JP2005008669A - 半導体装置用接着剤,半導体装置およびそれを用いた表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】薄膜半導体装置を転写・接着して形成することに適する接着剤と、これを用いて製造される薄型の半導体装置を提供する。
【解決手段】珪素および/または無機珪素化合物層との接着強度が50gf/cm以上であり、硬化後の線膨張係数が50ppm/℃以下である半導体装置用接着剤。接着剤がアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の架橋性樹脂を含むことが望ましく、また、無機フィラーを含んで成ることも望ましい。本発明は、上記半導体装置用接着剤により、半導体素子がプラスチックフィルム上に接着されており、かつ接着される半導体素子の厚さが50μm以下である半導体装置も含む。
【解決手段】珪素および/または無機珪素化合物層との接着強度が50gf/cm以上であり、硬化後の線膨張係数が50ppm/℃以下である半導体装置用接着剤。接着剤がアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の架橋性樹脂を含むことが望ましく、また、無機フィラーを含んで成ることも望ましい。本発明は、上記半導体装置用接着剤により、半導体素子がプラスチックフィルム上に接着されており、かつ接着される半導体素子の厚さが50μm以下である半導体装置も含む。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置用の接着剤に関するものであり、更に詳しくは、半導体素子をプラスチックフィルムに接着することに適する接着剤と、これを用いた薄型の半導体装置を提供するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、高表示品位なフレキシブルディスプレイや超薄型IC等を実現するための製造技術としてプラスチックフィルム上への半導体装置の形成方法が種々検討されている。
フィルム上に直接半導体を形成するためには、熱分解温度が高く、かつ線膨張係数も半導体並みに低い特別なプラスチックフィルムを開発するか、又はプラスチックフィルムが使用可能な100℃〜150程度の温度での特殊な半導体製造工程が必要となり、特に移動度の高いシリコンを形成するためには現在量産化されている方法では400〜600℃程度の熱工程があることから難しく、研究が進められているが量産可能な段階には至っていない。
【0003】
一方、ガラス上に薄膜により半導体装置を形成し、半導体装置上面に仮固定フィルムを貼った後にガラスを除去し、最終固定用プラスチックフィルム上に転写する方法が提案されている。(例えば、特許文献1、非特許文献1参照。)
この際、仮固定フィルムを剥離する際や、プラスチックフィルム上へ半導体装置を形成した後の工程で、転写された半導体装置とプラスチックフィルムの間が剥がれてしまうことがあり問題となっている。
【0004】
【特許文献1】
特開平11−74533号公報(第2−3頁、第10頁)
【非特許文献1】
A.Asano and T.Kinoshita,Low−Temperature Polycrystalline−silicon TFT Color LCD Panel Made of Plastic Substrate,SID 02 DIGEST(2002)P.1196−1199
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的とするところは、上記の課題を解決し、薄膜半導体装置を転写・接着して形成することに適する接着剤と、これを用いて製造される薄型の半導体装置を提供するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、
1.珪素および/または無機珪素化合物層との接着強度が50gf/cm以上であり、硬化後の線膨張係数が50ppm/℃以下である半導体装置用接着剤、
2.接着剤が無機フィラーを含んで成る前記1の半導体装置用接着剤、
3.接着剤が架橋性樹脂を含んで成る前記1〜2の半導体装置用接着剤、
4.架橋性樹脂がアクリル樹脂を含んで成る前記3の半導体装置用接着剤、
5.アクリル樹脂がイソシアヌル酸トリアクリレートを含んで成る前記4の半導体装置用接着剤、
6.架橋性樹脂がエポキシ樹脂を含んで成る前記3の半導体装置用接着剤、
7.エポキシ樹脂がトリグリシジルイソシアヌレートを含んで成る前記6の半導体装置用接着剤、
8.前記1〜7の半導体装置用接着剤により、半導体素子がプラスチックフィルム上に接着されており、かつ接着される半導体素子の厚さが50μm以下である半導体装置、
9.プラスチックフィルムの線膨張係数が50ppm/℃以下である前記8の半導体装置、
10.プラスチックフィルムの波長550nmにおける光線透過率が80%以上である前記8〜9の半導体装置、
11.プラスチックフィルムの法線方向での位相差が10nm以下である前記10の半導体装置、
12.前記11の半導体装置を用いたアクティブマトリクス式表示装置、
である。
【0007】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体装置用接着剤は、珪素および/または無機珪素化合物層との接着強度が50gf/cm以上であるものである。薄膜半導体装置を転写して形成する場合、その接着面は、珪素,酸化珪素,窒化珪素,窒酸化珪素,無アルカリガラスである場合がほとんどであり、珪素および/または無機珪素化合物層との接着強度が50gf/cm以上であることで、工程中での剥離を防ぐことが可能である。接着強度の測定は、珪素および/または無機珪素化合物層をスパッタリング等で成膜したガラス上(ガラスの場合はガラスに直接)にプラスチックフィルムを接着してピール試験を行うことにより行うことができる。
【0008】
本発明の半導体装置用の基材となるプラスチックフィルムの例を挙げると、ポリエチレンテレフタレート,ポリエチレンナフタレート,ポリカーボネート,芳香族ポリエステル,芳香族ポリアミド,ポリスルホン,ポリエーテルスルホン,ポリシクロオレフィン,トリアセチルセルロース,ポリエチレン,ポリ塩化ビニル,ポリプロピレン,ポリイミド,ポリアミドイミド,ポリベンゾオキサゾール,ポリベンゾチアゾール,エポキシ樹脂,アクリル樹脂,マレイミド樹脂,前記各種ポリマーと無機物の複合材料フィルム等であるがこれらに限定されるものではない。さらに、本発明では、線膨張係数が50ppm/℃以下であることが好ましい。接着する半導体装置は無機物であり線膨張係数が小さいので、基材となるプラスチックフィルムの線膨張係数が小さいほうが、温度変化に対する線膨張量の差による応力が発生しにくくなり、剥離を起こしにくくなるためである。線膨張係数が50ppm/℃以下であるものの例を挙げると、2軸延伸ポリエチレンテレフタレート,2軸延伸ポリエチレンナフタレート,ポリイミド,ポリベンゾオキサゾール,ポリベンゾチアゾール,エポキシ樹脂,アクリル樹脂,マレイミド樹脂,前記各種ポリマーと無機物の複合材料フィルム等である。
更に、光線透過率が80%以上と高い場合には、アクティブマトリクス式の液晶表示装置や有機EL表示装置の駆動用薄膜トランジスタ基板として好適に用いることができる。さらに、偏光を利用した液晶表示装置の場合には、フィルムの位相差が大きい場合にはコントラストの低下や好ましくない着色などが発生するので、フィルムの法線方向での位相差が10nm以下であることが好ましい。例を挙げるとエポキシ樹脂,アクリル樹脂,マレイミド樹脂,前記各種ポリマーと無機物の複合材料フィルム等である。
【0009】
本発明の半導体装置用接着剤としては、基材となるプラスチックフィルムの耐熱温度より低い軟化温度を持つ熱可塑性樹脂や、架橋性樹脂を用いることができる。接着性に優れることから、架橋性樹脂を用いることが好ましい。このような接着剤層の例としては、アクリル樹脂,エポキシ樹脂,ビニル樹脂,不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。基材となるプラスチック基板が透明である場合は、光硬化性アクリル樹脂や光硬化性エポキシ樹脂等の光硬化性樹脂を用いることができる。これらの光硬化性樹脂としては反応性の高いアクリル樹脂を用いることが好ましく、更にイソシアヌル酸トリアクリレートを含んで成るアクリル樹脂が、耐熱性が高く特に好ましい。また、熱硬化性樹脂を用いることにより基材が不透明な場合でも接着強度が50gf/cm以上である接着層を得ることができる。熱硬化性樹脂としては接着力が高いエポキシ樹脂を用いることが好ましく、更にトリグリシジルイソシアヌレートを含んで成るエポキシ樹脂が、耐熱性が高く特に好ましい。接着剤層の線膨張係数は、硬化後の50ppm/℃以下であることが必要である。線膨張係数が50ppm/℃を超えると、半導体素子層との線膨張量の差による応力が大きくなり、剥離を起こしやすくなる。50ppm/℃以下であるものの例としてはポリイミド,ポリベンゾオキサゾール,ポリベンゾチアゾール,エポキシ樹脂,アクリル樹脂,マレイミド樹脂,前記各種ポリマーと無機フィラーの複合材料等が挙げられるが、接着強度と両立する樹脂を選択しやすいことから接着剤が無機フィラーを含んで成るものが好ましい。この場合、無機フィラーの粒径を可視光の波長より十分に小さくすること等で高い光線透過率とすることができる。
【0010】
本発明の半導体装置用接着剤を用いて、接着層上に膜状の半導体回路や半導体層を貼り、加工することにより半導体装置を製造することができる。半導体素子部分の厚さが厚いと屈曲時に割れが起こるため、厚さは50μm以下であることが好ましい。半導体装置の例としては、超薄型IC,TFT液晶表示装置やTFT有機EL表示装置等のアクティブマトリクス表示装置用のTFT基板等が挙げられる。
【0011】
以下本発明を実施例、比較例によって説明する。
《実施例1》
1Lセパラブルフラスコ中に、平均粒径30nmのシリカ30重量%を分散したメタノール500g,ジプロピレングリコールモノメチルエーテル100g,トリグリシジルイソシアヌレート150gを入れ、均一になるまで攪拌した。その後、温度50℃でエバポレートしてメタノールを取り除いた。続いて、アジピン酸ジヒドラジド15gを加えて攪拌し、半導体装置用接着剤とした。
この接着剤を離型処理を施したポリエチレンテレフタレートフィルム上にアプリケーターを用いて塗布した。続いて90℃のオーブン中で30分間プリベークし、150℃のオーブン中で90分間硬化を行った。硬化した接着剤をポリエチレンテレフタレートフィルムから離型して25℃から100℃の範囲で線膨張係数を測定したところ、45ppm/℃であった。
次に、接着剤をシリコンウエハ上にアプリケーターを用いて塗布した。続いて90℃のオーブン中で30分間プリベークし、厚さ50μmのポリイミドフィルムをラミネートした後、150℃のオーブン中で90分間硬化を行った。ポリイミドフィルムに幅1cmづつカッターで切れ目を入れ、幅1cmでのピール強度を測定した。ピール強度は110gf/cmであった。
用いたポリイミドフィルムの線膨張係数は7ppm/℃であり、550nmにおける光線透過率は18%であった。また、法線方向での位相差は10〜20nmであった。本フィルムは透過型表示装置の基板には適さないがIC製造には適するものであることから、次のように半導体装置を作成した。
