JP2005024287A - 角度検出センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】磁気抵抗効果素子R1は、X軸配列片(1)〜(5)が互い違いに接続されて葛折り状を構成するX軸配列部42と、Y軸配列片(6)〜(10)が互い違いに接続されて葛折り状を構成するY軸配列部43とで構成され、前記Y軸配列部43は、前記X軸配列部42を90度回転させた配置である。これによってAMR効果による抵抗値変化をキャンセルできるため、出力電圧波形の歪みを低減できる。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、GMR素子に代表される磁気抵抗効果素子を用いた角度検出センサに係り、特に出力電圧の波形歪みを従来に比べて小さくすることが可能な角度検出センサに関する。
【0002】
【従来の技術】
磁気抵抗効果素子を用いた角度検出センサは、下記の特許文献1などで既に公知化されている。
【0003】
前記磁気抵抗効果素子は、その基本的な構造として反強磁性層、固定磁性層(ピン磁性層)、非磁性材料層、及びフリー磁性層の4層の積層体からなる。前記固定磁性層は前記反強磁性層との間で生じる交換結合磁界によって磁化方向が一方向に固定されている。一方、前記フリー磁性層は外部磁界に対し磁化変動する。
【0004】
前記角度検出センサには、例えば前記磁気抵抗効果素子の上方に磁石を有する回転部が設けられ、前記回転部が回転することで前記磁石から前記積層体に流入する磁束方向が変化する。
【0005】
前記フリー磁性層の磁化は前記磁束変化に伴って変動し、これによって磁気抵抗効果素子の素子抵抗値が変化し、この素子抵抗値の変化から出力電圧を求め、前記出力電圧の変化から角度を検出するようになっている。
【0006】
【特許文献1】
特開2002−303536号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
図7は、従来の角度検出センサに使用される磁気抵抗効果素子の形状を示す部分平面図である。
【0008】
符号1は基板で、この基板1上に2つの磁気抵抗効果素子2,3が設けられている。各磁気抵抗効果素子2,3の両側端部にはそれぞれAu等で形成されたリード部4,5,6,7が接続されており、各リード部4,5,6,7の端部に端子部8〜15が形成されている。
【0009】
前記角度検出センサを構成する磁石を有する回転部の下方には、図7に示す基板1が例えば4つ設けられ、各基板1に設けられた任意の磁気抵抗効果素子どうしがそれぞれ接続されてホイートストーンブリッジ回路が構成されている。
【0010】
図7に示す基板1に設けられた各磁気抵抗効果素子2,3は、X軸方向(基板1の幅方向と規定する)に長く延びるとともに、Y軸方向(基板1の奥行き方向と規定する)に蛇行しながら1本の連続形状を成す葛折り形状となっている。
【0011】
ところで、上記したように前記磁気抵抗効果素子2,3を構成するフリー磁性層の磁化は磁石を有する回転部の回転により変動し、これによって磁気抵抗効果素子2,3の素子抵抗値は変化するが、磁気抵抗効果素子2,3の素子抵抗値を式で示せば以下の通りである。
【0012】
【数1】
【0013】
ここでRgは、磁気抵抗効果素子の抵抗値、Rg0は、中心抵抗値、ΔRgは抵抗値変化の振幅、θは、固定磁性層の固定磁化方向とフリー磁性層の変動磁化方向との成す角度である。
【0014】
理想的な出力電圧波形を得るには、前記固定磁性層の固定磁化方向が外部磁界によって変動せず、一方、前記フリー磁性層の変動磁化方向は外部磁界の方向と同一であることが求められるが、実際には前記フリー磁性層の磁化変動方向は外部磁界の方向と完全に同一にはならず、また他の要因も加わり、実際に得られる出力電圧の波形は、理論値から求めた出力電圧の波形から若干ずれることがわかった。
【0015】
図8は、図7に示す2つの磁気抵抗効果素子2,3が設けられた基板1を用い、前記基板1の上方に磁石を有する回転部を対向させ、前記回転部を回転させたときに、得られた出力電圧の波形である。
【0016】
図8に示すように実際に得られた出力電圧の波形は、理論値から求めた出力電圧の波形から若干ずれることがわかる。
【0017】
このように波形に歪みが生じる要因の一つにAMR(異方性磁気抵抗)効果がある。
【0018】
