JP4493304B2 - El素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法及びel素子の製造方法 - Google Patents
El素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法及びel素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4493304B2 JP4493304B2 JP2003292477A JP2003292477A JP4493304B2 JP 4493304 B2 JP4493304 B2 JP 4493304B2 JP 2003292477 A JP2003292477 A JP 2003292477A JP 2003292477 A JP2003292477 A JP 2003292477A JP 4493304 B2 JP4493304 B2 JP 4493304B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- light emitting
- manufacturing
- sputtering
- light emission
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
実施例1のスパッタリングターゲットは、原料であるBaS、Al及びEuSの粉末を、モル基準で、1.0:3.4:0.05の割合で混合して、ホットプレスすることにより、ペレット状のものを得た。混合は空気雰囲気中で行い、ホットプレスは、真空中で、圧力30MPa、温度650℃の条件の下、1時間行った。
まず、基板材料としてAl2O3を用い、これをシート状に加工して基板2とした。次に、この基板2上にAuを粉末金属ペースト状としたものをスクリーン印刷した後に焼成して下部電極3Aを形成した。次いで、厚膜絶縁層材料としてPMN−PT(Pb(Mg1/3Nb2/3)O3−PbTiO3)を用い、これを粉末状とした後、バインダー、分散剤及び溶剤を添加して厚膜ペーストとし、下部電極4が形成された基板2上に塗布した後に乾燥させ、更に焼成を行って厚膜絶縁層を形成した。
比較例1のスパッタリングターゲットは、原料としてBaS、Al、EuS及びZnSの粉末を用いて、各原料をモル基準で、1.00:3.4:0.05:1.00の割合で混合して、ホットプレスすることにより、ペレット状のものを得た。混合は空気雰囲気中で行い、ホットプレスは、Ar雰囲気中で、圧力30MPa、温度1000℃の条件の下、1時間行った。得られたターゲット中の各成分の組成を実施例1と同様にして分析した。結果を表1に示す。
Claims (4)
- Mg、Ca、Sr及びBaからなる群より選ばれる1種以上の2価金属の硫化物と、3価金属と、発光中心元素の硫化物と、を混合して混合物を得る混合工程と、
前記混合物を成形して成形物を得る成形工程と、
前記成形物を焼結してEL素子製造用スパッタリングターゲットを得る焼結工程と、を含み、
ZnSを前記EL素子製造用スパッタリングターゲットの原料として用いないことを特徴とするEL素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法。 - 前記2価金属がBaであり、前記3価金属がAlであることを特徴とする請求項1記載のEL素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法。
- 組成式が少なくともMg、Ca、Sr及びBaからなる群より選ばれる1種以上の2価金属元素、3価金属元素及びSにより表現される母体材料と発光中心材料とを含有し、Oの含有割合が3質量%以下であり、ZnSを含まないEL素子製造用スパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により発光層を形成するスパッタリング工程を含むことを特徴とするEL素子の製造方法。
- 前記スパッタリング工程の後で上部絶縁層を形成するキャップ工程と、該キャップ工程の後でアニール処理を行うアニール工程と、を含むことを特徴とする請求項3記載のEL素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003292477A JP4493304B2 (ja) | 2003-08-12 | 2003-08-12 | El素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法及びel素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003292477A JP4493304B2 (ja) | 2003-08-12 | 2003-08-12 | El素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法及びel素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005063812A JP2005063812A (ja) | 2005-03-10 |
JP4493304B2 true JP4493304B2 (ja) | 2010-06-30 |
Family
ID=34369818
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003292477A Expired - Fee Related JP4493304B2 (ja) | 2003-08-12 | 2003-08-12 | El素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法及びel素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4493304B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5028962B2 (ja) * | 2006-11-09 | 2012-09-19 | 住友金属鉱山株式会社 | El発光層形成用スパッタリングターゲットとその製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003003162A (ja) * | 2001-04-19 | 2003-01-08 | Tdk Corp | 蛍光体薄膜、その製造方法、およびelパネル |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08134440A (ja) * | 1994-11-14 | 1996-05-28 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
-
2003
- 2003-08-12 JP JP2003292477A patent/JP4493304B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003003162A (ja) * | 2001-04-19 | 2003-01-08 | Tdk Corp | 蛍光体薄膜、その製造方法、およびelパネル |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005063812A (ja) | 2005-03-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4252665B2 (ja) | El素子 | |
US6939482B2 (en) | Phosphor thin film, manufacturing method of the same, and electroluminescent panel | |
WO2001060126A1 (fr) | Procede de production d'un substrat composite, substrat composite et dispositif el comprenant ce dernier | |
TWI298347B (ja) | ||
TW502554B (en) | EL device and the manufacturing method thereof | |
US8466615B2 (en) | EL functional film and EL element | |
US6650046B2 (en) | Thin-film EL device, and its fabrication process | |
JP3740158B2 (ja) | フラットパネルディスプレイ用基板および薄膜el素子 | |
JP4493305B2 (ja) | El素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法、el素子及びel素子の製造方法 | |
JP4493304B2 (ja) | El素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法及びel素子の製造方法 | |
JP4263001B2 (ja) | スパッタリングターゲット | |
JP4928619B2 (ja) | El素子製造用スパッタリングターゲット | |
US6803122B2 (en) | EL device | |
US6707249B2 (en) | Electroluminescent device and oxide phosphor for use therein | |
JP3958960B2 (ja) | El素子 | |
JP2002201469A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子用酸化物蛍光体及びエレクトロルミネッセンス素子 | |
JP4831939B2 (ja) | 発光体薄膜及び発光素子 | |
JP2005290196A (ja) | 蛍光体材料、蛍光体薄膜及びその製造方法、発光素子、並びに、el素子 | |
JP2760607B2 (ja) | 発光素子 | |
JP2002216954A (ja) | 薄膜el素子及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050117 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20050117 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050520 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060720 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080417 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090421 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090721 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090724 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090821 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091020 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100222 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100301 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100323 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100406 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130416 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140416 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |