JPH10223533A - 半導体装置作製方法 - Google Patents

半導体装置作製方法

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JPH10223533A
JPH10223533A JP9044573A JP4457397A JPH10223533A JP H10223533 A JPH10223533 A JP H10223533A JP 9044573 A JP9044573 A JP 9044573A JP 4457397 A JP4457397 A JP 4457397A JP H10223533 A JPH10223533 A JP H10223533A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 結晶化を助長する触媒元素を用いて固相成長
により得た結晶性珪素膜から、触媒元素を除去する方法
を提供する。 【解決手段】 触媒元素を有する結晶性珪素膜に選択的
に燐を注入し、該注入部分の珪素膜を非晶質化せしめ
る。そして、熱アニール処理をおこない、珪素膜を加熱
すると、触媒元素はゲッタリング能力の大きい燐の注入
された非晶質の部分に移動する。かくして、珪素膜の触
媒元素濃度は低下し、これを用いて半導体デバイスを作
製する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は結晶性を有する珪素半導
体被膜、例えば、多結晶珪素膜、単結晶珪素膜、微結晶
珪素膜の作製方法に関する。本発明を用いて作製された
結晶性珪素膜は各種半導体デバイスに用いられる。
【０００２】
【従来の技術】薄膜半導体を用いた薄膜トランジスタ
（以下ＴＦＴ等）が知られている。これは、基板上に薄
膜半導体、特に珪素半導体膜を形成し、この薄膜半導体
を用いて構成されるものである。ＴＦＴは、各種集積回
路に利用されているが、特にアクティブマトリックス型
の液晶表示装置の各画素の設けられたスイッチング素
子、周辺回路部分に形成されるドライバー素子として注
目されている。また、多層構造集積回路（立体ＩＣ）に
も不可欠の技術として注目されている。
【０００３】ＴＦＴに利用される珪素膜としては、非晶
質珪素膜を用いることが簡便であるが、その電気的特性
は半導体集積回路に用いられる単結晶半導体のものに比
較するとはるかに低いという問題がある。このため、ア
クティブマトリクス回路のスイッチング素子のような限
られた用途にしか用いられなかった。ＴＦＴの特性向上
のためには、結晶性を有する珪素薄膜を利用すればよ
い。
【０００４】単結晶珪素以外で、結晶性を有する珪素膜
は、多結晶珪素、ポリシリコン、微結晶珪素等と称され
ている。このような結晶性を有する珪素膜を得るために
は、まず非晶質珪素膜を形成し、しかる後に加熱（熱ア
ニール）によって結晶化させればよい。この方法は、固
体の状態を保ちつつ非晶質状態が結晶状態に変化するの
で、固相成長法と呼ばれる。
【０００５】しかしながら、珪素の固相成長において
は、加熱温度が６００℃以上、時間は１０時間以上が必
要であり、基板として安価なガラス基板を用いることが
困難であるという問題がある。例えばアクティブ型の液
晶表示装置に用いられるコーニング７０５９ガラスはガ
ラス歪点が５９３℃であり、基板の大面積化を考慮した
場合、６００℃以上の熱アニールをおこなうことには問
題がある。
【０００６】このような問題に対して、本発明者らの研
究によれば、非晶質珪素膜の表面にニッケル等のある種
の金属元素を微量に堆積させ、しかる後に加熱すること
で、５５０℃、４時間程度の処理時間で結晶化を行なえ
ることが判明している。もちろん、６００℃、４時間の
アニールであれば、より結晶性の優れた珪素膜が得られ
る。（特開平６−２４４１０３参照）
【０００７】上記のような微量な金属元素を導入するに
は、スパッタリング法によって、触媒元素もしくはその
化合物の被膜を堆積する方法（特開平６−２４４１０
４）、スピンコーティングのごとき手段によって金属元
素もしくはその化合物の被膜を形成する方法（特開平７
−１３０６５２）、金属元素を含有する気体を熱分解、
プラズマ分解等の手段で分解して、被膜を形成する方法
（特開平７−３３５５４８）等の方法があり、それぞれ
の特徴に応じて使い分ければよい。
【０００８】また、金属元素の導入を特定の部分に選択
的におこない、その後、加熱することにより、金属元素
の導入された部分から周囲へ、結晶成長を広げること
（ラテラル成長法もしくは横成長法）もできる。このよ
うな方法で得られた結晶珪素は、結晶化の方向性がある
ので、方向性に応じて極めて優れた特性を示す。
【０００９】さらに、金属元素を用いた結晶化工程の
後、レーザー光等の強光の照射により、さらに結晶性の
改善を行うことも有効である（特開平７−３０７２８
６）。また、上記の横成長法においては、それに続いて
熱酸化を行うことも有効である（特開平７−６６４２
５）。
【００１０】このように金属元素を用いて結晶化をおこ
なうと、より低い温度で、より短時間で、より質のよい
結晶性珪素膜が得られた。加熱処理の温度は、非晶質珪
素膜の種類にも強く依存するが、４５０〜６５０℃が好
ましく、特に、５５０〜６００℃が好ましい。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法における最大の問題は、金属元素の除去であった。珪
素膜中に導入された金属元素は電気特性・信頼性に悪影
響を及ぼすことが無視できない。特に、金属元素を用い
た結晶化の工程においては、その機構において、金属元
素は主として導電性の珪化物として、被膜中に残存する
ため、欠陥の大きな原因となる。
【００１２】一般に金属元素（特に、ニッケルやパラジ
ウム、白金、銅、銀、金）は、高温の塩化水素雰囲気で
の熱処理により、除去できることが知られている。しか
し、そのためには１０００℃程度の高温処理が必要であ
り、金属元素を用いた低温プロセスの思想に反するもの
である。本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたもの
で、ゲッタリングのための好適な条件を提示し、よっ
て、金属元素を除去するのに有効な方法を提供するもの
である。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本明細書で開示する発明
では、まず最初に金属元素を除去しようとする領域に隣
接して、珪素膜に１５族の元素（代表的には燐）が高濃
度に注入された領域を設ける。
【００１４】この領域は、１５族の元素の注入により、
損傷を受ける。そして熱処理を施すことにより、結晶化
を助長するための金属元素を先に１５族の元素が加速注
入された領域に移動させる。
【００１５】この１５族の元素が加速注入された領域
は、 （１）イオンの注入により不対結合手が高密度に形成さ
れている。 （２）１５族の元素そのものが金属元素と結びつくとい
う性質（特に燐はその性質が顕著である）を有してい
る。
【００１６】従って、熱処理に従う金属元素の移動が上
記の１５族の元素が注入された領域に対しては、非可逆
的なものとなる。
【００１７】即ち、加熱処理を行うことにより、結果と
して、１５族の元素が注入された領域から１５族の元素
が注入されなかった領域に対して、結晶化を助長するた
めの金属元素の移動が行われた状態が得られる。
【００１８】特に燐を利用した場合は、６００℃前後の
温度において、燐とニッケルが安定な結合状態を示すの
で、上記の作用を顕著に得ることができる。
【００１９】燐とニッケルは、Ｎｉ3 Ｐ、Ｎｉ5 Ｐ2 、
Ｎｉ2 Ｐ、Ｎｉ3 Ｐ2 、Ｎｉ2 Ｐ3、ＮｉＰ2 、ＮｉＰ3
というように多数の結合状態を有している。
【００２０】従って、結晶化を助長する金属元素として
ニッケルを採用し、１５族の元素として、燐を採用した
場合、ニッケルを非常に効果的に燐との結合物として取
り込むことができる。即ち、ゲッタリングを効果的に行
うことができる。
【００２１】図７に示す写真は、ゲッタリングの効果を
示すものである。（Ａ）で示す写真は、ニッケルを利用
して得た結晶性珪素膜に対して、請求項１に示される発
明を利用して、ゲッタリング処理を施した珪素膜のパタ
ーンを示す。
【００２２】図７（Ａ）に示す状態においては、ニッケ
ルはパターンの外側の領域（写真ではこの領域は除去さ
れている）に吸い出されたものとなっている。
【００２３】図７（Ｂ）に示すのは、ニッケルのゲッタ
リングを行わなかった場合の珪素膜のパターンである。
