JP2008004199A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】セル占有率を向上させる。
【解決手段】半導体記憶装置は、書き込み電流を生成する書き込み電源回路15と、論理が転送される書き込み配線と、書き込み電源回路15と書き込み配線との間に接続された第1のパストランジスタ12と、書き込み配線に接続され、かつ入力状態において書き込み配線の論理を取り込み、記憶状態において取り込んだ論理を記憶し、かつ記憶した論理に基づいて第1のパストランジスタ12のオン/オフを制御するレジスタ13とを含む。
【選択図】 図1
【解決手段】半導体記憶装置は、書き込み電流を生成する書き込み電源回路15と、論理が転送される書き込み配線と、書き込み電源回路15と書き込み配線との間に接続された第1のパストランジスタ12と、書き込み配線に接続され、かつ入力状態において書き込み配線の論理を取り込み、記憶状態において取り込んだ論理を記憶し、かつ記憶した論理に基づいて第1のパストランジスタ12のオン/オフを制御するレジスタ13とを含む。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体記憶装置に係り、例えば書き込み配線に書き込み電流を供給することで発生する磁場により情報を記録する磁気メモリに関する。
DRAM(Dynamic Random Access Memory)やSRAM(Static Random Access Memory)などの半導体記憶装置では、情報を記憶する単位であるメモリセルが行列状に配置されてメモリセルアレイが構成される。このメモリセルアレイの列に対応するビット線と、行に対応するワード線とで、特定のアドレスに対応するメモリセルが選択される。
アドレス信号は、デコーダ回路により、特定のビット線或いは特定のワード線の選択信号に変換される。この選択信号は、ビット線或いはワード線の一端と、電源回路との間に接続されたパストランジスタを制御する。パストランジスタは、制御信号に基づいて、2つの端子をオン状態で電気的に接続し、オフ状態で電気的に分離するものである。メモリセルへの書き込み或いは読み出しは、ビット線及びワード線を電源回路に電気的に接続することで行われる。
半導体記憶装置は、シリコンウェハ上に回路等が形成されたものである。この装置全体の面積に対して、メモリセルの総面積が占める割合は、セル占有率と呼ばれている。この指標が高いほど、コストパフォーマンスの良いものとなり、半導体記憶装置として望ましい。1チップのメモリセルアレイは、アクセスに対する寄生容量及び寄生抵抗の影響を軽減するため、複数のメモリセルアレイに分割され、それに対応してデコーダ回路が用意される。しかし、メモリセルアレイの分割数が多くなると、デコーダ回路の面積も大きくなってしまい、セル占有率が低下してしまうという問題がある。
半導体記憶装置の1つである、磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM:Magnetic Random Access Memory)は、不揮発性、高速性、高信頼性、大容量化の点で期待されている。代表的なMRAMのメモリセルは、1つの磁気抵抗素子と1つの選択トランジスタとから構成される(特許文献1参照)。磁気抵抗素子は、磁化自由層と、磁化固定層と、それらの間に挟まれた非磁性層とからなり、磁化自由層の磁化の方向により抵抗状態が異なるため、これを情報の記録に用いるものである。
メモリセルへの情報の書き込みは、直交交差する、書き込みビット線、書き込みワード線を流れる電流によって発生させた磁場で、磁気抵抗素子の磁化を制御することで行う。ビット線電流は、容易磁化方向の発生磁場の向きにより磁化の向きを制御し、特定の情報を書き込むために、双方向の電流となる。ワード線電流は、困難磁化方向の発生磁場により書き込みを補助し、メモリセルを選択するものなので、単方向の電流となる。代表的な配線構成では、書き込み用の配線として、書き込みビット線及び書き込みワード線を備え、読み出し用の配線として、読み出しビット線及び読み出しワード線を備える(特許文献2参照)。
MRAMは、書き込み電流を駆動するため、メモリセルアレイの両端に電源回路が必要となる。特に双方向の電流を高速に駆動するためには、ビット線の両端にパストランジスタが必要である。従って、デコーダ回路もメモリセルアレイの両端に必要となり、セル占有率が低下してしまうという問題がある。
米国特許第6,097,625号明細書
特開2002−170376号公報
本発明は、特定のメモリセルを選択するデコーダ回路を複数の書き込み回路で共用することにより、セル占有率を向上させることが可能な半導体記憶装置を提供する。
本発明の第1の視点に係る半導体記憶装置は、書き込み電流を生成する書き込み電源回路と、論理が転送される書き込み配線と、前記書き込み電源回路と書き込み配線との間に接続された第1のパストランジスタと、前記書き込み配線に接続され、かつ入力状態において前記書き込み配線の論理を取り込み、記憶状態において前記取り込んだ論理を記憶し、かつ前記記憶した論理に基づいて前記第1のパストランジスタのオン/オフを制御するレジスタとを具備する。
本発明の第2の視点に係る半導体記憶装置は、書き込み電流を生成する書き込み電源回路と、論理が転送される書き込み配線と、前記書き込み電源回路と書き込み配線との間に接続された第1のパストランジスタと、前記書き込み配線と前記第1のパストランジスタのゲート端子との間に接続された第2のパストランジスタとを具備し、前記第1のパストランジスタは、ゲート容量を有し、このゲート容量により前記書き込み配線の論理を記憶する。
