JP4493305B2 - El素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法、el素子及びel素子の製造方法 - Google Patents
El素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法、el素子及びel素子の製造方法 Download PDFInfo
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Description
実施例1のスパッタリングターゲットは、原料であるBaS、Al、EuS及びZnSの粉末を、モル基準で、1.00:2.30:0.05:4.50の割合で混合して、ホットプレスすることにより、ペレット状のものを得た。混合は空気雰囲気中で行い、ホットプレスは、Ar雰囲気中で、圧力30MPa、温度800℃の下、1時間行った。
まず、基板材料としてAl2O3を用い、これをシート状に加工して基板2とした。次に、この基板2上にAuを粉末金属ペースト状としたものをスクリーン印刷した後に焼成して下部電極3Aを形成した。次いで、厚膜絶縁層材料としてPMN−PT(Pb(Mg1/3Nb2/3)O3−PbTiO3)を用い、これを粉末状とした後、バインダー、分散剤及び溶剤を添加して厚膜ペーストとし、下部電極3Aが形成された基板2上に塗布した後に乾燥させ、更に焼成を行って厚膜絶縁層を形成した。
比較例1のスパッタリングターゲットは、原料としてBaS、Al2S3、EuS及びZnSの粉末を用いて、各原料をモル基準で、1.00:1.15:0.05:1.00の割合で混合して、ホットプレスすることにより、ペレット状のものを得た。混合は空気雰囲気中で行い、ホットプレスは、Ar雰囲気中で、圧力30MPa、温度800℃の条件の下、1時間行った。得られたターゲット中の各成分の組成を実施例1と同様にして分析した。結果を表1に示す。
比較例2のスパッタリングターゲットは、原料としてBaS、Al2S3及びEuSの粉末を用いて、各原料をモル基準で、1.00:1.15:0.050の割合で混合して、ホットプレスすることにより、ペレット状のものを得た。混合は空気雰囲気中で行い、ホットプレスは、Ar雰囲気中で、圧力30MPa、温度1000℃の条件の下、1時間行った。得られたターゲット中の各成分の組成を実施例1と同様にして分析した。結果を表1に示す。
Claims (6)
- 少なくとも、2価金属の硫化物と、3価金属と、発光中心元素の硫化物と、を混合して混合物を得る混合工程と、
前記混合物を成形して成形物を得る成形工程と、
前記成形物を焼結してEL素子製造用スパッタリングターゲットを得る焼結工程と、を含み、
前記混合工程が、少なくとも、2価金属の硫化物と、3価金属と、発光中心元素の硫化物と、ZnSと、を混合して混合物を得ることを特徴とするEL素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法。 - 前記混合工程が、前記ZnSを、前記2価金属に対するZnのモル比が0.05〜9.00となるように混合して混合物を得ることを特徴とする請求項1記載のEL素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記2価金属がBaであり、前記3価金属がAlであることを特徴とする請求項1又は2に記載のEL素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法。
- 互いに対向する第1の電極及び第2の電極と、
前記第1の電極と第2の電極との間に配置されており、2価金属、3価金属、S及びOからなる組成物を有する母体と発光中心とからなる蛍光体を含有する発光層と、を少なくとも有し、
前記発光層は、組成式が少なくとも2価金属元素、3価金属元素及びSにより表現される母体材料と発光中心材料とZnSとを含有し、Oの含有割合が3質量%以下であるEL素子製造用スパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により形成されることを特徴とするEL素子。 - 組成式が少なくとも2価金属元素、3価金属元素及びSにより表現される母体材料と発光中心材料とZnSとを含有し、Oの含有割合が3質量%以下であるEL素子製造用スパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により発光層を形成するスパッタリング工程を含むことを特徴とするEL素子の製造方法。
- 前記スパッタリング工程の後で上部絶縁層を形成するキャップ工程と、該キャップ工程の後でアニール処理を行うアニール工程と、を含むことを特徴とする請求項5記載のEL素子の製造方法。
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