JP2005004209A - 表示装置用表示板及びその表示板を含む液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 本発明が目的とする技術的課題は、液晶表示装置で光漏れ現象を防止することにある。また、液晶表示装置の視野角を拡大することにある。
【解決手段】 絶縁基板の上部の青色画素領域に、有機絶縁物質からなり、緩やかな傾斜面を有する遮光膜、絶縁基板の上部に全面的に形成されている共通電極、遮光膜と重なって配置され、有機絶縁物質からなり、傾斜面を有する基板間隔材を含む表示装置用表示板を提供する。このようにすれば、遮光膜の緩やかな傾斜面に位置する液晶が垂直にならない現象を最少化し、光漏れ現象を防止することができる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、表示装置用表示板及びその製造方法と、その表示板を含む液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は、現在最も広く使用されている平板表示装置のうちの一つで、電界生成電極が形成されている二枚の表示板と、その間に注入されている液晶層と、二つの表示板の間隔を均一に支持する基板間隔材とからなる。

このような液晶表示装置は、二つの電極に電圧を印加して液晶層に電界を生成し、電場の強さを変化させて液晶層の液晶分子を再配列させることにより、透過する光の透過率を調節して、画像を表示する。

液晶表示装置の中でも現在主に使用されているのは、二つの表示板に電極が各々形成され、電極に印加される電圧をスイッチングする薄膜トランジスタを有する液晶表示装置であり、二つの基板のうちの一つの表示板にはゲート線及びデータ線のような複数の配線、画素電極、及び画素電極に伝達されるデータ信号を制御する薄膜トランジスタが形成され（以下、薄膜トランジスタ表示板という）、もう一つの表示板には画素電極と対向する共通電極及び画素に開口部を有する遮光膜が形成されるのが一般的である。

このような液晶表示装置の中でも垂直配向方式（vertically aliened mode）は、負の誘電率異方性を有する液晶分子を二つの表示板の面に対して垂直に配向して利用する。このような垂直配向方式の液晶表示装置は、液晶分子に電圧が印加されない状態で光漏れを遮断することができるので、優れた対比比を有するが、視野角が狭いのが短所である。

また、光が透過するのを遮断する遮光膜は、表示装置用表示板に段差を有して形成されており、その遮光膜の段差部分に位置する液晶が段差によって配向が乱れて垂直配向が難しくなり、その結果、遮光膜の段差部分で光漏れが発生する問題がある。

本発明が目的とする技術的課題は、液晶表示装置で光漏れ現象を防止することにある。また、本発明が目的とする技術的課題は、液晶表示装置の視野角を拡大することにある。

このような課題を達成するために、本発明では、次のような表示装置用表示板及びその製造方法と、このような表示板を含む液晶表示装置を提供する。

より詳細には、絶縁基板上の青色画素領域に、有機絶縁物質からなり、傾斜面を有する遮光膜、絶縁基板上に全面的に形成されている共通電極、遮光膜と重なって配置され、有機絶縁物質からなり、傾斜面を有する基板間隔材を含む、表示装置用表示板を提供する。

このような表示装置用表示板は、画素領域に配置され、液晶分子を分割配向するための、基板間隔材と同一な層に形成されている突起をさらに含み、基板間間隔材の厚さは、少なくとも突起と実質的に同一であるか、より厚いのが好ましい。

また、表示装置用表示板の有機絶縁物質からなるブラックマトリクスは、緩やかな傾斜面を有するように形成したり、ブラックマトリクスの端部がゲート線及び維持電極線の一部と重なるように形成するのが好ましい。

本発明の実施例による液晶装置は、互いに交差して画素領域を定義するゲート線及びデータ線、共通電極と対向して画素領域に配置されている画素電極を含む薄膜トランジスタ表示板と表示装置用表示板との間に形成されている液晶物質層をさらに含む。

このような液晶表示装置は、表示装置用表示板または薄膜トランジスタ表示板の上部に形成され、前記データ線と同一な層に形成され、ゲート線に連結されているか、前記ゲート線と電気的に分離されて同一な層に形成されている維持電極線と重なって、維持蓄電器を構成する維持蓄電器用導電体をさらに含む。

また、このような液晶表示装置は、ゲート線及び維持電極線の一部と重なるようにブラックマトリクスを形成するのが好ましい。

このような液晶表示装置は、画素領域に配置され、液晶物質層の液晶分子を分割配向するための、基板間隔材と同一な層に形成されている突起をさらに含むことができる。薄膜トランジスタ表示板は、データ線と実質的に同一な形状にパターニングされて、非晶質シリコンからなる半導体をさらに含むのが好ましい。

本発明によれば、青色画素領域の表示装置用表示板に緩やかな傾斜面を有する遮光膜を形成することによって、開口率の減少を最少化しながら遮光膜の端部で遮光膜の段差によって発生する光漏れ現象を防止することができる。

また、遮光膜の境界を薄膜トランジスタ表示板の維持電極線やゲート線などの不透明パターン上に位置させることによって、遮光膜の境界で遮光膜の段差によって発生する光漏れ現象を防止することができる。そして、青色画素領域の表示装置用表示板に付着される偏光板に紫外線吸収物質をコーティングまたは添加して、対向する薄膜トランジスタ基板の薄膜トランジスタに光が透過するのを防止することができる

添付した図面を参照して、本発明の実施例について、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は様々な形態で実現することができ、ここで説明する実施例に限定されない。

図面は、各種層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については、同一な図面符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時、これは中間に他の部分がない場合を意味する。

以下、本発明の実施例による表示装置用表示板及びその製造方法と、その基板を含む液晶表示装置について、図面を参照して詳細に説明する。まず、図１乃至図２を参照して、本発明の第１実施例による液晶表示装置の構造について詳細に説明する。

図１は本発明の第１実施例による表示板を含む液晶表示装置の構造を示した配置図であり、図２は図１のII-II´線による断面図であり、図３は図１のIII-III’線及びIII’-III’’線による断面図である。

本発明の第１実施例による液晶表示装置は、上部表示板２００、下部表示板１００、及びこれら二つの表示板１００、２００の間に形成されている液晶物質層３、そして二つの表示板１００、２００を一定の間隔で支持する基板間隔材３２０を含む。この時、液晶物質層３の液晶分子４０は、電界が印加されない状態で配向膜１１、２１の配向力または液晶物質の特性により二つの表示板１００、２００に対して垂直配列するＶＡ（vertically aligned）モードであり、二つの表示板１００、２００の面に対して平行で下部表示板１００から上部表示板２００に達するまで螺旋形に捩じれて配列するＴＮ（twisted nematic）モードでもある。