本発明によれば、特定のメモリセルを選択するデコーダ回路を複数の書き込み回路で共用することにより、セル占有率を向上させることが可能な半導体記憶装置を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明において、同一の機能及び構成を有する要素については、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。
(第1の実施形態)
始めに、本実施形態の原理について説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る書き込み回路11を説明する回路ブロック図である。
始めに、本実施形態の原理について説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る書き込み回路11を説明する回路ブロック図である。
書き込み配線には、書き込み回路11が接続されている。書き込み回路11は、パストランジスタ12、レジスタ13、制御回路14及び書き込み電源回路15を備えている。
パストランジスタ12は、例えば、nチャネルMOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタにより構成される。パストランジスタ12のドレイン端子は、書き込み配線に接続されている。パストランジスタ12のソース端子は、書き込み電源回路15に接続されている。書き込み電源回路15は、例えば、書き込み配線に供給する書き込み電流を生成する電流源と、書き込み電流を接地電位に引き抜く電流シンク(電流ドレイン)とを備えている。
パストランジスタ12のゲート端子には、レジスタ13が接続されている。レジスタ13は、書き込み配線にも接続されている。レジスタ13は、入力状態及び記憶状態を有する。レジスタ13は、入力状態において、書き込み配線の電位(例えば、電源電位と接地電位)で決まる論理(ハイレベルとローレベル)を取り込む。また、レジスタ13は、記憶状態において、書き込み配線の電位にかかわらず、取り込んだ論理を一時的に記憶(保持)する。
制御回路14は、レジスタ13の入力状態、記憶状態及び初期化を制御する。また、制御回路14は、書き込み電源回路15に含まれる電流源及び電流シンクの接続状態を制御する。
図2は、書き込み回路11の動作を説明するフローチャートである。第1のステップにおいて、制御回路14は、レジスタ13を入力状態に設定する。これにより、レジスタ13は、書き込み配線の論理(ハイレベル或いはローレベル)を取り込む。なお、書き込み配線は、デコーダ回路によって選択されているか、選択されていないかで異なる電位(例えば、電源電位と接地電位)に設定される。つまり、書き込み配線の選択/非選択の論理を、レジスタ13に転送することができる。
次に、第2のステップにおいて、制御回路14は、レジスタ13を記憶状態に設定する。これにより、レジスタ13は、書き込み配線の電位にかかわらず、第1のステップにおいて取り込んだ論理を一時的に記憶する。レジスタ13の出力は、パストランジスタ12のゲート端子に供給される。パストランジスタ12は、レジスタ13に記憶された論理に基づいて、書き込み配線と書き込み電源回路15との接続/非接続を切り替える。
具体的には、レジスタ13の論理がハイレベルの場合、パストランジスタ12は、書き込み配線と書き込み電源回路15とを電気的に接続する。レジスタ13の論理がローレベルの場合、パストランジスタ12は、書き込み配線と書き込み電源回路15とを電気的に非接続にする。
次に、第3のステップにおいて、制御回路14は、レジスタ13を初期化する。これにより、パストランジスタ12は、書き込み配線と書き込み電源回路15とを電気的に非接続にする。
なお、論理が転送される書き込み配線と、書き込み電源回路15により書き込み電流が供給される書き込み配線とが異なっていてもよい。図3は、書き込み回路11の他の例を説明する回路ブロック図である。
書き込み回路11は、パストランジスタ12−1,12−2、レジスタ13−1,13−2、制御回路14及び書き込み電源回路15を備えている。
レジスタ13−1は、第1の書き込み配線に接続されている。従って、レジスタ13−1は、入力状態において、第1の書き込み配線の論理を取り込む。そして、レジスタ13−1は、記憶状態において、第1の書き込み配線の論理を一時的に記憶する。
レジスタ13−2は、第2の書き込み配線に接続されている。従って、レジスタ13−2は、入力状態において、第2の書き込み配線の論理を取り込む。そして、レジスタ13−2は、記憶状態において、第2の書き込み配線の論理を一時的に記憶する。
パストランジスタ12−1のゲート端子には、レジスタ13−1が接続されている。パストランジスタ12−1のドレイン端子は、第2の書き込み配線に接続されている。パストランジスタ12−1のソース端子は、書き込み電源回路15に接続されている。
パストランジスタ12−2のゲート端子には、レジスタ13−2が接続されている。パストランジスタ12−2のドレイン端子は、第1の書き込み配線に接続されている。パストランジスタ12−2のソース端子は、書き込み電源回路15に接続されている。
パストランジスタ12−1は、レジスタ13−1に記憶された論理に基づいて、第2の書き込み配線と書き込み電源回路15との接続/非接続を切り替える。一方、パストランジスタ12−2は、レジスタ13−2に記憶された論理に基づいて、第1の書き込み配線と書き込み電源回路15との接続/非接続を切り替える。
このように構成することで、書き込み回路11は、特定の書き込み配線の論理に基づいて、上記特定の書き込み配線以外の書き込み配線に書き込み電源回路15を接続することが可能となる。