（Ｂ）に示される珪素膜のパターンに見られる斑点は、
微細な開口であり、残存したニッケル及びニッケル化合
物が除去された状態を示すものである。これは、ニッケ
ル及びニッケル化合物を高い選択性をもって除去できる
特殊なエッチャント（フッ酸と過水と水の混合物）によ
る処理を行うことによって得られる。
【００２４】図７（Ａ）に示すパターンに対してはも上
記のエチャントによる処理が施されているが、ゲッタリ
ング工程によってニッケルが除去され、ニッケル成分が
パターン内に存在していないので、図７（Ｂ）に示され
るような斑点は観察されない。
【００２５】また、図１１に（Ａ）に対応する膜を用い
て作製したＴＦＴの特性（Ａ）と（Ｂ）に対応する膜を
用いて作製したＴＦＴの特性（Ｂ）とを示したものであ
る。なお、このＴＦＴの作製においては、ニッケル除去
のためのエッチャントの処理は行っていない。
【００２６】図１１を見れば明らかなように、ニッケル
が活性層内に残存していると、ＯＦＦ特性が著しく劣化
する。また、図１１には代表的な特性を示したが、特性
自体のバラツキも図７（Ｂ）に示す膜を用いた場合に
は、著しくばらついたものとなる。
【００２７】本明細書で開示する発明の一つは、非晶質
珪素膜または珪素を含む非晶質膜を、珪素の結晶化を助
長する金属元素を用いて結晶化させ、結晶性膜を形成す
る工程と、結晶性膜に対してパルスレーザー光または同
等の強光の照射を行い応力歪を蓄積させる工程と、 結
晶性膜上にマスクを選択的に形成する工程と、前記マス
クを用いて、前記結晶性膜に１５族から選ばれた元素を
添加する工程と、加熱処理を施し、前記元素が注入され
た領域に前記元素が添加されなかった領域から前記金属
元素をゲッタリングさせる工程と、を有することを特徴
とする。
【００２８】他の発明の構成は、非晶質珪素膜または珪
素を含む非晶質膜を、珪素の結晶化を助長する金属元素
を用いて結晶化させ、結晶性膜を形成する工程と、結晶
性膜上にマスクを選択的に形成する工程と、結晶性膜に
対してパルスレーザー光または同等の強光の照射を行い
前記マスクが形成された以外の領域に応力歪を蓄積させ
る工程と、前記マスクを用いて、前記結晶性膜に１５族
から選ばれた元素を加速注入し、被注入領域を損傷させ
る工程と、加熱処理を施し、前記元素が注入された領域
に前記元素が注入されなかった領域から前記金属元素を
ゲッタリングさせる工程と、を有することを特徴とす
る。
【００２９】非晶質膜としては、非晶質珪素膜が一般に
は利用される。しかし、珪素と他の元素との化合物、例
えばＳｉx Ｇｅ1-x （０＜ｘ＜１）で示されるような化
合物半導体を利用することもできる。また、膜質の制御
や得られるデバイスの電気的特性の制御のために膜中に
不純物を添加したものを利用することもできる。例え
ば、一導電型を有した非晶質珪素膜等を利用することも
できる。
【００３０】金属元素としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐ
ｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種類の元素
を利用することができる。
【００３１】特に再現性や効果の点からはＮｉ（ニッケ
ル）を利用することが好ましい。
【００３２】なお、ゲッタリングの際には、珪素膜中の
粒界が、金属元素の移動の障害となる。一般に、固相成
長直後の珪素膜においては、粒界に金属元素が、珪化物
として析出し、結果的に粒界が成長するが、このような
珪化物においては熱力学的に安定であるので（そもそ
も、粒界に金属元素が析出するのは、その方が熱力学的
に安定なためである）、この部分から金属元素が移動し
にくい。さらに、他の部分から移動してきた金属元素を
捕獲して固定化するという問題を起こす。
【００３３】これに対し、固相成長により結晶化した珪
素膜にパルスレーザー光を照射してレーザーアニール処
理を行うと、残存した非晶質成分が結晶化するととも
に、粒界に金属元素が析出する傾向は大幅に低下する。
【００３４】金属元素が析出する傾向が低下するのは、
パルスレーザー（特にパルス幅１μｓｅｃ以下の）を照
射した場合の熱力学的な状態が急激な変化を伴うもので
あり、結晶粒の成長や粒界の形成が十分に進行しないた
めである。（他方、残存した非晶質成分については結晶
化が進行する）
【００３５】このパルスレーザー光を照射した状態は、
応力歪が珪素膜中に蓄積された状態であるといえる。こ
の状態においては、多くの金属元素が珪素膜中におい
て、珪素の格子間に分散して存在する状態となるので、
金属元素は非常に動き易い。また、金属元素を捕獲する
大きな粒界も少ないので、後のゲッタリングが効率的に
行える。
【００３６】この作用効果は、単なる光照射より、パル
ス発振型の光照射、好ましくはパルス発振型レーザー光
の照射によって、顕著に得ることができる。
【００３７】本明細書に開示する発明においては、加速
注入する１５族の元素の濃度は、結晶化を助長するため
の金属元素の濃度より１桁以上高くすることが好まし
い。
【００３８】例えば、５×１０19〜２×１０21原子／ｃ
ｍ3 というような高濃度となるようにする。
【００３９】また、膜全体でみて、膜中に残留するニッ
ケル元素の総量より、注入される燐元素の総量を多くす
る、さらに好ましくは、膜中に残留するニッケル元素の
総量より、注入される燐元素の総量を１０倍以上多くす
ることは有効である。
【００４０】また、１５族の元素の加速注入の際に、同
時に水素や酸素、さらには炭素といった元素を１×１０
19〜１×１０21原子／ｃｍ3 の濃度で注入してもよい。
これらの元素が多量に存在すると、金属元素を移動させ
るための熱処理時における膜の結晶化を阻害できる。
【００４１】ゲッタリングの効果を高めるのは、燐が注
入された領域に高密度で不対結合手が形成されているこ
とが重要であり、そのためには上述するような結晶化を
阻害する工夫が有用となる。
【００４２】本発明においては、ゲッタリングは珪素膜
のエッチングによるトランジスタの活性層の画定工程に
おこなわれる。ゲッタリングの目的で１５族の元素が注
入された領域の一部は、全て除去してもよいが、トラン
ジスタのソースやドレインの一部もしくは全部としても
使用できる。もし、該領域をＰチャネル型トランジスタ
のソース、ドレインの一部もしくは全部として使用する
ならば、前記の１５族の元素の注入量を超えるＰ型また
はＮ型不純物を注入して、Ｐ型領域とすればよい。
【００４３】
【実施例】
〔実施例１〕本実施例では、ガラス基板上の結晶性を有
する珪素膜を形成する例を示す。図１を用いて、金属元
素（ここではニッケルを用いる）を導入し、結晶化した
後、該金属元素をゲッタリングし、活性層を画定する工
程までを説明する。
【００４４】本実施例で示す工程は、非晶質珪素膜の全
面にニッケル元素を導入し、全面を一括して一様に結晶
成長させる工程に関する。
【００４５】まず、厚さ１０００〜５０００Å、例え
ば、２０００Åの酸化珪素膜（図示せず）がスパッタリ
ング法やプラズマＣＶＤ法によって形成されたガラス基
板１１上に、非晶質珪素膜１２をプラズマＣＶＤ法やＬ
ＰＣＶＤ法によって形成する。
【００４６】ガラス基板としては、歪点が６６７℃であ
るコーニング１７３７基板を利用する例を挙げることが
できる。
【００４７】ここでは、プラズマＣＶＤ法によって非晶
質珪素膜１２を５００Åの厚さに成膜した。そして、汚
れ及び自然酸化膜を取り除くためにフッ酸処理をおこな
った。
【００４８】次にニッケルの超薄膜を形成した。本実施
例では、スピンコーティング法による方法を採用した。
詳細な条件は、特開平７−１３０６５２の実施例１に示
してある。
【００４９】すなわち、厚さ１０〜５０Åの酸化珪素膜
（図示せず）を酸素雰囲気中で紫外光（低圧水銀ラン
プ）を５分照射して得、さらにニッケル濃度が１００ｐ
ｐｍ（重量換算）である酢酸ニッケル溶液２ｍｌを、基
板上に滴下し、この状態を保持し、さらに、スピナーを
用いてスピンドライ（２０００ｒｐｍ、６０秒）をおこ
なった。かくして、酢酸ニッケルの超薄膜１３が形成さ
れた。酢酸ニッケル薄膜は、極めて薄いので、連続的な
膜でない可能性もあるが、結果には何ら問題はない。
（図１（Ａ））
【００５０】その後、固相成長（結晶化）の工程に移
る。すなわち、基板を窒素雰囲気の５５０〜７００℃、
例えば、６００℃に加熱するように設定し、この状態で
放置した。酢酸ニッケルは３００℃程度で熱分解して、
ニッケルとなり、さらに４５０℃以上で、金属としての
機能を呈し、非晶質珪素膜の結晶化が進行した。必要な
