JP2005072062A - 電子部品搭載基板およびその製造方法 - Google Patents

電子部品搭載基板およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2005072062A
JP2005072062A JP2003209111A JP2003209111A JP2005072062A JP 2005072062 A JP2005072062 A JP 2005072062A JP 2003209111 A JP2003209111 A JP 2003209111A JP 2003209111 A JP2003209111 A JP 2003209111A JP 2005072062 A JP2005072062 A JP 2005072062A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electronic component
metal plate
component mounting
metal
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003209111A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4028452B2 (ja
Inventor
Hideyo Osanai
英世 小山内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dowa Holdings Co Ltd
Original Assignee
Dowa Mining Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dowa Mining Co Ltd filed Critical Dowa Mining Co Ltd
Priority to JP2003209111A priority Critical patent/JP4028452B2/ja
Priority to US10/925,640 priority patent/US7159310B2/en
Priority to EP04020299.6A priority patent/EP1511075B1/en
Publication of JP2005072062A publication Critical patent/JP2005072062A/ja
Priority to US11/605,723 priority patent/US8039757B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4028452B2 publication Critical patent/JP4028452B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/101—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by casting or moulding of conductive material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/07—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process
    • H01L2224/08—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/081—Disposition
    • H01L2224/0812—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
    • H01L2224/08151—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding the bonding area connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/08221—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding the bonding area connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/08225—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding the bonding area connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/32238—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the layer connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75754—Guiding structures
    • H01L2224/75755—Guiding structures in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75754—Guiding structures
    • H01L2224/75756—Guiding structures in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7598—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors specially adapted for batch processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83104—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus by applying pressure, e.g. by injection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/83801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/83886—Involving a self-assembly process, e.g. self-agglomeration of a material dispersed in a fluid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1027—IV
    • H01L2924/10272—Silicon Carbide [SiC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H01L2924/3511—Warping
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
    • H05K1/053—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an inorganic insulating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/12—Using specific substances
    • H05K2203/128—Molten metals, e.g. casting thereof, or melting by heating and excluding molten solder
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49126—Assembling bases
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y10T29/49146—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. with encapsulating, e.g., potting, etc.
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base

Abstract

【課題】半田を使用しないで金属−セラミックス接合基板に半導体チップなどの電子部品を取り付けることができる、電子部品搭載基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１０の一方の面に放熱用金属ベース板１２が接合するとともに他方の面に回路用金属板１４の一方の面が接合し、この回路用金属板の他方の面に電子部品１６が取り付けられた電子部品搭載基板の製造方法において、鋳型内にセラミックス基板と電子部品を離間して配置させ、この鋳型内のセラミックス基板の両面と電子部品に接触するように金属溶湯を注湯した後に金属溶湯を冷却して固化させることにより、セラミックス基板の一方の面に放熱用金属ベース板を形成して直接接合するとともにセラミックス基板の他方の面に回路用金属板を形成して回路用金属板の一方の面を直接接合し、この回路用金属板を形成する際に回路用金属板の他方の面に電子部品を直接接合する。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品搭載基板およびその製造方法に関し、特に、金属−セラミックス接合基板上に半導体チップなどの電子部品が取り付けられた電子部品搭載基板およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電気自動車、電車、工作機械などの大電流を制御するために、パワーモジュールが使用されている。従来のパワーモジュールでは、ベース板と呼ばれている金属板または複合材の一方の面に金属−セラミックス絶縁基板が半田付けにより固定され、この金属−セラミックス絶縁基板上に半導体チップが半田付けにより固定されている。また、ベース板の他方の面（裏面）には、ねじ止めなどにより熱伝導グリースを介して金属製の放熱フィンや冷却ジャケットが取り付けられている。
【０００３】
この金属−セラミックス絶縁基板へのベース板や半導体チップの半田付けは加熱により行われるため、半田付けの際に接合部材間の熱膨張係数の差によりベース板の反りが生じ易い。また、半導体チップから発生した熱は、金属−セラミックス絶縁基板と半田とベース板を介して放熱フィンや冷却ジャケットにより空気や冷却水に逃がされるため、半田付けの際にベース板の反りが生じると、放熱フィンや冷却ジャケットをベース板に取り付けたときのクリアランスが大きくなり、放熱性が極端に低下するという問題がある。さらに、半田自体の熱伝導率が低いため、大電流を流すパワーモジュールでは、より高い放熱性が求められていた。
【０００４】
このような問題を解決するため、ベース板と金属−セラミックス絶縁基板との間を半田付けすることなく、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなるベース板をセラミックス基板に直接接合した金属−セラミックス回路基板が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−７６５５１号公報（段落番号００１５）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、特許文献１に開示された金属−セラミックス回路基板では、ベース板と金属−セラミックス絶縁基板の半田付けが不要になってこれらの間の熱伝導性が改善されたものの、依然として半導体チップを金属−セラミックス回路基板上に半田付けする必要がある。
【０００７】
近年、半田の鉛フリー化が望まれており、特許文献１に開示された金属−セラミックス回路基板に半導体チップなどの電子部品を半田付けにより取り付ける場合にも、鉛フリーの半田を使用するのが望ましい。しかし、高温半田を使用して半田付けを行わなければならない場合には、従来の高温半田と同等以上の特性を有する鉛フリーの代替材料が開発されていないため、鉛フリー化が困難である。
【０００８】
また、半導体チップなどの電子部品を半田付けにより固定する場合には、半田の熱伝導率が十分でないため放熱性が十分でなく、また、ボイドが生じ易く、放熱性および信頼性が低下する場合もある。さらに、半導体チップなどの電子部品を半田付けにより金属板に取り付ける前に金属板にめっきを施して半田濡れ性を向上させる必要がある場合もあり、製造コストが高くなる。
【０００９】
したがって、本発明は、このような従来の問題点に鑑み、半田を使用しないで金属−セラミックス接合基板に半導体チップなどの電子部品を取り付けることができる、電子部品搭載基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、セラミックス基板の一方の面に回路用金属板の一方の面を直接接合する際に回路用金属板の他方の面に半導体チップなどの電子部品を直接接合することにより、半田を使用しないで金属−セラミックス接合基板に半導体チップなどの電子部品を固定することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１１】
すなわち、本発明による電子部品搭載基板の製造方法は、セラミックス基板の一方の面に金属部材が接合するとともに他方の面に金属板の一方の面が接合し、この金属板の他方の面に電子部品が取り付けられた電子部品搭載基板の製造方法において、鋳型内にセラミックス基板と電子部品を離間して配置させ、この鋳型内のセラミックス基板の両面と電子部品に接触するように金属溶湯を注湯した後に金属溶湯を冷却して固化させることにより、セラミックス基板の一方の面に金属部材を形成して金属部材を直接接合するとともにセラミックス基板の他方の面に金属板を形成して金属板の一方の面を直接接合し、この金属板を形成する際に金属板の他方の面に電子部材を直接接合することを特徴とする。
【００１２】
この電子部品搭載基板の製造方法において、電子部品が金属溶湯と反応して合金または化合物を生成しない物質からなるのが好ましい。また、電子部品が半導体チップ、抵抗体チップまたはコンデンサチップであるのが好ましく、特に、ＳｉＣチップであるのが好ましい。さらに、金属溶湯がアルミニウム溶湯またはアルミニウム合金溶湯であるのが好ましい。
【００１３】
