KR100612853B1 - 와이어 형태의 실리사이드를 포함하는 Ｓｉ 계열 물질층및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

와이어 형태의 실리사이드를 포함하는 Si 계열 물질층 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명은 복수의 그레인을 포함하고, 상기 그레인 경계에 금속 실리사이드가 형성된 Si 계열 물질층과 그 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 Si 계열 물질층의 제조방법은 Si 계열 기판에 소정두께의 비정질 층을 형성하는 단계, 상기 비정질 층에 소정의 금속 이온을 도핑하는 단계 및 상기 금속 이온이 도핑된 비정질 층을 어닐링하는 단계를 포함한다.

Description

와이어 형태의 실리사이드를 포함하는 Ｓｉ 계열 물질층 및 그 제조방법{Si based material layer having wire type silicide and method of forming the same}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 Si 계열 물질층의 단면부(cross sectional) STEM 사진이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 Si 계열 물질층의 평면부(plan view) STEM 사진이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 형태의 실리사이드를 포함하는 Si 계열 물질층의 제조방법을 설명하는 공정흐름도이다.
도 4는 실시예에서 어닐링 전의 시편 구조를 보여주는 TEM 사진이다.
도 5는 실시예에서 각각 Ni 이온을 주입한 직후(as-implanted), 300 mJ/cm2 및 500mJ/cm2의 에너지 밀도로 어닐링한 시편에 대한 XPS 결과이다.
도 6a 및 도 6b는 실시예에서 각각 300mJ/cm2(6a)와 500mJ/cm2(6b)의 에너지 밀도로 레이저 어닐링한 시편에 대한 단면부 STEM 사진이다.
도 7a 및 도 7b는 실시예에서 각각 600mJ/cm2(7a)와 700mJ/cm2(7b)의 에너지 밀도로 레이저 어닐링한 시편에 대한 평면부 STEM 사진이다.
도 8은 실시예에서 700mJ/cm2의 에너지 밀도로 레이저 어닐링한 시편에 대한 전계 방출 특성을 보여주는 그래프이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
20:Si 계열 기판 22:비정질 층
24:금속 이온이 도핑된 비정질 층 26:Si 계열 물질층
28:금속 실리사이드
본 발명은 와이어 형태의 실리사이드를 포함하는 Si 계열 물질층 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전계 방출(field emission) 특성 및 전도 특성이 우수한 와이어 형태의 실리사이드를 포함하는 Si 계열 물질층 및 그 제조방법에 관한 것이다.
반도체 장치의 집적도가 높아지면서 반도체 소자들, 예를 들면 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)나 커패시터의 크기도 서브 미크론 이하로 작아지고 있다.
종래 금속 실리사이드(metal silicide)는 주로 소형화 되는 반도체 소자 내에서 콘택영역, 예를 들어 MOSFET의 게이트, 소오스 및 드레인의 콘택영역의 면저 항과 접촉저항을 낮추기 위한 수단으로 적용되었다. 즉, 콘택영역에 실리콘(Si)과 금속의 반응 결과물인 금속 실리사이드(metal silicide) 층을 형성하여 상기 콘택영역의 면저항과 접촉저항을 낮추는 방법이 널리 사용되었으며, 금속 실리사이드의 형성에 관한 기술은 대부분 층 형태(layer type)의 금속 실리사이드의 형성에 관한 기술로 한정되어 있었다.
미국 특허 US 6,387,803 B2 및 미국 특허 US 6,156,654는 금속 실리사이드를 형성하는 방법을 개시한다.
미국 특허 US 6,387,803 B2는 이온 주입(ion implantation)에 의해 기판(substrate)에 비정질 Si 층을 형성하고, 비정질 Si 층 상에 Ti, Co, Ni등의 금속층을 증착한 후, 레이저로 금속층 표면을 어닐링(annealing) 하여 금속 실리사이드를 형성하는 방법에 관한 것이다.