時間、例えば４時間だけ放置して結晶化した珪素膜１４
を得ることができた。（図１（Ｂ））
【００５１】次にパルス発振型のＫｒＦエキシマレーザ
ー（波長２４８ｎｍ）を照射して、レーザーアニールを
行う。この工程において、ニッケル元素が分散された状
態が得られる。
【００５２】エキシマレーザーの種類としては、ＡｒＦ
エキシマレーザー、ＸｅＣｌエキシマレーザー、ＣＯ2
レーザー、ＹＡＧレーザー等を利用することができる。
特に、短波長でパルス間隔の短いエキシマレーザーを用
いることが好ましい。
【００５３】また、ハロゲンランプや水銀ランプ等を用
いた強光の照射で代用することも可能であるが、非平行
状態を形成し、ニッケル元素を動きや易くする効果を得
ることはあまり期待できない。
【００５４】次にフッ酸処理により先に形成した表面の
酸化珪素膜を除去した。そして、珪素膜上に、窒化珪素
膜１５（厚さ１０００Å）をプラズマＣＶＤ法により成
膜した。
【００５５】なお、窒化珪素膜は組成によっては応力が
非常に強いため、剥離しやすい。この問題を解決するた
めには、組成（特に水素の濃度）を変更するか、珪素膜
１４と窒化珪素膜１５の間に、厚さ１０〜１００Åの酸
化珪素膜を形成するとよい。（図１（Ｃ））
【００５６】その後、窒化珪素膜１５をエッチングし
て、マスク１６を形成した。
【００５７】次に、このマスク１６を用いて、マスクで
被覆されていない領域に燐イオンを注入した。この工程
にはプラズマドーピング法を用いた。
【００５８】この燐のドーピング工程は、加速電圧を５
〜２５ｋＶとし、ドーズ量は、１×１０13〜８×１０15
原子／ｃｍ2 、例えば、５×１０14原子／ｃｍ2 とし
た。
【００５９】この場合、燐が珪素膜に均一に分布してい
ると仮定すれば、その濃度は、１×１０20原子／ｃｍ3
となる。かくして、燐の注入された領域１７が得られ
た。（図１（Ｄ））
【００６０】この燐のドーピングは、膜中においけるニ
ッケル濃度よりも１桁以上高濃度となるように条件を設
定する。
【００６１】予備的な実験によれば、図１（Ｂ）の状態
における結晶性珪素膜１４中のニッケル濃度は平均して
（厚さ方向に密度分布が存在する）、５×１０18原子ｃ
ｍ-3程度であった。従ってここでは、燐濃度がニッケル
濃度の約５０倍となるようにドーピング条件を設定し
た。
【００６２】その後、窒素雰囲気中で６００℃、２時間
の熱アニールをおこない珪素膜１４を加熱した。この工
程によって、マスクの下方の珪素膜領域１８（該領域は
真性である）に存在していた金属元素は、燐の注入され
た領域１７に不可逆的に移動する。即ち、マスクの下方
の珪素膜領域１８に存在していた金属元素は、燐の注入
された領域１７にゲッタリングされる。（図１（Ｅ））
【００６３】このゲッタリング工程における加熱温度
は、５００℃〜７００℃の温度範囲、好ましくは５５０
℃〜６５０℃の温度範囲から選択することが好ましい。
【００６４】次にマスク１６を利用して１７の領域を除
去する。そして、マスク１６を除去し、再度マスク１６
よりも小さいマスクを配置して、１９で示される領域を
パターニングした。
【００６５】この際、ゲッタリングされた領域１９の一
部であるＸで示される寸法を有する領域が除去される。
この領域を除去するのは、１７の領域の除去時に１８の
領域の端部にニッケル元素が付着している可能性があ
り、その懸念を排除するためである。（図１（Ｆ））
【００６６】こうして、薄膜トランジスタの活性層１９
を得る。この活性層１９は、高い結晶英を有した結晶性
珪素膜でもってなり、またニッケル元素濃度が低減され
たものとなっている。後は、この領域を活性層として薄
膜トランジスタを作製する。
【００６７】〔実施例２〕本実施例は、非晶質珪素膜に
対して、金属元素を選択的に導入することにより、横成
長と呼ばれる金属元素が導入された領域から他の領域に
基板に平行な方向への結晶成長を行わせる構成に関す
る。
【００６８】図２に本実施例における作製工程の概略を
示す。
【００６９】まず、１０００〜５０００Åの酸化珪素膜
（図示せず）を形成したガラス基板２１上に、プラズマ
ＣＶＤ法もしくは減圧ＣＶＤ法によって、非晶質珪素膜
２２を厚さ５００〜１０００Åに形成した。
【００７０】さらに、マスク膜となる酸化珪素膜２３を
１０００Å以上、ここでは１２００Åの厚さに、プラズ
マＣＶＤ法によって成膜した。この酸化珪素膜２４の膜
厚については、発明者等の実験によると５００Åでも問
題がないことを確認しているが、ピンホール等の存在に
よって、意図しない箇所にニッケルが導入されることを
防ぐため、ここでは更に余裕を持たせた。（図２
（Ａ））
【００７１】そして通常のフォトリソパターニング工程
によって、必要とするパターンに酸化珪素膜２３をエッ
チングし、ニッケル導入のための窓２４を形成した。
（図２（Ｂ））
【００７２】このような加工をおこなった基板上に、実
施例１と同様に、スピンコーティング法により、目的と
する厚さの酢酸ニッケル超薄膜２５を堆積した。（図２
（Ｃ））
【００７３】金属元素の導入方法は、上述した溶液を用
いる方法以外にスパッタ法、ＣＶＤ法、プラズマ処理
（当該金属を含む電極を利用した放電処理）、イオン注
入法、ガス吸着法等を利用することができる。
【００７４】引き続き、６００℃（窒素雰囲気）、８時
間の加熱処理を施すことにより、非晶質珪素膜２２の結
晶化を行った。この際、まず、酢酸ニッケル膜が非晶質
珪素膜と密着した部分２６において、結晶化が始まっ
た。その後、結晶化はその周囲へ進行し、マスク膜２３
で覆われた領域２７でも結晶化が行われた。（図２
（Ｄ））
【００７５】図２（Ｄ）に示すように、本実施例のごと
き、横方向の結晶化（基板に平行な方向への結晶成長）
を行った場合には、大きくわけて３つの性質の異なる領
域が得られる。
【００７６】第１はニッケル膜が非晶質珪素膜と密着し
ていた領域で、図２（Ｄ）では２６で示される領域であ
る。この領域は、熱アニール工程の最初の段階で結晶化
する。この領域をタテ成長領域と称する。この領域で
は、比較的ニッケル濃度が高く、また、結晶化の方向の
そろっておらず、その結果、珪素の結晶性がそれほど優
れないため、フッ酸その他の酸に対するエッチングレー
トが比較的大きい。
【００７７】第２は横方向の結晶化の行われた領域で、
図２（Ｄ）では２７で示される。この領域をヨコ成長領
域と称する。この領域は結晶化の方向がそろっており、
ニッケル濃度も比較的低く、デバイスに用いるには好ま
しい領域である。第３は横方向の結晶化の及ばなかった
非晶質領域である。
【００７８】次に、酸化珪素のマスク２３をさらにエッ
チング（パターニング）する。そして、マスク２８を形
成した。この際、酸化珪素のマスク２３をエッチングす
る際に、ウェットエッチングを採用した場合には、エッ
チャントによっては開孔部２４の珪素膜２６が激しくエ
ッチングされる場合もある。
【００７９】これは、該部分のニッケルの濃度が高いた
めである。このことは、珪素膜中から、積極的にニッケ
ルを排除するという意味で好ましいが、下地膜や基板に
も影響が及ぶという問題点もある。もし、後者がさして
問題とならないのならば、積極的にニッケル（この場
合、ニッケルは主として珪化ニッケルという形態で存在
する）をエッチングする工程を採用してもよい。
【００８０】次にマスク２８を用いて、マスクで被覆さ
れていない領域にイオンドーピング法を用いて燐イオン
を注入した。ドーピングガスは、水素で５％に希釈した
フォスフィン（ＰＨ3 ）を用い、加速電圧は１０ｋＶと
し、ドーズ量は８×１０14原子／ｃｍ2 とした。燐が珪
素膜に均一に分布していると仮定すれば、その濃度は、
２×１０20原子／ｃｍ3 となる。かくして、燐の注入さ
れた領域２９が得られた。（図２（Ｅ））
【００８１】そして、窒素雰囲気で６００℃、２時間の
熱アニール処理をおこない、マスクの下方の珪素膜領域
３０に存在していた金属元素を、燐の注入された領域２
９にゲッタリングした。（図２（Ｆ））
【００８２】次に、マスク２８を除去し、さらに、珪素
膜２７の一部（燐の注入された領域２９を含む）をエッ
チングしてトランジスタの活性層３１を形成した。（図
１（Ｇ））
【００８３】上記の工程により、結晶化し、かつ、ニッ
ケル濃度の低下した活性層３１を得た。
【００８４】なお、活性層の画定にあたっては、燐の注
入された領域を一部残して、これをＴＦＴに用いてもよ
い。
【００８５】その例を図３を用いて説明する。この例で
は、ゲッタリングのために設けられた燐の注入された領
域２９の一部を用いて、ソース、ドレインとし、その
後、ゲイト電極をマスクとする自己整合的なドーピング
によって、低濃度ドレイン領域を形成するものである。
かくすることにより、高濃度のＮ型領域のドーピング工
程を別に設ける必要がなくなる。
【００８６】以下に上述の作製工程の詳細を説明する。
まず、図２で説明した工程によって、図２（Ｆ）に示さ
れる状態まで処理を行った。この状態を図５（Ａ）に示
すが、番号は図２と同じものを示す。すなわち、燐の注
入された領域２９、燐を注入するためのマスク２８、そ
の下の結晶性珪素膜３０であり、既に熱アニールによる
金属元素のゲッタリング処理は終了している。また、燐
の注入された領域の一部にはニッケルが選択的に導入さ
れた部分２４が存在する。（図３（Ａ））
【００８７】次に、マスク２８を利用して、活性層３４
を得た。この際に燐の注入された領域の一部も残し、こ
れをＴＦＴのソース３２、ドレイン３３とした。すなわ
ち、活性層３４は、ソース３２、ドレイン３３と、それ
らに挟まれた真性の領域３０からなる。ただし、ニッケ
ルの導入された部分２４は、珪素膜の化学的性質が不安
定であるので、ソース、ドレインに用いるべきではな
い。（図３（Ｂ））
【００８８】その後、プラズマＣＶＤ法によって厚さ２
００〜１５００Å、ここでは１０００Åの酸化珪素膜３
５を堆積した。この酸化珪素膜はゲイト絶縁膜として機
能する。次に、厚さ２０００Å〜１μｍの燐のドープさ
れた多結晶珪素膜を減圧ＣＶＤ法によって形成して、こ
れをパターニングし、ゲイト電極３６を形成した。（図
３（Ｃ））
【００８９】なお、ゲイト電極は、各種シリサイド材料
やアルミニウムを用いて構成してもよい。
【００９０】その後、イオンドーピング法によって、Ｔ
ＦＴの島状シリコン膜中に、ゲイト電極３６をマスクと
して自己整合的に不純物（燐）を注入した。ドーピング
ガスとしてはフォスフィン（ＰＨ3 ）を用いた。ゲイト
絶縁膜を通してドーピングする必要から、加速電圧は５
０〜８０ｋＶとした。また、ドーズ量は、１×１０13〜
４×１０14原子／ｃｍ2 、例えば、５×１０13原子／ｃ
ｍ2 とした。こうして、低濃度のＮ型領域３７を形成し
た。該領域の燐の濃度は１×１０19原子／ｃｍ3 と推定
される。（図５（Ｄ））
【００９１】その後、全面に層間絶縁物３８として、Ｔ
ＥＯＳを原料として、これと酸素とのプラズマＣＶＤ
法、もしくはオゾンとの減圧ＣＶＤ法あるいは常圧ＣＶ
Ｄ法によって酸化珪素膜を厚さ３０００〜８０００Å形
成した。基板温度は２５０〜４５０℃、例えば、３５０
℃とした。成膜後、表面の平坦性を得るため、この酸化
珪素膜を機械的に研磨したり、エッチバック方式による
平坦化をおこなってもよい。
【００９２】そして、層間絶縁物３８をエッチングし
て、ＴＦＴのソース／ドレインにコンタクトホールを形
成し、アルミニウムの配線・電極３９、４０を形成し
た。最後に、水素中で３００〜４００℃で０．１〜２時
間アニールして、シリコンの水素化を完了する。このよ
うにして、ＴＦＴが完成した。（図５（Ｅ））
【００９３】〔実施例３〕本実施例は、実施例１に示す
作製工程を改良した例を示す。本実施例では、燐イオン
を注入するためのマスク１６を設けた後にレーザーアニ
ールを行う。この場合、マスク１６下のニッケルを分散
させることができない点で実施例１の場合に比較して不
利となる。
【００９４】〔実施例４〕本実施例は、本明細書に開示
する発明を利用してボトムゲイト型のＴＦＴを作製した
場合の例を示す。まず図４（Ａ）に示すように、ガラス
基板４０１上に下地膜として酸化珪素膜４０２を成膜す
る。
【００９５】そして、金属シリサイドでなるゲイト電極
４０３を形成する。さらにゲイト絶縁膜４０４を成膜す
る。
【００９６】そして非晶質珪素膜４０５を成膜する。次
に酸化珪素膜でなるマスク４００を形成する。このマス
クには、開口４０が設けられている。
【００９７】次に酢酸ニッケル塩溶液を用いてニッケル
元素が４０６で示されるように表面に接して保持された
状態を得る。（図４（Ａ））
【００９８】次に加熱により非晶質珪素膜４０５を結晶
化させる。この際、矢印４１で示される方向へと結晶成
長が進行する。
【００９９】こうして、結晶性珪素膜４０７を得る。
（図４（Ｂ））
【０１００】次にレーザー光の照射を行う。（図４
（Ｃ））
【０１０１】次に酸化珪素膜でなるマスク４０８を形成
する。（図５（Ｄ））
【０１０２】次にＰ（リン）元素のヘビードーピングを
行う。この工程において、４０９と４１１の領域にＰ元
素のヘビードーピングが行われる。また、４１０の領域
にはドーピングは行われない。（図４（Ｅ））
【０１０３】次にＨＣｌと酸素と窒素との混合雰囲気中
での加熱処理を施し、図５（Ａ）に示すようにニッケル
元素をゲッタリングする。
【０１０４】その後、酸化珪素膜でなるマスク４０８を
除去し、新たにレジストマスク４０８を形成する。（図
５（Ｂ））
【０１０５】そしてレジストマスク４１２を用いて、珪
素膜をパターニングする。こうして、４１３で示される
珪素膜のパターンを残存させる。（図５（Ｃ））
【０１０６】次にゲイト電極４１４を設け、さらにこの
ゲイト電極をマスクとして一導電型を付与する不純物の
ドーピングを行う。こうして、ソース領域４１５とドレ
イン領域４１７とを形成する。（図５（Ｄ））
【０１０７】そして、レーザー光の照射を行い、ソース
及びドレイン領域の活性化を行う。
【０１０８】次に層間絶縁膜として、窒化珪素膜４１８
とポリイミド樹脂膜４１９とを成膜する。
【０１０９】さらにコンタクトホールの形成を行い、ソ
ース電極４２０とドレイン電極４２１とを形成する。こ
うして図５（Ｅ）に示すように逆スタガー型の薄膜トラ
ンジスタを完成させる。
【０１１０】〔実施例５〕本実施例では、本明細書で開
示する発明を利用した装置の概略を示す。図６に各装置
の概要を示す。
【０１１１】図６（Ａ）に示すのは、携帯型の情報処理
端末であり、電話回線を利用した通信機能を有してい
る。
【０１１２】この電子装置は、薄膜トランジスタを利用
した集積化回路２００６を本体２００１の内部に備えて
いる。そして、アクティブマトリクス型の液晶ディスプ
レイ２００５、画像を取り込むカメラ部２００２、さら
に操作スイッチ２００４を備えている。
【０１１３】液晶ディスプレイの構成の概略を図１２に
示す。図１２に示される各回路ブロックは、例えば、薄
膜トランジスタでもって構成されたＣＭＯＳ回路を組み
合わせて構成される。
【０１１４】図６（Ｂ）に示すのは、ヘッドマウントデ
ィスプレイと呼ばれる電子装置である。この装置は、バ
ンド２１０３によって頭に本体２１２０１を装着して、
疑似的に目の前に画像を表示する機能を有している。画
像は、左右の目に対応した液晶表示装置２１０２によっ
て作成される。
【０１１５】このような電子装置は、小型軽量なものと
するために薄膜トランジスタを利用した回路が利用され
る。
【０１１６】図６（Ｃ）に示すのは、人工衛星からの信
号を基に地図情報や各種情報を表示する機能を有してい
る。アンテナ２２０４で捉えた衛星からの情報は、本体
２２０１内部に備えた電子回路で処理され、液晶表示装
置２２０２に必要な情報が表示される。
【０１１７】装置の操作は、操作スイッチ２２０３によ
って行われる。このような装置においても全体の構成を
小型化するために薄膜トランジスタを利用した回路が利
用される。
【０１１８】図６（Ｄ）に示すのは、携帯電話である。
この電子装置は、本体２３０１にアンテナ２３０６、音
声出力部２３０２、液晶表示装置２３０４、操作スイッ
チ２３０５、音声入力部２３０３を備えている。
【０１１９】図６（Ｅ）に示す電子装置は、ビデオカメ
ラと称される携帯型の撮像装置である。この電子装置
は、本体２４０１に開閉部材に取り付けられた液晶ディ
スプレイ２４０２、開閉部材に取り付けられた操作スイ
ッチ２４０４を備えている。
【０１２０】さらにまた、本体２４０１には、画像の受
像部２４０６、集積化回路２４０７、音声入力部２４０
３、操作スイッチ２４０４、バッテリー２４０５が備え
られている。
【０１２１】図６（Ｆ）に示す電子装置は、投射型の液
晶表示装置である。この装置は、本体２５０１に光源２
５０２、液晶表示装置２５０３、光学系２５０４備え、
スクリンー２５０５に画像を投影する機能を有してい
る。
【０１２２】また、以上示した電子装置における液晶表
示装置としては、透過型または反射型のいずれでも利用
することができる。表示特性の面では透過型が有利であ
り、低消費電力や小型軽量化を追求する場合には、反射
型が有利である。
【０１２３】また、表示装置として、アクティブマトリ
クス型のＥＬディスプレイやプラズマディスプレイ等の
フラットパネルディスプレイを利用することができる。
【０１２４】〔実施例６〕本実施例は、図７に示すよう
な各種装置を構成する場合に利用される基本的な回路素
子について示す。
【０１２５】本実施例で示すのは、Ｐチャネル型のＴＦ
Ｔ（ＰＴＦＴ）とＮチャネル型のＴＦＴ（ＮＴＦＴ）と
を同一基板上に集積化した構成である。
【０１２６】一般の回路は、ＰＴＦＴとＮＴＦＴとを相
補型に構成したＣＭＯＳ回路を基本素子として構成され
る。
【０１２７】ここでは、全面にニッケル元素を導入し
て、全面を結晶化させる技術を利用する場合の例を示
す。
【０１２８】図８に作製工程を示す。まず、ガラス基板
８０１上に非晶質珪素膜８０２を成膜する。次に溶液を
用いてニッケル元素を８０３で示されるように非晶質珪
素膜８０２の表面に接して保持させる。（図８（Ａ））
【０１２９】次に結晶化のための加熱を行い、結晶性珪
素膜８０４を得る。（図８（Ｂ））
【０１３０】次にレーザーアニールを行い、膜中に残留
するニッケル元素を分散させる。（図８（Ｃ））
【０１３１】さらにマスク８０５、８０６を配置し、燐
イオンの注入を行う。こうして、８０７、８０８、８０
９の領域にリンイオンがドーピングされる。（図８
（Ｄ））
【０１３２】次に熱処理を行い、８０７、８０８、８０
９の領域にニッケル元素をゲッタリングさせる。（図８
（Ｄ））
【０１３３】次にマスク８０５、８０６を除去する。こ
うして、ニッケル元素が外部にゲッタリングされた結晶
性珪素膜の領域８１０、８１１を得る。ここで、８１０
がＰＴＦＴの活性層となる。また、８１１がＮＴＦＴの
活性層となる。（図８（Ｅ））
【０１３４】次にゲイト絶縁膜８１２を形成し、さらに
アルミニウムであるゲイト電極８１３、８１４を形成す
る。ゲイト電極の周囲には、８１５、８１６で示される
陽極酸化膜を形成する。（図８（Ｆ））
【０１３５】次に燐のドーピングをプラズマドーピング
法によって行うことにより、９０１、９０３、９０４、
９０６の領域に燐のドーピングを行う。（図９（Ａ））
【０１３６】この工程において、ドーピングが行われな
かった領域９０２と９０５が後にチャネル領域となる。
【０１３７】次にマスク９０７を設け、ボロンのドーピ
ングを行う。この工程では、９０８と９０９の領域がＮ
型からＰ型へと反転する。
【０１３８】こうして、左側にＰＴＦＴを形成し、同時
に右側にＮＴＦＴを形成することができる。（図９
（Ｂ））
【０１３９】次に層間絶縁膜として、窒化珪素膜９１０
を成膜し、さらにポリイミド樹脂膜９１１を成膜する。
【０１４０】さらにコンタクトホールの形成を行い、Ｐ
ＴＦＴのソース電極９１２、ドレイン電極９１３、ＮＴ
ＦＴのソース電極９１５、ドレイン電極９１４を形成す
る。こうして図９（Ｃ）に示す構成を得る。
【０１４１】ここで、両ＴＦＴのゲイト電極を接続し、
さらにドレイン電極同士を接続すれば、ＣＭＯＳ構造を
得ることができる。
【０１４２】〔実施例７〕本実施例は、図２に示す作製
工程を改良した例である。図１０に本実施例の作製工程
を示す。
【０１４３】まず、図１０（Ｄ）に示す工程までは、図
２（Ｄ）に示す工程までと同じである。
【０１４４】図１０（Ｄ）に示す状態を得たら、その状
態で燐イオンの注入を１０１の領域に対して行う。即
ち、ニッケル元素を選択的に導入するために利用したマ
スクを利用して燐イオンの注入をも行う。（図１０
（Ｅ））
【０１４５】そして、図１０（Ｆ）に示すように加熱処
理を行い、１０１の領域へニッケル元素のゲッタリング
を行う。
【０１４６】後は、１０１の領域をエッチングし、さら
にマスク２３を除去する。そして、必要とするパターン
に結晶化した領域２７をパターニングする。
【０１４７】〔実施例８〕本実施例は、ゲッタリングの
ために燐が導入される領域への導入方法として、気相法
を利用する場合の例である。
【０１４８】ここでは、結晶化を助長する金属元素とし
てニッケルを利用し、１５族の元素として燐を利用する
場合を説明する。
【０１４９】本実施例では、ＰＨ3 ガスを利用したＣＶ
Ｄ法により、Ｐを含む膜をニッケルをゲッタリングする
領域（例えば図１の１７で示される領域）の表面に堆積
させる。
【０１５０】この場合、燐イオンを加速注入する場合に
得られる損傷した領域へのゲッタリング効果は得ること
ができない。しかし、燐のニッケルに対するゲッタリン
グ効果は極めて高いものがあるので、図１の示すような
ニッケルのゲッタリングを行うことができる。
【０１５１】〔実施例９〕本実施例は、ゲッタリングの
ために燐が導入される領域への導入方法として、液相法
を利用する場合の例である。
【０１５２】本実施例では、ＰＳＧ（リンシリケイトガ
ラス）を金属元素をゲッタリングする領域に成膜する。
【０１５３】例えば、図１（Ｄ）に示す工程において、
１７領域上にＰＳＧ膜を成膜し、その後に加熱処理を加
えることにより、１８の領域からニッケル元素をゲッタ
リングすることができる。
【０１５４】
【発明の効果】非晶質珪素膜の結晶化を促進する金属元
素を用いて、これを結晶化せしめた珪素膜より、効率的
に、金属元素を除去することができた。その結果、結晶
性珪素膜を用いた信頼性の高い電子デバイスを多量に提
供できる。このように本発明は産業上有益である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施例１の工程を示す図。
【図２】 実施例２の工程を示す図。
【図３】 実施例２のＴＦＴ作製工程を示す図。
【図４】 ボトムゲイト型のＴＦＴの作製工程を示す
図。
【図５】 ボトムゲイト型のＴＦＴの作製工程を示す
図。
【図６】 発明を利用して作製した装置のが概要を示す
図。
【図７】 ニッケル元素がゲッタリングされた珪素薄膜
を示す写真。
【図８】 Ｐチャネル型のＴＦＴとＮチャネル型のＴＦ
Ｔとを同一基板上に形成する工程を示す図。
【図９】 Ｐチャネル型のＴＦＴとＮチャネル型のＴＦ
Ｔとを同一基板上に形成する工程を示す図。
【図１０】他の実施例の作製工程を示す図。
【図１１】ＴＦＴの特性を示す図。
【図１２】液晶表示装置の概略の構成を示す図。
【符号の説明】
１１・・・・ガラス基板 １２・・・・非晶質珪素膜 １３・・・・酢酸ニッケル膜 １４・・・・結晶性珪素膜 １５・・・・窒化珪素膜 １６・・・・燐を注入するためのマスク １７・・・・燐の注入された領域 １８・・・・マスク下の珪素膜（真性） １９・・・・活性層 ２１・・・・ガラス基板 ２２・・・・非晶質珪素膜 ２３・・・・酸化珪素膜 ２４・・・・ニッケルを導入するための開孔部 ２５・・・・酢酸ニッケル膜 ２６・・・・結晶性珪素膜（タテ成長領域） ２７・・・・結晶性珪素膜（ヨコ成長領域） ２８・・・・燐を注入するためのマスク ２９・・・・燐の注入された領域 ３０・・・・マスク下の珪素膜（真性） ３１・・・・活性層 ３２・・・・ソース ３３・・・・ドレイン ３４・・・・活性層 ３５・・・・ゲイト絶縁膜（酸化珪素） ３６・・・・ゲイト電極（珪素） ３７・・・・低濃度Ｎ型領域 ３８・・・・層間絶縁物 ３９・・・・ソース電極・配線 ４０・・・・ドレイン電極・配線 ４１・・・・ガラス基板 ４２・・・・非晶質珪素膜 ４３・・・・酸化珪素膜 ４４・・・・マスク ４５・・・・ニッケルおよび燐を導入するための開孔部 ４６・・・・結晶性珪素膜 ４７・・・・燐の注入された領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大谷 久 神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社半 導体エネルギー研究所内

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 非晶質珪素膜または珪素を含む非晶質膜
    を、珪素の結晶化を助長する金属元素を用いて結晶化さ
    せ、結晶性膜を形成する工程と、 結晶性膜に対してパルスレーザー光または同等の強光の
    照射を行い応力歪を蓄積させる工程と、 結晶性膜上に
    マスクを選択的に形成する工程と、 前記マスクを用いて、前記結晶性膜に１５族から選ばれ
    た元素を添加する工程と、 加熱処理を施し、前記元素が注入された領域に前記元素
    が添加されなかった領域から前記金属元素をゲッタリン
    グさせる工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  2. 【請求項２】 非晶質珪素膜または珪素を含む非晶質膜
