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  1. 反射ピークの櫛を生成するように設けられた分布ブラッグ反射鏡形態の第1の反射鏡によって一方の端部における境界が画定されかつ第2のブラッグ反射鏡によって他方の端部における境界が画定された増幅セクションを有し、前記第2のブラッグ反射鏡は、複数の波長で反射するように設けられ、前記第2のブラッグ反射鏡の個別の複数のセグメント選択的に調整可能とされることで前記第2のブラッグ反射鏡の一つもしくは複数のセグメントが、より低い一つの波長にチューニング可能とされており、これにより、前記第2のブラッグ反射鏡の当該より低い波長で反射するセグメントによって反射が生じて、当該より低い波長における反射率が高まるように構成され、前記第2の反射鏡がチューニングされる前記より低い波長が、前記第1の反射鏡のピークに概ね合致することで、当該より低い波長で当該レーザをレーザ発振させるように構成されているチューナブルレーザ。
  2. 請求項に記載のチューナブルレーザにおいて、
    前記第2の反射鏡は、屈折率が変更可能な材料で形成され、前記材料の屈折率を変更することによって、前記反射される波長のチューニングが行われるように設けられていることを特徴とするチューナブルレーザ。
  3. 請求項に記載のチューナブルレーザにおいて、
    前記屈折率は、前記第2の反射鏡が形成されている前記材料に電流を通すことによって変更されるように設けられていることを特徴とするチューナブルレーザ。
  4. 請求項に記載のチューナブルレーザにおいて、
    前記第2のブラッグ反射鏡は、チャープ回折格子とされ、かつ内部に電流が流れることに対応して変更可能な屈折率を持つ材料で形成され、複数の外部電極が前記回折格子の長さに沿って設けられ、各電極には、選択的に電源が接続可能とされていることを特徴とするチューナブルレーザ。
  5. 請求項に記載のチューナブルレーザにおいて、
    前記チャープブラッグ反射鏡は、前記増幅セクションに最も近いところでピッチが最も短くなるようにして自身に沿ってピッチが累加する線形チャープを備えていることを特徴とするチューナブルレーザ。
  6. 請求項または請求項に記載のチューナブルレーザにおいて、
    前記チャープブラッグ反射鏡は、それぞれが前記チャープ回折格子全体の一部を構成している複数のチャープ・セグメントに分割され、全てのチャープ・セグメントが連結されていることを特徴とするチューナブルレーザ。
  7. 請求項に記載のチューナブルレーザにおいて、
    前記第2のブラッグ反射鏡は、複数の別々の回折格子セグメントを備え、これらの回折格子セグメントの少なくとも2つは、異なるピッチを有し、このとき、より長いピッチを持つ少なくとも一つの回折格子に電流を付与することが可能で、これにより、当該より長いピッチを持つ回折格子の実効波長を、より短いピッチを持つ前記回折格子の波長に同調させることができるように構成されていることを特徴とするチューナブルレーザ。
  8. 請求項に記載のチューナブルレーザにおいて、
    前記第2のブラッグ反射鏡は、複数の別々の回折格子セグメントを備え、各回折格子セグメントは、異なるピッチを有し、これにより、前記増幅セクションに最も近い前記回折格子セグメントが最も短いピッチを有して、前記増幅セクションから順番に連なる回折格子セグメントそれぞれのピッチが直前のセグメントのピッチよりも大きくなるように設けられていることを特徴とするチューナブルレーザ。
  9. 請求項に記載のチューナブルレーザにおいて、
    各回折格子セグメントは、独立に作動可能な電極を有していることを特徴とするチューナブルレーザ。
  10. 請求項から請求項のいずれか1項に記載のチューナブルレーザにおいて、
    前記電極への電流を入れたり切ったりするためのスイッチング回路が設けられていることを特徴とするチューナブルレーザ。
  11. 請求項1から請求項10のいずれか1項に記載のチューナブルレーザにおいて、
    半導体材料を用いて製造されていることを特徴とするチューナブルレーザ。
  12. 請求項11に記載のチューナブルレーザにおいて、
    III-V属半導体材料を用いて製造されていることを特徴とするチューナブルレーザ。
  13. 請求項1から請求項12のいずれか1項に記載のチューナブルレーザにおいて、
    電子ビーム描写技術を用いて製造されていることを特徴とするチューナブルレーザ。
  14. 請求項1から請求項13のいずれか1項に記載のチューナブルレーザにおいて、
    ホログラフィ位相回折格子プレートを用いて製造されていることを特徴とするチューナブルレーザ。
  15. 請求項1から請求項14のいずれか1項に記載のチューナブルレーザにおいて、
    前記ブラッグ・セグメントは、前記第2の反射鏡内では、明細書に定義の如くそれぞれ短く維持され、これにより、前記ブラッグ回折格子に関連する累加する導波路長さが最小化されて、導波路による損失が低く保たれるように設けられていることを特徴とするチューナブルレーザ。
  16. 請求項1から請求項15のいずれか1項に記載のチューナブルレーザにおいて、
    前記第1の反射鏡を形成する前記分布ブラッグ反射鏡は、位相シフトブラッグ回折格子反射鏡とされていることを特徴とするチューナブルレーザ。
  17. 請求項16に記載のチューナブルレーザにおいて、
    前記第1の反射鏡は、明細書に定義の如く長く設けられていることを特徴とするチューナブルレーザ。
  18. 請求項1から請求項17のいずれか1項に記載のチューナブルレーザにおいて、
    前記第2の反射鏡を通して光が放出されるように設けられていることを特徴とするチューナブルレーザ。
  19. 請求項1から請求項18のいずれか1項に記載のチューナブルレーザにおいて、
    前記増幅セクションと、前記反射鏡のいずれか一方もしくは双方との間に、位相変化セクションが設けられていることを特徴とするチューナブルレーザ。
  20. 請求項19に記載のチューナブルレーザにおいて、
    前記位相変化セクションは、前記増幅セクションと、前記第1ないし前記第2の反射鏡との間に配置されていることを特徴とするチューナブルレーザ。
  21. 請求項20に記載のチューナブルレーザにおいて、
    前記位相変化セクションは、位相を変化させるために、該位相変化セクションの材料の屈折率を変化させるよう、該位相変化セクションを通して電流を流せるようにするための電極を有していることを特徴とするチューナブルレーザ。
  22. 概ね、明細書に記載されたような、添付の図面に示されたようなチューナブルレーザ。


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Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2377545A (en) * 2001-07-14 2003-01-15 Marconi Caswell Ltd Tuneable Laser
GB2381123B (en) * 2001-10-17 2005-02-23 Marconi Optical Components Ltd Tuneable laser
GB2385979B (en) * 2002-02-28 2005-10-12 Bookham Technology Plc Control for a tunable laser
GB2430760A (en) 2005-09-29 2007-04-04 Bookham Technology Plc Chirped Bragg grating structure
GB2433160B (en) * 2005-12-08 2010-04-21 Bookham Technology Plc Bragg reflector grating
WO2007123334A1 (en) * 2006-04-20 2007-11-01 Electronics And Telecommunications Research Institute Wavelength tunable external cavity laser
KR100772529B1 (ko) * 2006-04-20 2007-11-01 한국전자통신연구원 파장 가변 외부 공진 레이저
JP2007299791A (ja) * 2006-04-27 2007-11-15 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体光素子
EP2091118A4 (en) 2006-10-31 2015-05-27 Anritsu Corp OPTICAL SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR LASER WITH OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND OPTICAL TRANSPONDER WITH SEMICONDUCTOR LASER
GB2448162A (en) 2007-04-03 2008-10-08 Bookham Technology Plc Tunable semiconductor laser
US20090092159A1 (en) * 2007-05-28 2009-04-09 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Semiconductor light-emitting device with tunable emission wavelength
JP2009059729A (ja) * 2007-08-29 2009-03-19 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体発光素子
JP2008294371A (ja) * 2007-05-28 2008-12-04 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体発光素子
JP2009010197A (ja) * 2007-06-28 2009-01-15 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体レーザ素子
EP2174392B1 (en) 2007-08-02 2020-04-29 EFFECT Photonics B.V. Semiconductor laser device
JP2009147154A (ja) * 2007-12-14 2009-07-02 Anritsu Corp アレイ型半導体レーザ,半導体レーザ装置,半導体レーザ・モジュール,およびラマン増幅器
JP5243058B2 (ja) * 2008-02-20 2013-07-24 アンリツ株式会社 波長走査型光源およびそれを用いた波長走査型光コヒーレンストモグラフィ装置
JP5272859B2 (ja) 2009-04-03 2013-08-28 住友電気工業株式会社 半導体レーザ素子
JP5407526B2 (ja) * 2009-04-27 2014-02-05 住友電気工業株式会社 波長可変レーザ、波長可変レーザ装置、及び波長可変レーザ制御方法
JP5625459B2 (ja) * 2009-05-21 2014-11-19 住友電気工業株式会社 半導体レーザ素子及びその作製方法
EP2454787B1 (en) 2009-07-13 2018-02-28 Oclaro Technology Limited Integrated photodiode wavelength monitor
JP5552793B2 (ja) * 2009-10-20 2014-07-16 住友電気工業株式会社 半導体回折格子素子、及び、半導体レーザ
GB201012829D0 (en) 2010-07-30 2010-09-15 Oclaro Technology Ltd Enclosure for a laser package and laser package comprising same
GB2483930A (en) 2010-09-27 2012-03-28 Oclaro Technology Plc Fast wavelength switching
JP6031446B2 (ja) * 2010-12-08 2016-11-24 オクラロ テクノロジー リミテッド 複数の調整可能光デバイスを備えるアレイ
GB2486715A (en) 2010-12-23 2012-06-27 Oclaro Technology Ltd Wavelength locker
US9479280B2 (en) 2011-07-14 2016-10-25 Applied Optoelectronics, Inc. Extended cavity fabry-perot laser assembly capable of high speed optical modulation with narrow mode spacing and WDM optical system including same
US9160455B2 (en) 2011-07-14 2015-10-13 Applied Optoelectronics, Inc. External cavity laser array system and WDM optical system including same
US9209601B2 (en) 2011-08-26 2015-12-08 Oclaro Technology Ltd Monolithically integrated tunable semiconductor laser