上記AMR効果に関し図9を用いて説明する。図9に示すようにX軸方向に配置されているGMR素子に対し、X軸方向から電流が流れ、その電流方向に対し、フリー磁性層の磁化がθ′だけ傾いているとすると、前記AMR効果は次式によって表される。
【0019】
【数2】
【0020】
ここでRAはAMR効果による寄与抵抗値、RA0は中心抵抗、ΔRAは寄与抵抗値変化の振幅、θ′は電流方向とフリー磁性層の磁化方向との成す角度である。
【0021】
数2を見てわかるように、RAは、θ′によって変動する値であるため、上記数1で示したRgは、AMR効果による抵抗値変化によって変動し波形歪みを低減できない。
【0022】
次に、波形に歪みが生じる別の要因に形状磁気異方性磁界がある。図7に示すように、各磁気抵抗効果素子2,3はX軸方向に長く延びて形成されているが、このように長く延びる方向に磁化が向きやすい性質を形状磁気異方性と言う。
【0023】
図10は前記形状磁気異方性磁界によるフリー磁性層の磁化のずれを説明するための図である。形状磁気異方性磁界Hkを加味したフリー磁性層の磁化方向θ″は次式で示される。
【0024】
【数3】
【0025】
ここでHoは外部磁界、Hkは形状磁気異方性磁界、Hbfは、バイアス磁界、θは外部磁界の方向、θ″はフリー磁性層の磁化方向である。
【0026】
上記したように前記フリー磁性層の磁化方向は外部磁界Hoの方向と同一であることが理想的であるが、図10に示すように、形状磁気異方性磁界Hkや、さらにはバイアス磁界Hbfも加わって前記フリー磁性層の磁化の成す角θ″(ここで成す角θ″はY軸方向からの傾きで示す)は、外部磁界Hoの成す角度θとは一致しない。
【0027】
よって前記フリー磁性層の磁化方向と外部磁界Hoの方向とをできる限り一致させるには、前記形状磁気異方性磁界Hkが小さくなるようにすることが好ましい。
【0028】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特にAMR効果や形状磁気異方性磁界の影響を抑制して、出力電圧の波形歪みを従来に比べて小さくすることが可能な角度検出センサを提供することを目的としている。
【0029】
【課題を解決するための手段】
本発明は、磁化の向きが固定された固定磁性層と、外部磁界により磁化方向が変動するフリー磁性層とを有する磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子を支持する基板と、磁場を形成して前記磁気抵抗効果素子に対面して回転する回転部とを有する角度検出センサにおいて、
前記基板の幅方向をX軸方向、前記X軸方向から直角に傾く前記基板の奥行き方向をY軸方向としたときに、
前記磁気抵抗効果素子は、X軸配列部とY軸配列部とからなり、
前記X軸配列部は、Y軸方向に所定間隔を空けながらX軸方向に延びる複数本のX軸配列片が配置され、前記所定間隔は前記X軸配列片の長さ寸法に比べて小さく、隣り合う前記X軸配列片の同じ方向に向く端部どうしが交互に繋げられて、一本の蛇行した形状で構成され、
前記Y軸配列部は、X軸方向に所定間隔を空けながらY軸方向に延びる複数本のY軸配列片が配置され、前記所定間隔は前記X軸配列片の長さ寸法に比べて小さく、隣り合う前記Y軸配列片の同じ方向に向く端部どうしが交互に繋げられて、一本の蛇行した形状で構成され、
前記磁気抵抗効果素子は、前記X軸配列部とY軸配列部との端部どうしが繋げられた一本の連続形状で構成されることを特徴とするものである。
【0030】
上記発明では、X軸配列部とY軸配列部とがそれぞれ葛折り形状で形成され、前記Y軸配列部は例えば前記X軸配列部をちょうど90度回転させた形状である。
【0031】
上記の構成にすることでフリー磁性層の磁化の傾きによるAMR効果としての抵抗値変化をキャンセルでき、従来に比べて出力電圧の波形歪みを低減しやすい構造にできる。
【0032】
また本発明では、前記X軸配列片と前記Y軸配列片は共に同じ長さ寸法で且つ同じ幅寸法で形成されることが、前記フリー磁性層の磁化の傾きによるAMR効果に起因した寄与抵抗値の変動量をより効果的に小さくできて好ましい。
【0033】
または本発明は、磁化の向きが固定された固定磁性層と、外部磁界により磁化方向が変動するフリー磁性層とを有する磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子を支持する基板と、磁場を形成して前記磁気抵抗効果素子に対面して回転する回転部とを有する角度検出センサにおいて、