또한, 미국 특허 US 6,156,654는 Ti를 증착하고 0.09 내지 0.15J/cm2의 에너지 밀도로 1차 레이저 어닐링하여 C49 TiSi2를 형성한 다음, 다시 0.1 내지 0.2 J/cm2 의 조건으로 2차 어닐링할 경우, C54 TiSi2이 형성된다고 보고하고 있다.
그러나, 위에서 언급한 방법들은 단순히 층 형태(layer type)의 금속 실리사이드를 형성하는 방법에 관한 것으로, 차세대 많은 응용분야를 갖는 나노 스케일(nano scale) 와이어 형태의 실리사이드를 형성시킬 수 있는 방법을 제공하고 있지 못하고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 전계 방출(field emission) 특성 및 전도 특성이 우수한 나노 스케일(nano scale) 와이어 형태의 실리사이드를 포함하는 Si 물질층 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
본 발명에 따르면, 복수의 그레인을 포함하고, 상기 그레인 경계에 금속 실리사이드가 형성된 Si 계열 물질층이 제공된다.
또한 본 발명에 따르면, Si 계열 기판에 소정두께의 비정질 층을 형성하는 단계, 상기 비정질 층에 소정의 금속 이온을 도핑하는 단계 및 상기 금속 이온이 도핑된 비정질 층을 어닐링하는 단계를 포함하며, 상기 어닐링 단계는 상기 금속 이온이 도핑된 비정질 층을 복수의 그레인을 포함하는 다결정 층으로 결정화하고, 상기 그레인 경계에 금속 실리사이드를 형성하는 Si 계열 물질층의 제조방법이 제공된다.
이하, 본 발명에 따른 와이어 형태의 실리사이드를 포함하는 Si 계열 물질층 및 그 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 Si 계열 물질층의 단면부(cross sectional) STEM 사진이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 Si 계열 물질층의 평면부(plan view) STEM 사진이다.
도 1과 도 2를 같이 참조하면, Si 계열 물질층(26)은 복수의 그레인을 포함 하고 있으며, 상기 그레인 경계에 금속 실리사이드(28)가 형성되어 있다. 상기 금속 실리사이드(28)는 상기 Si 계열 물질층(26)의 표면에서부터 소정의 깊이만큼, 수직방향으로 형성될 수 있다.
여기에서, 상기 금속 실리사이드(28)의 형성이 수직방향에만 한정되는 것은 아니며, 표면에서부터 소정의 깊이만큼, 경사방향으로 형성될 수도 있다.
상기 금속 실리사이드는 상기 그레인 경계의 삼중점에 더 안정적으로 형성될 수 있으며, 이는 어닐링 또는 금속 이온 도핑 조건에 의해 제어될 수 있다. 이때, 상기 그레인 경계의 삼중점에 형성된 상기 금속 실리사이드는 와이어 형태를 가진다.
상기 금속은 Ag, Au, Al, Cu, Cr, Co, Ni, Ti, Sb, V, Mo, Ta, Nb, Ru, W, Pt, Pd, Zn 및 Mg 중의 적어도 어느 하나일 수 있다. 따라서, 열거된 금속이 각각 단독으로 또는 조합으로 사용된다.
또한, 상기 금속 실리사이드는 1×1010 atoms/㎠ 내지 1×1017 atoms/㎠ 의 금속 이온을 포함한다.
상기 Si 계열 물질층은 Si 층, SiGe 층 또는 SiC 층이다.
상기 실리사이드의 직경은 0.1 nm 내지 100 nm 이며, 상기 실리사이드의 길이는 0.1 nm 내지 1000 nm 이다. 바람직하게는 상기 실리사이드의 직경은 1 nm 내지 10 nm 이며, 상기 실리사이드의 길이는 10 nm 내지 50 nm 이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 형태의 실리사이드 를 포함하는 Si 계열 물질층의 제조방법을 설명하는 공정흐름도이다.