下部表示板１００には、絶縁基板１１０上に、図１中主に横方向にのびている複数のゲート線１２１と、ゲート線１２１と電気的に分離されている維持電極線１３１とが形成されている。ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、低い比抵抗銀（Ag）や銀合金（Agalloy）、またはアルミニウム（Al）やアルミニウム合金（Alalloy）からなる単一膜からなることもでき、このような単一膜に追加で物理的、電気的接触特性の良いクロム（Cr）、チタニウム（Ti）、タンタル（Ta）などの物質からなる他の膜を含む多層膜からなることもできる。各ゲート線１２１の一部は、複数の枝がのびて出て薄膜トランジスタのゲート電極１２４をなす。この時、ゲート線１２１は、傾斜を有しており、傾斜角は水平面から２０-８０°の範囲である。

また、維持電極線１３１は、共通電圧などの電圧が印加され、複数の画素電極１９０と連結された複数のドレーン電極１７５とゲート絶縁膜１４０を介在して重なって、複数の維持蓄電器を構成する。維持電極線１３１のドレーン電極１７５と重なる部分は、維持蓄電器の容量を増大化させるために幅が拡張されている。

ゲート線１２１及び維持電極線１３１上には、窒化ケイ素（SiNx）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。

ゲート絶縁膜１４０の上部には、水素化非晶質シリコンなどからなる線状半導体１５４が形成されている。各線状半導体１５４は、周期的に幅が拡張された部分を有するが、この部分がゲート電極１２４上にのびて薄膜トランジスタのチャンネル領域をなす。島状半導体１５４の上部には、シリサイドまたはn型不純物が高濃度にドーピングされているn+水素化非晶質シリコンなどからなる複数の線状抵抗性接触部材１６３及び島状抵抗性接触部材１６５が形成されている。各島状抵抗性接触部材１６５は、ゲート電極１２５を中心にして線状抵抗性接触部材１６３の反対側に位置し、これと分離されている。

線状抵抗性接触部材１６３、島状型抵抗性接触部材１６５、及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線１７１及び薄膜トランジスタの複数ドレーン電極１７５が形成されている。データ線１７１及びドレーン電極１７５は、低い比抵抗のAlまたはAgなどからなることができ、ゲート線１２１のように他の物質と接触特性の良い導電物質を含むことができる。データ線１７１は、図１中において主に縦方向に延在してゲート線１２１と交差し、各データ線１７１から延在した複数の枝は、ソース電極１７３をなす。一対のソース電極１７３及びドレーン電極１７５は、各々該当抵抗性接触部材１６３、１６５の上部に少なくとも一部が位置し、互いに分離されて、ゲート電極１２４に対して互いに反対側に位置する。

線状半導体１５４、データ線１７１、ソース電極１７３及びドレーン電極１７５の間に位置した線状及び島状抵抗性接触部材１６３、１６５は、これらの間の接触抵抗を低くする。

データ線１７１、ソース電極１７３、ドレーン電極１７５、及び維持電極線１３１と、これらによって覆われない線状半導体１５４及びゲート絶縁膜１４０の上部には、赤、緑、青の色フィルターR、G、Bが形成されている。各色フィルターR、G、Bは、図１中縦方向にのびている。本実施例で、色フィルターR、G、Bの境界は、データ線１７１上に位置して一致しているが、本発明の他の実施例によれば、色フィルターR、G、Bがデータ線１７１の上部で互いに重なって、光漏れを遮断する機能を有することもできる。色フィルターR、G、Bは、ゲート線１２１及びデータ線１７１の端部１２５、１７９には形成されていない。

色フィルターR、G、B下には、露出された線状半導体１５４の一部を覆う酸化ケイ素または窒化ケイ素などの絶縁物質からなる層間絶縁膜（図示せず）が形成されることができる。

色フィルターR、G、B上には、平坦化特性が優れて誘電率の低いアクリル系の有機絶縁物質、またはSiOCまたはSiOFなどのように化学気相蒸着で形成されて４．０以下の低誘電率を有する低誘電率絶縁物質からなる保護膜１８０が形成されている。このような保護膜１８０は、ドレーン電極１７５を露出する接触孔１８５を有する。前記のように、色フィルターR、G、Bの下部に層間絶縁膜が追加された場合には、層間絶縁膜と同一な平面形状を有する。保護膜１８０は、データ線１７１の端部１７９を露出する複数の接触孔１８２を有し、ゲート絶縁膜１４０と共にゲート線１２１の端部１２５を露出する複数の接触孔１８１を有する。接触孔１８１、１８２は、ゲート線１２１及びデータ線１７１とその駆動回路（図示せず）との電気的連結のためのものである。一方、保護膜１８０は省略することもできる。

保護膜１８０上には、ＩＴＯ（indium tin oxide）またはＩＺＯ（indiumzinc oxide）などの透明な導電物質からなる画素電極１９０が形成されている。画素電極１９０は、接触孔１８５を通じてドレーン電極１７５と物理的・電気的に連結されている。

画素電極１９０は、薄膜トランジスタからデータ電圧を受けて、他の表示板２００の共通電極２７０と共に電場を生成し、印加される電圧を変化させると、二つの電界生成電極間の液晶層３の分子配列が変化する。電気回路の観点から、画素電極１９０及び共通電極２７０は、電荷を保存する液晶誘電体蓄電器を構成する。

画素電極１９０は、ゲート線１２１及びデータ線１７１と重なって開口率を高めている。一方、維持電極線１３１とドレーン電極１７５との間に形成される維持蓄電器は、液晶誘電体蓄電器と並列に連結されていて、画素電極の電荷保存能力を向上させる。

保護膜１８０上には、複数の接触部材８１、８２が形成されている。接触補助部材８１、８２は、各々接触孔１８１、１８２を通じてゲート線１２１及びデータ線１７１の露出された端部１２９、１７９と連結されている。接触補助部材８１、８２は、ゲート線１２１及びデータ線１７１の露出された端部１２９、１７９を保護し、薄膜トランジスタ表示板と駆動回路との接着性を補完するためのもので、必須ではない。接触補助部材８１、８２は、画素電極１９０と同一な層に形成される。