次に、書き込み回路11をMRAMに適用した構成例について説明する。図4は、本発明の第1の実施形態に係るMRAMを説明する回路ブロック図である。MRAMは、メモリセルアレイ21、カラムデコーダ22、第1の書き込み回路11及び第2の書き込み回路16を備えている。
メモリセルアレイ21は、複数のメモリセルMCがn行×m列に行列状に配置されて構成されている。メモリセルMCとしては、MRAMセルが用いられる。図5は、メモリセルアレイ21を説明する回路図である。
メモリセルアレイ21には、メモリセルMCの行にそれぞれ対応して複数の書き込みワード線WWL1〜WWLn、及び複数の読み出しワード線RWL1〜RWLnが配設されている。また、メモリセルアレイ21には、メモリセルMCの列にそれぞれ対応して複数の書き込みビット線WBL1〜WBLm、及び複数の読み出しビット線RBL1〜RBLmが配設されている。メモリセルアレイ21の行の選択は、書き込みワード線WWL及び読み出しワード線RWLにより行われる。メモリセルアレイ21の列の選択は、書き込みビット線WBL及び読み出しビット線RBLにより行われる。
メモリセルMCは、磁気抵抗素子23及び選択トランジスタ24により構成されている。選択トランジスタ24は、例えばnチャネルMOSトランジスタにより構成される。磁気抵抗素子23の一端は、書き込みビット線WBLに接続されている。磁気抵抗素子23の他端は、選択トランジスタ24のドレイン端子に接続されている。選択トランジスタ24のゲート端子は、読み出しワード線RWLに接続されている。選択トランジスタ24のソース端子は、読み出しビット線RBLに接続されている。メモリセルMCの近傍には、行方向に延在するように、書き込みワード線WWLが配設されている。
図6は、メモリセルMCを説明する断面図である。なお、図6は、ビット線の延在方向に沿って切断した断面図である。
p型半導体基板31内には、ソース領域32及びドレイン領域33が設けられている。半導体基板31としては、例えばSi(シリコン)が用いられる。ソース領域32及びドレイン領域33はそれぞれ、シリコン内に高濃度のn+型不純物(P(リン)、As(ヒ素)等)を導入して形成されたn+型拡散領域により構成される。
p型半導体基板31上でソース領域32及びドレイン領域33間には、ゲート絶縁膜34を介してゲート電極35が設けられている。ゲート電極35は、読み出しワード線RWLに対応する。ゲート絶縁膜34としては、例えばシリコン酸化膜が用いられる。ゲート電極35としては、例えば多結晶シリコンが用いられる。
ソース領域32上には、ビアプラグ36を介して、読み出しビット線RBLが設けられている。ドレイン領域33上には、ビアプラグ37を介して引き出し電極38が設けられている。引き出し電極38上には、磁気抵抗素子23が設けられている。
磁気抵抗素子23上には、書き込みビット線WBLが設けられている。磁気抵抗素子23の下方には、書き込みワード線WWLが設けられている。ビアプラグ及び配線層としては、例えばCu(銅)が用いられる。p型半導体基板31と書き込みビット線WBLとの間は、例えばシリコン酸化膜からなる層間絶縁層39で満たされている。
磁気抵抗素子23は、磁化固定層(ピン層)23A、トンネルバリア層23B、磁化自由層(フリー層)23Cが順に積層された積層構造を有している。ピン層23Aは、磁化(或いはスピン)の方向が固定されている。フリー層23Cは、磁化の方向が変化(反転)する。ピン層23A及びフリー層23Cの容易磁化方向は、膜面(或いは積層面)に対して例えば平行に設定されている。
ピン層23A及びフリー層23Cには、強磁性体が用いられる。トンネルバリア層23Bには、非磁性体が用いられ、例えば絶縁体が用いられる。この絶縁体としては、MgO(酸化マグネシウム)、AlOx(酸化アルミニウム)等があげられる。
磁気抵抗素子23は、ピン層23Aとフリー層23Cとの磁化の方向によって抵抗値が変化する磁気抵抗効果を有する。すなわち、ピン層23Aとフリー層23Cとの磁化の方向が反平行(反対方向)のときは、磁気抵抗素子23の抵抗値は最も大きくなる。この場合を例えばデータ“1”と規定する。一方、ピン層23Aとフリー層23Cとの磁化の方向が平行(同じ方向)のときは、磁気抵抗素子23の抵抗値は最も小さくなる。この場合を例えばデータ“0”と規定する。
メモリセルMCへの情報の書き込み(記録)は、書き込みビット線WBL及び書き込みワード線WWLを用いて行われる。書き込みビット線WBLは、磁気抵抗素子23に対して、容易磁化方向の磁場を印加するために用いられる。書き込みワード線WWLは、磁気抵抗素子23に対して、困難磁化方向の磁場を印加するために用いられる。
また、書き込みビット線WBLから発生する磁場は、フリー層23Cの磁化の方向を制御する。このため、この書き込みビット線WBLには双方向の書き込み電流が供給される。一方、書き込みワード線WWLは、困難磁化方向の磁場を発生することにより書き込みを補助し、メモリセルを選択する。このため、書き込みワード線WWLには、単方向の書き込み電流が供給される。
メモリセルMCからの情報の読み出しは、読み出しワード線RWL及び読み出しビット線RBLを用いて行われる。読み出しワード線RWLは、読み出し時に、選択トランジスタ24のオン/オフを切り替える。読み出しビット線RBLは、読み出し時に、磁気抵抗素子23に読み出し電流を供給する。
