JP4744532B2 - 磁気メモリ装置及びその書き込み方法 - Google Patents
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Description
12…素子分離膜
14(WL)…ゲート電極又はワード線
16,18…ソース/ドレイン領域
20,28,54,62…層間絶縁膜
22,56…コンタクトホール
24,58…コンタクトプラグ
26(BL)…ビット線
30…配線溝
32…Ta膜
34…NiFe膜
36…Cu膜
38(WWL)…書き込みワード線
40…下部電極層
42…反強磁性層
44…固定磁化層
46…トンネル絶縁膜
48…自由磁化層
50…キャップ層
52…MTJ素子
60…上部電極層
64(DL)…ディジット線
80,80a,80b…書き込みワード線駆動回路
82…BL/DL駆動回路
84…センスアンプ
86…スイッチング素子
88…メモリセルブロック
90…プリチャージ用回路
92…DL駆動回路
94…WL駆動回路
96…BL/WWL駆動回路
本発明の第1実施形態による磁気メモリ装置及びその書き込み方法について図1乃至図17を用いて説明する。
本発明の第2実施形態による磁気メモリ装置及びその書き込み方法について図18乃至図25を用いて説明する。なお、図1乃至図17に示す第1実施形態による磁気メモリ装置及びその書き込み方法と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し或いは簡潔にする。
本発明の第3実施形態による磁気メモリ装置及びその書き込み方法について図26乃至図31を用いて説明する。なお、図1乃至図25に示す第1及び第2実施形態による磁気メモリ装置及びその書き込み方法と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し或いは簡潔にする。
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
Claims (8)
- 第1の磁気抵抗効果素子と、前記第1の磁気抵抗効果素子の一方の端部に一方の端部が接続された第2の磁気抵抗効果素子と、前記第1の磁気抵抗効果素子と前記第2の磁気抵抗効果素子との接続ノードに接続された選択用トランジスタとを有するメモリセルと、第1の方向に延在し、前記第1の磁気抵抗効果素子の他方の端部に接続された第1の信号線と、前記第1の方向に延在し、前記第2の磁気抵抗効果素子の他方の端部に接続された第2の信号線と、前記第1の方向と交差する第2の方向に延在し、前記第1の磁気抵抗効果素子が形成された領域において前記第1の信号線と交差し、前記第2の磁気抵抗効果素子が形成された領域において前記第2の信号線と交差する第3の信号線と、前記第1の方向に延在し、前記接続ノードに前記選択用トランジスタを介して接続された第4の信号線とを有し、前記第1の磁気抵抗効果素子が高抵抗状態であり前記第2の磁気抵抗効果素子が低抵抗状態である第1の記憶情報又は前記第1の磁気抵抗効果素子が低抵抗状態であり前記第2の磁気抵抗効果素子が高抵抗状態である第2の記憶情報を記憶する磁気メモリ装置の書き込み方法であって、
前記第1の信号線に第1の書き込み電流を流し、
前記第2の信号線に前記第1の書き込み電流と逆向きの第2の書き込み電流を流し、
前記第3の信号線に第3の書き込み電流を流し、
前記第1及び前記第2の書き込み電流を流す向きによって、前記第1の記憶情報又は前記第2の記憶情報を記憶させる
ことを特徴とする磁気メモリ装置の書き込み方法。 - 第1の磁気抵抗効果素子と、前記第1の磁気抵抗効果素子の一方の端部に一方の端部が接続された第2の磁気抵抗効果素子と、前記第1の磁気抵抗効果素子と前記第2の磁気抵抗効果素子との接続ノードに接続された選択用トランジスタとを有するメモリセルと、第1の方向に延在し、前記第1の磁気抵抗効果素子の他方の端部に接続された第1の信号線と、前記第1の方向に延在し、前記第2の磁気抵抗効果素子の他方の端部に接続された第2の信号線と、前記第1の方向と交差する第2の方向に延在し、前記第1の磁気抵抗効果素子が形成された領域において前記第1の信号線と交差し、前記第2の磁気抵抗効果素子が形成された領域において前記第2の信号線と交差する第3の信号線と、前記第1の方向に延在し、前記接続ノードに前記選択用トランジスタを介して接続された第4の信号線とを有し、前記第1の磁気抵抗効果素子が高抵抗状態であり前記第2の磁気抵抗効果素子が低抵抗状態である第1の記憶情報又は前記第1の磁気抵抗効果素子が低抵抗状態であり前記第2の磁気抵抗効果素子が高抵抗状態である第2の記憶情報を記憶する磁気メモリ装置の書き込み方法であって、
前記メモリセルに前記第1の記憶情報を書き込む際には、前記第1の信号線に第1の書き込み電流を流し、前記第2の信号線に前記第1の書き込み電流と逆向きの第2の書き込み電流を流し、前記第3の信号線に第3の書き込み電流を流すことにより、前記第1の書き込み電流により生じる磁界と前記第3の書き込み電流により生じる磁界との合成磁界を前記第1の磁気抵抗効果素子に印加し、前記第2の書き込み電流により生じる磁界と前記第3の書き込み電流により生じる磁界との合成磁界を前記第2の磁気抵抗効果素子に印加し、
前記メモリセルに前記第2の記憶情報を書き込む際には、前記第1の信号線に前記第1の書き込み電流と逆向きの第4の書き込み電流を流し、前記第2の信号線に前記第1の書き込み電流と同じ向きの第5の書き込み電流を流し、前記第3の信号線に前記第3の書き込み電流と同じ向きの第6の書き込み電流を流すことにより、前記第4の書き込み電流により生じる磁界と前記第6の書き込み電流により生じる磁界との合成磁界を前記第1の磁気抵抗効果素子に印加し、前記第5の書き込み電流により生じる磁界と前記第6の書き込み電流により生じる磁界との合成磁界を前記第2の磁気抵抗効果素子に印加する
ことを特徴とする磁気メモリ装置の書き込み方法。 - 請求の範囲第2項に記載の磁気メモリ装置の書き込み方法において、
前記磁気メモリ装置は、複数の前記メモリセルと、複数の前記メモリセルのそれぞれに接続される前記第1の信号線及び前記第2の信号線をそれぞれ複数有し、
複数の前記メモリセルのそれぞれについて、前記第1の信号線及び前記第2の信号線に流す前記書き込み電流の向きを、書き込むべき記憶情報に応じて個別に設定することにより、複数の前記メモリセルへの書き込みを同時に行う
ことを特徴とする磁気メモリ装置の書き込み方法。 - 請求の範囲第2項又は第3項に記載の磁気メモリ装置の書き込み方法において、
前記磁気メモリ装置は、前記第1の信号線及び前記第2の信号線の一方の端部側に設けられた第1の電流源と、前記第1の信号線及び前記第2の信号線の他方の端部側に設けられた第2の電流源とを更に有し、
前記第1の電流源から前記第1の書き込み電流又は前記第5の書き込み電流を供給し、前記第2の電流源から前記第2の書き込み電流又は前記第4の書き込み電流を供給する
ことを特徴とする磁気メモリ装置の書き込み方法。 - 請求の範囲第2項又は第3項に記載の磁気メモリ装置の書き込み方法において、
前記磁気メモリ装置は、前記第1の信号線及び前記第2の信号線の一方の端部側に設けられた電流源と、前記第1の信号線及び前記第2の信号線の他方の端部側に設けられ、前記第1の信号線及び前記第2の信号線を電気的に接続し又は切断するためのスイッチング素子を更に有し、
記憶情報の書き込みの際に、前記スイッチング素子によって前記第1の信号線と前記第2の信号線とを電気的に接続し、前記第1の信号線と前記第2の信号線とが接続されてなる電流経路を形成し、前記電流源から、前記第1の信号線又は前記第2の信号線に、前記電流経路を流れる前記書き込み電流を供給する
ことを特徴とする磁気メモリ装置の書き込み方法。 - 第1の磁気抵抗効果素子と、前記第1の磁気抵抗効果素子の一方の端部に一方の端部が接続された第2の磁気抵抗効果素子と、前記第1の磁気抵抗効果素子と前記第2の磁気抵抗効果素子との接続ノードに接続された選択用トランジスタとを有するメモリセルと、
第1の方向に延在し、前記第1の磁気抵抗効果素子の他方の端部に接続された第1の信号線と、
前記第1の方向に延在し、前記第2の磁気抵抗効果素子の他方の端部に接続された第2の信号線と、
前記第1の方向と交差する第2の方向に延在し、前記第1の磁気抵抗効果素子が形成された領域において前記第1の信号線と交差し、前記第2の磁気抵抗効果素子が形成された領域において前記第2の信号線と交差する第3の信号線と、
前記第1の方向に延在し、前記メモリセルの前記接続ノードに前記選択用トランジスタを介して接続された読み出し用の第4の信号線と、
前記第1の方向に隣接して形成された他のメモリセルとを有し、
前記メモリセル及び前記他のメモリセルの前記選択用トランジスタは一の素子領域上に形成されており、前記メモリセル及び前記他のメモリセルの前記選択用トランジスタと前記第4の信号線とを接続するコンタクトが共用されている
ことを特徴とする磁気メモリ装置。 - 請求の範囲第6項に記載の磁気メモリ装置において、
前記素子領域は、前記第1の方向に長い矩形形状を有する
ことを特徴とする磁気メモリ装置。 - 請求の範囲第6項に記載の磁気メモリ装置において、
前記素子領域は、前記第2の方向に屈曲したV字形状を有する
ことを特徴とする磁気メモリ装置。
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