前記基板の幅方向をX軸方向、前記X軸方向から直角に傾く前記基板の奥行き方向をY軸方向としたときに、
前記磁気抵抗効果素子は、X軸方向に延びるX軸小片と、Y軸方向に延びる小片とがそれぞれ複数個設けられ、前記X軸小片とY軸小片とが交互に接続された一本の連続形状で構成され、
前記X軸小片とY軸小片は共に長さ寸法が同じ寸法であり、且つ幅寸法が同じ寸法で形成されることを特徴とするものである。
【0034】
上記のように、磁気抵抗効果素子をX軸小片と、前記X軸小片に対して90度傾いたY軸小片とで構成し、また前記X軸小片とY軸小片とを共に同じ長さ寸法で且つ同じ幅寸法で形成しているため、フリー磁性層の磁化の傾きによるAMR効果としての抵抗値変化をキャンセルでき、従来に比べて出力電圧の波形歪みを低減しやすい構造を提供できる。
【0035】
また本発明では、前記Y軸小片は、前記X軸小片のX軸方向に向く端面に、前記X軸小片は、前記Y軸小片のY軸方向に向く端面にそれぞれ規則的に接続されて、
前記磁気抵抗効果素子は、X軸方向あるいはY軸方向に延びる列を構成し、前記列が複数あるときは、それぞれの列の同じ方向に向く端部どうしが交互に接続されて、一本の連続形状を構成していることが好ましい。
【0036】
上記のように構成することで、基板の限られた大きさの範囲内に、効率良く、前記磁気抵抗効果素子を形成できる。使用状況により前記基板の大きさは予め決められており、しかも前記基板上に形成される磁気抵抗効果素子の素子抵抗値(ここでは固定磁性層の磁化方向の直角方向の外部磁界印加状態を指す。)もある一定値となるように規格されているのが一般的である。このような中で、AMR効果に起因する寄与抵抗値の変動量を小さくすべく、上記のようにX軸小片とY軸小片とで構成された磁気抵抗効果素子を前記基板上に設けるには、前記磁気抵抗効果素子を複数の前記列の端部どうしを接続した一本の連続形状として形成することが望ましい。
【0037】
さらには本発明は、磁化の向きが固定された固定磁性層と、外部磁界により磁化方向が変動するフリー磁性層とを有する磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子を支持する基板と、磁場を形成して前記磁気抵抗効果素子に対面して回転する回転部とを有する角度検出センサにおいて、
前記基板の幅方向をX軸方向、前記X軸方向から直角に傾く前記基板の奥行き方向をY軸方向としたときに、
前記磁気抵抗効果素子は、X軸方向に所定間隔を空けながらY軸方向に複数本配置されたY軸配列片と、Y軸方向に所定間隔を空けながらX軸方向に複数本配置されたX軸配列片と、からなり、
前記X軸配列片とY軸配列片は同数であり、しかも前記X軸配列片とY軸配列片の長さ寸法は同じ寸法で且つ幅寸法が同じ寸法で形成されることを特徴とするものである。
【0038】
上記の構成にすることでフリー磁性層の磁化の傾きによるAMR効果としての抵抗値変化をキャンセルでき、従来に比べて出力電圧の波形歪みを低減しやすい構造を提供できる。
【0039】
また本発明では、前記X軸配列片とY軸配列片、あるいは前記列は、その幅寸法が20μm以上であって、且つ(長さ寸法/幅寸法)が、11よりも小さいことが好ましい。
【0040】
あるいは本発明では、前記X軸配列片とY軸配列片、あるいは前記列は、その幅寸法が20μmよりも大きく、且つ(長さ寸法/幅寸法)が、11以下であることが好ましい。
【0041】
上記のように磁気抵抗効果素子の長さ寸法及び幅寸法を規制することで形状磁気異方性磁界Hkによるフリー磁性層の磁化の傾きの変動を抑え、前記フリー磁性層の磁化を外部磁界方向により近づけることができ、出力電圧の波形歪みを従来に比べて低減することが可能になる。
【0042】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明の回転角検出センサの断面図、図2は、本発明の回転角検出センサに搭載される磁気抵抗効果素子が設けられた基板を示す拡大平面図、図3は図2とは別の実施形態の磁気抵抗効果素子が設けられた基板を示す拡大平面図、図4は、各基板上に設けられた磁気抵抗効果素子の配置関係を説明するための平面図、図5は、前記回転角検出センサの回路図、図6は磁気抵抗効果素子の一部分を切断し、その切断面を含む部分斜視図である。
【0043】