下部表示板１００と対向する上部表示板２００には、下部絶縁基板１１０と対向する上部絶縁基板２１０上に、ゲート線１２１及びデータ線１７１で囲まれた赤色（R）、緑色（G）、青色（B）画素領域のうちの青色（B）画素領域にだけ遮光膜２２０が形成されている。遮光膜２２０は、黒色顔料を含む有機物質からなっている。この遮光膜２２０は、薄膜トランジスタのチャンネル 領域に入射する場合に、光電子を誘発して電流漏れを起こす紫外線領域及び青色画素領域の光を遮断するために、薄膜トランジスタの上部を覆い、維持電極線１３１の上部にまで延長され、維持電極線１３１上に位置するように形成されている。また、遮光膜２２０の他の境界もゲート線１２１、データ線１７１などの不透明なパターン上に位置するようになっている。

このように、遮光膜２２０を維持電極線１３１、ゲート線１２１、及びデータ線１７１などの不透明パターンの上部にまで延長して、遮光膜２２０の境界が不透明パターン上に位置するようにすれば、遮光膜２２０の境界の段差によって発生する光漏れを不透明パターンが遮断することができる。

一方、赤色及び緑色画素領域では、白色光が赤及び緑の色フィルターを通過する過程で、各々赤色成分及び緑色成分を除いた他の光は全て遮断されるので、別途の遮光膜を形成しなくても、色フィルターによって紫外線領域及び青色画素領域の光が遮断される。

遮光膜２２０が形成されている下部絶縁基板２１０の上部には、画素電極１９０と共に液晶分子を駆動するための電界を形成し、透明な導電物質からなる共通電極２７０が形成されている。

この時、基板間隔材３２０は、遮光膜２２０の上部の共通電極２７０に位置する。また、画素領域には、基板間隔材３２０と同一な層に液晶物質層３の液晶分子４０を分割配向するための分割配向手段である突起を形成することもできる。この時、液晶物質層３の液晶分子３１０は、負の誘電率異方性を有し、二つの表示板１００、２００の上部に形成されている配向膜１１、２１の配向力または液晶物質層３の性質によって、二つの表示板１００、２００に対して垂直に配向される。

以下、本発明の一実施例による液晶表示装置用上部表示板２００（対向表示板）及び下部表示板１００（薄膜トランジスタ表示板）の製造方法について、説明する。まず、図４a乃至図４cを参照して、本発明の実施例による液晶表示装置の上部表示板の製造方法について具体的に説明する。

図４aのように、本発明の実施例による液晶表示装置用上部表示板２００の製造方法では、まず、上部絶縁基板２１０の上部に黒色顔料を含む感光性有機物質を使用して、マスクを利用した写真エッチング工程で露光及び現像して、遮光膜２２０を形成する。この時、遮光膜２２０は、１．５-３．０μmの範囲の厚さを有するのが好ましく、液晶表示装置用上部表示板２００と対向する薄膜トランジスタ基板の薄膜トランジスタの上部及び維持電極線の上部の一部と重なるように形成する。

次に、図４bのように、上部絶縁基板２１０の上部にＩＴＯまたはＩＺＯのような透明な導電物質を積層して、全面的に共通電極２７０を形成する。

次に、図４cのように、アクリル系の感光性有機物質を塗布し、マスクを利用した写真エッチング工程で露光及び現像して、遮光膜２２０の上部に位置する基板間隔材３２０を形成する。この時、二つの表示板１００、２００の間隔（cell gap）を４．０μmに設定し、遮光膜２２０を１．５μmに形成した場合、基板間隔材３５０は２．５μmの厚さに形成される。

次に、図２のように、上部絶縁基板２１０の上部に上部配向膜２１を形成する。

このような本発明の実施例による液晶表示装置用表示板の製造方法では、青色画素領域にだけ薄膜トランジスタ基板の薄膜トランジスタのチャンネル領域及び維持電極線の一部と重なるように対向する遮光膜を形成することによって、波長が短い紫外線領域及び青色画素領域の光が薄膜トランジスタのチャンネル領域に透過するのを防止することができる。また、青色画素領域にだけ遮光膜を形成するので、開口率の減少を最少化することができる。

また、遮光膜２２０を維持電極線１３１などの不透明パターンの上部にまで延長して、遮光膜２２０の境界が不透明パターン上に位置するようにすることにより、遮光膜２２０の境界の段差によって発生する光漏れを不透明パターンが遮断することができる。

次に、本発明の第１実施例による液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板の製造方法について、図５a乃至８c、図１乃至図３を参照して詳細に説明する。

図５a乃至図８aは本発明の一実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板を製造する方法における各段階での薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図５b乃至８bは各々図４a乃至図８aの薄膜トランジスタ表示板をVb-Vb’、VIb-VIb’、VIIb-VIIb’、VIIIb-VIIIb’線によって切断した断面図である。

まず、図５a乃至５bに示されているように、絶縁基板１１０上に金属などの導電体層をスパッタリングなどの方法で１，０００Å乃至３，０００Åの厚さで蒸着し、写真及びエッチング工程でパターニングして、複数のゲート線１２１及び複数の維持電極線１３１を形成する。

次に、図６a及び６bに示されているように、ゲート絶縁膜１４０、非晶質シリコン層１５０、抵抗性接触層１６０の３層膜を連続して積層し、上の二層を写真エッチングして、ゲート絶縁膜１４０の上部に複数の線状半導体１５４及び複数の線状にドーピングされた非晶質シリコン１６１を形成する。

次に、図７a及び図７bのように、複数のソース電極１７３を含む複数のデータ線１７１及び複数のドレーン電極１７５を写真エッチング工程で形成する。次に、データ線１７１及びドレーン電極１７５で覆われないドーピングされた非晶質シリコン１６１部分を除去し、ドーピングされた非晶質シリコン１６１各々を複数の線状及び島状抵抗性接触部材１６３、１６５に分離する一方で、両者の線状半導体１５４部分を露出させる。次に、露出された線状半導体１５４の表面を安定化させるために、酸素プラズマ処理を実施するのが好ましい。

次に、窒化ケイ素からなる層間絶縁膜（図示せず）を形成した後、図８a及び８bに示したように、赤色、緑色、青色の顔料を含む感光性有機物質を各々順に塗布し、赤、緑、青の色フィルターR、G、Bを順に形成した後、保護膜１８０を積層する。次に、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０を写真エッチング工程で共にパターニングして、接触孔１８１、１８２、１８５を形成する。