また、本発明によるパワーモジュールの製造方法は、上記の電子部品搭載基板の製造方法によって製造された電子部品搭載基板の電子部品が半導体チップであり、電子部品搭載基板に電極を備えたケースを取り付け、このケースの電極と半導体チップとを接続し、ケース内に絶縁物質を充填することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明による電子部品搭載基板は、セラミックス基板の一方の面に金属部材が接合するとともに他方の面に金属板の一方の面が接合し、この金属板の他方の面に電子部品が取り付けられた電子部品搭載基板において、電子部品が金属板の他方の面に直接接合していることを特徴とする。
【００１５】
この電子部品搭載基板において、電子部品が、金属溶湯が固化することにより金属板が形成される際に金属板の他方の面に接合するのが好ましく、半田を使用することなく金属板の他方の面に接合しているのが好ましい。また、電子部品が金属溶湯と反応して合金または化合物を生成しない物質からなるのが好ましい。また、電子部品が半導体チップ、抵抗体チップまたはコンデンサチップであるのが好ましく、特に、ＳｉＣチップであるのが好ましい。さらに、金属部材および金属板がアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるのが好ましい。
【００１６】
さらに、本発明によるパワーモジュールは、上記のいずれかの電子部品搭載基板の電子部品が半導体チップであり、電子部品搭載基板に電極を備えたケースが取り付けられ、このケースの電極と半導体チップが接続され、ケース内に絶縁物質が充填されていることを特徴とする。
【００１７】
なお、上記の電子部品搭載基板の製造方法において、セラミックス基板、金属部材、金属板および電子部材が一体に接合した基板を鋳型から取り出した後、金属板の表面にエッチングレジストを形成し、エッチングにより金属板に回路を形成するのが好ましい。この場合、金属板を機械加工した後にエッチングを行うのが好ましい。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明による電子部品搭載基板およびその製造方法の実施の形態について説明する。
【００１９】
図１に示すように、本発明による電子部品搭載基板の実施の形態は、セラミックス基板１０と、このセラミックス基板１０の一方の面に直接接合したアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる放熱用金属ベース板１２と、セラミックス基板１０の他方の面に直接接合したアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる回路用金属板１４と、この回路用金属板１４に直接接合した電子部品１６とから構成されている。
【００２０】
セラミックス基板１０と放熱用金属ベース板１２との間、セラミックス基板１０と回路用金属板１４との間、回路用金属板１４と電子部品１６との間の直接接合は、例えば、図２に示すような鋳型１００に金属溶湯を流し込んで冷却することによって行われる。
【００２１】
図２に示すように、鋳型１００は、下側鋳型部材１０２と上側鋳型部材１０４とからなる。下側鋳型部材１０２は、平面形状が略矩形の底面部１０２ａと、この底面部１０２ａの周縁部から垂直方向上方に向かって延びる側壁部１０２ｂとからなる。この下側鋳型部材１０２の底面部１０２ａの上面には、階段状の側壁を有する凹部１０２ｃが形成されている。この凹部１０２ｃは、電子部品１６と略等しい形状および大きさの１つまたは複数（図２では２つのみを示す）の電子部品収容部１０２ｄと、この電子部品収容部１０２ｄの上部に隣接して形成され、回路用金属板１４と略等しい形状および大きさの１つまたは複数（図２では１つのみを示す）の回路用金属板形成部１０２ｅと、この回路用金属板形成部１０２ｅの上部に隣接して形成され、セラミックス基板１０と略等しい形状および大きさの１つまたは複数（図２では１つのみを示す）のセラミックス基板収容部１０２ｆとからなる。下側鋳型部材１０２の上部に平面形状が略矩形の上側鋳型部材１０４を被せることによって内部に画定される空間のうち、下側鋳型部材１０２の凹部１０２ｃを除いた部分は、放熱用金属ベース板１２の形状に対応する形状を有する放熱用金属ベース板形成部１０２ｇである。なお、上側鋳型部材１０４には、金属溶湯を鋳型１００内に注湯するための（図示しない）注湯口が形成されている。また、下側鋳型部材１０２には、放熱用金属ベース板形成部１０２ｇと回路用金属板形成部１０２ｅとの間に延びる（図示しない）溶湯流路が形成され、セラミックス基板収容部１０２ｆ内にセラミックス基板１０を収容したときにも放熱用金属ベース板形成部１０２ｇと回路用金属板形成部１０２ｅとの間が連通するようになっている。
【００２２】
この鋳型１００の下側鋳型部材１０２の電子部品収容部１０２ｄ内に電子部品１６を収容し、セラミックス基板収容部１０２ｆ内にセラミックス基板１０を収容した後、放熱用金属ベース板形成部１０２ｇ内に金属溶湯を注湯し、（図示しない）溶湯流路を介して回路用金属板形成部１０２ｅまで金属溶湯を充填し、その後、冷却して金属溶湯を固化させることにより、セラミックス基板１０、放熱用金属ベース板１２、回路用金属板１４および電子部品１６を一体に接合した電子部品搭載基板を製造することができる。
【００２３】
このように、半田を使用しないで電子部品１６をアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる回路用金属板１４に直接接合することにより、熱伝導率を向上させて放熱性を向上させることができる。また、半田を使用した場合に生じ易いボイドが生じ難くなり、アルミニウムまたはアルミニウム合金は半田より熱伝導率が高いため、放熱性および信頼性を向上させることができる。また、鉛フリー化が難しい高温半田を使用する必要がないので、鉛フリー化を図ることができる。さらに、半田濡れ性を向上させるために回路用金属板１４にめっきを施す必要もない。なお、電子部品１６は、金属溶湯を反応して合金または化合物を生成しない物質からなるものであれば、半導体チップ、抵抗体チップおよびコンデンサチップなどのいずれの電子部品でもよい。
【００２４】
次に、添付図面を参照して、本発明による電子部品搭載基板の実施の形態を使用したパワーモジュールおよびその製造方法について説明する。
【００２５】
