JP2005071484A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005071484A JP2005071484A JP2003300509A JP2003300509A JP2005071484A JP 2005071484 A JP2005071484 A JP 2005071484A JP 2003300509 A JP2003300509 A JP 2003300509A JP 2003300509 A JP2003300509 A JP 2003300509A JP 2005071484 A JP2005071484 A JP 2005071484A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- circuit
- semiconductor integrated
- write
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
- G11C11/15—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements using multiple magnetic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
書き込み動作開始直後のタイミングで発生する電流ピークを抑制でき、書き込み動作マージンが大きく、信頼性の高い半導体集積回路装置を提供することを目的としている。
【解決手段】
定電流書き込み方式を採用したMRAMにおいて、第1の電源Vccに接続された書き込み用の定電流回路13−1,13−2と、これに接続され且つ書き込み配線WL1,WL2を選択的に駆動するためのスイッチ回路群12−1,12−2を備え、書き込み電流の印加タイミングに先立って、このスイッチ回路群の両端の何れかのノードを定電流回路が接続された電源と上記スイッチ回路群の両端の何れかのノードを短絡させることを特徴とする。これによって、書き込み配線に流れる初期電流ピークを抑制できる。
【選択図】 図1
Description
ISSCC 2000 Digest of Technical Paper, p.128,"A 10ns Read and Write Non-Volatile Memory Array using a Magnetic Tunnel Junction and FET Switch in each Cell" 2002 Symposium on VLSI Circuits Digest of Technical Papers, p.156, "MRAM-Writing Circuitry to Compensate for Thermal-Variation of Magnetization-Reversal Current"
[第1の実施の形態]
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体集積回路装置について説明するためのもので、MRAMの書き込みに関係する主要コア部を抽出して示すブロック図である。本実施の形態では、中央に配置されたメモリセルアレイ11に対して、その両端に書き込み配線WL1,WL2へ選択的に電流を印加するためのスイッチ回路群12−1,12−2が配置される。このスイッチ回路群12−1,12−2には、それぞれ定電流源13−1,13−2が接続されている。メモリセルアレイ11の両端に定電流源13−1,13−2が配置されているのは、電流の向きの2方向化を可能とするためである。上記スイッチ回路群12−1,12−2中には、電流ピーク抑制回路14−1,14−2が内蔵されている。
図6は、本発明の第2の実施の形態に係る半導体集積回路装置について説明するためのもので、MRAMの書き込みに関するコア部のブロック図であり、上述した第1の実施の形態における図2に相当するものである。図6に示す回路が図2と異なるのは、カレントシンク14−1,14−2を分離独立させ、セレクタスイッチ12−1,12−2とカレントソース13−1,13−2の2つの回路を各書き込み配線WL1,WL2に対して配設した点にある。この回路では、カレントシンク14−1,14−2が定電流回路として作用し、カレントソース13−1,13−2が電流ピーク抑制回路としても機能する。他の基本的な構成は同様であるので、同一部分に同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
図8は、本発明の第3の実施の形態に係る半導体集積回路装置について説明するためのもので、MRAMの書き込みに関係する主要コア部を抽出して示すブロック図である。隣接する2つのメモリセルブロック11A,11Bで定電流回路13を共有させることにより、チップサイズの抑制を意図した構成である。一般的に、MRAMでは書き込み電流が数mAオーダーと大きく、MOSトランジスタの飽和特性を利用した定電流回路でこれを実現した場合、ゲート幅は数100μm程度が必要となる。このような、巨大なゲート幅を持つ定電流回路を単一のチップ内に複数搭載することは、チップサイズの増大やチップコストの上昇を招く。そこで、各メモリセルブロック11A,11Bの両端に、スイッチ回路群12−1A,12−2A,12−1B,12−2B(各々が電流ピーク抑制回路14−1A,14−2A,14−1B,14−2Bを内蔵する)を配置し、隣接ブロックで定電流回路13を共有することにより、チップサイズの増大を抑制することができる。
図9は、本発明の第4の実施の形態に係る半導体集積回路装置について説明するためのもので、MRAMの書き込みに関係する主要コア部を抽出して示すブロック図であり、図1に相当するブロック図である。図9に示す回路が図1と異なるのは、電流ピーク抑制回路14−1,14−2をスイッチ回路群12−1,12−2から分離させた点にある。
図13は、本発明の第5の実施の形態に係る半導体集積回路装置について説明するためのもので、MRAMの書き込みに関するコア部のブロック図であり、図10に相当する図面である。この図13に示す回路が図10と異なるのは、電流ピーク抑制回路14−1,14−2がカレントソース、定電流回路13−1,13−2がカレントシンクで実現されることである。他の基本的な構成は同様であるので、同一部分に同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
図16は、本発明の第6の実施の形態に係る半導体集積回路装置について説明するためのもので、MRAMの書き込みに関するコア部のブロック図である。この回路は、隣接する2つのメモリセルブロック11A,11Bで定電流回路13−2とピーク電流抑制回路14−2の双方を共有することにより、チップサイズの大幅な抑制を意図した構成である。各メモリセルブロック11A,11Bの両端には、スイッチ回路群12−1A,12−2A,12−1B,12−2Bのみ配置し、電流ピーク抑制回路14−1A,14−2,14−2Bと定電流回路13−1A,13−2,13−2Bをスイッチ回路群12−1A,12−2A,12−1B,12−2Bから分離させたことから、隣接ブロックで定電流回路と定電流回路とを共有することが可能となる。