本発明の回転角検出センサは、図1に示すように、ケース20内に、ケース20に固定された非磁性材料からなる平板状の支持部材(固定部)21と、支持部材21の上方に位置し、前記固定部21と面対向するフェライト等からなる円板状の磁石22を有する回転部とを有している。回転部に設けられた磁石22は、支持部材21の対向面にN極とS極が分極されて着磁されており、N極とS極を結ぶ方向が径方向である。前記磁石22は、厚さが数mm、径が数cm程度である。
【0044】
非磁性材料からなる回転軸23は、回転部に固定され、ケース20の外側に突出し、回転軸23は前記ケース20に回転自在に支持されている。
【0045】
支持部材21の磁石22と対向する面には、例えば図4に示す4つの基板K1,K2,K3,K4が設けられており、各基板上にはそれぞれ2個づつ磁気抵抗効果素子R1,R2が設けられている。
【0046】
前記磁気抵抗効果素子R1,R2は、例えば図6に示す積層構造であり、下からPtMn合金等からなる反強磁性層30,NiFe合金等からなる固定磁性層(ピン磁性層)31、Cu等の非磁性導電材料からなる非磁性材料層32及びNiFe合金等からなるフリー磁性層33の順に積層された構造である。
【0047】
図6に示す磁気抵抗効果素子R1,R2ではフリー磁性層33は外部磁界(図1に示す磁石22からの磁束F)に対し磁化変動を起こす層である。一方、前記固定磁性層31の磁化は反強磁性層30との間で生じる交換結合磁界によってある所定方向に固定されている。
【0048】
なお磁気抵抗効果素子R1,R2の積層構造に関しては図6のような4層構造ではなくさらなる多層構造であってもよいし、また図6に示す磁気抵抗効果素子R1,R2はいわゆるスピンバルブ型薄膜素子と呼ばれる構造であるが、前記フリー磁性層33のように外部磁界に対し磁化が変動する層と、固定磁性層31のように外部磁界の流入によっても磁化方向が変動しない層とを持ち、磁化変動層と磁化固定層との磁化の成す角度の変動によって素子抵抗値の変動する構造であれば、どのような構造であってもかまわない。
【0049】
図4に示す各基板K1,K2,K3,K4上にそれぞれ2個づつ配置された磁気抵抗効果素子R1,R2は同じ積層構造で形成されている。
【0050】
図2に示すように各磁気抵抗効果素子R1,R2の両側端部には前記磁気抵抗効果素子5,6に電流を供給するためのAuやCuで形成されたリード部40,41が接続されている。
【0051】
図4に示すように、各リード部40,41の端部には、前記リード部40と一体に、あるいは別体で形成された端子部A〜Pが設けられている。
【0052】
これら端子部A〜Pは例えば、図5のように接続され、2つのホイートストーンブリッジ回路を構成している。
【0053】
各基板K1,K2,K3,K4上に設けられた磁気抵抗効果素子R1,R2の構造(形状)に関し以下に詳しく説明する。
【0054】
図2に示す基板は、図4に示す右下に図示された符号K4の基板である。図2に示すように基板K4上には、2つの磁気抵抗効果素子R1,R2がY軸方向に所定の間隔をおいて並設されている。
【0055】
以下において「X軸方向」とは基板K4の幅方向を、「Y軸方向」とは前記X軸方向から直角に傾く前記基板K4の奥行き方向を指す。
【0056】
前記磁気抵抗効果素子R1は、X軸配列部42とY軸配列部43とで構成され、前記X軸配列部42とY軸配列部43はちょうど境界Sを境にして分けられる。境界Sの図示右側に配置されたX軸配列部42は、Y軸方向に所定間隔T2を空けながらX軸方向に5本のX軸配列片(1)(2)(3)(4)(5)(以下では(1)〜(5)全てを表現するときは、「X軸配列片(1)〜(5)」と表記する)が配置されている。前記所定間隔T2は、前記X軸配列片(1)〜(5)の長さ寸法L1に比べて十分に小さく、例えば十数μm程度で形成される。
【0057】
図2に示すように、隣り合う前記X軸配列片((1)と(2)、(2)と(3)、(3)と(4)、(4)と(5)のそれぞれのX軸配列片)は、その同じ方向に向く端部42aどうしが互い違いに繋げられており、これにより前記X軸配列部42は一本の蛇行形状として構成される。
【0058】
一方、前記Y軸配列部43は、X軸方向に所定間隔T2を空けながらY軸方向に5本のY軸配列片(6)(7)(8)(9)(10)(以下では(6)〜(10)全てを表現するときは、「Y軸配列片(6)〜(10)」と表記する)が配置されている。前記所定間隔T2は、前記Y軸配列片(6)〜(10)の長さ寸法L1に比べて十分に小さい。