図３に示すように、このパワーモジュールは、セラミックス基板１０と、このセラミックス基板１０の一方の面に直接接合したアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる冷却フィン付き放熱用金属ベース板１２１と、セラミックス基板１０の他方の面に直接接合したアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる回路用金属板１４と、この回路用金属板１４に直接接合したＳｉＣチップなどの半導体チップ１６１と、セラミックス基板１０と回路用金属板１４と半導体チップ１６１とを取り囲むように放熱用金属ベース板１２に取り付けられたケース１８と、半導体チップ１６１とケース１８の電極１９とを接続するアルミニウムワイヤ２０と、ケース１８内に充填された絶縁樹脂２２とから構成されている。
【００２６】
セラミックス基板１０と放熱用金属ベース板１２との間、セラミックス基板１０と回路用金属板１４との間、回路用金属板１４と半導体チップ１６１との間の直接接合は、例えば、図４に示すような鋳型２００に金属溶湯を流し込んで冷却することによって行われる。
【００２７】
図４に示すように、鋳型２００は、下側鋳型部材２０２と上側鋳型部材２０４とからなる。下側鋳型部材２０２は、平面形状が略矩形の底面部２０２ａと、この底面部２０２ａの周縁部から垂直方向上方に向かって延びる側壁部２０２ｂとからなる。この下側鋳型部材２０２の底面部２０２ａの上面には、階段状の側壁を有する凹部２０２ｃが形成されている。この凹部２０２ｃは、半導体チップ１６１と略等しい形状および大きさの１つまたは複数（図４では２つのみを示す）の半導体チップ収容部２０２ｄと、この半導体チップ収容部２０２ｄの上部に隣接して形成され、回路用金属板１４と略等しい形状および大きさの１つまたは複数（図４では１つのみを示す）の回路用金属板形成部２０２ｅと、この回路用金属板形成部２０２ｅの上部に隣接して形成され、セラミックス基板１０と略等しい形状および大きさの１つまたは複数（図４では１つのみを示す）のセラミックス基板収容部２０２ｆとからなる。上側鋳型部材２０４は、平面形状が略矩形の上側鋳型本体２０４ａと、この上側鋳型本体２０４ａの底面から垂直方向下方に延び且つ所定の間隔で離間して互いに平行に延びる複数のフィン形成部２０４ｂとからなる。この上側鋳型部材２０４を下側鋳型部材２０２の上部に被せることによって内部に画定される空間のうち、下側鋳型部材２０２の凹部２０２ｃを除いた部分は、冷却フィン付き放熱用金属ベース板１２１の形状に対応する形状を有する放熱用金属ベース板形成部２０２ｇである。なお、上側鋳型部材２０４には、金属溶湯を鋳型２００内に注湯するための（図示しない）注湯口が形成されている。また、下側鋳型部材２０２には、放熱用金属ベース板形成部２０２ｇと回路用金属板形成部２０２ｅとの間に延びる（図示しない）溶湯流路が形成され、セラミックス基板収容部２０２ｆ内にセラミックス基板１０を収容したときにも放熱用金属ベース板形成部２０２ｇと回路用金属板形成部２０２ｅとの間が連通するようになっている。
【００２８】
この鋳型２００の下側鋳型部材２０２の半導体チップ収容部２０２ｄ内に半導体チップ１６１を収容し、セラミックス基板収容部２０２ｆ内にセラミックス基板１０を収容した後、放熱用金属ベース板形成部２０２ｇ内に金属溶湯を注湯し、（図示しない）溶湯流路を介して回路用金属板形成部２０２ｅまで金属溶湯を充填し、その後、冷却して金属溶湯を固化させることにより、セラミックス基板１０、放熱用金属ベース板１２１、回路用金属板１４および半導体チップ１６１を一体に接合することができる。
【００２９】
【実施例】
以下、本発明による電子部品搭載基板およびその製造方法の実施例について詳細に説明する。
【００３０】
［実施例１］
まず、鋳型として、図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、平面形状が略矩形の下側鋳型部材３００の底面部３００ａの上面に１０ｍｍの間隔で離間した２つの階段状の側壁を有する凹部３００ｂを有し、これらの凹部３００ｂのそれぞれが、１０ｍｍ×１０ｍｍ×１．５ｍｍの半導体チップと略等しい形状および大きさで且つその半導体チップを収容し得る形状および大きさの２つの半導体チップ収容部３００ｃと、これらの半導体チップ収容部３００ｃの上部に隣接して形成され、半導体チップの上部に３９ｍｍ×３９ｍｍ×０．４ｍｍの回路用金属板を形成し得る形状および大きさの回路用金属板形成部３００ｄと、この回路用金属板形成部３００ｄの上部に隣接して形成され、回路用金属板形成部３００ｄの上部に４０ｍｍ×４０ｍｍ×０．６３５ｍｍのセラミックス基板と略等しい形状および大きさで且つそのセラミックス基板を収容し得る形状および大きさのセラミックス基板収容部３００ｅとからなり、下側鋳型部材３００の上部に平面形状が略矩形の（図示しない）上側鋳型部材を被せたときにセラミックス基板の上部に隣接して１１０ｍｍ×６０ｍｍ×５ｍｍの放熱用金属ベース板を形成し得る形状および大きさの放熱用金属ベース板形成部３００ｆが形成されるカーボン製鋳型を用意した。なお、この鋳型の上側鋳型部材には、金属溶湯を鋳型内に注湯するための（図示しない）注湯口が形成されている。また、下側鋳型部材３００には、放熱用金属ベース板形成部３００ｆと回路用金属板形成部３００ｄとの間に延びる（図示しない）溶湯流路が形成され、セラミックス基板収容部３００ｅ内にセラミックス基板を収容したときにも放熱用金属ベース板形成部３００ｆと回路用金属板形成部３００ｄとの間が連通するようになっている。
【００３１】
この鋳型の下側鋳型部材３００の半導体チップ収容部３００ｃ内に１０ｍｍ×１０ｍｍ×１．５ｍｍの４枚のＳｉＣチップを収容し、セラミックス基板収容部３００ｅ内に４０ｍｍ×４０ｍｍ×０．６３５ｍｍの２枚の窒化アルミニウム基板を収容し、下側鋳型部材３００に上側鋳型部材を被せて炉内に入れ、炉内を酸素濃度１００ｐｐｍ以下の窒素雰囲気にした。この状態で７５０℃まで加熱し、純度４Ｎの溶融状態のアルミニウムを、（図示しない）カーボン製シリンダで圧力をかけることにより酸化被膜を取り除きながら、鋳型内に流し込んだ。その後、鋳型を冷却してアルミニウムを凝固させ、さらに室温まで冷却した。このようにして、図５（ｃ）に示すように、１１０ｍｍ×６０ｍｍ×５ｍｍのアルミニウムベース板３０２に２枚のセラミックス基板３０４のそれぞれの一方の面が直接接合し、それぞれのセラミックス基板３０４の他方の面に３９ｍｍ×３９ｍｍ×０．４ｍｍの回路用アルミニウム板３０６の一方の面が直接接合し、それぞれの回路用アルミニウム板３０６の他方の面に２枚のＳｉＣチップ３０８が直接接合した接合体を製造し、この接合体を鋳型から取り出した。