도 3a 내지 도 3d를 함께 참조하면, 먼저 Si 계열 기판(20)에 C, Si, Ge, Sn 및 Pb 등과 같은 Ⅳ족 원소를 도핑하여 기판(20)의 소정두께를 비정질 층(22)으로 변화시킨다. 여기에서 Ⅳ족 원소 이온의 도핑은 이온 주입 장치에 의하여 수행되며, 기타 다른 공지된 이온 도핑 장치가 사용될 수도 있다.
상기 Si 계열 기판(20)은 Si 기판, SiGe 기판 또는 SiC 기판이며, 그 밖에 Si 원소를 함유하고 있는 기판재료가 될 수 있다. 또한, 본원 발명에서 지칭하는 상기 Si 계열 기판(20)은 SiO2 기판, MgO 기판, ITO(Indium Tin Oxide) 기판, 결정질 Si 기판 및 비정질 Si 기판 중의 어느 하나의 기판 상에 Si 층, SiGe 층 또는 SiC 층이 형성된 것을 포함한다.
다음에는, 상기 비정질 층(22)에 소정의 금속이온을 도핑하여, 상기 비정질 층(22)을 금속 이온이 도핑된 비정질 층(24)으로 변화시킨다.
상기 금속은 Ag, Au, Al, Cu, Cr, Co, Ni, Ti, Sb, V, Mo, Ta, Nb, Ru, W, Pt, Pd, Zn 및 Mg 중의 적어도 어느 하나일 수 있다. 따라서 각각의 금속이 단독으로 또는 조합으로 사용된다.
구체적으로, 상기 금속 이온의 도핑량은 1×1010 atoms/㎠ 내지 1×1017 atoms/㎠ 이다.
상기 금속 이온의 도핑은 이온 주입 장치에 의하여 수행되며, 상기 금속 이온의 도핑 에너지는 1 keV 내지 1000 keV 이다.
본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 금속 이온의 도핑은 공지된 다른 이온 도핑 장치가 사용될 수도 있다.
다음에는, 상기 금속 이온이 도핑된 비정질 층(24)을 레이저빔으로 어닐링(annealing)한다. 상기 어닐링은 상기 금속 이온이 도핑된 비정질 층(24)이 복수의 그레인을 포함하는 다결정 층으로 결정화되고, 상기 그레인 경계에 금속 실리사이드가 형성되는 때까지 계속하여 수행될 수 있다. 바람직하게는 상기 금속 실리사이드는 그레인 경계의 삼중점에 더 안정적으로 형성될 수 있으며, 이는 어닐링에 의해 제어될 수 있다.
상기 레이저빔의 에너지 밀도는 50 mJ/㎠ 내지 3000 mJ/㎠ 이다. 바람직하게는 레이저빔의 에너지 밀도는 700 mJ/㎠ 내지 1500 mJ/㎠ 이다.
본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 어닐링은 가열수단이 구비된 다른 장치에 의하여 수행될 수도 있다.
상기 어닐링에 의해, 복수의 그레인을 포함하고, 상기 그레인 경계에 금속 실리사이드가 형성된 Si 계열 물질층(26)이 형성될 수 있다.
예를 들면, 비정질 Si 층 내에 도핑된 금속 이온은 비정질 Si 층의 결정화를 용이하게 하며, 비정질 Si 층 내에서 금속 실리사이드를 형성시킨다. 상기 금속 실리사이드는 어닐링 과정에서 더 형성될 수도 있다.
상기 레이저빔 어닐링 효과에 의해, 상기 비정질 Si 층 내에서 다수의 Si 결정의 핵이 생성되며, 상기 핵이 점점 성장하여 Si 결정의 입자(grain)로 된다.
상기 Si 결정의 핵 생성과 성장에 의해 비정질 Si 층의 결정화가 일어나며, 상기 Si 결정의 그레인 경계(grain boundary)는 아직 결정화가 일어나지 않은 비정질 Si 쪽으로 이동하게 된다. 상기 그레인 경계의 이동과 함께 Si 결정의 입자(grain)는 점차로 성장하며, 비정질 Si 층이 모두 결정화 될 수 있다.