最後に、図１及び図２に示したように、１４００Å乃至１６００Åの厚さのＩＴＯまたはＩＺＯ層を蒸着し、写真エッチングして、複数の画素電極１９０及び複数の接触補助部材８１、８２を形成した後、その上部に下部配向膜１１を形成する。

一方、前記では５枚のマスクを利用した写真エッチング工程によって完成した薄膜トランジスタ表示板を含む液晶表示装置の構造について説明したが、製造コストを最少化するために、４枚のマスクを利用して薄膜トランジスタ表示板を完成させることもできる。これについて、図面を参照して具体的に説明する。ここで、表示装置用表示板の構造は第１実施例と同一であるので、具体的な説明は省略する。

図９乃至図１１を参照して、本発明の第２実施例による液晶表示装置及びこれに含まれる薄膜トランジスタ表示板について詳細に説明する。

図９は本発明の第２実施例による液晶表示装置の配置図であり、図１０及び図１１は各々図９に示した薄膜トランジスタ表示板のX-X´線及びXI-XI´線による断面図である。図９には本発明の実施例による液晶表示装置用表示板に形成されている遮光膜及び基板間隔材が示されているが、図１０及び図１１では表示装置用表示板の構造が第１実施例と同一であるので、薄膜トランジスタ表示板に対してのみ示した。

図９乃至図１１のように、本発明の第２実施例による薄膜トランジスタ表示板は、絶縁基板１１０のゲート絶縁膜１４０上に、非晶質シリコン層、ドーピングされた非晶質シリコン層、及びデータ線１７１の３層膜を連続して蒸着した後、この３層膜を同時に写真エッチングしてパターニングして、マスクの使用を減らしたのがその特徴の一つである。

維持電極線１３１は、ゲート線１２１と同一な層に形成され、ゲート線１２１とほぼ平行で、ゲート線１２１から電気的に分離されている。維持電極線１３１は、共通電圧などの電圧が印加され、複数の画素電極１９０と連結された複数のドレーン電極１７５及びゲート絶縁膜１４０を中心に互いに対向して、複数の維持蓄電器を構成する。また、複数の線状半導体１５４及び複数の抵抗性接触部材１６３、１６５が備わっている。

線状半導体１５４は、薄膜トランジスタのチャンネル領域を除いて、複数のデータ線１７１及び複数のドレーン電極１７５とほぼ同一な平面形状である。つまり、チャンネル領域でデータ線１７１とドレーン電極１７５とは互いに分離されているが、線状半導体１５４はここで切れずに連結されて、薄膜トランジスタのチャンネル領域をなす。

この時、図９のように、表示装置用表示板に形成されている遮光膜２２０は、薄膜トランジスタの上部を覆い、維持電極線１３１の上部にまで延長されて、維持電極線１３１の一部と重なるように形成されている。

このように、遮光膜２２０を維持電極線１３１の上部にまで延長して、遮光膜２２０の境界が維持電極線１３１上に位置するようにすれば、遮光膜２２０の境界の段差によって発生する光漏れを維持電極線１３１が遮断することができる。

以下、本発明の第２実施例による液晶表示装置用基板の製造方法について、図１２a乃至１７b、図９乃至図１１を参照して詳細に説明する。

図１２bは図１２aのXIIb-XIIb´線による断面図であり、図１３、１４、１５は各々図１２aのXIIb-XIIb´線による断面図で、図１２bの次の段階を工程順で示した断面図であり、図１６aは図１５の次の段階での薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図１６bは図１６aのXVIb-XVIb´線による断面図であり、図１７aは図１６aのXVIIb-XVIIb´線による断面図であり、図１７bは図１７aのXVIIb-XVIIb´線による断面図である。

まず、図１２a乃至１２bに示されているように、金属などの導電体層をスパッタリングなどの方法で１，０００Å乃至３，０００Åの厚さに蒸着し、写真及びエッチング工程でパターニングして、複数のゲート線１２１及び複数の維持電極線１３１を形成する。

次に、図１３に示されているように、ゲート絶縁膜１４０、半導体層１５０、抵抗性接触層１６０を化学気相蒸着法を利用して各々１５００Å乃至５０００Å、５００Å乃至２０００Å、３００Å乃至６００Åの厚さに連続蒸着する。次に、金属などのデータ導電層１７０をスパッタリングなどの方法で１５００Å乃至３０００Åの厚さに蒸着した後、その上に感光膜６０を１μm乃至２μmの厚さに塗布する。

その後、図１４に示すように、光マスクを通じて感光膜２１０に光を照射した後で現像し、互いに厚さが異なる第１部分６１及び第２部分６２を含む感光膜パターン６１、６２を形成する。この時、薄膜トランジスタのチャンネル領域（C）に位置した第２部分６２は、データ領域（A）に位置した第１部分６１より厚さを薄くし、その他の領域（B）の感光膜６０部分は全て除去したり、非常に厚さの薄いものにする。この時、チャンネル領域（C）に残っている第２部分６２の厚さとデータ領域（A）に残っている第１部分６１の厚さとの比は、後述するエッチング段階でのエッチング条件によって異なるが、第２部分６２の厚さを第１部分６１の厚さの１/２以下とするのが好ましくい。例えば、４，０００Å以下であるのが好ましい。

このように、位置によって感光膜パターンの厚さを異ならせる方法は様々である。例えば、光マスクに透明領域（transparent area）及び遮光領域（light blocking area）の他に半透明領域（translucent area）を設ける方法がある。半透明領域には、スリット（slit）パターン、格子パターン（lattice pattern）、または透過率が中間であるか厚さが中間である薄膜が備わる。スリットパターンを使用する時には、スリットの幅やスリットの間隔が写真エッチング工程に使用する露光器の分解能（resolution）より小さいのが好ましい。他の例としては、リフロー可能な感光膜を使用する方法がある。つまり、透明領域及び遮光領域だけを有する通常のマスクでリフロー可能な感光膜パターンを形成した後でリフローさせて、感光膜が残留していない領域に流すことによって、薄い部分を形成する。

まず、図１４のように、その他の領域（B）の露出されているデータ導電層１７０部分を除去して、その下部の抵抗性接触層１６０を露出させる。アルミニウムまたはアルミニウム合金を含むデータ導電層１７０に対しては乾式エッチングまたは湿式エッチングの全てを使用することができる。クロムに対してはCeNHO３などをエッチング剤とする湿式エッチングが好ましい。乾式エッチングの場合、感光膜パターン６１、６２も共にエッチングされて厚さが薄くなることもある。図面符号１７２は、データ導電層１７０のうちの残っている部分を示す。以下、各々導電体という。

次に、図１５のように、その他の領域（B）の露出された抵抗性接触層１６０部分及びその下部の半導体層１５０部分を乾式エッチングで除去して、その下のゲート絶縁膜１４０を露出させる。さらに、このとき、感光膜パターンの第２部分６２がエッチングされ、導電体１７２が露出される。ここで、感光膜パターンの第２部分６２は、露出された抵抗性接触層１６０部分及び半導体層１５０部分と同時に除去しても良いし、または別々に除去しても良い。チャンネル領域（C）に残っている第２部分６２の残留物は、アッシング（ashing）で除去する。図面符号１５４は、半導体層１５０のうちの残っている部分を示し、図面符号１６２は、抵抗性接触層１６０のうちの残っている部分を示す。その後、チャンネル領域（C）の露出された導電体１７２部分及びその下部の抵抗性接触層１６２部分を除去する。

この時、図１６（ａ）及び（ｂ）に示されているように、チャンネル領域（C）の島状半導体１５４の上部の一部が除去されて厚さが薄くなることがある。感光膜パターンの第１部分６１もこの時にある程度の厚さにエッチングされる。このようにすれば、チャンネル領域（C）の導電体１７２各々がデータ線１７１及び複数のドレーン電極１７５に分離されて完成し、チャンネル領域（C）の抵抗性接触層１６２各々が一つの線状抵抗性接触部材１６３及び複数の島状抵抗性接触部材１６５に分離されて完成する。

データ領域（A）に残っている感光膜パターンの第１部分６１は、チャンネル領域（C）の露出された導電体１７２部分を除去した後、またはその下の抵抗性接触層１６２を除去した後に除去する。このようにして、データ線１７１及びドレーン電極１７５を完成した後、図１７a乃至１７bに示されているように、赤色、緑色、青色の顔料を含む感光性物質を塗布し、露光及び現象工程を通じた写真エッチング工程でパターニングして、赤、緑、青の色フィルターR、G、Bを順に形成する。

この時、薄膜トランジスタのチャンネル領域（C）の上部に、赤または緑の色フィルターからなる光遮断層を形成することができる。これは、薄膜トランジスタのチャンネル領域（C）に入射する短波長の可視光線をより完全に遮断したり吸収するためである。

次に、基板１１０の上部に赤、緑、青の色フィルターR、G、Bを覆う保護膜１８０を化学気相蒸着で積層し、写真エッチング工程でゲート絶縁膜１４０と共にパターニングして、ゲート線１２１及びデータ線１７１の端部１２９、１７９及びドレーン電極１７５を各々露出する接触孔１８１、１８２、１８５を形成する。

最後に、図９乃至図１１のように、１４００Å乃至１６００Åの厚さの画素電極１９０及び接触補助部材８１、８２を形成した後、下部配向膜１１を形成する。

このような本発明の第２実施例では、第１実施例による効果だけでなく、データ線１７１、その下部の線状及び島状抵抗性接触層パターン１６３、１６５、及び島状半導体１５４を一つのマスクを利用して形成し、この過程でソース電極１７３とドレーン電極１７５とが分離されるので、製造工程を単純化することができる。

一方、本発明の第１及び第２実施例では、薄膜トランジスタ表示板に形成されている薄膜トランジスタの上部及び維持電極線の上部の一部と重なるように、対向する対向表示板に遮光膜が形成されているが、薄膜トランジスタ表示板に形成されている薄膜トランジスタの上部とのみ重なるように、対向表示板に傾斜面を有する遮光膜を形成することもできる。ここで、遮光膜の傾斜角は水平面から約３０°以下で形成される。これについて、図面を参照して具体的に説明する。

まず、図１８乃至図２０を参照して、本発明の第３実施例による液晶表示装置の構造について詳細に説明する。

図１８は本発明の第３実施例による表示板を含む液晶表示装置の構造を示した配置図であり、図１９は図１８のXIX-XIX´線による断面図であり、図２０は図１８のXX-XX’線及びXX’-XX"線による断面図である。

本発明の第３実施例による液晶表示装置は、第１実施例と同一に、上部表示板２００、下部表示板１００、及びこれら表示板１００、２００の間に形成されている液晶物質層３、二つの表示板１００、２００を平行な間隔に支持する基板間隔材３２０を含む。この時、液晶物質層３の液晶分子４０は、電界が印加しない状態で配向膜１１、２１の配向力または液晶物質の特性により二つの表示板１００、２００に対して垂直に配列されるＶＡ（vertically aligned）モードであり、二つの表示板１００、２００の面に対して平行で下部表示板１００から上部表示板２００に至るまで螺旋形に捩じれて配列されるＴＮ（twisted nematic）モードでもある。

下部表示板１００には、絶縁基板１１０上に図１８中において主に横方向に延在している複数のゲート線１２１と、ゲート線１２１とは電気的に分離されている維持電極線１３１とが形成されている。ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、低い比抵抗の銀（Ag）や銀合金（Agalloy）、またはアルミニウム（Al）やアルミニウム合金（Alalloy）からなる単一膜からなることもでき、このような単一膜に追加で物理的、電気的接触特性の良いクロム（Cr）、チタニウム（Ti）、タンタル（Ta）などの物質からなる別の膜を含む多層膜からなることもできる。各ゲート線１２１の一部は、複数の枝がのびて出て薄膜トランジスタのゲート電極１２４をなす。この時、ゲート線１２１は、側面が傾いており、傾斜角は水平面から２０-８０°の範囲である。

また、維持電極線１３１は、共通電圧などの電圧が印加され、複数の画素電極１９０と連結された複数のドレーン電極１７５とゲート絶縁膜１４０を中心に互いに対向して、複数の維持蓄電器を構成する。ゲート線１２１及び維持電極線１３１上には、窒化ケイ素（SiNx）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。

ゲート絶縁膜１４０の上部には、水素化非晶質シリコンなどからなる島状半導体１５４が形成されている。各島状半導体１５４の複数の枝が該当するゲート電極１２４上にのびて薄膜トランジスタのチャンネル領域をなす。島状半導体１５４の上部には、シリサイドまたはn型不純物が高濃度にドーピングされているn+水素化非晶質シリコンなどからなる複数の線状及び島状抵抗性接触部材１６３、１６５が形成されている。各島状抵抗性接触部材１６５は、ゲート電極１２５を中心にして線状抵抗性接触部材１６３の反対側に位置し、これと分離されている。