図17はデジタル加入者線(DSL)用モデムのDSLデータパス部分を抽出して示している。このモデムは、プログラマブルデジタルシグナルプロセッサ(DSP:Digital Signal Processor)100、アナログ−デジタル(A/D)コンバータ110、デジタル−アナログ(D/A)コンバータ120、送信ドライバ150、及び受信機増幅器160などを含んでいる。図17では、バンドパスフィルタを省略しており、その代わりに回線コードプログラム(DSPで実行される、コード化された加入者回線情報、伝送条件等(回線コード;QAM、CAP、RSK、FM、AM、PAM、DWMT等)に応じてモデムを選択、動作させるためのプログラム)を保持するための種々のタイプのオプションのメモリとして、本実施形態の磁気ランダムアクセスメモリ170とEEPROM180を示している。
図18は、別の適用例として、携帯電話端末300を示している。通信機能を実現する通信部200は、送受信アンテナ201、アンテナ共用器202、受信部203、ベースバンド処理部204、音声コーデックとし用いられるDSP205、スピーカ(受話器)206、マイクロホン(送話器)207、送信部208、及び周波数シンセサイザ209等を備えている。
図19乃至図23はそれぞれ、磁気ランダムアクセスメモリをスマートメディア等のメディアコンテンツを収納するカード(MRAMカード)に適用した例を示す。
Claims (20)
- 磁気抵抗効果を利用して情報を記憶するメモリセルがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイと、
第1の電位供給源に接続され、前記メモリセルアレイ中の各メモリセルへのデータの書き込みに使用される定電流回路と、
前記定電流回路の出力を特定の書き込み配線に選択的に供給するためのスイッチ回路群と、書き込み動作が開始されるタイミングより前に、前記スイッチ回路群の両端のうち何れか一方を前記第1の電位供給源と異なる電位の第2の電位供給源に接続し、書き込み動作が開始された直後に前記スイッチ回路群の両端を短絡する手段とを備え、書き込み開始タイミングでの前記定電流回路の出力端子に接続された寄生容量からの電荷の流出、あるいは寄生容量への電荷の流入により発生する電流ピークを抑制する電流ピーク抑制回路と
を具備することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 前記電流ピーク抑制回路は、各書き込み配線に接続されることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。
- 前記電流ピーク抑制回路は、各書き込み配線に接続されたカレントシンクであることを特徴とする請求項2に記載の半導体集積回路装置。
- 前記定電流回路はカレントソースであり、2つ以上の前記カレントシンクで共有されることを特徴とする請求項3に記載の半導体集積回路装置。
- 前記各書き込み配線は、前記カレントシンクにより、スタンバイ時に接地電位に設定されることを特徴とする請求項3に記載の半導体集積回路装置。
- 前記電流ピーク抑制回路は、各書き込み配線に接続されたカレントソースであることを特徴とする請求項2に記載の半導体集積回路装置。
- 前記定電流回路はカレントシンクであり、2つ以上のカレントソースで共有されることを特徴とする請求項6に記載の半導体集積回路装置。
- 前記各書き込み配線は、前記カレントソースにより、スタンバイ時に電源電位に設定されることを特徴とする請求項7に記載の半導体集積回路装置。
- 前記スイッチ回路群のうち、書き込み対象となるメモリセルに接続された書き込み配線に接続されたスイッチ素子と、前記電流ピーク抑制回路を構成する素子が、書き込み動作開始時において共に導通状態に設定される期間を有することを特徴とする請求項2に記載の半導体集積回路装置。
- 前記電流ピーク抑制回路は、前記各書き込み配線に接続されたスイッチ回路群と専用のスイッチ素子を介して分離独立されることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。
- 前記電流ピーク抑制回路は、複数の書き込み配線で共有されるカレントシンクであることを特徴とする請求項10に記載の半導体集積回路装置。
- 前記定電流回路はカレントソースであり、2つ以上の書き込み配線で共有されることを特徴とする請求項11に記載の半導体集積回路装置。
- 前記各書き込み配線は、前記カレントシンクにより、スタンバイ時に接地電位に設定されることを特徴とする請求項12に記載の半導体集積回路装置。
- 前記電流ピーク抑制回路は、各書き込み配線に接続されたカレントソースであることを特徴とする請求項10に記載の半導体集積回路装置。
- 前記定電流回路はカレントシンクであり、2つ以上の書き込み配線で共有されることを特徴とする請求項14に記載の半導体集積回路装置。
- 前記各書き込み配線は、前記カレントソースにより、スタンバイ時に電源電位に設定されることを特徴とする請求項15に記載の半導体集積回路装置。
- 前記電流ピーク抑制回路と各書き込み配線に接続された前記スイッチ回路群を分離するための専用のスイッチ素子は、前記電流ピーク抑制回路と排他的に導通あるいは非導通制御されることを特徴とする請求項10に記載の半導体集積回路装置。
- 磁気抵抗効果を利用して情報を記憶するメモリセルがマトリクス状に配置された複数のメモリセルブロックと、
前記メモリセルブロック中の各メモリセルへのデータの書き込みに使用される定電流回路と、
前記各メモリセルブロックにそれぞれ対応して設けられ、前記定電流回路の出力を特定の書き込み配線に選択的に接続するためのスイッチ回路群と、
書き込み動作の開始タイミングでの電流ピークを抑制する電流ピーク抑制回路とを具備し、
前記定電流回路は、隣接する2つのメモリセルブロックで共有されることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 磁気抵抗効果を利用して情報を記憶するメモリセルがマトリクス状に配置された複数のメモリセルブロックと、
前記メモリセルブロック中の各メモリセルへのデータの書き込みに使用される定電流回路と、
前記各メモリセルブロックにそれぞれ対応して設けられ、前記定電流回路の出力を特定の書き込み配線に選択的に接続するためのスイッチ回路群と、
書き込み動作の開始タイミングでの電流ピークを抑制する電流ピーク抑制回路とを具備し、
前記定電流回路と前記電流ピーク抑制回路は、隣接する2つのメモリセルブロックで共有されることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 磁気抵抗効果を利用して情報を記憶するメモリセルに情報を書き込むための書き込み配線群と、
第1の電位供給源に接続され、前記メモリセルへのデータの書き込みに使用される定電流回路と、
前記書き込み配線群の各々にそれぞれの一端が接続され、前記定電流回路の出力端にそれぞれの他端が並列に接続されるスイッチ回路群と、
前記スイッチ回路群の前記一端が接続され、書き込み動作が開始されるタイミングより前に、前記スイッチ回路群の両端のうち何れか一方を前記第1の電位供給源と異なる電位の第2の電位供給源に接続し、書き込み動作が開始された直後に前記スイッチ回路群の両端を短絡する手段を備える電流ピーク抑制回路と
を具備することを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003300509A JP3836823B2 (ja) | 2003-08-25 | 2003-08-25 | 半導体集積回路装置 |