Si 결정 입자의 성장과 함께 상기 Si 층 내의 금속 실리사이드는 그레인 경계(grain boundary) 또는 그레인 경계의 근처로 확산하게 되며, 상기 금속 실리사이드는 그레인 경계(grain boundary) 또는 그레인 경계의 근처에 분포하게 된다.
최종적으로는 그레인 경계 확산(grain boundary diffusion) 효과에 의해 그레인 경계(grain boundary) 또는 그레인 경계의 근처에 존재하는 금속 실리사이드는 그레인 경계(grain boundary)를 따라서 확산(diffusion)하여 그레인 경계의 삼중점(triple point)에 더 안정적으로 존재할 수 있다.
이와 같이 그레인 경계(grain boundary)의 삼중점(triple point)에 형성된 금속 실리사이드는 나노 스케일(nano scale)의 와이어 형태를 가질 수 있다.
즉, 상기 금속 실리사이드는 와이어 형태를 가지며, 상기 Si 층의 표면에서부터 소정의 깊이만큼, 수직방향으로 형성될 수 있다.
여기에서, 상기 금속 실리사이드의 형성이 수직방향에만 한정되는 것은 아니며, 표면에서부터 소정의 깊이만큼, 경사방향으로 형성될 수도 있다.
상기 실리사이드의 직경은 0.1 nm 내지 100 nm 으로 형성되며, 상기 실리사이드의 길이는 0.1 nm 내지 1000 nm 으로 형성된다. 바람직하게는 상기 실리사이드의 직경은 1 nm 내지 10 nm 으로 형성되며, 상기 실리사이드의 길이는 10 nm 내지 50 nm 으로 형성된다.
본 발명에 의하면, Si 계열 물질층 내에 나노 스케일(nano scale) 와이어 형태의 실리사이드를 형성시킬 수 있다.
이와 같은 와이어 형태의 실리사이드를 포함하는 Si 계열 물질층은 전계 방출(field emission) 특성 및 전도 특성이 우수하여, 전자방출원(field emitter) 재료, 디바이스와 디바이스를 연결해주는 컨덕터재료 및 배선재료로서 사용될 수 있으며, 그 외에 다양한 반도체 소자에 적용될 수 있다.
특히, 본 발명에 따른 와이어 형태의 실리사이드를 포함하는 Si 계열 물질층 및 그 제조방법을 FED(field emission display)와 반도체 메모리 소자 및 차세대 소자에 적용할 경우, 고품질의 소자를 효과적으로 제작할 수 있을 뿐만 아니라 소자의 성능을 극대화시켜 제품 경쟁력을 높일 수 있다.
<실시예>
본 실시예에서는, 먼저 Si 이온을 50 keV의 에너지, 2×1015 atoms/㎠ 도즈(dose)로 Si 기판(substrate)에 이온 주입(ion implantation)하여 Si 기판에 소정두께의 비정질 Si 층을 형성하였다.
다음에는 Ni 이온을 25 keV의 에너지, 5×1015 atoms/㎠ 도즈(dose)로 상기 비정질 Si 층에 이온 주입(ion implantation) 하였다.
다음에는 상기 Ni 이온이 주입된 시편을 진공 챔버(vacuum chamber)내에 로딩한 후 약 10-3 torr의 진공을 유지한채로 엑시머 레이저(excimer laser)빔을 이용하여 상기 시편을 어닐링 하였다.
본 실시예에서 사용된 레이저는 KrF 엑시머 레이저빔을 사용하였으며, 레이저빔의 에너지 밀도는 300 내지 700 mJ/cm2의 조건으로 어닐링 하였다.
도 4는 어닐링 전의 시편 구조를 보여주는 TEM(transmission electron microscopy) 사진이다. Si과 Ni의 이온 주입의 결과로 Si 기판에 약 87nm 두께의 비정질 Si 층이 형성되었으며, Ni과 Si의 반응에 의해 형성된 클러스터(cluster)가 없다는 것을 보여 주고 있다.