GB2493988B (en) * 2011-08-26 2016-01-13 Oclaro Technology Ltd Monolithically integrated tunable semiconductor laser
GB2493989A (en) * 2011-08-26 2013-02-27 Oclaro Technology Ltd Tunable multi-mode laser
US9106050B2 (en) 2011-10-17 2015-08-11 Futurewei Technologies, Inc. Self-characterization tunable optical network unit
JP6067231B2 (ja) * 2012-02-21 2017-01-25 古河電気工業株式会社 光フィルタ及び半導体レーザ装置
GB2507527A (en) * 2012-11-01 2014-05-07 Oclaro Technology Ltd Semiconductor DBR laser
US9236945B2 (en) 2012-12-07 2016-01-12 Applied Optoelectronics, Inc. Thermally shielded multi-channel transmitter optical subassembly and optical transceiver module including same
US9306671B2 (en) 2012-12-07 2016-04-05 Applied Optoelectronics, Inc. Thermally isolated multi-channel transmitter optical subassembly and optical transceiver module including same
US8831433B2 (en) 2012-12-07 2014-09-09 Applied Optoelectronics, Inc. Temperature controlled multi-channel transmitter optical subassembly and optical transceiver module including same
WO2016191359A1 (en) 2015-05-22 2016-12-01 Applied Optoelectronics, Inc. Coaxial transmitter optical subassembly (tosa) with cuboid type to laser package and optical transceiver including same
US9614620B2 (en) 2013-02-06 2017-04-04 Applied Optoelectronics, Inc. Coaxial transmitter optical subassembly (TOSA) with cuboid type to laser package and optical transceiver including same
US8995484B2 (en) 2013-02-22 2015-03-31 Applied Optoelectronics, Inc. Temperature controlled multi-channel transmitter optical subassembly and optical transceiver module including same
US9136972B2 (en) * 2013-12-27 2015-09-15 Infinera Corporation Controlling an optical transmitter that supports multiple modulation formats and baud rates
GB2522252B (en) 2014-01-20 2016-04-20 Rockley Photonics Ltd Tunable SOI laser
GB2522410A (en) 2014-01-20 2015-07-29 Rockley Photonics Ltd Tunable SOI laser
US9964720B2 (en) 2014-06-04 2018-05-08 Applied Optoelectronics, Inc. Monitoring and controlling temperature across a laser array in a transmitter optical subassembly (TOSA) package
WO2016038333A1 (en) * 2014-09-08 2016-03-17 Oclaro Technology Ltd Monolithically integrated tunable semiconductor laser
US9762028B2 (en) * 2015-01-06 2017-09-12 Applied Optoelectronics, Inc. Two-section semiconductor laser with modulation-independent grating section to reduce chirp
US9627851B1 (en) * 2015-10-28 2017-04-18 Rockley Photonics Limited Discrete wavelength tunable laser
US9997890B2 (en) 2015-10-28 2018-06-12 Rockley Photonics Limited Discrete wavelength tunable laser
FR3043852B1 (fr) * 2015-11-13 2017-12-22 Commissariat Energie Atomique Dispositif laser et procede de fabrication d’un tel dispositif laser
US11699892B2 (en) 2016-02-19 2023-07-11 Rockley Photonics Limited Discrete wavelength tunable laser
GB2547467A (en) 2016-02-19 2017-08-23 Rockley Photonics Ltd Tunable laser
WO2017152401A1 (zh) * 2016-03-09 2017-09-14 华为技术有限公司 一种光放大器
US9876576B2 (en) 2016-03-17 2018-01-23 Applied Optoelectronics, Inc. Layered coaxial transmitter optical subassemblies with support bridge therebetween
CN105891937B (zh) * 2016-05-25 2018-12-07 哈尔滨工程大学 一种复合周期波导结构的宽带太赫兹反射器
CN110476307B (zh) * 2017-03-29 2021-05-18 Ipg光子公司 啁啾脉冲放大激光器系统
WO2018184697A1 (en) * 2017-04-07 2018-10-11 Huawei Technologies Co., Ltd. Laser
US10811848B2 (en) 2017-06-14 2020-10-20 Rockley Photonics Limited Broadband arbitrary wavelength multichannel laser source
CN107425405B (zh) * 2017-06-29 2019-11-08 武汉电信器件有限公司 一种可调谐半导体激光器
US11125935B2 (en) * 2019-03-11 2021-09-21 Honeywell International Inc. Optical structure for imparting a distributed phase shift to an optical signal, electro-optic modulator incorporating such structure for reduced size, low signal loss, and high extinction ratio, and related system and method
CN110212401B (zh) * 2019-08-01 2019-11-19 南京南智先进光电集成技术研究院有限公司 一种片上分布反馈光参量振荡器
EP3840138A1 (en) 2019-12-17 2021-06-23 FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Dwdm intra-cavity laser device
US20240126138A1 (en) * 2022-10-12 2024-04-18 Honeywell International Inc. System and method for generating optical frequency combs using an optical waveguide including chirped bragg gratings

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2825508B2 (ja) * 1987-10-09 1998-11-18 株式会社日立製作所 半導体レーザ装置および光通信システム
JPH084186B2 (ja) * 1987-10-28 1996-01-17 国際電信電話株式会社 半導体レーザ
FR2636177B1 (fr) * 1988-09-08 1990-11-16 Comp Generale Electricite Source laser a semi-conducteur modulee a frequence elevee
US5119393A (en) * 1989-06-14 1992-06-02 Hitachi, Ltd. Semiconductor laser device capable of controlling wavelength shift
US5088097A (en) * 1990-04-04 1992-02-11 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor laser element capable of changing emission wavelength, and method of driving the same
US5325392A (en) 1992-03-06 1994-06-28 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Distributed reflector and wavelength-tunable semiconductor laser
US5379318A (en) * 1994-01-31 1995-01-03 Telefonaktiebolaget L M Ericsson Alternating grating tunable DBR laser
FR2737353B1 (fr) * 1995-07-25 1997-09-05 Delorme Franck Laser a reflecteur de bragg distribue et a reseau echantillonne, tres largement accordable par variation de phase, et procede d'utilisation de ce laser
FR2737942B1 (fr) * 1995-08-18 1997-11-07 Delorme Franck Composant d'emission laser accordable en longueur d'onde par variation d'absorption
US6104739A (en) * 1997-12-24 2000-08-15 Nortel Networks Corporation Series of strongly complex coupled DFB lasers
CA2228683C (en) 1998-02-20 2002-05-14 Ivan Avrutsky Superimposed grating wdm tunable lasers
US6445724B2 (en) * 2000-02-23 2002-09-03 Sarnoff Corporation Master oscillator vertical emission laser
JP2002094176A (ja) * 2000-09-14 2002-03-29 Mitsubishi Electric Corp レーザ装置
JP4770077B2 (ja) * 2001-07-04 2011-09-07 三菱電機株式会社 波長可変半導体レーザおよび光モジュール
KR100464358B1 (ko) * 2002-03-11 2005-01-03 삼성전자주식회사 분배 브락 반사경을 갖는 반도체 레이저의 제조 방법

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