【0059】
図2に示すように、隣り合う前記Y軸配列片((6)と(7)、(7)と(8)、(8)と(9)、(9)と(10)のそれぞれのY軸配列片)は、その同じ方向に向く端部43aどうしが互い違いに繋げられており、これにより前記Y軸配列部43は一本の蛇行形状として構成される。
【0060】
そして前記磁気抵抗効果素子R1は、前記X軸配列部42とY軸配列部43との端部どうしがちょうど境界Sの部分で繋げられた一本の連続形状として構成されている。
【0061】
なお、上記した境界Sや端部42a,43aは便宜上、わかりやすく説明するために図示したもので、実際の製品において、このような境界や端部を示す線が現れているわけではない。前記X軸配列部42及びY軸配列部43は同時にスパッタ法等を用いてパターン形成されたものである。
【0062】
図2に示すように、前記Y軸配列部43は、前記X軸配列部42をちょうど90度回転させた形状である。
【0063】
図2では前記X軸配列部42とY軸配列部43はともに5本づつの配列片(1)〜(5),(6)〜(10)を有し、また各配列片(1)〜(5),(6)〜(10)の幅寸法T1はそれぞれ同じ寸法で形成され、且つ長さ寸法L1もそれぞれ同じ寸法で形成されている。
【0064】
このため外部磁界を与えない状態で、前記X軸配列部42及びY軸配列部43に電流を流すと、前記X軸配列部42とY軸配列部43はほぼ同じ素子抵抗値を有していることになる。
【0065】
ここで前記磁気抵抗効果素子R1のAMR効果に起因する寄与抵抗値ついて考察する。まず前記磁気抵抗効果素子R1を構成するX軸配列部42でのAMR効果に起因する寄与抵抗値RXは次式によって示される。
【0066】
【数4】
【0067】
数4は図9で説明したAMR効果と同理論によって求められた式である。RXは、X軸配列部42におけるAMR効果に起因した寄与抵抗値であり、RB0が中心抵抗、ΔRBが寄与抵抗値変化の振幅、θ′が、電流方向とフリー磁性層33の磁化方向との成す角度である。
【0068】
一方、Y軸配列部43では、Y軸配列片(6)〜(10)がX軸配列片(1)〜(5)の配置方向から90度回転して配置された関係にあるため、前記Y軸配列片(6)〜(10)に流れる電流方向は、前記X軸配列片(1)〜(5)に流れる電流方向に対して90度傾いた方向である。
【0069】
このためY軸配列部43でのAMR効果に起因した寄与抵抗値RYは、上記した数4の「ΔRBCOS2θ′」の部分が「ΔCOS2(θ+90)′=ΔSIN2θ′」に変わった次式で示される。
【0070】
【数5】
【0071】
ここでRYは、Y軸配列部43におけるAMR効果に起因した寄与抵抗値であり、RB0が中心抵抗、ΔRBが寄与抵抗値変化の振幅、θ′が、電流方向とフリー磁性層10の磁化方向との成す角度である。
そして数4と数5とを足すと、COS2θ′+SIN2θ′=1だから、
【0072】
【数6】
【0073】
となる。
数6からわかるように、磁気抵抗効果素子R1のAMR効果に起因した寄与抵抗値を求める際にCOS2θ′やSIN2θ′の項を消去できるため、θ′によって変動する値が消え、AMR効果に起因した寄与抵抗値(RX+RY)をある所定値に収めることが可能になる。
【0074】
よってAMR効果による抵抗値変化をキャンセルできるため、出力電圧波形の歪みを低減できる。
【0075】
なお図2では磁気抵抗効果素子5を構成するX軸配列部42とY軸配列部43とがともに5本の配列片(1)〜(5),(6)〜(10)からなり、しかも前記X軸配列片(1)〜(5)とY軸配列片(6)〜(10)の幅は同じ幅寸法T1で、且つ長さも同じ長さ寸法L1で、前記X軸配列部42とY軸配列部43とが同じ中心抵抗RB0、同じ寄与抵抗値変化の振幅ΔRBを有するとの前提の下に、数4〜数6の式が成り立っている。
【0076】
このため、例えばX軸配列部42を構成するX軸配列片(1)〜(5)の本数と、Y軸配列部43を構成するY軸配列片(6)〜(10)の本数とが異なっているなどの要因があるときは、前記X軸配列部42とY軸配列部43とが同じ中心抵抗RB0、同じ寄与抵抗値変化の振幅ΔRBを有することにはならない。
【0077】
しかしながら、数4を構成する「ΔRB1COS2θ′」の項(ここでは数4のΔRBをΔRB1に変更した)と、数5を構成する「ΔRB2SIN2θ′」(ここでは数5のΔRBをΔRB2に変更した)とを足したときのθ′の変動による変動量(ΔRB1COS2θ′+ΔRB2SIN2θ′)を、従来に比べて小さくすることが可能であり、従ってθ′の変動によるAMR効果に起因した寄与抵抗値の変動量を小さくできる。