【００３２】
その後、それぞれの回路用アルミニウム板３０６の表面に所定の形状のエッチングレジストを印刷し、塩化第二鉄溶液によってエッチング処理を行って回路パターンを形成した後、レジストを剥離した。
【００３３】
このようにして得られた接合体について、ＳｉＣチップ３０８とアルミニウム回路板３０６との間の接合界面と、アルミニウム回路板３０６とセラミックス基板３０４との間の接合界面と、セラミックス基板３０４とアルミニウムベース板３０２との間の接合界面を超音波探傷装置によって調べたところ、接合欠陥が認められず、セラミックス基板３０４にもクラックが認められなかった。
【００３４】
また、この接合体に対して、−４０℃で３０分間保持、２５℃で１０分間保持、１２５℃で３０分間保持、２５℃で１０分間保持を１サイクルとするヒートサイクルを３０００回行った後、上述した各々の接合界面を超音波探傷装置によって調べたところ、接合欠陥が認められず、セラミックス基板３０４にもクラックが認められなかった。
【００３５】
［実施例２］
図６（ｃ）に示すように、１枚のセラミックス基板４０４の一方の面に１枚の回路用金属板４０６が接合するとともに他方の面に３９ｍｍ×３９ｍｍ×１．０ｍｍの放熱用金属板４０２が接合した以外は、実施例１と同様の接合体を製造するための下側鋳型部材４００ａと上側鋳型部材４００ｂとからなる鋳型４００（図６（ａ）および図６（ｂ）を参照）を使用して、実施例１と同様の方法で接合体を製造した後、実施例１と同様のエッチング処理を行った。
【００３６】
このようにして得られた接合体について、ＳｉＣチップ４０８とアルミニウム回路板４０６との間の接合界面と、アルミニウム回路板４０６とセラミックス基板４０４との間の接合界面と、セラミックス基板４０４とアルミニウム放熱板４０２との間の接合界面を超音波探傷装置によって調べたところ、接合欠陥が認められず、セラミックス基板４０４にもクラックが認められなかった。
【００３７】
また、この接合体に対して、実施例１と同様のヒートサイクルを３０００回行った後、上述した各々の接合界面を超音波探傷装置によって調べたところ、接合欠陥が認められず、セラミックス基板４０４にもクラックが認められなかった。
【００３８】
［実施例３］
図７（ｂ）に示すように、幅３ｍｍ、高さ１０ｍｍの複数のフィンが１０ｍｍ間隔で放熱用金属ベース板の裏面に形成された以外は実施例１と同様の接合体を製造するための鋳型５００（図７（ａ）を参照）を使用して、実施例１と同様の方法で接合体を製造した後、実施例１と同様のエッチング処理を行った。
【００３９】
このようにして得られた接合体について、ＳｉＣチップ５０８とアルミニウム回路板５０６との間の接合界面と、アルミニウム回路板５０６とセラミックス基板５０４との間の接合界面と、セラミックス基板５０４とアルミニウムベース板５０２との間の接合界面を超音波探傷装置によって調べたところ、接合欠陥が認められず、セラミックス基板５０４にもクラックが認められなかった。
【００４０】
また、この接合体に対して、実施例１と同様のヒートサイクルを３０００回行った後、上述した各々の接合界面を超音波探傷装置によって調べたところ、接合欠陥が認められず、セラミックス基板５０４にもクラックが認められなかった。
【００４１】
【発明の効果】
上述したように、本発明によれば、半田を使用しないで金属−セラミックス接合基板に半導体チップなどの電子部品が取り付けられた電子部品搭載基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による電子部品搭載基板の実施の形態を概略的に示す図。
【図２】本発明による電子部品搭載基板の製造方法の実施の形態に使用する鋳型の断面図。
【図３】本発明による電子部品搭載基板の実施の形態を使用したパワーモジュールを概略的に示す図。
【図４】本発明による電子部品搭載基板の実施の形態を使用したパワーモジュールを製造するために使用する鋳型の断面図。
【図５】実施例１において電子部品搭載基板に使用する接合体およびその製造用の鋳型の下側鋳型部材を示す図であり、図５（ａ）は下側鋳型部材の平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＢ−Ｂ線断面図、図５（ｃ）は図５（ａ）の鋳型によって製造される接合体の断面図。
【図６】実施例２において電子部品搭載基板に使用する接合体およびその製造用の鋳型を示す図であり、図６（ａ）は下側鋳型部材の平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＢ−Ｂ線に沿って切断して示す下側鋳型部材に上側鋳型部材を被せた状態の鋳型の断面図、図６（ｃ）は図６（ｂ）の鋳型によって製造される接合体の断面図。
【図７】実施例３において電子部品搭載基板に使用する接合体およびその製造用の鋳型を示す図であり、図７（ａ）は鋳型の断面図、図７（ｂ）は図７（ａ）の鋳型によって製造される接合体の断面図。
【符号の説明】
１０ セラミックス基板
１２ 放熱用金属ベース板
１４ 回路用金属板
１６ 電子部品
１６１ 半導体チップ
１８ ケース
２０ アルミニウムワイヤ
２２ 絶縁樹脂
１００、２００、４００、５００ 鋳型
１０２、２０２、３００、４００ａ 下側鋳型部材
１０２ａ、２０２ａ、３００ａ 底面部
１０２ｂ、２０２ｂ 側壁部
１０２ｃ、２０２ｃ、３００ｂ 凹部
１０２ｄ 電子部品収容部
２０２ｄ、３００ｃ 半導体チップ収容部
１０２ｅ、２０２ｅ、３００ｄ 回路用金属板形成部
１０２ｆ、２０２ｆ、３００ｅ セラミックス基板収容部
１０２ｇ、２０２ｇ、３００ｆ 放熱用金属ベース板形成部
１０４、２０４、４００ｂ 上側鋳型部材
２０４ａ 上側鋳型本体
２０４ｂ フィン形成部
３０２、５０２ アルミニウムベース板
３０４、４０４、５０４ セラミックス基板
３０６、４０６、５０６ 回路用アルミニウム板（アルミニウム回路板）
３０８、４０８、５０８ ＳｉＣチップ
４０２ アルミニウム放熱板