    を、珪素の結晶化を助長する金属元素を用いて結晶化さ
    せ、結晶性膜を形成する工程と、 結晶性膜上にマスクを選択的に形成する工程と、 結晶性膜に対してパルスレーザー光または同等の強光の
    照射を行い前記マスクが形成された以外の領域に応力歪
    を蓄積させる工程と、 前記マスクを用いて、前記結晶性膜に１５族から選ばれ
    た元素を加速注入し、被注入領域を損傷させる工程と、 加熱処理を施し、前記元素が注入された領域に前記元素
    が注入されなかった領域から前記金属元素をゲッタリン
    グさせる工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  3. 【請求項３】 請求項１または請求項２において、珪素
    の結晶化を助長する金属元素として、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎ
    ｉ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐ
    ｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種類
    の元素が利用されることを特徴とする半導体装置の作製
    方法。
  4. 【請求項４】 請求項１または請求項２において、１５
    族から選ばれた元素として燐を用いることを特徴とする
    半導体装置の作製方法。
  5. 【請求項５】 請求項１または請求項２において、１５
    族の元素として、窒素、リン、砒素、アンチモン、ビス
    マスから選ばれた元素が利用されることを特徴とする半
    導体装置の作製方法。
  6. 【請求項６】 請求項１または請求項２において、非晶
    質膜は、歪点が７００℃以下のガラス基板上に成膜され
    ることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  7. 【請求項７】 請求項１または請求項２において、１５
    族から選ばれた元素の添加方法は、イオン化した当該元
    素を加速注入することによって行われ、被添加領域を意
    図的に損傷させることを特徴とする半導体装置の作製方
    法。
  8. 【請求項８】 請求項１または請求項２において、１５
    族から選ばれた元素の添加方法は、当該元素が含まれた
    液体を用いて行われることを特徴とする半導体装置の作
    製方法。
  9. 【請求項９】 請求項１または請求項２において、１５
    族から選ばれた元素の添加方法は、当該元素が含まれた
    気体を用いた気相反応を用いて行われることを特徴とす
    る半導体装置の作製方法。
  10. 【請求項１０】請求項１または請求項２において、珪素
    を含む非晶質膜として、Ｓｉx Ｇｅ1-x （０＜ｘ＜１）
    で示される材料を利用することを特徴とする半導体装置
    の作製方法。
  11. 【請求項１１】請求項１または請求項２において、加熱
    処理は、５００℃〜７００℃の温度範囲から選ばれた温
    度で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  12. 【請求項１２】請求項１または請求項２において、加熱
    処理は、５５０℃〜６５０℃の温度範囲から選ばれた温
    度で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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KR1019980001975A KR100538892B1 (ko) 1997-02-12 1998-01-23 반도체디바이스제조방법
US09/707,348 US6461943B1 (en) 1997-02-12 2000-11-06 Method of making semiconductor device
US10/265,181 US7115452B2 (en) 1997-02-12 2002-10-04 Method of making semiconductor device
KR1020050016941A KR100572819B1 (ko) 1997-02-12 2005-02-28 반도체 디바이스 제조 방법

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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6337259B1 (en) 1999-05-27 2002-01-08 Sharp Kabushiki Kaisha Method for fabricating semiconductor device with high quality crystalline silicon film
US6436745B1 (en) 1999-11-02 2002-08-20 Sharp Kabushiki Kaisha Method of producing a semiconductor device
US6555448B2 (en) 2000-05-11 2003-04-29 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor manufacturing method
US6639245B2 (en) 2001-04-16 2003-10-28 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix display device having high intensity and high precision and manufacturing method thereof
US7449376B2 (en) 2001-11-28 2008-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
JP2009239252A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Samsung Sdi Co Ltd 薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを含む有機電界発光表示装置
US8253141B2 (en) 2008-07-14 2012-08-28 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film transistor, method of fabricating the same, and organic light emitting diode display device including the thin film transistor
US8283668B2 (en) 2007-08-23 2012-10-09 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor, method of fabricating the same, and organic light emitting diode display device including the same
US8318523B2 (en) 2008-04-11 2012-11-27 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor, method of fabricating the same and organic light emitting diode display device having the same
US8513669B2 (en) 2007-08-22 2013-08-20 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor including metal or metal silicide structure in contact with semiconductor layer and organic light emitting diode display device having the thin film transistor
US8790967B2 (en) 2007-05-31 2014-07-29 Samsung Display Co., Ltd. Method of fabricating polycrystalline silicon layer, TFT fabricated using the same, method of fabricating TFT, and organic light emitting diode display device having the same

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7075002B1 (en) * 1995-03-27 2006-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Company, Ltd. Thin-film photoelectric conversion device and a method of manufacturing the same
JP4056571B2 (ja) 1995-08-02 2008-03-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3645380B2 (ja) 1996-01-19 2005-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法、情報端末、ヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、携帯電話、ビデオカメラ、投射型表示装置
JP3645379B2 (ja) 1996-01-19 2005-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6355509B1 (en) * 1997-01-28 2002-03-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Removing a crystallization catalyst from a semiconductor film during semiconductor device fabrication
JP3942683B2 (ja) 1997-02-12 2007-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置作製方法
JP3844566B2 (ja) * 1997-07-30 2006-11-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7166500B2 (en) * 1997-10-21 2007-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US6821710B1 (en) * 1998-02-11 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
JP2000039628A (ja) * 1998-05-16 2000-02-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体表示装置
US6294441B1 (en) 1998-08-18 2001-09-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US6878968B1 (en) * 1999-05-10 2005-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US7503975B2 (en) * 2000-06-27 2009-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method therefor
TWI277057B (en) * 2000-10-23 2007-03-21 Semiconductor Energy Lab Display device
US6927753B2 (en) * 2000-11-07 2005-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7045444B2 (en) 2000-12-19 2006-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device that includes selectively adding a noble gas element
US6858480B2 (en) 2001-01-18 2005-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
JP2002231627A (ja) 2001-01-30 2002-08-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置の作製方法
JP5088993B2 (ja) 2001-02-16 2012-12-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4993810B2 (ja) 2001-02-16 2012-08-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7052943B2 (en) 2001-03-16 2006-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
JP5072157B2 (ja) * 2001-09-27 2012-11-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6861338B2 (en) 2002-08-22 2005-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor and method of manufacturing the same
US20040195222A1 (en) * 2002-12-25 2004-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and method for manufacturing semiconductor device
US7276402B2 (en) * 2003-12-25 2007-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7507617B2 (en) * 2003-12-25 2009-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR100612853B1 (ko) * 2004-07-21 2006-08-14 삼성전자주식회사 와이어 형태의 실리사이드를 포함하는 Ｓｉ 계열 물질층및 그 제조방법
US7575959B2 (en) * 2004-11-26 2009-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8088676B2 (en) * 2005-04-28 2012-01-03 The Hong Kong University Of Science And Technology Metal-induced crystallization of amorphous silicon, polycrystalline silicon thin films produced thereby and thin film transistors produced therefrom
KR100653853B1 (ko) * 2005-05-24 2006-12-05 네오폴리((주)) 비금속 씨드 에피 성장을 이용한 비정질 반도체 박막의결정화 방법 및 이를 이용한 다결정 박막 트랜지스터의제조방법
JP5352081B2 (ja) * 2006-12-20 2013-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5591653A (en) * 1992-03-30 1997-01-07 Sony Corporation Method of manufacturing Si-Ge thin film transistor
US5639698A (en) * 1993-02-15 1997-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor, semiconductor device, and method for fabricating the same
JP2762215B2 (ja) * 1993-08-12 1998-06-04 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタおよび半導体装置の作製方法
TW272319B (ja) * 1993-12-20 1996-03-11 Sharp Kk
JP3378078B2 (ja) * 1994-02-23 2003-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3621151B2 (ja) * 1994-06-02 2005-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW406861U (en) * 1994-07-28 2000-09-21 Semiconductor Energy Lab Laser processing system
US5915174A (en) * 1994-09-30 1999-06-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for producing the same
JP3522381B2 (ja) * 1995-03-01 2004-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜半導体デバイス及び薄膜半導体デバイスの作製方法
KR100265179B1 (ko) * 1995-03-27 2000-09-15 야마자끼 순페이 반도체장치와 그의 제작방법
TW447144B (en) * 1995-03-27 2001-07-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and a method of manufacturing the same
JP3539821B2 (ja) 1995-03-27 2004-07-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4056571B2 (ja) * 1995-08-02 2008-03-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6180439B1 (en) 1996-01-26 2001-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device
JPH10228248A (ja) * 1996-12-09 1998-08-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd アクティブマトリクス表示装置およびその作製方法
JP3942683B2 (ja) * 1997-02-12 2007-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置作製方法
TW379360B (en) * 1997-03-03 2000-01-11 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing a semiconductor device
JP3974229B2 (ja) * 1997-07-22 2007-09-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6337259B1 (en) 1999-05-27 2002-01-08 Sharp Kabushiki Kaisha Method for fabricating semiconductor device with high quality crystalline silicon film
US6436745B1 (en) 1999-11-02 2002-08-20 Sharp Kabushiki Kaisha Method of producing a semiconductor device
US6555448B2 (en) 2000-05-11 2003-04-29 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor manufacturing method
US6639245B2 (en) 2001-04-16 2003-10-28 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix display device having high intensity and high precision and manufacturing method thereof
US7449376B2 (en) 2001-11-28 2008-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US8790967B2 (en) 2007-05-31 2014-07-29 Samsung Display Co., Ltd. Method of fabricating polycrystalline silicon layer, TFT fabricated using the same, method of fabricating TFT, and organic light emitting diode display device having the same
US8513669B2 (en) 2007-08-22 2013-08-20 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor including metal or metal silicide structure in contact with semiconductor layer and organic light emitting diode display device having the thin film transistor
US8283668B2 (en) 2007-08-23 2012-10-09 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor, method of fabricating the same, and organic light emitting diode display device including the same
JP2009239252A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Samsung Sdi Co Ltd 薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを含む有機電界発光表示装置
US8436360B2 (en) 2008-03-27 2013-05-07 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor, method of fabricating the same, and organic lighting emitting diode display device including the same
US8318523B2 (en) 2008-04-11 2012-11-27 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor, method of fabricating the same and organic light emitting diode display device having the same
US8253141B2 (en) 2008-07-14 2012-08-28 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film transistor, method of fabricating the same, and organic light emitting diode display device including the thin film transistor

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