【0078】
次に形状磁気異方性磁界Hkの低減について以下に説明する。図2に示すように、X軸配列部42を構成する各X軸配列片(1)〜(5)の幅寸法をT1、長さ寸法をL1とする。なお前記Y軸配列部43を構成する各Y軸配列片(6)〜(10)の幅寸法もT1で、長さ寸法もL1である。
【0079】
ここでX軸方向の寸法及びY軸方向の寸法がそれぞれ700μmとされた基板上に図7に示す従来構造の磁気抵抗効果素子2,3を形成し、前記磁気抵抗効果素子2,3構成する各配列片の長さ寸法を220μm、幅寸法を20μmとしたときの形状磁気異方性磁界Hkの値を基準(基準値1と置く)とする。
【0080】
次に、前記磁気抵抗効果素子2,3と同じ素子抵抗値(外部磁界の印加がない状態での素子抵抗値)を有するように、図2に示す前記磁気抵抗効果素子R1,R2の前記幅寸法T1及び長さ寸法L1を変動させて、前記基準から見た前記磁気抵抗効果素子R1,R2の形状磁気異方性磁界Hkの変動率を求めた。それが以下の表1である。
【0081】
【表1】
【0082】
表1に示す括弧書きは(長さ寸法/幅寸法)である。長さ寸法を220μmとし、幅寸法を20μmとした基準値1では、(長さ寸法/幅寸法)は11である。
【0083】
表1に示すように、幅寸法を20μm以上にするとともに、(長さ寸法/幅寸法)を11よりも小さくすると、形状磁気異方性磁界Hkを基準値1に比べて低くできることがわかる。
【0084】
あるいは前記幅寸法を20μmよりも大きくするとともに、(長さ寸法/幅寸法)を11以下にすれば、形状磁気異方性磁界Hkを基準値1よりも低くできることがわかる。
【0085】
そこで、本発明では磁気抵抗効果素子R1,R2を構成する配列片(1)〜(5),(6)〜(10)の幅寸法T1を20μm以上にし、且つ(長さ寸法L1/幅寸法T1)を11よりも小さくするか、あるいは前記幅寸法T1を20μmよりも大きくし、且つ(長さ寸法L1/幅寸法T1)を11以下にして形状磁気異方性磁界Hkを低減させることとした。
【0086】
図2では、磁気抵抗効果素子R2も磁気抵抗効果素子R1と全く同じ形状であり、上記と同様の効果を有するものである。
【0087】
また図4に示すように基板K4以外の基板K1,K2,K3に設けられた各磁気抵抗効果素子R1,R2は、前記基板K4上に設けられた磁気抵抗効果素子R1,R2を90度あるいは180度回転させた配置関係にあり、磁気抵抗効果素子R1,R2の形状及び構造そのものは基板K4のものと変わりが無い。
【0088】
また図2に示すように磁気抵抗効果素子R1は、一つのX軸配列部42と一つのY軸配列部43とで構成されているが、X軸配列部42及びY軸配列部43がそれぞれ複数設けられていてもよい。ただしかかる場合、X軸配列部42の数とY軸配列部43の数は同じであることが好ましい。また複数のX軸配列部42及びY軸配列部43が設けられている場合の各配列部の配置は、X配列部42とY軸配列部43とが交互に接続された配置であってもよいし、X軸配列部42が続けて接続され、次にY軸配列部43が接続された配置など、どのような配置であってもかまわない。
【0089】
また図2に示すように、前記磁気抵抗効果素子R1,R2の両側端部に接続されるリード部40,41では、屈曲する部分の外側端面及び内側端面40a,41aが直角で形成されることなく、前記端面40a,41aはR形状や面取り形状で形成されることが好ましい。
【0090】
このように屈曲部分の端面40a,41aに角を無くすことで、前記角に電界が集中することを抑制でき、この部分から他のリード部や磁気抵抗効果素子R1,R2に放電がおきるのを抑制できる。このため耐ESD(耐静電気放電)を向上させることが可能である。
【0091】
図3に示す本発明における別の実施形態について以下に説明する。
