアルミニウムとマグネシウムとの合金、アルミニウムまたはマグネシウムを含む合金、またはアルミニウムまたはマグネシウムの窒化物または酸化物などが使用できる。この金属膜19によって、酸化シリコン膜中、又は酸化シリコン膜と半導体膜の界面準位を減少させることが可能となる。界面準位が減少する理由としては、上記金属膜19の触媒的な作用によって、生成した水素ラジカル、ヒドロキシラジカル、水素イオン、ヒドロキシアニオン等の種々の化学種により、膜中やの膜界面に存在するダングリングボンドを終端するためと考えられる。
次に、図2(h)に示すように、金属膜16をパターニングし、ソース/ドレイン電極及び配線16を形成する。
さらに、この上に、酸化シリコン、窒化シリコン、PSG等を堆積して保護膜20を形成し、保護膜20にスルーホールを形成した後、金属又はITO等をスパッタし、画素電極21を形成する。
[有機EL基板の製造]
一方で、図3に示すように、別途の工程で、有機ELが形成された有機EL基板を形成する。
図4に示すように、上記のようにして形成されたTFTアレイ基板と有機EL基板とを、TFTアレイ基板側の画素電極21と有機EL基板側の陰極層35が接触するように張り合わせ、有機EL表示装置を製造する。
まず、上述した実施形態に係るトランジスタを含む表示装置をモバイル型のパーソナルコンピュータ(情報処理装置)に適用した例について説明する。図5は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。同図において、パーソナルコンピュータ1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、上述した表示装置1106を備えた表示装置ユニットとから構成されている。
次に、上述した実施形態に係る表示装置を、携帯電話の表示部に適用した例について説明する。図6は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。同図において、携帯電話1200は、複数の操作ボタン1202の他、受話口1024、送話口1206と共に上述した表示装置1208を備えるものである。
〈ディジタルスチルカメラ〉
上述した実施形態に係る表示装置をファインダに用いたディジタルスチルカメラについて説明する。図7は、このディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図であるが、外部機器との接続についても簡易に示すものである。
図8は、本発明の電子機器の一例としての電子ブックの構成を示す斜視図である。同図において、符号1400は、電子ブックを示している。電子ブック1400は、ブック型のフレーム1402と、このフレーム1402に開閉可能なカバー1403とを有する。フレーム1402には、その表面に表示面を露出させた状態で表示装置1404が設けられ、更に、操作部1405が設けられている。フレーム1402の内部には、コントローラ、カウンタ、メモリなどが内蔵されている。表示装置1404は、本実施形態では、電子インクを薄膜素子に充填して形成した画素部と、この画素部と一体に備えられ且つ集積化された周辺回路とを備える。周辺回路には、デコーダ方式のスキャンドライバ及びデータドライバを備える。
(a)実施例1と同様に製造した試験基板を、400℃で30分熱処理した(Al堆積・熱処理工程)。
(b)Al層をエッチングにより剥離した後、スパッタ法によりタンタルを用いて、膜厚500nmのゲート配線膜を形成した。この時の基板ヒーター温度は200℃であった(ゲート配線膜形成工程)。
(c)シリコン膜に不純物イオン注入を行って、ソース・ドレイン領域及びチャンネル領域を形成した。このとき、原料ガスとしては、ホスフィン(PH3)を用いた(不純物注入工程)。
(d)層間絶縁膜として、平行平板型PECVDにより、TEOSガスおよび酸素ガスの混合ガスを用いて酸化シリコン膜を500nm堆積した。このときの膜形成温度は、300℃であった(層間絶縁膜堆積工程)。
(e)注入された不純物リンを活性化するために、窒素雰囲気下において300℃で4時間熱処理を行った(活性化熱処理工程)。
(f)水素雰囲気下で300℃で3時間熱処理を行った(水素ガス熱処理工程)。
(g)次に、金属膜として、アルミニウム(Al)をスパッタにより500nm程度堆積し、その後に熱処理を行った。熱処理時の温度は350℃で、60分間行った(Al堆積・熱処理工程)。
Claims (10)
- 半導体膜を含む異なる2以上の膜から構成され、該半導体膜の膜内及び/又は界面近傍に未結合手を有する積層膜の上層に、未結合手の終端化を促進する補助膜を形成した後、熱処理を行う工程を含むトランジスタの製造方法であって、
前記熱処理以後の工程を、製造プロセス温度が350℃を越えない範囲で行うことを特徴とするトランジスタの製造方法。 - 未結合手の終端化を促進する補助膜が、金属膜又は半導体膜である、請求項1に記載のトランジスタの製造方法。
- 基板に半導体膜を形成する工程と、
前記半導体膜上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の上層に金属膜又は半導体膜からなる補助膜を形成する工程と、
前記補助膜を形成後に熱処理する工程と、
を含むトランジスタの製造方法であって、
前記熱処理以後の工程を、製造プロセス温度が350℃を越えない範囲で行うことを特徴とするトランジスタの製造方法。 - 前記熱処理を、300〜450℃の温度範囲で行う、請求項1又は請求項3に記載のトランジスタの製造方法。
- 前記金属膜又は前記半導体膜が、Al、Mg、Si、又はその合金からなる膜、或いは、これらのいずれかからなる膜を最下層に含む積層膜である、請求項2乃至4のいずれかに記載のトランジスタの製造方法。
- 前記トランジスタが、ソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極を少なくとも有し、前記金属膜又は前記半導体膜を形成する工程が、前記ソース電極及び/又は前記ドレイン電極を形成する工程である、請求項3乃至5のいずれかに記載のトランジスタの製造方法。
- 前記トランジスタが、ソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極を少なくとも有し、前記金属膜又は前記半導体膜を形成する工程が、前記ソース電極及び前記ドレイン電極より上層に配置される配線膜を形成する工程である、請求項3乃至6のいずれかに記載のトランジスタの製造方法。
- 請求項1乃至7のいずれかに記載の製造方法により製造されたトランジスタを備えた回路基板。
- 請求項1乃至7のいずれかに記載の製造方法により製造されたトランジスタを含む電気光学装置。
- 請求項1乃至7のいずれかに記載の製造方法により製造されたトランジスタを含む電子機器。
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