Claims (16)

  1. セラミックス基板の一方の面に金属部材が接合するとともに他方の面に金属板の一方の面が接合し、この金属板の他方の面に電子部品が取り付けられた電子部品搭載基板の製造方法において、鋳型内にセラミックス基板と電子部品を離間して配置させ、この鋳型内のセラミックス基板の両面と電子部品に接触するように金属溶湯を注湯した後に金属溶湯を冷却して固化させることにより、セラミックス基板の一方の面に金属部材を形成して金属部材を直接接合するとともにセラミックス基板の他方の面に金属板を形成して金属板の一方の面を直接接合し、この金属板を形成する際に金属板の他方の面に電子部材を直接接合することを特徴とする、電子部品搭載基板の製造方法。
  2. 前記電子部品が前記金属溶湯と反応して合金または化合物を生成しない物質からなることを特徴とする、請求項１に記載の電子部品搭載基板の製造方法。
  3. 前記電子部品が半導体チップ、抵抗体チップまたはコンデンサチップであることを特徴とする、請求項１または２に記載の電子部品搭載基板の製造方法。
  4. 前記電子部品がＳｉＣチップであることを特徴とする、請求項１または２に記載の電子部品搭載基板の製造方法。
  5. 前記金属溶湯がアルミニウム溶湯またはアルミニウム合金溶湯であることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれかに記載の電子部品搭載基板の製造方法。
  6. 請求項１または２に記載の電子部品搭載基板の製造方法によって製造された電子部品搭載基板の電子部品が半導体チップであり、前記電子部品搭載基板に電極を備えたケースを取り付け、このケースの電極と前記半導体チップとを接続し、ケース内に絶縁物質を充填することを特徴とする、パワーモジュールの製造方法。
  7. セラミックス基板の一方の面に金属部材が接合するとともに他方の面に金属板の一方の面が接合し、この金属板の他方の面に電子部品が取り付けられた電子部品搭載基板において、電子部品が金属板の他方の面に直接接合していることを特徴とする、電子部品搭載基板。
  8. 前記電子部品が、金属溶湯が固化することにより前記金属板が形成される際に前記金属板の他方の面に接合することを特徴とする、請求項７に記載の電子部品搭載基板。
  9. 前記電子部品が、半田を使用することなく前記金属板の他方の面に接合していることを特徴とする、請求項７に記載の電子部品搭載基板。
  10. 前記電子部品が前記金属溶湯と反応して合金または化合物を生成しない物質からなることを特徴とする、請求項７乃至９のいずれかに記載の電子部品搭載基板。
  11. 前記電子部品が半導体チップ、抵抗体チップまたはコンデンサチップであることを特徴とする、請求項７乃至１０のいずれかに記載の電子部品搭載基板。
  12. 前記電子部品がＳｉＣチップであることを特徴とする、請求項７乃至１０のいずれかに記載の電子部品搭載基板。
  13. 前記金属部材および前記金属板がアルミニウムまたはアルミニウム合金からなることを特徴とする、請求項７乃至１２のいずれかに記載の電子部品搭載基板。
  14. 請求項７乃至１０のいずれかに記載の電子部品搭載基板の電子部品が半導体チップであり、前記電子部品搭載基板に電極を備えたケースが取り付けられ、このケースの電極と前記半導体チップが接続され、ケース内に絶縁物質が充填されていることを特徴とする、パワーモジュール。
  15. 前記セラミックス基板、前記金属部材、前記金属板および前記電子部材が一体に接合した基板を鋳型から取り出した後、前記金属板の表面にエッチングレジストを形成し、エッチングにより前記金属板に回路を形成することを特徴とする、請求項１乃至５のいずれかに記載の電子部品搭載基板の製造方法。
  16. 前記エッチングが、前記金属板を機械加工した後に行われることを特徴とする、請求項１５に記載の電子部品搭載基板の製造方法。
JP2003209111A 2003-08-27 2003-08-27 電子部品搭載基板およびその製造方法 Expired - Fee Related JP4028452B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003209111A JP4028452B2 (ja) 2003-08-27 2003-08-27 電子部品搭載基板およびその製造方法
US10/925,640 US7159310B2 (en) 2003-08-27 2004-08-24 Electronic part mounting substrate and method for producing same
EP04020299.6A EP1511075B1 (en) 2003-08-27 2004-08-26 Electronic part mounting substrate and method for producing same
US11/605,723 US8039757B2 (en) 2003-08-27 2006-11-29 Electronic part mounting substrate and method for producing same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003209111A JP4028452B2 (ja) 2003-08-27 2003-08-27 電子部品搭載基板およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005072062A true JP2005072062A (ja) 2005-03-17
JP4028452B2 JP4028452B2 (ja) 2007-12-26

Family

ID=34100730

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003209111A Expired - Fee Related JP4028452B2 (ja) 2003-08-27 2003-08-27 電子部品搭載基板およびその製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US7159310B2 (ja)
EP (1) EP1511075B1 (ja)
JP (1) JP4028452B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006156994A (ja) * 2004-11-05 2006-06-15 Dowa Mining Co Ltd 電子部品搭載基板、その製造装置および製造方法
JP2013225686A (ja) * 2013-06-13 2013-10-31 Dowa Metaltech Kk 金属−セラミックス接合基板の製造方法
JP2017228551A (ja) * 2016-06-20 2017-12-28 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法
CN112563224A (zh) * 2020-12-04 2021-03-26 合肥圣达电子科技实业有限公司 一种用于大功率半导体芯片散热的微通道装置

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4441671B2 (ja) * 2003-09-22 2010-03-31 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 金属−セラミックス接合回路基板の製造方法
JP4543279B2 (ja) * 2004-03-31 2010-09-15 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 アルミニウム接合部材の製造方法
JP2006121046A (ja) * 2004-09-24 2006-05-11 Meiko:Kk 回路基板
DE102005001148B3 (de) * 2005-01-10 2006-05-18 Siemens Ag Elektronikeinheit mit EMV-Schirmung
JP4585416B2 (ja) * 2005-09-22 2010-11-24 富士通株式会社 基板の反り低減構造および基板の反り低減方法
JP4711792B2 (ja) * 2005-09-26 2011-06-29 三洋電機株式会社 回路装置
EP2006895B1 (en) * 2006-03-08 2019-09-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Electronic component module
JP2007294891A (ja) * 2006-03-30 2007-11-08 Dowa Metaltech Kk 放熱器
JP2007305962A (ja) * 2006-05-12 2007-11-22 Honda Motor Co Ltd パワー半導体モジュール
JP4797077B2 (ja) * 2009-02-18 2011-10-19 株式会社日立製作所 半導体パワーモジュール、電力変換装置、および、半導体パワーモジュールの製造方法
US8520389B2 (en) * 2009-12-02 2013-08-27 Hamilton Sundstrand Corporation Power semiconductor module for wide temperature applications
KR101419627B1 (ko) * 2010-02-05 2014-07-15 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 파워 모듈용 기판 및 파워 모듈
JP5565147B2 (ja) * 2010-06-30 2014-08-06 株式会社デンソー 半導体モジュールの製造方法
JP2013123014A (ja) * 2011-12-12 2013-06-20 Toyota Industries Corp 半導体装置
JP6012990B2 (ja) * 2012-03-19 2016-10-25 日本軽金属株式会社 放熱器一体型基板の製造方法
JP6139329B2 (ja) 2013-08-16 2017-05-31 日本碍子株式会社 セラミック回路基板及び電子デバイス
WO2018207396A1 (ja) * 2017-05-11 2018-11-15 住友電気工業株式会社 半導体装置
US20220399244A1 (en) * 2021-06-10 2022-12-15 Amulaire Thermal Technology, Inc. Thermally conductive and electrically insulating substrate

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4459607A (en) * 1981-06-18 1984-07-10 Burroughs Corporation Tape automated wire bonded integrated circuit chip assembly
US4700273A (en) * 1986-06-03 1987-10-13 Kaufman Lance R Circuit assembly with semiconductor expansion matched thermal path
EP1020914B1 (en) * 1989-10-09 2004-04-28 Mitsubishi Materials Corporation Ceramic substrate used for fabricating electric or electronic circuit
US5381304A (en) * 1993-06-11 1995-01-10 Honeywell Inc. Reworkable encapsulated electronic assembly and method of making same
JP2918191B2 (ja) * 1994-04-11 1999-07-12 同和鉱業株式会社 金属−セラミックス複合部材の製造方法
AT404083B (de) * 1995-04-18 1998-08-25 Electrovac Verfahren zum herstellen von gehäusen
JP3901427B2 (ja) * 1999-05-27 2007-04-04 松下電器産業株式会社 電子装置とその製造方法およびその製造装置
JP4649027B2 (ja) * 1999-09-28 2011-03-09 株式会社東芝 セラミックス回路基板
JP4044265B2 (ja) * 2000-05-16 2008-02-06 三菱電機株式会社 パワーモジュール
JP4756200B2 (ja) 2000-09-04 2011-08-24 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 金属セラミックス回路基板
CN1184684C (zh) * 2000-10-05 2005-01-12 三洋电机株式会社 半导体装置和半导体模块

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006156994A (ja) * 2004-11-05 2006-06-15 Dowa Mining Co Ltd 電子部品搭載基板、その製造装置および製造方法
JP2013225686A (ja) * 2013-06-13 2013-10-31 Dowa Metaltech Kk 金属−セラミックス接合基板の製造方法
JP2017228551A (ja) * 2016-06-20 2017-12-28 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法
CN112563224A (zh) * 2020-12-04 2021-03-26 合肥圣达电子科技实业有限公司 一种用于大功率半导体芯片散热的微通道装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP1511075A2 (en) 2005-03-02
US20070089291A1 (en) 2007-04-26
US7159310B2 (en) 2007-01-09
EP1511075B1 (en) 2018-10-10
US8039757B2 (en) 2011-10-18
US20050047101A1 (en) 2005-03-03
EP1511075A3 (en) 2008-06-04
JP4028452B2 (ja) 2007-12-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4028452B2 (ja) 電子部品搭載基板およびその製造方法
JP2004115337A (ja) アルミニウム−セラミックス接合体
JP5837754B2 (ja) 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法
JP2003163315A (ja) モジュール
JP2008218938A (ja) 金属−セラミックス接合基板
JP5619437B2 (ja) 金属−セラミックス接合基板の製造方法
JP4565249B2 (ja) 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法
JP2008187101A (ja) 半導体装置及び半導体装置の実装構造
JP2010040881A (ja) 位置決め治具および半導体装置の製造方法
JP5176042B2 (ja) 電子部品搭載基板の製造装置および製造方法
JP2009224571A (ja) ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びヒートシンク付パワーモジュール
JP2008251671A (ja) 放熱基板およびその製造方法および電子部品モジュール
JP4496404B2 (ja) 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法
JP2005011922A (ja) ヒートシンクを備えた両面銅貼り基板、およびこれを用いた半導体装置
JP4806803B2 (ja) 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法
JP5631446B2 (ja) 金属−セラミックス接合基板の製造方法
JP5389595B2 (ja) 金属−セラミックス接合基板及びその製造方法
JP5659935B2 (ja) 半導体装置
JP3779074B2 (ja) セラミックス回路基板とそれを用いたパワーモジュール
JP2004307307A (ja) セラミックス回路基板とその製造方法
JP5631100B2 (ja) 電子部品搭載基板の冷却構造
JP2011073194A (ja) 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法
JP2009164511A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2020132477A (ja) 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法
JP2004140199A (ja) モジュール構造体とその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060623

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061228

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070710

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070904

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20071009

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20071011

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101019

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4028452

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111019

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121019

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121019

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131019

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees