JP2005063640A - ビットラインのプリチャージレベルを一定に維持する不揮発性半導体メモリ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数本のワードラインおよび複数本のビットラインに連結され、電気的にプログラムが可能なメモリセルアレイと、前記ビットラインにビットライン電圧を供給するビットライン電圧供給回路と、前記メモリセルアレイと前記ビットライン電圧供給回路との間に連結されて、これらを電気的に絶縁または接続するシャットオフ回路と、前記シャットオフ回路を制御するシャットオフ制御回路とを含み、前記シャットオフ制御回路は温度の変化による前記ビットラインのプリチャージレベルの変化を補償するように構成される。
【選択図】図1
Description
200 セットオフ回路
300 シャットオフ制御回路
400 ビットライン電圧供給回路
401,402 ページバッファ
Claims (10)
- 複数本のワードラインおよび複数本のビットラインに連結され、電気的にプログラムが可能なメモリセルアレイと、
前記ビットラインにビットライン電圧を供給するビットライン電圧供給回路と、
前記メモリセルアレイと前記ビットライン電圧供給回路との間に連結されて、これらを電気的に絶縁または接続するシャットオフ回路と、
前記シャットオフ回路を制御するシャットオフ制御回路とを含み、
前記シャットオフ制御回路は温度の変化による前記ビットラインのプリチャージレベルの変化を補償するように構成されることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。 - 前記シャットオフ回路はNMOSトランジスタであり、それのゲート端子は前記シャットオフ制御回路に、ドレイン端子は前記ビットライン電圧供給回路に、ソース端子は前記ビットラインに連結されることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体メモリ装置。
- 前記シャットオフ制御回路は、温度が上がると、前記ゲート端子に入力される電圧が低くなり、温度が下がると、前記ゲート端子に入力される電圧が高くなることを特徴とする請求項2に記載の不揮発性半導体メモリ装置。
- 前記シャットオフ制御回路は、電源電圧を発生する電源発生器と、
前記電源発生器で発生された電圧を配分する電圧分配器とを含み、
前記電圧分配器は固定抵抗と温度に応じて可変される可変抵抗とを含んで構成されることを特徴とする請求項3に記載の不揮発性半導体メモリ装置。 - 前記可変抵抗は、前記NMOSトランジスタと同一の縦横比を有するNMOSトランジスタであることを特徴とする請求項4に記載の不揮発性半導体メモリ装置。
- 前記シャットオフ回路と前記シャットオフ制御回路はマッチングされる温度の特性を有するトランジスタで構成されることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体メモリ装置。
- 不揮発性半導体メモリ装置の動作方法において、
a)ゲート電圧に応答してビットラインを感知ノードに連結する段階と、
b)前記ゲート電圧を温度補償する段階とを含むことを特徴とする方法。 - 前記a)段階は、前記ゲート電圧によって制御される第1トランジスタを通じてビットラインを感知ノードに連結する段階を含むことを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 前記b)段階は、前記第1トランジスタの温度の特性とマッチされる温度の特性を有する第2トランジスタに応答して前記ゲート電圧を発生する段階を含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 前記第2トランジスタは電圧分配器内に含まれていることを特徴とする請求項9に記載の方法。
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