US10/695,857 US6882565B2 (en) | 2003-08-25 | 2003-10-30 | MRAM having current peak suppressing circuit |
KR10-2003-0082485A KR100526733B1 (ko) | 2003-08-25 | 2003-11-20 | 전류 피크 억제 회로를 구비한 mram |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003300509A JP3836823B2 (ja) | 2003-08-25 | 2003-08-25 | 半導体集積回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005071484A true JP2005071484A (ja) | 2005-03-17 |
JP3836823B2 JP3836823B2 (ja) | 2006-10-25 |
Family
ID=34213832
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003300509A Expired - Fee Related JP3836823B2 (ja) | 2003-08-25 | 2003-08-25 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6882565B2 (ja) |
JP (1) | JP3836823B2 (ja) |
KR (1) | KR100526733B1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7095649B2 (en) | 2004-03-23 | 2006-08-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor integrated circuit device |
WO2007049353A1 (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-03 | Fujitsu Limited | 磁気メモリ装置及びその書き込み方法 |
WO2007066407A1 (ja) * | 2005-12-09 | 2007-06-14 | Fujitsu Limited | 磁気メモリ装置及びその書き込み方法 |
JP2009289315A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶装置 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4365591B2 (ja) * | 2003-01-17 | 2009-11-18 | Tdk株式会社 | 磁気メモリデバイスおよび書込電流駆動回路、並びに書込電流駆動方法 |
JP2005166087A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-23 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置 |
JP5221222B2 (ja) | 2008-06-25 | 2013-06-26 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
TWI609379B (zh) * | 2016-04-26 | 2017-12-21 | 來揚科技股份有限公司 | 應用於mram的尖峰電流旁路保護控制裝置 |
CN107404112A (zh) * | 2016-05-18 | 2017-11-28 | 来扬科技股份有限公司 | 应用于mram 的尖峰电流旁路保护控制装置 |
JP2021150497A (ja) | 2020-03-19 | 2021-09-27 | キオクシア株式会社 | 記憶装置 |
JP2022049383A (ja) | 2020-09-16 | 2022-03-29 | キオクシア株式会社 | メモリデバイス |
JP2022136786A (ja) | 2021-03-08 | 2022-09-21 | キオクシア株式会社 | 不揮発性記憶装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6356477B1 (en) | 2001-01-29 | 2002-03-12 | Hewlett Packard Company | Cross point memory array including shared devices for blocking sneak path currents |
US6456524B1 (en) * | 2001-10-31 | 2002-09-24 | Hewlett-Packard Company | Hybrid resistive cross point memory cell arrays and methods of making the same |
EP1321944B1 (en) * | 2001-12-21 | 2008-07-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic random access memory |
US6570440B1 (en) * | 2001-12-24 | 2003-05-27 | Intel Corporation | Direct-timed sneak current cancellation |
-
2003
- 2003-08-25 JP JP2003300509A patent/JP3836823B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-10-30 US US10/695,857 patent/US6882565B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-11-20 KR KR10-2003-0082485A patent/KR100526733B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7095649B2 (en) | 2004-03-23 | 2006-08-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor integrated circuit device |
WO2007049353A1 (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-03 | Fujitsu Limited | 磁気メモリ装置及びその書き込み方法 |
WO2007066407A1 (ja) * | 2005-12-09 | 2007-06-14 | Fujitsu Limited | 磁気メモリ装置及びその書き込み方法 |
JPWO2007066407A1 (ja) * | 2005-12-09 | 2009-05-14 | 富士通株式会社 | 磁気メモリ装置及びその書き込み方法 |