ICを形成した厚さ0.5mmのシリコンウエハの素子面に、シリコンウエハの切断時に用いるUV照射により剥離可能な粘着フィルム(ダイシングフィルム)を貼り合わせ、裏面から研磨を行い、厚さを10μmとした。この面に前記接着剤を塗布して90℃のオーブン中で30分間プリベークし、ポリイミドフィルムをラミネートした後、ダイシングフィルムにUVを露光した。続いて150℃のオーブン中で90分間硬化を行った後、ダイシングフィルムを剥離し、ポリイミド上にICが接着された半導体装置を得た。シリコン層の剥離や割れは無く、良好に作製が可能であった。
【0012】
《実施例2》
1Lセパラブルフラスコ中に、平均粒径30nmのシリカ30重量%を分散したメタノール500g,プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート100g,イソシアヌル酸トリアクリレート120gとペンタエリスリトールトリアクリレート10gを入れ、均一になるまで攪拌した。その後、温度50℃でエバポレートしてメタノールを取り除いた。続いて、光開始剤として1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン1.5gを加えて攪拌し、半導体装置用接着剤とした。
この接着剤を、離型処理を施したポリエチレンテレフタレートフィルム上にアプリケーターを用いて塗布した。続いて90℃のオーブン中で10分間プリベークし、高圧水銀灯を用いてUV光を照射し硬化を行った。照射量は2000mJ/cm2とした。硬化した接着剤をポリエチレンテレフタレートフィルムから離型して25℃から100℃の範囲で線膨張係数を測定したところ、43ppm/℃であった。
次に、接着剤を二酸化珪素を主成分とする無アルカリガラス基板上にアプリケーターを用いて塗布した。続いて90℃のオーブン中で10分間プリベークし、厚さ150μmのポリカーボネートフィルムをラミネートした後、ポリカーボネートフィルム側より、高圧水銀灯を用いてUV光を照射し硬化を行った。照射量は2000mJ/cm2とした。ポリカーボネートフィルムに幅1cmづつカッターで切れ目を入れ、幅1cmでのピール強度を測定した。ピール強度は80gf/cmであった。
用いたポリカーボネートフィルムの線膨張係数は75ppm/℃であり、550nmにおける光線透過率は90%であった。また、法線方向での位相差は1〜3nmであった。本フィルムは透過型表示装置の基板に適するものであることから、次のように半導体装置を作成した。
液晶表示装置用TFT素子を形成した無アルカリガラス基板の素子面に、実施例1と同様のダイシングフィルムを貼り合わせ、裏面から研磨を行い、厚さを20μmとした。この面に前記接着剤を塗布して90℃のオーブン中で10分間プリベークし、ポリカーボネートフィルムをラミネートした後、ダイシングフィルム側およびポリカーボネートフィルム側からUVを露光した。照射量は各面とも2000mJ/cm2とした。ダイシングフィルムを剥離し、ポリカーボネート上にTFT素子が接着された半導体装置を得た。TFT素子層の剥離や割れは無く、良好に作製が可能であった。
【0013】
《実施例3》
平均投影円相当直径約5μm,平均厚さ約0.1μmであるEガラス(屈折率1.560)の平板状フィラー90重量部を、ジシクロペンタジエニルジアクリレート(架橋後の屈折率1.527)58重量部,ビス[4−(アクリロイロキシエトキシ)フェニル]スルフィド(架橋後の屈折率1.606)42重量部,光重合開始剤である1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン0.5重量部とから成る樹脂(架橋後の屈折率1.560)に分散し、脱泡した。これを、厚さ100μmのポリエステルフィルムをスペーサーとしてガラス板に挟み込んで両面から約500mJ/cm2のUV光を照射して硬化させた。さらに、ガラス板から取り出し、真空オーブン中100℃で3時間加熱後、さらに250℃で3時間加熱し、厚さ95μmの透明複合体のフィルムを得た。
このフィルムの線膨張係数は28ppm/℃であり、550nmにおける光線透過率は89%であった。また、法線方向での位相差は0.1〜0.5nmであった。
ポリカーボネートの代わりにこのフィルムを用いた以外は実施例2と同様にしてTFT素子が接着された半導体装置を得た。TFT素子層の剥離や割れは無く、良好に作製が可能であった。
【0014】
《実施例4》
5Lセパラブルフラスコ中に、乾燥したN−メチル−2−ピロリドン4000gを入れ、2,5−ジアミノ−p−キシレン122.57g(0.9モル)と1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン29.23g(0.1モル)を分散させた。このセパラブルフラスコを20℃に設定したウォーターバスにより冷却を行いながらビフェニルテトラカルボン酸330.25gを投入して6時間攪拌を行いポリアミド酸溶液を得た。この溶液3000gを10L攪拌槽中に入れ、N−メチル−2−ピロリドン2500gとプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート500gを加えて接均一になるまで攪拌し、半導体装置用接着剤とした。
この接着剤を離型処理を施したポリエチレンテレフタレートフィルム上にアプリケーターを用いて塗布した。続いて120℃のオーブン中で30分間乾燥し、さらに250℃の窒素オーブン中で1時間硬化した。硬化した接着剤をポリエチレンテレフタレートフィルムから離型して25℃から100℃の範囲で線膨張係数を測定したところ、28ppm/℃であった。