図4に示すように、書き込みビット線WBLの一端には、第1の書き込み回路11が接続されている。メモリセルアレイ21を介して書き込みビット線WBLの他端には、第2の書き込み回路16が接続されている。なお、本実施形態では、第1の書き込み回路11及び第2の書き込み回路16が接続される配線として書き込みビット線WBLを一例として説明する。しかし、これに限定されるものではなく、書き込み回路11,16が接続される配線として、書き込みワード線WWL及び読み出しビット線RBL等を用いてもよい。
第1の書き込み回路11は、制御回路14と、書き込み電源回路15と、書き込みビット線WBL1〜WBLmに対応した複数のレジスタ13及び複数のパストランジスタ12とを備えている。レジスタ13、パストランジスタ12、制御回路14、及び書き込み電源回路15の接続関係は、図1と同じである。
第2の書き込み回路16は、制御回路19と、書き込み電源回路20と、書き込みビット線WBL1〜WBLmに対応した複数のレジスタ18及び複数のパストランジスタ17とを備えている。レジスタ18、パストランジスタ17、制御回路19、及び書き込み電源回路20の接続関係は、図1と同じである。書き込み電源回路20は、書き込みビット線WBLに供給する書き込み電流を生成する電流源と、書き込み電流を接地電位に引き抜く電流シンク(電流ドレイン)とを備えている。
書き込みビット線WBLには、カラムデコーダ22が接続されている。カラムデコーダ22は、外部から供給されるカラムアドレス信号をデコードし、書き込みビット線WBLの対応する1つを選択する。
このように構成されたMRAMの動作を説明する。始めに、書き込み電流が、第1の書き込み回路11から書き込みビット線WBLを介して第2の書き込み回路16へ流れる場合の動作について説明する。
メモリセルアレイ21の任意のメモリセルMCに情報を書き込むために、カラムデコーダ22が書き込みビット線WBL1を活性化(電源電位)したとする。書き込み動作が開始されると、制御回路14は、各レジスタ13を入力状態に設定する。同様に、制御回路19は、各レジスタ18を入力状態に設定する。これにより、書き込みビット線WBL1に対応するレジスタ13,18は、ハイレベルの論理を取り込む。一方、他の書き込みビット線WBL2〜WBLmに対応するレジスタ13,18は、ローレベルの論理を取り込む。
次に、制御回路14は、各レジスタ13を記憶状態に設定する。同様に、制御回路19は、各レジスタ18を記憶状態に設定する。これにより、レジスタ13,18は、入力状態において取り込んだ論理を一時的に記憶する。この状態では、レジスタ13,18は、書き込みビット線WBLの電位にかかわらず、入力状態において取り込んだ論理を記憶している。この結果、書き込みビット線WBL1に対応するレジスタ13は、これに対応するパストランジスタ12をオンさせる。同様に、書き込みビット線WBL1に対応するレジスタ18は、これに対応するパストランジスタ17をオンさせる。
次に、制御回路14は、パストランジスタ12のソース端子と、書き込み電流を供給する電流源とが接続されるように、書き込み電源回路15内の接続状態を制御する。また、制御回路19は、パストランジスタ17のソース端子と、書き込み電流を引き抜く電流シンクとが接続されるように、書き込み電源回路20内の接続状態を制御する。これにより、第1の書き込み回路11から第2の書き込み回路16へ向かう書き込み電流が、書き込みビット線WBL1のみに流れる。
次に、制御回路14は、パストランジスタ12のソース端子と、書き込み電流を供給する電流源とが電気的に分離されるように、書き込み電源回路15内の接続状態を制御する。また、制御回路19は、パストランジスタ17のソース端子と、書き込み電流を引き抜く電流シンクとが電気的に分離されるように、書き込み電源回路20内の接続状態を制御する。これにより、書き込み動作が終了する。
次に、制御回路14は、各レジスタ13を初期化する。すると、パストランジスタ12がオフし、書き込みビット線WBL1と書き込み電源回路15とが電気的に非接続にされる。また、制御回路19は、各レジスタ18を初期化する。すると、パストランジスタ17がオフし、書き込みビット線WBL1と書き込み電源回路20とが電気的に非接続にされる。
次に、書き込み電流が、第2の書き込み回路16から書き込みビット線WBLを介して第1の書き込み回路11へ流れる場合の動作について説明する。書き込みビット線WBL1に対応するパストランジスタ12,17がオンするまでの動作は、前述した逆方向の書き込み電流の場合と同じである。
次に、制御回路14は、パストランジスタ12のソース端子と、書き込み電流を引き抜く電流シンクとが接続されるように、書き込み電源回路15内の接続状態を制御する。また、制御回路19は、パストランジスタ17のソース端子と、書き込み電流を供給する電流源とが接続されるように、書き込み電源回路20内の接続状態を制御する。これにより、第2の書き込み回路16から第1の書き込み回路11へ向かう書き込み電流が、書き込みビット線WBL1のみに流れる。その後、制御回路14、19は、レジスタ13、18を初期化する。
以上詳述したように第1の実施形態によれば、書き込みビット線WBLに書き込み電流を供給する書き込み回路11と書き込み回路16とで、1つのデコーダ回路(カラムデコーダ22)を共用することができる。これにより、半導体記憶装置のセル占有率を向上させることができる。
また、レジスタ13,18は、書き込みビット線WBLの電位にかかわらず、入力状態において取り込んだ論理を記憶することができる。すなわち、レジスタ13,18が記憶状態では、書き込みビット線WBLを書き込み動作以外の動作を制御する信号線として使用することが可能となる。具体的には、書き込みビット線WBLをカラム選択線等に使用することが可能となる。これにより、半導体記憶装置の配線層を減らすことができる。この結果、製造コストを低減することが可能となる。
また、書き込み回路が接続される配線は、書き込みビット線WBLに限定されない。すなわち、書き込み電流が供給される配線全般に適用可能である。
(第2の実施形態)
第2の実施形態は、書き込みビット線WBLの論理を一時的に記憶する素子として、MOSトランジスタ(パストランジスタ12、17)のゲート容量を用いて書き込み回路11,16を構成している。
第2の実施形態は、書き込みビット線WBLの論理を一時的に記憶する素子として、MOSトランジスタ(パストランジスタ12、17)のゲート容量を用いて書き込み回路11,16を構成している。
図7は、本発明の第2の実施形態に係るMRAMを説明する回路ブロック図である。第1の書き込み回路11は、制御回路14と、書き込み電源回路15と、書き込みビット線WBL1〜WBLmに対応した複数のパストランジスタ25及び複数のパストランジスタ12とを備えている。パストランジスタ25としては、例えばnチャネルMOSトランジスタが用いられる。パストランジスタ12のゲート容量は、書き込みビット線WBLの論理を一時的に記憶する記憶素子として機能する。
各パストランジスタ25のドレイン端子は、これに対応する書き込みビット線WBLに接続されている。各パストランジスタ25のソース端子は、これに対応するパストランジスタ12のゲート端子に接続されている。各パストランジスタ25のゲート端子は、制御回路14に接続されている。
第2の書き込み回路16は、制御回路19と、書き込み電源回路20と、書き込みビット線WBL1〜WBLmに対応した複数のパストランジスタ26及び複数のパストランジスタ17とを備えている。パストランジスタ17のゲート容量は、書き込みビット線WBLの論理を一時的に記憶する記憶素子として機能する。
各パストランジスタ26のドレイン端子は、これに対応する書き込みビット線WBLに接続されている。各パストランジスタ26のソース端子は、これに対応するパストランジスタ17のゲート端子に接続されている。各パストランジスタ26のゲート端子は、制御回路19に接続されている。
このように構成されたMRAMの動作を説明する。メモリセルアレイ21の任意のメモリセルMCに情報を書き込むために、カラムデコーダ22が書き込みビット線WBL1を活性化(電源電位)したとする。書き込み動作が開始されると、制御回路14は、各パストランジスタ25のゲート端子にハイレベルの信号を供給し、各パストランジスタ25をオンさせる。また、制御回路19は、各パストランジスタ26のゲート端子にハイレベルの信号を供給し、各パストランジスタ26をオンさせる。
これにより、書き込みビット線WBL1に対応するパストランジスタ12,17のゲート端子には、ハイレベル電位が印加される。一方、他の書き込みビット線WBL2〜WBLmに対応するパストランジスタ12,17のゲート端子には、ローレベル電位が印加される。この結果、書き込みビット線WBL1に対応するパストランジスタ12,17のみがオンする。
次に、制御回路14は、各パストランジスタ25のゲート端子にローレベルの信号を供給し、各パストランジスタ25をオフさせる。また、制御回路19は、各パストランジスタ26のゲート端子にローレベルの信号を供給し、各パストランジスタ26をオフさせる。
この結果、書き込みビット線WBL1に対応するパストランジスタ12,17のゲート容量により、当該パストランジスタ12,17のゲート端子は、ハイレベル電位のままであり、当該パストランジスタ12,17はオン状態のままである。一方、他の書き込みビット線WBL2〜WBLmに対応するパストランジスタ12,17のゲート端子は、ローレベル電位のままであり、当該パストランジスタ12,17はオフ状態のままである。すなわち、パストランジスタ12,17に書き込みビット線WBLの論理を記憶させることができる。
次に、制御回路14は、各パストランジスタ25のゲート端子にハイレベルの信号を供給し、各パストランジスタ25をオンさせる。また、制御回路19は、各パストランジスタ26のゲート端子にハイレベルの信号を供給し、各パストランジスタ26をオンさせる。ここで、書き込み動作を終了させるために、カラムデコーダ22は、全ての書き込みビット線WBLを非活性化する。これにより、パストランジスタ12,17がオフし、書き込みビット線WBLと書き込み電源回路15,20とがそれぞれ電気的に非接続にされる。
以上詳述したように第2の実施形態によれば、パストランジスタ12のゲート容量を用いて書き込みビット線WBLの論理を記憶することができる。また、パストランジスタ12のゲート端子と書き込みビット線WBLとの間にパストランジスタ25を挿入することで、パストランジスタ12のゲート端子を入力状態或いは記憶状態に設定することができる。すなわち、2つのパストランジスタ12,25を用いることで、書き込みビット線WBLの論理を一時的に記憶することができる。この結果、書き込み回路の構成を簡略化することができる。その他の効果は、上記第1の実施形態と同じである。
(第3の実施形態)
第3の実施形態は、書き込み電源回路15の具体的な構成の一例について示している。図8は、本発明の第3の実施形態に係るMRAMを説明する回路ブロック図である。
第3の実施形態は、書き込み電源回路15の具体的な構成の一例について示している。図8は、本発明の第3の実施形態に係るMRAMを説明する回路ブロック図である。
書き込み電源回路15は、電流源15A、pチャネルMOSトランジスタ(pMOSトランジスタ)15B、nチャネルMOSトランジスタ(nMOSトランジスタ)15C、及び接地電位が印加される接地端子15Dを備えている。
pMOSトランジスタ15Bのソース端子は、電流源15Aに接続されている。pMOSトランジスタ15Bのドレイン端子は、各パストランジスタ12のソース端子に接続されている。また、pMOSトランジスタ15Bのドレイン端子は、nMOSトランジスタ15Cのドレイン端子に接続されている。nMOSトランジスタ15Cのソース端子は、接地端子15Dに接続されている。pMOSトランジスタ15B及びnMOSトランジスタ15Cのゲート端子はそれぞれ、制御回路14に接続されている。
電流源15Aは、書き込み電流を供給する。書き込み回路11が書き込み電流を供給する場合、制御回路14は、ローレベルの信号をpMOSトランジスタ15Bに供給する。これにより、パストランジスタ12は、電流源15Aに接続される。
一方、書き込み回路11が書き込み電流を引き抜く場合、制御回路14は、ハイレベルの信号をnMOSトランジスタ15Cに供給する。これにより、パストランジスタ12は、接地端子15Dに接続される。
同様に、書き込み電源回路20は、電流源20A、pMOSトランジスタ20B、nMOSトランジスタ20C、及び接地電位が印加される接地端子20Dを備えている。接続関係は、前述した書き込み電源回路15と同様である。
このように書き込み電源回路を構成することで、書き込みビット線WBLに双方向の書き込み電流を供給することができる。
(第4の実施形態)
第4の実施形態は、複数のメモリセルアレイを有するMRAMに本発明を適用した例であり、複数のメモリセルアレイ間で書き込みビット線WBLを共用するようにしている。
第4の実施形態は、複数のメモリセルアレイを有するMRAMに本発明を適用した例であり、複数のメモリセルアレイ間で書き込みビット線WBLを共用するようにしている。
図9は、本発明の第4の実施形態に係るMRAMを説明する回路ブロック図である。MRAMは、2つのメモリセルアレイ21−1、21−2を備えている。メモリセルアレイ21−1,21−2の構成は、図5に示したメモリセルアレイと同じである。2つのメモリセルアレイ21−1,21−2は、書き込みビット線WBL1〜WBLmを共用している。書き込みビット線WBL1〜WBLmには、1つのカラムデコーダ22が接続されている。
MRAMは、3つの書き込み回路11−1、11−2、11−3を備えている。書き込み回路11−1,11−2,11−3の構成は、例えば図7に示した書き込み回路11と同じである。書き込み回路11−1,11−2,11−3はそれぞれ、書き込みビット線WBL1〜WBLmに接続されている。
また、書き込み回路11−1は、書き込みビット線WBLの一端に接続されている。書き込み回路11−2は、メモリセルアレイ21−1とメモリセルアレイ21−2との間に配置され、書き込みビット線WBLの中間部に接続されている。書き込み回路11−3は、書き込みビット線WBLの他端に接続されている。換言すると、書き込み回路11−1と書き込み回路11−2との間には、メモリセルアレイ21−1が配置されている。書き込み回路11−2と書き込み回路11−3との間には、メモリセルアレイ21−2が配置されている。
書き込み回路11−1及び書き込み回路11−2は、メモリセルアレイ21−1に双方向の書き込み電流を供給する。また、書き込み回路11−2及び書き込み回路11−3は、メモリセルアレイ21−2に双方向の書き込み電流を供給する。この書き込み電流の制御動作は、上記第2の実施形態と同じである。
以上詳述したように第4の実施形態では、複数のメモリセルアレイで書き込みビット線WBLを共用することができる。さらに、複数のメモリセルアレイに対してカラムデコーダ22を1つ用意するだけで、各メモリセルアレイに正常に情報を書き込むことができる。
(第5の実施形態)
第5の実施形態は、書き込み回路に含まれる書き込み電源回路として、電流源と電流シンクとを交互に配置するようにしている。
第5の実施形態は、書き込み回路に含まれる書き込み電源回路として、電流源と電流シンクとを交互に配置するようにしている。
図10は、本発明の第5の実施形態に係るMRAMを説明する回路ブロック図である。前述したように、書き込み電流を供給するための電流源と電流シンクとは、メモリセルアレイを介して交互に配置される。従って、書き込み回路11に接続される配線は、単方向に書き込み電流が供給される配線にのみ適用可能である。本実施形態では、書き込み回路11に接続される配線として書き込みワード線WWLが用いられる。
書き込みワード線WWLには、ロウデコーダ27が接続されている。ロウデコーダ27は、外部から供給されるロウアドレス信号をデコードし、書き込みワード線WWLの対応する1つを選択する。
書き込みワード線WWLには、書き込み回路11−1,11−2,12−3が接続されている。書き込み回路11−1,11−2,12−3の間には、メモリセルアレイ21−1,21−2が配置されている。
各パストランジスタ25のドレイン端子は、これに対応する書き込みワード線WWLに接続されている。各パストランジスタ12のドレイン端子は、これに対応する書き込みワード線WWLに接続されている。
書き込み回路11−1は、制御回路14−1及び書き込み電源回路15−1を備えている。書き込み電源回路15−1は、電流源15A及びpMOSトランジスタ15Bから構成されている。pMOSトランジスタ15Bのソース端子は、電流源15Aに接続されている。pMOSトランジスタ15Bのドレイン端子は、各パストランジスタ12のソース端子に接続されている。pMOSトランジスタ15Bのゲート端子は、制御回路14−1に接続されている。
書き込み回路11−2は、制御回路14−2及び書き込み電源回路15−2を備えている。書き込み電源回路15−2は、接地端子15D及びnMOSトランジスタ15Cから構成されている。nMOSトランジスタ15Cのドレイン端子は、各パストランジスタ12のソース端子に接続されている。nMOSトランジスタ15Cのソース端子は、接地端子15Dに接続されている。nMOSトランジスタ15Cのゲート端子は、制御回路14−2に接続されている。
書き込み回路11−3は、制御回路14−3及び書き込み電源回路15−3を備えている。書き込み電源回路15−3は、電流源15A及びpMOSトランジスタ15Bから構成されている。
このように構成されたMRAMの動作を説明する。メモリセルアレイ21−1の任意のメモリセルMCに情報を書き込むために、ロウデコーダ27が書き込みワード線WWL1を活性化(電源電位)したとする。書き込み動作が開始されると、制御回路14−1は、各パストランジスタ25のゲート端子にハイレベルの信号を供給し、各パストランジスタ25をオンさせる。また、制御回路14−2は、各パストランジスタ25のゲート端子にハイレベルの信号を供給し、各パストランジスタ25をオンさせる。
これにより、書き込みワード線WWL1に対応するパストランジスタ12のゲート端子には、ハイレベル電位が印加される。一方、他の書き込みワード線WWL2〜WWLnに対応するパストランジスタ12のゲート端子には、ローレベル電位が印加される。この結果、書き込みワード線WWL1に対応するパストランジスタ12のみがオンする。
次に、制御回路14−1は、各パストランジスタ25のゲート端子にローレベルの信号を供給し、各パストランジスタ25をオフさせる。また、制御回路14−2は、各パストランジスタ25のゲート端子にローレベルの信号を供給し、各パストランジスタ25をオフさせる。
これにより、書き込みワード線WWL1に対応するパストランジスタ12のゲート容量により、当該パストランジスタ12のゲート端子は、ハイレベル電位のままであり、当該パストランジスタ12はオン状態のままである。一方、他の書き込みワード線WWL2〜WWLnに対応するパストランジスタ12のゲート端子は、ローレベル電位のままであり、当該パストランジスタ12はオフ状態のままである。すなわち、パストランジスタ12に書き込みワード線WWLの論理を記憶させることができる。
次に、制御回路14−1は、pMOSトランジスタ15Bのゲート端子にローレベルの信号を供給し、pMOSトランジスタ15Bをオンさせる。また、制御回路14−2は、nMOSトランジスタ15Cのゲート端子にハイレベルの信号を供給し、nMOSトランジスタ15Cをオンさせる。これにより、書き込みワード線WWL1のみに、書き込み回路11−1から書き込み回路11−2へ流れる書き込み電流を供給することができる。
書き込み動作が終了すると、制御回路14−1,14−2は、パストランジスタ12のゲート容量を初期化する。
一方、メモリセルアレイ21−2に配設された書き込みワード線WWLには、書き込み回路11−3から書き込み回路11−2へ流れる書き込み電流が供給される。この場合の制御回路14−3の動作は、前述した制御回路14−1の動作と同じである。
以上詳述したように第5の実施形態では、単方向に書き込み電流を流す書き込みワード線WWLに本発明を適用することができる。さらに、この場合、書き込み回路に含まれる書き込み電源回路を簡略化することができる。すなわち、各書き込み回路のサイズを縮小することができる。
(第6の実施形態)
第6の実施形態は、書き込みビット線WBLの論理を一時的に記憶するレジスタを、ループ状に接続された2つのインバータ回路により構成した例である。
第6の実施形態は、書き込みビット線WBLの論理を一時的に記憶するレジスタを、ループ状に接続された2つのインバータ回路により構成した例である。
図11は、本発明の第6の実施形態に係るMRAMを説明する回路ブロック図である。書き込み回路11は、書き込みビット線WBL1〜WBLmに対応した複数のレジスタ41を備えている。
各レジスタ41は、2つのインバータ回路41A,41Bにより構成されている。インバータ回路41Aの出力は、インバータ回路41Bの入力に接続されている。インバータ回路41Bの出力は、インバータ回路41Aの入力に接続されている。また、インバータ回路41Aの入力は、これに対応するパストランジスタ25のソース端子に接続されている。インバータ回路41Bの出力は、これに対応するパストランジスタ12のゲート端子に接続されている。
書き込み回路16は、書き込みビット線WBL1〜WBLmに対応した複数のレジスタ42を備えている。各レジスタ42は、2つのインバータ回路42A,42Bにより構成されている。インバータ回路42Aの出力は、インバータ回路42Bの入力に接続されている。インバータ回路42Bの出力は、インバータ回路42Aの入力に接続されている。また、インバータ回路42Aの入力は、これに対応するパストランジスタ26のソース端子に接続されている。インバータ回路42Bの出力は、これに対応するパストランジスタ17のゲート端子に接続されている。
このように構成されたMRAMの動作を説明する。メモリセルアレイ21の任意のメモリセルMCに情報を書き込むために、カラムデコーダ22が書き込みビット線WBL1を活性化(電源電位)したとする。書き込み動作が開始されると、制御回路14は、各パストランジスタ25のゲート端子にハイレベルの信号を供給し、各パストランジスタ25をオンさせる。また、制御回路19は、各パストランジスタ26のゲート端子にハイレベルの信号を供給し、各パストランジスタ26をオンさせる。
これにより、書き込みビット線WBL1に対応するインバータ回路41Aの入力には、ハイレベル電位が印加される。2つのインバータ回路41A,41Bは、ラッチ回路として機能する。従って、レジスタ41は、書き込みビット線WBL1の論理を一時的に記憶する。
同様に、書き込みビット線WBL1に対応するインバータ回路42Aの入力には、ハイレベル電位が印加される。これにより、レジスタ42は、書き込みビット線WBL1の論理を一時的に記憶する。その後、制御回路14はそれぞれ、各パストランジスタ25のゲート端子にローレベルの信号を供給し、各パストランジスタ25をオフさせる。また、制御回路19はそれぞれ、各パストランジスタ26のゲート端子にローレベルの信号を供給し、各パストランジスタ26をオフさせる。
この結果、書き込みビット線WBL1に対応するパストランジスタ12,17がオンする。そして、書き込みビット線WBL1には、書き込み情報に応じた方向に書き込み電流が供給される。
次に、書き込み動作を終了させるために、カラムデコーダ22は、全ての書き込みビット線WBLを非活性化する。制御回路14は、各パストランジスタ25のゲート端子にハイレベルの信号を供給し、各パストランジスタ25をオンさせる。また、制御回路19は、各パストランジスタ26のゲート端子にハイレベルの信号を供給し、各パストランジスタ26をオンさせる。これにより、各レジスタ41,42は、書き込みビット線WBLの論理(ローレベル)を一時的に記憶する。これにより、各パストランジスタ12,17がオフし、書き込みビット線WBLと書き込み電源回路15,20とがそれぞれ電気的に非接続にされる。
以上詳述したように第6の実施形態によれば、2つのインバータ回路により書き込みビット線WBLの論理を記憶することができる。これにより、レジスタの電流リークを低減することができるため、記憶した論理レベルを一定に保つことが可能となる。すなわち、書き込みビット線WBLの論理を記憶する素子のデータ保持特性を向上させることができる。
なお、第6の実施形態は、複数のメモリセルアレイを有するMRAMにも適用することが可能である。
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲内で、構成要素を変形して具体化できる。また、実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を構成することができる。例えば、実施形態に開示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよいし、異なる実施形態の構成要素を適宜組み合わせてもよい。
MC…メモリセル、WWL…書き込みワード線、WBL…書き込みビット線、RWL…読み出しワード線、RBL…読み出しビット線、11,16…書き込み回路、12,17…パストランジスタ、13,18…レジスタ、14,19…制御回路、15,20…書き込み電源回路、15A,20A…電流源、15B,20B…pMOSトランジスタ、15C,20C…nMOSトランジスタ、15D,20D…接地端子、21…メモリセルアレイ、22…カラムデコーダ、23…磁気抵抗素子、23A…磁化固定層、23B…トンネルバリア層、23C…磁化自由層、24…選択トランジスタ、25,26…パストランジスタ、27…ロウデコーダ、31…p型半導体基板、32…ソース領域、33…ドレイン領域、34…ゲート絶縁膜、35…ゲート電極(RWL)、36,37…ビアプラグ、38…引き出し電極、39…層間絶縁層、41,42…レジスタ、41A,41B,42A,42B…インバータ回路。
Claims (5)
- 書き込み電流を生成する書き込み電源回路と、
論理が転送される書き込み配線と、
前記書き込み電源回路と書き込み配線との間に接続された第1のパストランジスタと、
前記書き込み配線に接続され、かつ入力状態において前記書き込み配線の論理を取り込み、記憶状態において前記取り込んだ論理を記憶し、かつ前記記憶した論理に基づいて前記第1のパストランジスタのオン/オフを制御するレジスタと
を具備することを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記書き込み配線と前記レジスタとの間に接続された第2のパストランジスタをさらに具備し、
前記レジスタは、互いの入力端子が互いの出力端子に接続された第1及び第2のインバータ回路を含み、前記第1のインバータ回路の入力端子は、前記第2のパストランジスタに接続され、前記第2のインバータ回路の出力端子は、前記第1のパストランジスタのゲート端子に接続されることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 書き込み電流を生成する書き込み電源回路と、
論理が転送される書き込み配線と、
前記書き込み電源回路と書き込み配線との間に接続された第1のパストランジスタと、
前記書き込み配線と前記第1のパストランジスタのゲート端子との間に接続された第2のパストランジスタと
を具備し、
前記第1のパストランジスタは、ゲート容量を有し、このゲート容量により前記書き込み配線の論理を記憶することを特徴とする半導体記憶装置。 - 複数のメモリセルを含み、前記メモリセルは、前記書き込み電流により情報が記録される複数のメモリセルアレイをさらに具備し、
前記書き込み配線は、前記複数のメモリセルアレイで共用されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体記憶装置。 - 前記書き込み配線に接続され、かつ前記論理を転送するデコード回路をさらに具備することを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体記憶装置。
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