도 5는 XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)를 이용하여 각각 Ni 이온을 주입한 직후(as-implanted), 300 mJ/cm2 및 500mJ/cm2의 에너지 밀도로 어닐링한 시편에서 측정된 Ni 2p spectrum을 보여준다.
Ni과 Si의 반응 유무를 판단하기 위해서 순수한(pure) Ni 시편도 함께 측정하여 비교하였다. 순수 Ni 시편의 경우 Ni 2p peak은 852.61eV에 나타나지만, 나머지 모든 시편의 Ni 2p peak은 853.71eV에서 나타난다.
이러한 결과는 Ni과 Si과의 반응에 의한 금속 실리사이드가 형성되었다는 것을 의미한다. 즉, Ni 이온 주입한 직후에 주입된 이온의 운동 에너지(kinetic energy)에 의해서 금속 실리사이드가 형성되는 것을 알 수 있다.
도 6a 및 도 6b는 각각 300mJ/cm2(6a)와 500mJ/cm2(6b)의 에너지 밀도로 레이저 어닐링한 시편에 대한 단면부(cross-sectional) STEM(scanning transmission electron microscope) 사진이다.
도 6a 및 도 6b를 함께 참조하면, 와이어 형태의 금속 실리사이드가 Si 그레 인 경계(grain boundary)에 존재하는 것을 볼 수 있다. 또한, Si 그레인 경계 지역에서 EDX line profile과 EDX mapping을 해 본 결과 Ni과 Si이 주 성분인 것을 알 수 있었다. 즉, 도 6a 및 도 6b에서 관찰된 나노 스케일(nano scale) 와이어 형태의 금속 실리사이드는 Ni 실리사이드인 것을 알 수 있었다.
도 7a 및 도 7b는 각각 600mJ/cm2(7a)와 700mJ/cm2(7b)의 에너지 밀도로 레이저 어닐링한 시편에 대한 평면부(plan-view) STEM(scanning transmission electron microscope) 사진이다.
시편의 Si 그레인 경계를 따라 Ni 실리사이드가 존재하며, 그레인 경계의 삼중점(grain boundary triple point)에 Ni 실리사이드가 형성되는 것을 알 수 있다.
도 8은 700mJ/cm2의 에너지 밀도로 레이저 어닐링한 시편에 대한 전계 방출(field emission)특성을 보여주는 그래프이다.
전압(voltage)이 증가함에 따라, 전류밀도(current density) 대 전압(voltage) 그래프가 선형적(linear)인 결과를 보여주며, 이로써 Si 계열 물질층이 전계 방출(field emission) 특성을 가지는 것을 알 수 있다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고, 특허청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
본 발명에 의하면 Si 계열 물질층 내에 나노 스케일(nano scale) 와이어 형태의 실리사이드를 형성시킬 수 있다.
이와 같은 와이어 형태의 실리사이드를 포함하는 Si 계열 물질층은 전계 방출(field emission) 특성 및 전도 특성이 우수하여, 전자방출원(field emitter) 재료, 디바이스와 디바이스를 연결해주는 컨덕터재료 및 배선재료로서 사용될 수 있으며, 그 외에 다양한 반도체 소자에 적용될 수 있다.
특히, 본 발명에 따른 와이어 형태의 실리사이드를 포함하는 Si 계열 물질층 및 그 제조방법을 FED(field emission display)와 반도체 메모리 소자 및 차세대 소자에 적용할 경우, 고품질의 소자를 효과적으로 제작할 수 있을 뿐만 아니라 소자의 성능을 극대화시켜 제품 경쟁력을 높일 수 있다.

Claims (23)

  1. 복수의 그레인을 포함하고, 상기 그레인 경계의 삼중점에 와이어 형태의 금속 실리사이드가 형성된 것을 특징으로 하는 Si 계열 물질층.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 Si 계열 물질층은 Si 층, SiGe 층 및 SiC 층 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 Si 계열 물질층.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 실리사이드는 상기 물질층의 표면에서부터 소정의 깊이만큼, 수직방향으로 형성된 것을 특징으로 하는 Si 계열 물질층.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속 실리사이드의 직경은 0.1 nm 내지 100 nm 인 것을 특징으로 하는 Si 계열 물질층.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 실리사이드의 길이는 0.1 nm 내지 1000 nm 인 것을 특징으로 하는 Si 계열 물질층.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속은 Ag, Au, Al, Cu, Cr, Co, Ni, Ti, Sb, V, Mo, Ta, Nb, Ru, W, Pt, Pd, Zn 및 Mg 으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 Si 계열 물질층.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속 실리사이드는 1×1010 atoms/㎠ 내지 1×1017 atoms/㎠ 의 금속 이온을 포함하는 것을 특징으로 하는 Si 계열 물질층.
  9. Si 계열 기판에 소정두께의 비정질 층을 형성하는 단계;
    상기 비정질 층에 소정의 금속 이온을 도핑하는 단계; 및
    상기 금속 이온이 도핑된 비정질 층을 50 mJ/㎠ 내지 3000 mJ/㎠의 에너지 밀도를 갖는 레이저빔을 이용하여 어닐링하는 단계;를 포함하며,
    상기 어닐링 단계는 상기 금속 이온이 도핑된 비정질 층을 복수의 그레인을 포함하는 다결정 층으로 결정화하고, 상기 그레인 경계의 삼중점에 와이어 형태의 금속 실리사이드를 형성하는 것을 특징으로 하는 Si 계열 물질층의 제조방법.
  10. 삭제
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 비정질 층을 형성하는 단계는 기판에 소정의 원소 이온을 도핑하여 기판의 소정두께를 비정질 층으로 변화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 Si 계열 물질층의 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 원소는 C, Si, Ge, Sn 및 Pb 으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 Si 계열 물질층의 제조방법.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 금속은 Ag, Au, Al, Cu, Cr, Co, Ni, Ti, Sb, V, Mo, Ta, Nb, Ru, W, Pt, Pd, Zn 및 Mg 으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 Si 계열 물질층의 제조방법.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 금속 이온의 도핑량은 1×1010 atoms/㎠ 내지 1×1017 atoms/㎠ 인 것을 특징으로 하는 Si 계열 물질층의 제조방법.
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 금속 이온의 도핑 에너지는 1 keV 내지 1000 keV 인 것을 특징으로 하는 Si 계열 물질층의 제조방법.
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 제 9 항에 있어서,
    상기 Si 계열 기판은 Si 기판, SiGe 기판 및 SiC 기판 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 Si 계열 물질층의 제조방법.
  19. 제 9 항에 있어서,
    상기 Si 계열 기판은 SiO2 기판, MgO 기판, ITO 기판, 결정질 Si 기판 및 비정질 Si 기판 중의 어느 하나의 기판 상에 Si 층, SiGe 층 또는 SiC 층이 형성된 것을 특징으로 하는 Si 계열 물질층의 제조방법.
  20. 제 9 항에 있어서,
    상기 금속 이온의 도핑은 이온 주입 장치에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 Si 계열 물질층의 제조방법.
  21. 제 9 항에 있어서,
    상기 실리사이드는 상기 물질층의 표면에서부터 소정의 깊이만큼, 수직방향으로 형성되는 것을 특징으로 하는 Si 계열 물질층의 제조방법.
  22. 제 9 항에 있어서,
    상기 금속 실리사이드의 직경은 0.1 nm 내지 100 nm 인 것을 특징으로 하는 Si 계열 물질층의 제조방법.
  23. 제 9 항에 있어서,
    상기 실리사이드의 길이는 0.1 nm 내지 1000 nm 인 것을 특징으로 하는 Si 계열 물질층의 제조방법.
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