抵抗性接触部材１６３、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線１７１及び薄膜トランジスタの複数ドレーン電極１７５が形成されている。データ線１７１及びドレーン電極１７５は、低い比抵抗のAlまたはAgなどからなることができ、ゲート線１２１のように他の物質と接触特性の良い導電物質を含むことができる。データ線１７１は、図１８中において主に縦方向に延在してゲート線１２１と交差し、各データ線１７１から延在した複数の枝は、ソース電極１７３をなす。一対のソース電極１７３及びドレーン電極１７５は、各々該当抵抗性接触部材１６３、１６５の上部に少なくとも一部が位置し、互いに分離されて、ゲート電極１２４に対して互いに反対側に位置する。

島状半導体１５４、データ線１７１及びドレーン電極１７５の間に位置した抵抗性接触部材１６３、１６５は、これらの間の接触抵抗を低くする。

データ線１７１、ドレーン電極１７３、及び維持電極線１３１と、これらによって覆われない島状半導体１５４及びゲート絶縁膜１４０の上部には、赤、緑、青の色フィルターR、G、Bが形成されている。各色フィルターR、G、Bは、図１８中において縦方向に延在している。本実施例で、色フィルターR、G、Bの境界は、データ線１７１上に位置して一致しているが、本発明の他の実施例によれば、色フィルターR、G、Bがデータ線１７１の上部で互いに重なって、光漏れを遮断する機能を有することもできる。色フィルターR、G、Bは、ゲート線１２１及びデータ線１７１の端部１２９、１７９には形成されていない。

色フィルターR、G、B下には、露出された島状半導体１５０の一部を覆う酸化ケイ素または窒化ケイ素などの絶縁物質からなる層間絶縁膜（図示せず）が形成されることができる。

色フィルターR、G、B上には、平坦化特性が優れて低誘電率のアクリル系の有機絶縁物質、またはSiOCまたはSiOFなどのように化学気相蒸着で形成されて４．０以下の低誘電率を有する低誘電率絶縁物質からなる保護膜１８０が形成されている。このような保護膜１８０は、ドレーン電極１７５を露出する接触孔１８５を有する。

前記のように、色フィルターR、G、Bの下部に層間絶縁膜が追加された場合には、層間絶縁膜と同一な平面形状を有する。また、保護膜１８０は、データ線１７１の端部１７９を露出する複数の接触孔１８２を有し、ゲート絶縁膜１４０と共にゲート線１２１の端部１２９を露出する複数の接触孔１８１を有する。接触孔１８１、１８２は、ゲート線１２１及びデータ線１７１とその駆動回路（図示せず）との電気的連結のためのものである。

保護膜１８０上には、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質からなる画素電極１９０が形成されている。画素電極１９０は、接触孔１８５を通じてドレーン電極１７５と物理的・電気的に連結されている。

画素電極１９０は、薄膜トランジスタからデータ電圧を受けて、他の表示板２００の共通電極２７０と共に電場を生成し、印加される電圧を変化させると、二つの電界生成電極の間の液晶層３の分子配列が変化する。電気回路の観点から、画素電極１９０及び共通電極２７０は、電荷を保存する液晶誘電体蓄電器を構成する。

画素電極１９０は、ゲート線１２１及びデータ線１７１と重なって開口率を上げている。維持電極線１３１とドレーン電極１７５との間に形成される維持蓄電器は、液晶蓄電器と並列に連結されていて、画素電極の電荷保存能力を向上させる。

一方、保護膜１８０上には、複数の接触部材８１、８２が形成されている。接触補助部材８１、８２は、各々接触孔１８１、１８２を通じてゲート線１２１及びデータ線１７１の露出された端部１２９、１７９と連結されている。接触補助部材８１、８２は、ゲート線１２１及びデータ線１７１の露出された端部１２９、１７９を保護し、薄膜トランジスタ表示板と駆動回路との接着性を補完するためのもので、必須的ではない。接触補助部材８１、８２は、画素電極１９０と同一な層に形成される。

下部表示板１００と対向する上部表示板２００には、下部絶縁基板１１０と対向する上部絶縁基板２１０上に、ゲート線１２１及びデータ線１７１で囲まれた赤色（R）緑色（G）青色（B）画素領域のうちの青色（B）画素領域にだけ黒色の顔料を含む有機物質からなる遮光膜２２０が形成されている。このような遮光膜２２０は、薄膜トランジスタの島状半導体１５４に入射される外部光のうち、波長が低い紫外線領域及び青色画素領域の光を遮断するために、薄膜トランジスタの上部と重なるように形成されている。また、遮光膜は、表示装置用表示板に緩やかな傾斜面を有するように形成され、表示装置用表示板と遮光膜との間の段差を最少化する。ここで、遮光膜の傾斜角は水平面から約３０°以下で形成される。

遮光膜２２０が形成されている下部絶縁基板２１０の上部には、画素電極１９０と共に液晶分子を駆動するための電界を形成し、透明な導電物質からなる共通電極２７０が形成されている。

この時、基板間隔材３２０は、遮光膜２２０の上部の共通電極２７０に位置する。また、画素領域には、基板間隔材３２０と同一な層に液晶物質層３の液晶分子４０を分割配向するための分割配向手段である突起を形成することもできる。この時、液晶物質層３の液晶分子３１０は、負の誘電率異方性を有し、二つの表示板１００、２００の上部に形成されている配向膜１１、２１の配向力または液晶物質層３の性質により、二つの表示板１００、２００に対して垂直に配向される。

以下、本発明の一実施例による液晶表示装置用上部表示板２００（対向表示板）及び下部表示板１００（薄膜トランジスタ表示板）の製造方法について、説明する。まず、図２１a乃至図２１cを参照して、本発明の第３実施例による液晶表示装置の上部表示板の製造方法について具体的に説明する。

図２１aのように、本発明の実施例による液晶表示装置用上部表示板２００の製造方法では、まず、上部絶縁基板２１０の上部に黒色顔料を含む感光性有機物質からなる感光膜７０を形成する。次に、感光膜７０をスリット７１ａ部分を有する光マスク７１を通じて露光する。ここで、光マスク７１のスリット部７１ａは、感光膜７０の両側壁が傾斜するように形成するために、薄膜トランジスタのチャンネル領域の両端部の一部と対応するように配置する。

このように、スリット部７１ａを有する光マスク７１を通じて感光膜７０を露光し現像することにより、遮光膜２２０を形成することができる。遮光膜２２０は、光マスク７１のスリット部７１ａで調節した露光量の差により、両側面が緩やかな傾斜面を有するように形成される。この時、遮光膜２２０は、１．５-３．０μmの範囲の厚さを有するのが好ましく、画素領域に開口部を有し、液晶表示装置用上部表示板２００と対向する薄膜トランジスタ基板の薄膜トランジスタのチャンネル領域を遮断するように形成する。

次に、図２１bのように、上部絶縁基板２１０の上部にＩＴＯまたはＩＺＯのような透明な導電物質を積層して、全面的に共通電極２７０を形成する。

次に、図２１cのように、アクリル系の感光性有機物質を塗布し、マスクを利用した写真エッチング工程で露光及び現像して、遮光膜２２０の上部に位置する基板間隔材３２０を形成する。二つの表示板１００、２００の間隔を４．０μmに設定し、遮光膜２２０を１．５μmに形成した場合、基板間隔材３５０は２．５μmの厚さを有するように形成される。

次に、図１９のように、上部絶縁基板２１０の上部に上部配向膜２１を形成する。

前記では５枚のマスクを利用した写真エッチング工程で完成した薄膜トランジスタ表示板を含む液晶表示装置の構造について説明したが、製造コストを最少化するために、４枚マスクを利用して薄膜トランジスタ表示板を完成させることもできる。これについて、図面を参照して具体的に説明する。ここで、表示装置用表示板の構造は第３実施例と同一であるので、具体的な説明は省略する。

図２２乃至図２４を参照して、本発明の第４実施例による液晶表示装置及びこれに含まれている薄膜トランジスタ表示板について詳細に説明する。

図２２は本発明の第４実施例による液晶表示装置の配置図であり、図２３及び図２４は各々図２２に示した薄膜トランジスタ表示板のXXIII-IIXIII´線及びXXIV-XXIV´線による断面図である。図２２では本発明の実施例による液晶表示装置用表示装置用表示板に形成されている遮光膜及び基板間隔材に対して示しているが、図２３及び図２４では表示装置用表示板の構造が第３実施例と同一であるので、薄膜トランジスタ表示板に対してのみ示した。

図２２乃至図２４のように、本発明の第４実施例による薄膜トランジスタ表示板は、絶縁基板１１０のゲート絶縁膜１４０上に、非晶質シリコン層、ドーピングされた非晶質シリコン層、及びデータ線１７１の３層膜を連続して蒸着した後、この３層膜を同時に写真エッチングしてパターニングして、マスクの使用を減らしたのがその特徴の一つである。

また、維持電極線１３１は、ゲート線１２１と同一な層に形成され、ゲート線１２１とほぼ平行で、ゲート線１２１から電気的に分離されている。維持電極線１３１は、共通電圧などの電圧が印加され、複数の画素電極１９０と連結された複数のドレーン電極１７５及びゲート絶縁膜１４０を中心に互いに対向して、複数の維持蓄電器を構成する。そして、複数の線状半導体１５４及び複数の抵抗性接触部材１６３、１６５が備えられている。

線状半導体１５４は、薄膜トランジスタのチャンネル領域を除いて、複数のデータ線１７１及び複数のドレーン電極１７５とほぼ同一な平面形状である。つまり、チャンネル領域でデータ線１７１とドレーン電極１７５とは互いに分離されているが、線状半導体１５４はここで切れずに連結されて、薄膜トランジスタのチャンネル領域をなす。

図２３に示されているように、表示装置用表示板２１０に形成されている遮光膜２２０は、下部薄膜トランジスタ基板の薄膜トランジスタのチャンネル領域を遮断しながら、表示装置用表示板２１０との段差が最少化されるように、緩やかな傾斜角を有して形成される。基板間隔材３５０は、薄膜トランジスタの上部に位置することができる。

一方、本発明の第１乃至第４実施例では、薄膜トランジスタ表示板に形成されている薄膜トランジスタの上部に光が透過するのを遮断するために、薄膜トランジスタと対向する対向表示板に遮光膜を形成したが、紫外線吸収物質をコーティングまたは添加した偏光板を対向表示板に付着することにより、遮光膜を省略することもできる。これについて図面を参照して具体的に説明する。

図２５は本発明の第５実施例による液晶表示装置の構成図である。

図２５のように、バックライト部３４０は、ランプ３４１から光を発生させて拡散板３４２を通じて液晶パネルに提供する。薄膜トランジスタ表示板１００及び共通電極表示板２００は、その間に液晶３が注入されており、薄膜トランジスタ表示板１００には薄膜トランジスタアレイが配列されて、液晶３に電圧を選択的に印加するスイッチの役割をする。配向膜１１、２１は、ポリイミド（polyide）からなる薄い有機膜で、液晶を配向するために形成される。共通電極２７０は、電気伝導体であるＩＴＯからなる電極で、画素電極１９０との間で電界を印加する。赤（R）、緑（G）、青（B）の色フィルター２３０は、液晶を通過した光のうち、その特性によって、各々赤色、緑色、青色の光だけを通過させる。この時、青（B）の色フィルター２３０Bは、薄膜トランジスタに電流漏れを起こす、青色及び紫外線領域の光を通過させるので、青色画素領域の薄膜トランジスタに、青色及び紫外線領域の光を遮断するために別途の手段を備えなければならない。本発明の第５実施例では、外部から入射する光を逸早く受ける偏光板２２に紫外線吸収物質をコーティングまたは添加することにより、紫外線が青色画素領域の薄膜トランジスタに到達するのを遮断する。

密封材３１０は、液晶パネルの周囲を密封してアクティブセル領域を構成する。液晶３は、共通電極２７０と薄膜トランジスタアレイとの間に印加される電圧によって、そのバックライト部３４０から入射される光を通過または遮断する。

このような本発明の実施例による表示板及びその製造方法と、その基板を含む液晶表示装置は、他にも多様に変形された形態及び方法で製造することができる。

以上、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形及び改良形態も、本発明の権利範囲に属するものである。

本発明の第１実施例による液晶表示装置の配置図である。 図１のII-II´線による断面図である。 図１のIII-III´線及びIII´-III´´による断面図である。 本発明の第１実施例による液晶表示装置における上部表示板（対向表示板）の製造方法を、その工程順で示した断面図（１）である。 本発明の第１実施例による液晶表示装置における上部表示板（対向表示板）の製造方法を、その工程順で示した断面図（２）である。 本発明の第１実施例による液晶表示装置における上部表示板（対向表示板）の製造方法を、その工程順で示した断面図（３）である。 本発明の第１実施例による液晶表示装置で下部表示板（薄膜トランジスタ表示板）を製造する第１段階の配置図である。 図５aのVb-Vb´線による断面図である。 本発明の第１実施例による液晶表示装置で薄膜トランジスタ表示板を製造する第２段階の配置図である。 図６aのVIb-VIb´線による断面図である。 本発明の第１実施例による液晶表示装置で薄膜トランジスタ表示板を製造する第３段階の配置図である。 図７aのVIIb-VIIb´線による断面図である。 本発明の第１実施例による液晶表示装置で薄膜トランジスタ表示板を製造する第４段階の配置図である。 図８aのVIIIb-VIIIb´線による断面図である。 本発明の第２実施例による液晶表示装置の配置図である。 図９のX-X´線による薄膜トランジスタ表示板のみの断面図である。 図９のXI-XI´線による薄膜トランジスタ表示板のみの断面図である。 本発明の実施例による液晶表示装置で薄膜トランジスタ表示板を製造する第１段階の配置図である。 図１２aのXIIb-XIIb´線による断面図である。 各々図１２aのXIIb-XIIb´線による断面図で、図１２bの次の段階を工程順で示した断面図（１）である。 各々図１２aのXIIb-XIIb´線による断面図で、図１２bの次の段階を工程順で示した断面図（２）である。 各々図１２aのXIIb-XIIb´線による断面図で、図１２bの次の段階を工程順で示した断面図（３）である。 図１５の次の段階での薄膜トランジスタ表示板の配置図である。 図１６aのXVIb-XVIb´線による断面図である。 図１６aの次の段階での薄膜トランジスタ表示板の配置図である。 図１７aのXVIIb-XVIIb´線による断面図である。 本発明の第３実施例による液晶表示装置で薄膜トランジスタ表示板を製造する第１段階の配置図である。 図１８のXIX-XIX´線による薄膜トランジスタ表示板のみを示した断面図である。 図１８のXX-XX´線による薄膜トランジスタ表示板のみを示した断面図である。 本発明の第３実施例による液晶表示装置における上部表示板（対向表示板）の製造方法を、その工程順で示した断面図（１）である。 本発明の第３実施例による液晶表示装置における上部表示板（対向表示板）の製造方法を、その工程順で示した断面図（２）である。 本発明の第３実施例による液晶表示装置における上部表示板（対向表示板）の製造方法を、その工程順で示した断面図（３）である。 本発明の第４実施例による液晶表示装置の構造を示した配置図である。 図２２のXXIII-XXIII´線による薄膜トランジスタ表示板のみを示した断面図である。 図２２のXXIV-XXIV´線による薄膜トランジスタ表示板のみを示した断面図である。 本発明の第５実施例による液晶表示装置の構成図である。

符号の説明

３ 液晶物質層
４０ 液晶分子
１１、２１ 配向膜
１００、２００ 表示板
１２１ ゲート線
１２４ ゲート電極
１３１ 維持電極線
１４０ ゲート絶縁膜
１７０ データ導電層
１７１ データ線
１７３ ソース電極
１７５ ドレーン電極
１８０ 保護膜
１８１，１８２、１８５ 接触孔
１９０ 画素電極
２２０ 遮光膜
２７０ 共通電極
３２０ 基板間隔材

Claims (8)

1. 絶縁基板の上部の青色画素領域に、有機絶縁物質からなり、前記絶縁基板表面に対して３０°以下の傾斜面を有する遮光膜と、
   前記絶縁基板の上部に形成されている共通電極と、
   前記遮光膜と重なって配置され、有機絶縁物質からなる基板間隔材とを含む、表示板。
2. 前記基板間隔材と同一な層に形成され、液晶分子の配向方向を制御するための突起をさらに含む、請求項１に記載の表示板。
3. 請求項１の表示板と、
   前記請求項１の表示板と対向し、走査信号を伝達するゲート線、画像信号を伝達するデータ線、共通信号が印加される維持電極線、及び前記ゲート線と前記データ線とが交差して定義する画素領域に配置されている画素電極を含む薄膜トランジスタ表示板と、
   前記請求項１の表示板と前記薄膜トランジスタ表示板との間に形成されている液晶物質層とを含む、液晶表示装置。
4. 第１絶縁基板と、
   前記第１絶縁基板上に形成されているゲート線と、
   前記第１絶縁基板上に形成され、前記ゲート線と絶縁されて交差するデータ線と、
   前記第１絶縁基板上に形成され、前記データ線と絶縁されて交差する維持電極線と、
   前記ゲート線と前記データ線との交差部に形成されている薄膜トランジスタと、
   前記薄膜トランジスタと連結されている画素電極と、
   前記第１絶縁基板と対向する第２基板と、
   前記第２絶縁基板上に形成されている共通電極と、
   前記第２基板に形成されている遮光膜とを含み、前記遮光膜の境界は、前記ゲート線、前記データ線、及び前記維持電極線をはじめとする前記第１基板上に形成されている不透明パターンと重なる位置に配置されている、液晶表示装置。
5. 前記第１基板上に形成されている赤、緑、及び青の色フィルターをさらに含み、前記遮光膜は、前記青の色フィルターと対応する位置に配置されている、請求項４に記載の液晶表示装置。
6. 絶縁基板及びその上に形成されている薄膜トランジスタアレイを含む薄膜トランジスタ表示板と、
   内側面が前記薄膜トランジスタ表示板の内側面と対向し、絶縁基板及びその上に形成されている共通電極を含む共通電極表示板と、
   前記薄膜トランジスタ表示板と共通電極表示板との間に充填されている液晶と、
   前記共通電極表示板の外側面に配置されている第１偏光板とを含み、前記第１偏光板は、紫外線吸収物質を含む、液晶表示装置。
7. 前記薄膜トランジスタ表示板の外側面に配置されているバックライトユニットと、前記薄膜トランジスタ表示板と前記バックライトユニットとの間に配置されている第２偏光板とをさらに含む、請求項６に記載の液晶表示装置。
8. 前記第１偏光板は、その表面が前記紫外線吸収物質でコーティングされている、請求項６に記載の液晶表示装置。

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