図3では、図4に示す基板K4上に2つの磁気抵抗効果素子R3,R4が配置されている。前記磁気抵抗効果素子R3,R4の積層構造は例えば図6と同じである。前記磁気抵抗効果素子R3は、X軸方向に向くX軸小片(1),(3),(5),(7),(9),(11)(以下、これらを全て含むときは、X軸小片「(1)等」と表現する)とY軸方向に向くY軸小片(2),(4),(6),(8),(10),(12)(以下、これらを全て含むときは、Y軸小片「(2)等」と表現する)とで構成され、前記Y軸小片「(2)等」は、前記X軸小片「(1)等」のX軸方向に向く端面50に接続されるとともに、前記X軸小片「(1)等」は、前記Y軸小片「(2)等」のY軸方向に向く端面51と接続される。図3に示すように、前記X軸小片「(1)等」とY軸小片「(2)等」は規則的に接続され、前記磁気抵抗効果素子R3は葛折り状に蛇行する形状となっている。なお図3に示されている端面50,51は実際の製品に当然現れない。前記端面を表す線はわかりやすく説明するために便宜上図示したものである。前記磁気抵抗効果素子R3を構成するX軸小片「(1)等」及びY軸小片「(2)等」はスパッタ法等で同時にパターン形成される。
【0092】
図3に示す磁気検出素子R3には、前記X軸小片「(1)等」とY軸小片「(2)等」とが規則的に接続されてX軸の図示左方向に延びる第1列が形成され、この第1列の端部から、今度はX軸の図示右方向に向けて延びる第2列、及び前記第2列の端部から、今度はX軸の図示左方向に向けて延びる第3列が形成されて構成されている。なお前記第2列及び第2列も当然、前記X軸小片及びY軸小片の規則的な組み合わせで形成されたものである。
【0093】
図3では前記X軸小片「(1)等」とY軸小片「(2)等」とが同じ幅寸法で形成され、且つ同じ長さ寸法で形成されている。
【0094】
図3では前記磁気検出素子R3,R4が、X軸小片「(1)等」と、このX軸小片「(1)等」から90度傾いたY軸小片「(2)等」との連続構造で形成され、しかも前記X軸小片「(1)等」とY軸小片「(2)等」とが同じ幅寸法で、且つ同じ長さ寸法で形成され、さらに図3では、前記第1列から第3列までを構成するX軸小片「(1)等」とY軸小片「(2)等」とが同じ個数で構成されているため、既に説明した数4〜数6と同じ関係が成り立ち、θ′の変動によっても、AMR効果による抵抗値変化をキャンセルできるため、出力電圧波形の歪みを低減できる。
【0095】
図3では、各列の長さ寸法が、図2で説明したX軸配列部42及びY軸配列部43の長さ寸法L1に対応する。図3では、図2で説明した幅寸法T1は、X軸小片「(1)等」及びY軸小片「(2)等」の幅寸法に対応する。ここで各列の長さ寸法とは、図3の第3列に図示したように、列の中心線を辿る長さ寸法である。
【0096】
またリード部40,41の屈曲部分での端面40a,41aはR形状あるいは面取り加工されている。
【0097】
なお磁気抵抗効果素子R1〜R4の形状は、図2及び図3に示す素子パターンに限られるものではない。
【0098】
上記したAMR効果に起因した寄与抵抗値をθ′の変動によっても変動しない所定値に収めるには、磁気抵抗効果素子が、X軸方向に所定間隔を空けながらY軸方向に複数本配置されたY軸配列片と、Y軸方向に所定間隔を空けながらX軸方向に複数本配置されたX軸配列片と、からなり、前記X軸配列片とY軸配列片は同数であり、しかも前記X軸配列片とY軸配列片の幅寸法は同じ寸法で、且つ同じ長さ寸法で形成されている形態であれば、前記磁気抵抗効果素子はどのようなパターンで構成されていてもよい。
【0099】
本発明における角度検出センサは、傾斜角や回転角を検出するためのものである。一般産業機械・産業用ロボット・医療機器・建設機械・掘削機・測定機器・輸送機器・自動車・船舶などあらゆる分野で使用可能であり、一例を挙げると例えば自動車のステアリングの回転角を検出するための回転角検出センサとして使用される。
【0100】
【発明の効果】
以上詳細に説明した本発明によれば、特にAMR効果や形状磁気異方性磁界の影響を抑制して、出力電圧の波形歪みを従来に比べて小さくすることが可能な角度検出センサを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の回転角検出センサの断面図、
【図2】図1のセンサに搭載される磁気抵抗効果素子が設けられた基板を示す拡大平面図、
【図3】図2とは別の実施形態の磁気抵抗効果素子が設けられた基板を示す拡大平面図、
【図4】各基板上に設けられた磁気抵抗効果素子の配置関係を説明するための平面図、
【図5】本発明における回転角検出角センサの回路図、
【図6】磁気抵抗効果素子の一部分を切断し、その切断面を含む部分斜視図、
【図7】従来の回転角検出センサに搭載された磁気検出素子の構造を説明するための平面図、
【図8】図7に示す磁気抵抗効果素子を用いて測定した出力電圧波形と、理論値から求めた出力電圧波形との関係を示すグラフ、
【図9】AMR効果に起因した寄与抵抗値を説明するための図、
【図10】形状磁気異方性磁界Hkによるフリー磁性層の磁化方向のずれを説明するための図、
【符号の説明】
40、41 リード部
42 X軸配列部
43 Y軸配列部
K1、K2、K3、K4 基板
R1、R2、R3、R4 磁気抵抗効果素子
31 固定磁性層
33 フリー磁性層
Claims (7)
- 磁化の向きが固定された固定磁性層と、外部磁界により磁化方向が変動するフリー磁性層とを有する磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子を支持する基板と、磁場を形成して前記磁気抵抗効果素子に対面して回転する回転部とを有する角度検出センサにおいて、
前記基板の幅方向をX軸方向、前記X軸方向から直角に傾く前記基板の奥行き方向をY軸方向としたときに、
前記磁気抵抗効果素子は、X軸配列部とY軸配列部とからなり、
前記X軸配列部は、Y軸方向に所定間隔を空けながらX軸方向に延びる複数本のX軸配列片が配置され、前記所定間隔は前記X軸配列片の長さ寸法に比べて小さく、隣り合う前記X軸配列片の同じ方向に向く端部どうしが交互に繋げられて、一本の蛇行した形状で構成され、
前記Y軸配列部は、X軸方向に所定間隔を空けながらY軸方向に延びる複数本のY軸配列片が配置され、前記所定間隔は前記X軸配列片の長さ寸法に比べて小さく、隣り合う前記Y軸配列片の同じ方向に向く端部どうしが交互に繋げられて、一本の蛇行した形状で構成され、
前記磁気抵抗効果素子は、前記X軸配列部とY軸配列部との端部どうしが繋げられた一本の連続形状で構成されることを特徴とする角度検出センサ。 - 前記X軸配列片と前記Y軸配列片は共に同じ長さ寸法で且つ同じ幅寸法で形成される請求項1記載の角度検出センサ。
- 磁化の向きが固定された固定磁性層と、外部磁界により磁化方向が変動するフリー磁性層とを有する磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子を支持する基板と、磁場を形成して前記磁気抵抗効果素子に対面して回転する回転部とを有する角度検出センサにおいて、
前記基板の幅方向をX軸方向、前記X軸方向から直角に傾く前記基板の奥行き方向をY軸方向としたときに、
前記磁気抵抗効果素子は、X軸方向に延びるX軸小片と、Y軸方向に延びる小片とがそれぞれ複数個設けられ、前記X軸小片とY軸小片とが交互に接続された一本の連続形状で構成され、
前記X軸小片とY軸小片は共に長さ寸法が同じ寸法であり、且つ幅寸法が同じ寸法で形成されることを特徴とする角度検出センサ。 - 前記Y軸小片は、前記X軸小片のX軸方向に向く端面に、前記X軸小片は、前記Y軸小片のY軸方向に向く端面にそれぞれ規則的に接続されて、
前記磁気抵抗効果素子は、X軸方向あるいはY軸方向に延びる列を構成し、前記列が複数あるときは、それぞれの列の同じ方向に向く端部どうしが交互に接続されて、一本の連続形状を構成している請求項3記載の角度検出センサ。 - 磁化の向きが固定された固定磁性層と、外部磁界により磁化方向が変動するフリー磁性層とを有する磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子を支持する基板と、磁場を形成して前記磁気抵抗効果素子に対面して回転する回転部とを有する角度検出センサにおいて、
前記基板の幅方向をX軸方向、前記X軸方向から直角に傾く前記基板の奥行き方向をY軸方向としたときに、
前記磁気抵抗効果素子は、X軸方向に所定間隔を空けながらY軸方向に複数本配置されたY軸配列片と、Y軸方向に所定間隔を空けながらX軸方向に複数本配置されたX軸配列片と、からなり、
前記X軸配列片とY軸配列片は同数であり、しかも前記X軸配列片とY軸配列片の長さ寸法は同じ寸法で且つ幅寸法が同じ寸法で形成されることを特徴とする角度検出センサ。 - 前記X軸配列片とY軸配列片、あるいは前記列は、その幅寸法が20μm以上であって、且つ(長さ寸法/幅寸法)が、11よりも小さい請求項1ないし5のいずれかに記載の角度検出センサ。
- 前記X軸配列片とY軸配列片、あるいは前記列は、その幅寸法が20μmよりも大きく、且つ(長さ寸法/幅寸法)が、11以下である請求項1ないし5のいずれかに記載の角度検出センサ。
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