次に、この半導体装置用プラスチックフィルムに二酸化珪素を主成分とする無アルカリガラス基板を130℃で熱圧着した後、250℃の窒素オーブン中で1時間硬化した。フィルムに幅1cmづつカッターで切れ目を入れ、幅1cmでのピール強度を測定した。ピール強度は65gf/cmであった。
実施例2で得た半導体用接着剤の変わりにこの半導体装置用接着剤を用い、ポリカーボネートの代わりに実施例3で得たフィルムを用いた以外は実施例2と同様にしてTFT素子が接着された半導体装置を得た。TFT素子層の剥離や割れは無く、良好に作製が可能であった。
【0015】
《比較例》
1Lセパラブルフラスコ中に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート300g,ペンタエリスリトールテトラアクリレート200gを入れ、均一になるまで攪拌した。続いて、光開始剤として1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン1.5gを加えて攪拌し、半導体装置用接着剤とした。
この接着剤を離型処理を施したポリエチレンテレフタレートフィルム上にアプリケーターを用いて塗布した。続いて90℃のオーブン中で10分間プリベークし、高圧水銀灯を用いてUV光を照射し硬化を行った。照射量は2000mJ/cm2とした。硬化した接着剤をポリエチレンテレフタレートフィルムから離型して25℃から100℃の範囲で線膨張係数を測定したところ、63ppm/℃であった。
次に、この接着剤を二酸化珪素を主成分とする無アルカリガラス基板上にアプリケーターを用いて塗布した。続いて90℃のオーブン中で10分間プリベークし、ポリエチレンテレフタレートフィルムをラミネートした後、ポリエチレンテレフタレートフィルム側より、高圧水銀灯を用いてUV光を照射し硬化を行った。照射量は2000mJ/cm2とした。ポリエチレンテレフタレートフィルムに幅1cmづつカッターで切れ目を入れ、幅1cmでのピール強度を測定した。ピール強度は15gf/cmであった。
液晶表示装置用TFT素子を形成した無アルカリガラス基板の素子面に、実施例1と同様のダイシングフィルムを貼り合わせ、裏面から研磨を行い、厚さを20μmとした。この面に前記接着剤を塗布して90℃のオーブン中で10分間プリベークし、ポリエチレンテレフタレートフィルムをラミネートした後、ダイシングフィルム側およびポリエチレンテレフタレートフィルム側からUVを露光した。照射量は各面とも2000mJ/cm2とした。ダイシングフィルムを剥離し、ポリエチレンテレフタレート上にTFT素子が接着された半導体装置を得たが、TFT素子層に剥離している部分が見られた。
【0016】
【発明の効果】
本発明の半導体装置用接着剤は、接着力に優れるとともに硬化後の低線膨張係数が低く、薄層の半導体の接着に優れるため、例えば、転写法を用いて製造される超薄型ICや、液晶表示装置や有機EL表示装置(特にアクティブマトリックスタイプ)の製造に好適に用いることができるものである。
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置用の接着剤に関するものであり、更に詳しくは、半導体素子をプラスチックフィルムに接着することに適する接着剤と、これを用いた薄型の半導体装置を提供するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、高表示品位なフレキシブルディスプレイや超薄型IC等を実現するための製造技術としてプラスチックフィルム上への半導体装置の形成方法が種々検討されている。
フィルム上に直接半導体を形成するためには、熱分解温度が高く、かつ線膨張係数も半導体並みに低い特別なプラスチックフィルムを開発するか、又はプラスチックフィルムが使用可能な100℃〜150程度の温度での特殊な半導体製造工程が必要となり、特に移動度の高いシリコンを形成するためには現在量産化されている方法では400〜600℃程度の熱工程があることから難しく、研究が進められているが量産可能な段階には至っていない。
【0003】
一方、ガラス上に薄膜により半導体装置を形成し、半導体装置上面に仮固定フィルムを貼った後にガラスを除去し、最終固定用プラスチックフィルム上に転写する方法が提案されている。(例えば、特許文献1、非特許文献1参照。)
この際、仮固定フィルムを剥離する際や、プラスチックフィルム上へ半導体装置を形成した後の工程で、転写された半導体装置とプラスチックフィルムの間が剥がれてしまうことがあり問題となっている。
【0004】
【特許文献1】
特開平11−74533号公報(第2−3頁、第10頁)
【非特許文献1】
A.Asano and T.Kinoshita,Low−Temperature Polycrystalline−silicon TFT Color LCD Panel Made of Plastic Substrate,SID 02 DIGEST(2002)P.1196−1199
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的とするところは、上記の課題を解決し、薄膜半導体装置を転写・接着して形成することに適する接着剤と、これを用いて製造される薄型の半導体装置を提供するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、
1.珪素および/または無機珪素化合物層との接着強度が50gf/cm以上であり、硬化後の線膨張係数が50ppm/℃以下である半導体装置用接着剤、
2.接着剤が無機フィラーを含んで成る前記1の半導体装置用接着剤、
3.接着剤が架橋性樹脂を含んで成る前記1〜2の半導体装置用接着剤、
4.架橋性樹脂がアクリル樹脂を含んで成る前記3の半導体装置用接着剤、
5.アクリル樹脂がイソシアヌル酸トリアクリレートを含んで成る前記4の半導体装置用接着剤、
6.架橋性樹脂がエポキシ樹脂を含んで成る前記3の半導体装置用接着剤、
7.エポキシ樹脂がトリグリシジルイソシアヌレートを含んで成る前記6の半導体装置用接着剤、
8.前記1〜7の半導体装置用接着剤により、半導体素子がプラスチックフィルム上に接着されており、かつ接着される半導体素子の厚さが50μm以下である半導体装置、
9.プラスチックフィルムの線膨張係数が50ppm/℃以下である前記8の半導体装置、
10.プラスチックフィルムの波長550nmにおける光線透過率が80%以上である前記8〜9の半導体装置、
11.プラスチックフィルムの法線方向での位相差が10nm以下である前記10の半導体装置、
12.前記11の半導体装置を用いたアクティブマトリクス式表示装置、
である。
【0007】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体装置用接着剤は、珪素および/または無機珪素化合物層との接着強度が50gf/cm以上であるものである。薄膜半導体装置を転写して形成する場合、その接着面は、珪素,酸化珪素,窒化珪素,窒酸化珪素,無アルカリガラスである場合がほとんどであり、珪素および/または無機珪素化合物層との接着強度が50gf/cm以上であることで、工程中での剥離を防ぐことが可能である。接着強度の測定は、珪素および/または無機珪素化合物層をスパッタリング等で成膜したガラス上(ガラスの場合はガラスに直接)にプラスチックフィルムを接着してピール試験を行うことにより行うことができる。
【0008】
本発明の半導体装置用の基材となるプラスチックフィルムの例を挙げると、ポリエチレンテレフタレート,ポリエチレンナフタレート,ポリカーボネート,芳香族ポリエステル,芳香族ポリアミド,ポリスルホン,ポリエーテルスルホン,ポリシクロオレフィン,トリアセチルセルロース,ポリエチレン,ポリ塩化ビニル,ポリプロピレン,ポリイミド,ポリアミドイミド,ポリベンゾオキサゾール,ポリベンゾチアゾール,エポキシ樹脂,アクリル樹脂,マレイミド樹脂,前記各種ポリマーと無機物の複合材料フィルム等であるがこれらに限定されるものではない。さらに、本発明では、線膨張係数が50ppm/℃以下であることが好ましい。接着する半導体装置は無機物であり線膨張係数が小さいので、基材となるプラスチックフィルムの線膨張係数が小さいほうが、温度変化に対する線膨張量の差による応力が発生しにくくなり、剥離を起こしにくくなるためである。線膨張係数が50ppm/℃以下であるものの例を挙げると、2軸延伸ポリエチレンテレフタレート,2軸延伸ポリエチレンナフタレート,ポリイミド,ポリベンゾオキサゾール,ポリベンゾチアゾール,エポキシ樹脂,アクリル樹脂,マレイミド樹脂,前記各種ポリマーと無機物の複合材料フィルム等である。
更に、光線透過率が80%以上と高い場合には、アクティブマトリクス式の液晶表示装置や有機EL表示装置の駆動用薄膜トランジスタ基板として好適に用いることができる。さらに、偏光を利用した液晶表示装置の場合には、フィルムの位相差が大きい場合にはコントラストの低下や好ましくない着色などが発生するので、フィルムの法線方向での位相差が10nm以下であることが好ましい。例を挙げるとエポキシ樹脂,アクリル樹脂,マレイミド樹脂,前記各種ポリマーと無機物の複合材料フィルム等である。
【0009】
本発明の半導体装置用接着剤としては、基材となるプラスチックフィルムの耐熱温度より低い軟化温度を持つ熱可塑性樹脂や、架橋性樹脂を用いることができる。接着性に優れることから、架橋性樹脂を用いることが好ましい。このような接着剤層の例としては、アクリル樹脂,エポキシ樹脂,ビニル樹脂,不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。基材となるプラスチック基板が透明である場合は、光硬化性アクリル樹脂や光硬化性エポキシ樹脂等の光硬化性樹脂を用いることができる。これらの光硬化性樹脂としては反応性の高いアクリル樹脂を用いることが好ましく、更にイソシアヌル酸トリアクリレートを含んで成るアクリル樹脂が、耐熱性が高く特に好ましい。また、熱硬化性樹脂を用いることにより基材が不透明な場合でも接着強度が50gf/cm以上である接着層を得ることができる。熱硬化性樹脂としては接着力が高いエポキシ樹脂を用いることが好ましく、更にトリグリシジルイソシアヌレートを含んで成るエポキシ樹脂が、耐熱性が高く特に好ましい。接着剤層の線膨張係数は、硬化後の50ppm/℃以下であることが必要である。線膨張係数が50ppm/℃を超えると、半導体素子層との線膨張量の差による応力が大きくなり、剥離を起こしやすくなる。50ppm/℃以下であるものの例としてはポリイミド,ポリベンゾオキサゾール,ポリベンゾチアゾール,エポキシ樹脂,アクリル樹脂,マレイミド樹脂,前記各種ポリマーと無機フィラーの複合材料等が挙げられるが、接着強度と両立する樹脂を選択しやすいことから接着剤が無機フィラーを含んで成るものが好ましい。この場合、無機フィラーの粒径を可視光の波長より十分に小さくすること等で高い光線透過率とすることができる。
【0010】
本発明の半導体装置用接着剤を用いて、接着層上に膜状の半導体回路や半導体層を貼り、加工することにより半導体装置を製造することができる。半導体素子部分の厚さが厚いと屈曲時に割れが起こるため、厚さは50μm以下であることが好ましい。半導体装置の例としては、超薄型IC,TFT液晶表示装置やTFT有機EL表示装置等のアクティブマトリクス表示装置用のTFT基板等が挙げられる。
【0011】
以下本発明を実施例、比較例によって説明する。
《実施例1》
1Lセパラブルフラスコ中に、平均粒径30nmのシリカ30重量%を分散したメタノール500g,ジプロピレングリコールモノメチルエーテル100g,トリグリシジルイソシアヌレート150gを入れ、均一になるまで攪拌した。その後、温度50℃でエバポレートしてメタノールを取り除いた。続いて、アジピン酸ジヒドラジド15gを加えて攪拌し、半導体装置用接着剤とした。
この接着剤を離型処理を施したポリエチレンテレフタレートフィルム上にアプリケーターを用いて塗布した。続いて90℃のオーブン中で30分間プリベークし、150℃のオーブン中で90分間硬化を行った。硬化した接着剤をポリエチレンテレフタレートフィルムから離型して25℃から100℃の範囲で線膨張係数を測定したところ、45ppm/℃であった。
次に、接着剤をシリコンウエハ上にアプリケーターを用いて塗布した。続いて90℃のオーブン中で30分間プリベークし、厚さ50μmのポリイミドフィルムをラミネートした後、150℃のオーブン中で90分間硬化を行った。ポリイミドフィルムに幅1cmづつカッターで切れ目を入れ、幅1cmでのピール強度を測定した。ピール強度は110gf/cmであった。
用いたポリイミドフィルムの線膨張係数は7ppm/℃であり、550nmにおける光線透過率は18%であった。また、法線方向での位相差は10〜20nmであった。本フィルムは透過型表示装置の基板には適さないがIC製造には適するものであることから、次のように半導体装置を作成した。
ICを形成した厚さ0.5mmのシリコンウエハの素子面に、シリコンウエハの切断時に用いるUV照射により剥離可能な粘着フィルム(ダイシングフィルム)を貼り合わせ、裏面から研磨を行い、厚さを10μmとした。この面に前記接着剤を塗布して90℃のオーブン中で30分間プリベークし、ポリイミドフィルムをラミネートした後、ダイシングフィルムにUVを露光した。続いて150℃のオーブン中で90分間硬化を行った後、ダイシングフィルムを剥離し、ポリイミド上にICが接着された半導体装置を得た。シリコン層の剥離や割れは無く、良好に作製が可能であった。
【0012】
《実施例2》
1Lセパラブルフラスコ中に、平均粒径30nmのシリカ30重量%を分散したメタノール500g,プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート100g,イソシアヌル酸トリアクリレート120gとペンタエリスリトールトリアクリレート10gを入れ、均一になるまで攪拌した。その後、温度50℃でエバポレートしてメタノールを取り除いた。続いて、光開始剤として1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン1.5gを加えて攪拌し、半導体装置用接着剤とした。
この接着剤を、離型処理を施したポリエチレンテレフタレートフィルム上にアプリケーターを用いて塗布した。続いて90℃のオーブン中で10分間プリベークし、高圧水銀灯を用いてUV光を照射し硬化を行った。照射量は2000mJ/cm2とした。硬化した接着剤をポリエチレンテレフタレートフィルムから離型して25℃から100℃の範囲で線膨張係数を測定したところ、43ppm/℃であった。
次に、接着剤を二酸化珪素を主成分とする無アルカリガラス基板上にアプリケーターを用いて塗布した。続いて90℃のオーブン中で10分間プリベークし、厚さ150μmのポリカーボネートフィルムをラミネートした後、ポリカーボネートフィルム側より、高圧水銀灯を用いてUV光を照射し硬化を行った。照射量は2000mJ/cm2とした。ポリカーボネートフィルムに幅1cmづつカッターで切れ目を入れ、幅1cmでのピール強度を測定した。ピール強度は80gf/cmであった。
用いたポリカーボネートフィルムの線膨張係数は75ppm/℃であり、550nmにおける光線透過率は90%であった。また、法線方向での位相差は1〜3nmであった。本フィルムは透過型表示装置の基板に適するものであることから、次のように半導体装置を作成した。
液晶表示装置用TFT素子を形成した無アルカリガラス基板の素子面に、実施例1と同様のダイシングフィルムを貼り合わせ、裏面から研磨を行い、厚さを20μmとした。この面に前記接着剤を塗布して90℃のオーブン中で10分間プリベークし、ポリカーボネートフィルムをラミネートした後、ダイシングフィルム側およびポリカーボネートフィルム側からUVを露光した。照射量は各面とも2000mJ/cm2とした。ダイシングフィルムを剥離し、ポリカーボネート上にTFT素子が接着された半導体装置を得た。TFT素子層の剥離や割れは無く、良好に作製が可能であった。
【0013】
《実施例3》
平均投影円相当直径約5μm,平均厚さ約0.1μmであるEガラス(屈折率1.560)の平板状フィラー90重量部を、ジシクロペンタジエニルジアクリレート(架橋後の屈折率1.527)58重量部,ビス[4−(アクリロイロキシエトキシ)フェニル]スルフィド(架橋後の屈折率1.606)42重量部,光重合開始剤である1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン0.5重量部とから成る樹脂(架橋後の屈折率1.560)に分散し、脱泡した。これを、厚さ100μmのポリエステルフィルムをスペーサーとしてガラス板に挟み込んで両面から約500mJ/cm2のUV光を照射して硬化させた。さらに、ガラス板から取り出し、真空オーブン中100℃で3時間加熱後、さらに250℃で3時間加熱し、厚さ95μmの透明複合体のフィルムを得た。
このフィルムの線膨張係数は28ppm/℃であり、550nmにおける光線透過率は89%であった。また、法線方向での位相差は0.1〜0.5nmであった。
ポリカーボネートの代わりにこのフィルムを用いた以外は実施例2と同様にしてTFT素子が接着された半導体装置を得た。TFT素子層の剥離や割れは無く、良好に作製が可能であった。
【0014】
《実施例4》
5Lセパラブルフラスコ中に、乾燥したN−メチル−2−ピロリドン4000gを入れ、2,5−ジアミノ−p−キシレン122.57g(0.9モル)と1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン29.23g(0.1モル)を分散させた。このセパラブルフラスコを20℃に設定したウォーターバスにより冷却を行いながらビフェニルテトラカルボン酸330.25gを投入して6時間攪拌を行いポリアミド酸溶液を得た。この溶液3000gを10L攪拌槽中に入れ、N−メチル−2−ピロリドン2500gとプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート500gを加えて接均一になるまで攪拌し、半導体装置用接着剤とした。
この接着剤を離型処理を施したポリエチレンテレフタレートフィルム上にアプリケーターを用いて塗布した。続いて120℃のオーブン中で30分間乾燥し、さらに250℃の窒素オーブン中で1時間硬化した。硬化した接着剤をポリエチレンテレフタレートフィルムから離型して25℃から100℃の範囲で線膨張係数を測定したところ、28ppm/℃であった。
次に、この半導体装置用プラスチックフィルムに二酸化珪素を主成分とする無アルカリガラス基板を130℃で熱圧着した後、250℃の窒素オーブン中で1時間硬化した。フィルムに幅1cmづつカッターで切れ目を入れ、幅1cmでのピール強度を測定した。ピール強度は65gf/cmであった。
実施例2で得た半導体用接着剤の変わりにこの半導体装置用接着剤を用い、ポリカーボネートの代わりに実施例3で得たフィルムを用いた以外は実施例2と同様にしてTFT素子が接着された半導体装置を得た。TFT素子層の剥離や割れは無く、良好に作製が可能であった。
【0015】
《比較例》
1Lセパラブルフラスコ中に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート300g,ペンタエリスリトールテトラアクリレート200gを入れ、均一になるまで攪拌した。続いて、光開始剤として1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン1.5gを加えて攪拌し、半導体装置用接着剤とした。
この接着剤を離型処理を施したポリエチレンテレフタレートフィルム上にアプリケーターを用いて塗布した。続いて90℃のオーブン中で10分間プリベークし、高圧水銀灯を用いてUV光を照射し硬化を行った。照射量は2000mJ/cm2とした。硬化した接着剤をポリエチレンテレフタレートフィルムから離型して25℃から100℃の範囲で線膨張係数を測定したところ、63ppm/℃であった。
次に、この接着剤を二酸化珪素を主成分とする無アルカリガラス基板上にアプリケーターを用いて塗布した。続いて90℃のオーブン中で10分間プリベークし、ポリエチレンテレフタレートフィルムをラミネートした後、ポリエチレンテレフタレートフィルム側より、高圧水銀灯を用いてUV光を照射し硬化を行った。照射量は2000mJ/cm2とした。ポリエチレンテレフタレートフィルムに幅1cmづつカッターで切れ目を入れ、幅1cmでのピール強度を測定した。ピール強度は15gf/cmであった。
液晶表示装置用TFT素子を形成した無アルカリガラス基板の素子面に、実施例1と同様のダイシングフィルムを貼り合わせ、裏面から研磨を行い、厚さを20μmとした。この面に前記接着剤を塗布して90℃のオーブン中で10分間プリベークし、ポリエチレンテレフタレートフィルムをラミネートした後、ダイシングフィルム側およびポリエチレンテレフタレートフィルム側からUVを露光した。照射量は各面とも2000mJ/cm2とした。ダイシングフィルムを剥離し、ポリエチレンテレフタレート上にTFT素子が接着された半導体装置を得たが、TFT素子層に剥離している部分が見られた。
【0016】
【発明の効果】
本発明の半導体装置用接着剤は、接着力に優れるとともに硬化後の低線膨張係数が低く、薄層の半導体の接着に優れるため、例えば、転写法を用いて製造される超薄型ICや、液晶表示装置や有機EL表示装置(特にアクティブマトリックスタイプ)の製造に好適に用いることができるものである。
Claims (12)
- 珪素および/または無機珪素化合物層との接着強度が50gf/cm以上であり、硬化後の線膨張係数が50ppm/℃以下である半導体装置用接着剤。
- 接着剤が無機フィラーを含んで成る請求項1記載の半導体装置用接着剤。
- 接着剤が架橋性樹脂を含んで成る請求項1または2記載の半導体装置用接着剤。
- 架橋性樹脂がアクリル樹脂を含んで成る請求項3記載の半導体装置用接着剤。
- アクリル樹脂がイソシアヌル酸トリアクリレートを含んで成る請求項4記載の半導体装置用接着剤。
- 架橋性樹脂がエポキシ樹脂を含んで成る請求項3記載の半導体装置用接着剤
- エポキシ樹脂がトリグリシジルイソシアヌレートを含んで成る請求項6記載の半導体装置用接着剤。
- 請求項1〜7何れか一項記載の半導体装置用接着剤により、半導体素子がプラスチックフィルム上に接着されており、かつ接着される半導体素子の厚さが50μm以下である半導体装置。
- プラスチックフィルムの線膨張係数が50ppm/℃以下である請求項8記載の半導体装置。
- プラスチックフィルムの波長550nmにおける光線透過率が80%以上である請求項8または9記載の半導体装置。
- プラスチックフィルムの法線方向での位相差が10nm以下である請求項10記載の半導体装置。
- 請求項11記載の半導体装置を用いたアクティブマトリクス式表示装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007180513A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-07-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2009021322A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Hitachi Displays Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2009291991A (ja) * | 2008-06-03 | 2009-12-17 | Fujifilm Corp | 積層構造体の製造方法及びインクジェット記録ヘッドの製造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000226432A (ja) * | 1999-02-08 | 2000-08-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
JP2000239638A (ja) * | 1999-02-25 | 2000-09-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用ダイアタッチペースト |
JP2000265119A (ja) * | 1999-03-16 | 2000-09-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイアタッチペースト |
JP2000323503A (ja) * | 1999-05-13 | 2000-11-24 | Toshiba Chem Corp | 電子デバイス用接着剤および半導体実装装置 |
JP2001049220A (ja) * | 1999-08-05 | 2001-02-20 | Nippon Steel Chem Co Ltd | フィルム状接着剤用組成物 |
JP2002356514A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-12-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液晶表示素子用基板 |
JP2003091015A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
-
2003
- 2003-06-16 JP JP2003171210A patent/JP2005008669A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000226432A (ja) * | 1999-02-08 | 2000-08-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
JP2000239638A (ja) * | 1999-02-25 | 2000-09-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用ダイアタッチペースト |
JP2000265119A (ja) * | 1999-03-16 | 2000-09-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイアタッチペースト |
JP2000323503A (ja) * | 1999-05-13 | 2000-11-24 | Toshiba Chem Corp | 電子デバイス用接着剤および半導体実装装置 |
JP2001049220A (ja) * | 1999-08-05 | 2001-02-20 | Nippon Steel Chem Co Ltd | フィルム状接着剤用組成物 |
JP2002356514A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-12-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 液晶表示素子用基板 |
JP2003091015A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007180513A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-07-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2009021322A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Hitachi Displays Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2009291991A (ja) * | 2008-06-03 | 2009-12-17 | Fujifilm Corp | 積層構造体の製造方法及びインクジェット記録ヘッドの製造方法 |
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