US7613035B2 (en) | 2005-12-09 | 2009-11-03 | Fujitsu Limited | Magnetic memory device and method of writing into the same |
KR100949110B1 (ko) | 2005-12-09 | 2010-03-22 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 자기 메모리 장치 및 그 기입 방법 |
JP4744532B2 (ja) * | 2005-12-09 | 2011-08-10 | 富士通株式会社 | 磁気メモリ装置及びその書き込み方法 |
JP2009289315A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20050022155A (ko) | 2005-03-07 |
US6882565B2 (en) | 2005-04-19 |
JP3836823B2 (ja) | 2006-10-25 |
US20050047205A1 (en) | 2005-03-03 |
KR100526733B1 (ko) | 2005-11-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6891748B2 (en) | MRAM having memory cell array in which cross-point memory cells are arranged by hierarchical bit line scheme and data read method thereof | |
US6914808B2 (en) | Magnetoresistive random access memory device | |
JP3873055B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
US6950334B2 (en) | Magnetic random access memory having test circuit and test method therefor | |
JP3836823B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP2005064050A (ja) | 半導体記憶装置及びそのデータ書き込み方法 | |
WO2013019758A1 (en) | Fast mtj switching write circuit for mram array | |
KR20030097697A (ko) | 단일 칩에 xp 셀 및 str 셀을 갖는 마그네틱 메모리장치 | |
US20060050582A1 (en) | Method and apparatus for a sense amplifier | |
JP6876925B2 (ja) | 半導体回路、駆動方法、および電子機器 | |
JP2004213771A (ja) | 磁気ランダムアクセスメモリ | |
JP2008004199A (ja) | 半導体記憶装置 | |
WO2014043570A1 (en) | Mram with write driver shared by data cell and reference cell | |
US7141842B2 (en) | Magnetic memory device and method of manufacturing the same | |
US8570797B2 (en) | Magnetic random access memory (MRAM) read with reduced disturb failure | |
US7471549B2 (en) | Semiconductor memory device | |
US20040065906A1 (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
JP2002170374A (ja) | 強磁性体不揮発性記憶素子およびその情報再生方法ならびにそれを用いたメモリチップおよび携帯型情報処理装置 | |
US11900987B2 (en) | Non-volatile static random access memory with independently accessible non-volatile bit cell and method of operating the same | |
JP2004103212A (ja) | 磁気ランダムアクセスメモリ | |
WO2020045034A1 (ja) | 半導体回路および電子機器 | |
US7092282B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
JP5072545B2 (ja) | 半導体装置、半導体装置のデータ書き込み方法、及び半導体装置のデータ読み出し方法 | |
JP4227297B2 (ja) | 強磁性体不揮発性記憶素子ならびにその情報再生方法 | |
JP5137370B2 (ja) | 記憶装置、記憶装置を有する半導体装置、及び記憶装置の駆動方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051206 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060201 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060221 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060323 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20060328 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060725 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060727 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090804 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100804 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100804 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110804 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110804 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120804 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120804 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130804 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |