JP2005063813A - El素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法、el素子製造用スパッタリングターゲット、el素子及びel素子の製造方法 - Google Patents
El素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法、el素子製造用スパッタリングターゲット、el素子及びel素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005063813A JP2005063813A JP2003292480A JP2003292480A JP2005063813A JP 2005063813 A JP2005063813 A JP 2005063813A JP 2003292480 A JP2003292480 A JP 2003292480A JP 2003292480 A JP2003292480 A JP 2003292480A JP 2005063813 A JP2005063813 A JP 2005063813A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- light emitting
- sputtering target
- manufacturing
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】 EL素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法が、少なくとも、2価金属の硫化物と、3価金属と、発光中心元素の硫化物とを混合して混合物を得る混合工程と、該混合物を成形して成形物を得る成形工程と、該成形物を焼結してEL素子製造用スパッタリングターゲットを得る焼結工程とを含むと、上記課題を解決することができる。
【選択図】 なし
Description
実施例1のスパッタリングターゲットは、原料であるBaS、Al、EuS及びZnSの粉末を、モル基準で、1.00:2.30:0.05:4.50の割合で混合して、ホットプレスすることにより、ペレット状のものを得た。混合は空気雰囲気中で行い、ホットプレスは、Ar雰囲気中で、圧力30MPa、温度800℃の下、1時間行った。
まず、基板材料としてAl2O3を用い、これをシート状に加工して基板2とした。次に、この基板2上にAuを粉末金属ペースト状としたものをスクリーン印刷した後に焼成して下部電極3Aを形成した。次いで、厚膜絶縁層材料としてPMN−PT(Pb(Mg1/3Nb2/3)O3−PbTiO3)を用い、これを粉末状とした後、バインダー、分散剤及び溶剤を添加して厚膜ペーストとし、下部電極3Aが形成された基板2上に塗布した後に乾燥させ、更に焼成を行って厚膜絶縁層を形成した。
比較例1のスパッタリングターゲットは、原料としてBaS、Al2S3、EuS及びZnSの粉末を用いて、各原料をモル基準で、1.00:1.15:0.05:1.00の割合で混合して、ホットプレスすることにより、ペレット状のものを得た。混合は空気雰囲気中で行い、ホットプレスは、Ar雰囲気中で、圧力30MPa、温度800℃の条件の下、1時間行った。得られたターゲット中の各成分の組成を実施例1と同様にして分析した。結果を表1に示す。
比較例2のスパッタリングターゲットは、原料としてBaS、Al2S3及びEuSの粉末を用いて、各原料をモル基準で、1.00:1.15:0.050の割合で混合して、ホットプレスすることにより、ペレット状のものを得た。混合は空気雰囲気中で行い、ホットプレスは、Ar雰囲気中で、圧力30MPa、温度1000℃の条件の下、1時間行った。得られたターゲット中の各成分の組成を実施例1と同様にして分析した。結果を表1に示す。
Claims (11)
- 少なくとも、2価金属の硫化物と、3価金属と、発光中心元素の硫化物と、を混合して混合物を得る混合工程と、
前記混合物を成形して成形物を得る成形工程と、
前記成形物を焼結してEL素子製造用スパッタリングターゲットを得る焼結工程と、
を含むことを特徴とするEL素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法。 - 前記混合工程が、少なくとも、2価金属の硫化物と、3価金属と、発光中心元素の硫化物と、ZnSと、を混合して混合物を得ることを特徴とする請求項1記載のEL素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記混合工程が、前記ZnSを、前記2価金属に対するZnのモル比が0.05〜9.00となるように混合して混合物を得ることを特徴とする請求項2記載のEL素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記2価金属がBaであり、前記3価金属がAlであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のEL素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法。
- 組成式が少なくとも2価金属元素、3価金属元素及びSにより表現される母体材料と発光中心材料とを含有し、Oの含有割合が5質量%以下であることを特徴とするEL素子製造用スパッタリングターゲット。
- ZnSを含有することを特徴とする請求項5記載のEL素子製造用スパッタリングターゲット。
- 前記2価金属に対するZnのモル比が0.05〜9.00であることを特徴とする請求項6記載のEL素子製造用スパッタリングターゲット。
- 前記2価金属がBaであり、前記3価金属がAlであることを特徴とする請求項5〜7のいずれか一項に記載のEL素子製造用スパッタリングターゲット。
- 互いに対向する第1の電極及び第2の電極と、
前記第1の電極と第2の電極との間に配置されており、2価金属、3価金属、S及びOからなる組成物を有する母体と発光中心とからなる蛍光体を含有する発光層と、を少なくとも有し、
前記発光層は、組成式が少なくとも2価金属元素、3価金属元素及びSにより表現される母体材料と発光中心材料とを含有し、Oの含有割合が5質量%以下であるEL素子製造用スパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により形成されることを特徴とするEL素子。 - 組成式が少なくとも2価金属元素、3価金属元素及びSにより表現される母体材料と発光中心材料とを含有し、Oの含有割合が5質量%以下であるEL素子製造用スパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により発光層を形成するスパッタリング工程を含むことを特徴とするEL素子の製造方法。
- 前記スパッタリング工程の後で上部絶縁層を形成するキャップ工程と、該キャップ工程の後でアニール処理を行うアニール工程と、を含むことを特徴とする請求項10記載のEL素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003292480A JP4493305B2 (ja) | 2003-08-12 | 2003-08-12 | El素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法、el素子及びel素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003292480A JP4493305B2 (ja) | 2003-08-12 | 2003-08-12 | El素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法、el素子及びel素子の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010036314A Division JP4928619B2 (ja) | 2010-02-22 | 2010-02-22 | El素子製造用スパッタリングターゲット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005063813A true JP2005063813A (ja) | 2005-03-10 |
JP4493305B2 JP4493305B2 (ja) | 2010-06-30 |
Family
ID=34369821
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003292480A Expired - Fee Related JP4493305B2 (ja) | 2003-08-12 | 2003-08-12 | El素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法、el素子及びel素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4493305B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007153996A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 蛍光体の製造方法およびそれにより製造された蛍光体 |
JP2008121044A (ja) * | 2006-11-09 | 2008-05-29 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | El発光層形成用スパッタリングターゲットとその製造方法 |
WO2010084698A1 (ja) * | 2009-01-22 | 2010-07-29 | 株式会社神戸製鋼所 | 混合蛍光体及びその製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08134440A (ja) * | 1994-11-14 | 1996-05-28 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2001118677A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Tdk Corp | 無機el蛍光体薄膜用ターゲット、蛍光体薄膜、無機el素子および硫化物蛍光体薄膜の製造方法 |
-
2003
- 2003-08-12 JP JP2003292480A patent/JP4493305B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08134440A (ja) * | 1994-11-14 | 1996-05-28 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2001118677A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Tdk Corp | 無機el蛍光体薄膜用ターゲット、蛍光体薄膜、無機el素子および硫化物蛍光体薄膜の製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007153996A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 蛍光体の製造方法およびそれにより製造された蛍光体 |
JP2008121044A (ja) * | 2006-11-09 | 2008-05-29 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | El発光層形成用スパッタリングターゲットとその製造方法 |
WO2010084698A1 (ja) * | 2009-01-22 | 2010-07-29 | 株式会社神戸製鋼所 | 混合蛍光体及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4493305B2 (ja) | 2010-06-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4252665B2 (ja) | El素子 | |
US6939482B2 (en) | Phosphor thin film, manufacturing method of the same, and electroluminescent panel | |
WO2001060126A1 (fr) | Procede de production d'un substrat composite, substrat composite et dispositif el comprenant ce dernier | |
TWI298347B (ja) | ||
TW502554B (en) | EL device and the manufacturing method thereof | |
US8466615B2 (en) | EL functional film and EL element | |
US6650046B2 (en) | Thin-film EL device, and its fabrication process | |
TWI242037B (en) | Phosphor thin film, manufacturing method of the same and electroluminescence panel | |
JP3740158B2 (ja) | フラットパネルディスプレイ用基板および薄膜el素子 | |
JP4493305B2 (ja) | El素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法、el素子及びel素子の製造方法 | |
JP4493304B2 (ja) | El素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法及びel素子の製造方法 | |
JP4928619B2 (ja) | El素子製造用スパッタリングターゲット | |
TW538652B (en) | Thin film EL element and its manufacturing method | |
US20070085470A1 (en) | Electroluminescent material and electroluminescent element using the same | |
JP4263001B2 (ja) | スパッタリングターゲット | |
US6803122B2 (en) | EL device | |
US6707249B2 (en) | Electroluminescent device and oxide phosphor for use therein | |
JP2003332081A (ja) | El蛍光体積層薄膜およびel素子 | |
KR101757089B1 (ko) | 저항체, 유전체 등의 전자 부품용 무기 재료 페이스트 및 그 무기 재료 페이스트의 제조 방법 | |
JP3958960B2 (ja) | El素子 | |
JP2002201469A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子用酸化物蛍光体及びエレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2005290196A (ja) | 蛍光体材料、蛍光体薄膜及びその製造方法、発光素子、並びに、el素子 | |
JP4928329B2 (ja) | 薄膜型無機el素子 | |
JP2760607B2 (ja) | 発光素子 | |
JPH0812970A (ja) | El素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050117 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20050117 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050520 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060720 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080417 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090421 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090721 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090724 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090821 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091020 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100222 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100301 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100323 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100406 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130416 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140416 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |