JPH11186648A - 外部鏡型波長可変レーザ - Google Patents
外部鏡型波長可変レーザInfo
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- JPH11186648A JPH11186648A JP9349653A JP34965397A JPH11186648A JP H11186648 A JPH11186648 A JP H11186648A JP 9349653 A JP9349653 A JP 9349653A JP 34965397 A JP34965397 A JP 34965397A JP H11186648 A JPH11186648 A JP H11186648A
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- external mirror
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
- H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡素な構造で発振波長を可変とすることので
きる外部鏡型波長可変レーザを実現すること。 【解決手段】 一方の端面１１の反射率を低減した構造
を有する半導体レーザ１と、当該端面１１側にレンズ２
及びグレーティング型反射器３とを配置してなる外部鏡
型半導体レーザにおいて、レンズ３を光軸に対して垂直
方向に変位させ、グレーティング型反射器３に対する端
面１１からの出射光の入射光角度を変化させる。
きる外部鏡型波長可変レーザを実現すること。 【解決手段】 一方の端面１１の反射率を低減した構造
を有する半導体レーザ１と、当該端面１１側にレンズ２
及びグレーティング型反射器３とを配置してなる外部鏡
型半導体レーザにおいて、レンズ３を光軸に対して垂直
方向に変位させ、グレーティング型反射器３に対する端
面１１からの出射光の入射光角度を変化させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、外部鏡型波長可変
レーザに係り、特に光通信に用いられる波長に適合する
よう波長を可変することができる外部鏡型波長可変レー
ザに関する。
レーザに係り、特に光通信に用いられる波長に適合する
よう波長を可変することができる外部鏡型波長可変レー
ザに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータの性能の向上が著し
く、コンピュータ通信を一般家庭で行うことも珍しくな
くなった。更に、世界規模でインターネットが発達し、
通信環境も激変した。このような背景のもと、通信を行
う者は必要な情報を即座に得られることを要求してい
る。この要求に対して種々の情報を大量に高速で伝達で
きる媒体として光ファイバ通信が用いられる。また、近
年、文字情報のみならず、静止画像、動画、音声データ
等の種々の情報をリアルタイムで伝送することが要求さ
れており、このため光ファイバ通信の大容量化が進んで
いる。
く、コンピュータ通信を一般家庭で行うことも珍しくな
くなった。更に、世界規模でインターネットが発達し、
通信環境も激変した。このような背景のもと、通信を行
う者は必要な情報を即座に得られることを要求してい
る。この要求に対して種々の情報を大量に高速で伝達で
きる媒体として光ファイバ通信が用いられる。また、近
年、文字情報のみならず、静止画像、動画、音声データ
等の種々の情報をリアルタイムで伝送することが要求さ
れており、このため光ファイバ通信の大容量化が進んで
いる。
【０００３】また、光ファイバを用いてデータを長距離
伝送するためには、光ファイバ線路の途中で光信号を増
幅しなければならないが、この光増幅手段としてエルビ
ウム添加光ファイバ増幅（ＥＤＦＡ）の導入も進んでい
る。光増幅手段としてＥＤＦＡを用いると、ＥＤＦＡの
波長帯域（現状約３０ｎｍ）の中で波長多重を行って大
容量化することができ、この伝送方式の実用化が進んで
いる。
伝送するためには、光ファイバ線路の途中で光信号を増
幅しなければならないが、この光増幅手段としてエルビ
ウム添加光ファイバ増幅（ＥＤＦＡ）の導入も進んでい
る。光増幅手段としてＥＤＦＡを用いると、ＥＤＦＡの
波長帯域（現状約３０ｎｍ）の中で波長多重を行って大
容量化することができ、この伝送方式の実用化が進んで
いる。
【０００４】この方式では多数の指定波長の光源を必要
とする。光源を複数用いた場合には高コスト、装置の大
型化、高エネルギー消費等の欠点があり、これらの欠点
を解決することが望まれる。従って、ＥＤＦＡの波長帯
域内、つまり、約３０ｎｍの波長範囲内で任意に波長を
可変することができ、且つ所定の波長に設定できる波長
可変レーザの実現が望まれている。
とする。光源を複数用いた場合には高コスト、装置の大
型化、高エネルギー消費等の欠点があり、これらの欠点
を解決することが望まれる。従って、ＥＤＦＡの波長帯
域内、つまり、約３０ｎｍの波長範囲内で任意に波長を
可変することができ、且つ所定の波長に設定できる波長
可変レーザの実現が望まれている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】波長可変レーザは半導
体モノリシック型と外部鏡型に大別される。半導体モノ
リシック型の波長可変レーザは、ＥＤＦＡの波長帯域に
相当する３０ｎｍ程度もの広い範囲で波長を可変できる
実用的なものは現存していない。また、外部鏡型の波長
可変レーザでも、外部鏡としてグレーティング反射器を
用いた場合には、発振波長を可変とするためにグレーテ
ィング反射器への入射光角度を変えるときには、グレー
ティング反射器をモータで回転させる方法等が用いられ
ており、回転機構が大型となる等の欠点があった。
体モノリシック型と外部鏡型に大別される。半導体モノ
リシック型の波長可変レーザは、ＥＤＦＡの波長帯域に
相当する３０ｎｍ程度もの広い範囲で波長を可変できる
実用的なものは現存していない。また、外部鏡型の波長
可変レーザでも、外部鏡としてグレーティング反射器を
用いた場合には、発振波長を可変とするためにグレーテ
ィング反射器への入射光角度を変えるときには、グレー
ティング反射器をモータで回転させる方法等が用いられ
ており、回転機構が大型となる等の欠点があった。
【０００６】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あり、簡素な構造で発振波長を可変とすることのできる
外部鏡型波長可変レーザを実現することを目的とする。
あり、簡素な構造で発振波長を可変とすることのできる
外部鏡型波長可変レーザを実現することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、一方の端面の反射率を低減した構造を有
する半導体レーザと、当該端面側にレンズ及びグレーテ
ィング型反射器とを配置してなる外部鏡型半導体レーザ
において、前記レンズを光軸に対して垂直方向に変位さ
せ、前記グレーティング型反射器に対する前記端面から
の出射光の入射光角度を変化させる変位手段を備えたこ
とを特徴とする。また、前記変位手段は、圧電素子であ
ることが好ましい。また、前記レンズの一方の焦点位置
は、前記端面に設定されていることが好ましい。また、
前記レンズは、前記端面の出射光を平行光に変換するこ
とが好ましい。また、前記レンズは、非球面レンズであ
ることが好ましい。
に、本発明は、一方の端面の反射率を低減した構造を有
する半導体レーザと、当該端面側にレンズ及びグレーテ
ィング型反射器とを配置してなる外部鏡型半導体レーザ
において、前記レンズを光軸に対して垂直方向に変位さ
せ、前記グレーティング型反射器に対する前記端面から
の出射光の入射光角度を変化させる変位手段を備えたこ
とを特徴とする。また、前記変位手段は、圧電素子であ
ることが好ましい。また、前記レンズの一方の焦点位置
は、前記端面に設定されていることが好ましい。また、
前記レンズは、前記端面の出射光を平行光に変換するこ
とが好ましい。また、前記レンズは、非球面レンズであ
ることが好ましい。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態による外部鏡型波長可変レーザについて説明す
る。図１は、本発明の一実施形態による外部鏡型波長可
変レーザの構成を示す図である。図１において、１は半
導体レーザであり、一方の端面１１に無反射コーティン
グが施され、端面１１における入射光及び出射光の反射
率が低減されている。２は半導体レーザ１から出射され
た光を平行光に変換するレンズであり、一方の焦点が半
導体レーザ１の端面１１に位置するよう配置されてい
る。
施形態による外部鏡型波長可変レーザについて説明す
る。図１は、本発明の一実施形態による外部鏡型波長可
変レーザの構成を示す図である。図１において、１は半
導体レーザであり、一方の端面１１に無反射コーティン
グが施され、端面１１における入射光及び出射光の反射
率が低減されている。２は半導体レーザ１から出射され
た光を平行光に変換するレンズであり、一方の焦点が半
導体レーザ１の端面１１に位置するよう配置されてい
る。
【０００９】このレンズ２は、半導体レーザ１の端面１
１から出射されるレーザ光の出射方向（光軸）に対して
垂直な面内で移動が可能である。レンズ２の位置を変え
ることにより、端面１１から出射されるレーザ光の出射
方向を変化させることができる。例えば、図中符号Ｄ１
が付された方向へレンズ２を移動させて図中破線で示し
た位置まで移動させると、図中符号１３を付して示した
角度だけ出射方向が変化する。
１から出射されるレーザ光の出射方向（光軸）に対して
垂直な面内で移動が可能である。レンズ２の位置を変え
ることにより、端面１１から出射されるレーザ光の出射
方向を変化させることができる。例えば、図中符号Ｄ１
が付された方向へレンズ２を移動させて図中破線で示し
た位置まで移動させると、図中符号１３を付して示した
角度だけ出射方向が変化する。
【００１０】３はグレーティング反射器であり、半導体
レーザ１の端面１１から出射され、レンズ２によって平
行光に変換されたレーザ光を、波長毎に空間的に分離す
るものである。また、５は半導体レーザ１の他方の端面
側に設けられたレンズであり、この端面から出射された
レーザ光を集光するものである。４は半導体レーザ１か
ら出射されたレーザ光を伝搬する光ファイバである。
レーザ１の端面１１から出射され、レンズ２によって平
行光に変換されたレーザ光を、波長毎に空間的に分離す
るものである。また、５は半導体レーザ１の他方の端面
側に設けられたレンズであり、この端面から出射された
レーザ光を集光するものである。４は半導体レーザ１か
ら出射されたレーザ光を伝搬する光ファイバである。
【００１１】半導体レーザ１の他方の端面は、端面１１
のように無反射コーティングが施されておらず、従っ
て、この端面とグレーティング反射器３とによって共振
器が構成されている。前述したように、グレーティング
反射器３は、半導体レーザ１の端面１１から出射され、
レンズ２によって平行光に変換されたレーザ光を、波長
毎に空間的に分離するものであるので、この共振器の共
振条件を満たす波長は限定されるため、所定の波長のレ
ーザ光を得ることができる。また、上述したように、レ
ンズ２の位置を変えることによって平行光のグレーティ
ング３へ入射する角度を変化させることができるため、
波長を可変とすることができる。
のように無反射コーティングが施されておらず、従っ
て、この端面とグレーティング反射器３とによって共振
器が構成されている。前述したように、グレーティング
反射器３は、半導体レーザ１の端面１１から出射され、
レンズ２によって平行光に変換されたレーザ光を、波長
毎に空間的に分離するものであるので、この共振器の共
振条件を満たす波長は限定されるため、所定の波長のレ
ーザ光を得ることができる。また、上述したように、レ
ンズ２の位置を変えることによって平行光のグレーティ
ング３へ入射する角度を変化させることができるため、
波長を可変とすることができる。
【００１２】上述のグレーティング反射器３は極めて強
い波長依存性を有しており、ある特定の波長で強い反射
率を有する。そしてこの反射率がピークとなる波長はグ
レーティング反射器３に入射する光の入射角度（図１中
では符号１３を付してある）を変えることにより変化す
る。いま、この反射率がピークとなる波長をλとし、図
１中で符号１３を付した入射光角度をθとすると、ピー
ク波長λと入射角光度θとの関係は以下の（１）式で与
えられる。 ｄλ／ｄθ＝ｃｏｓθ／Ｎｍ ・・・・・（１） ここで、 Ｎ：グレーティングの１ｍｍあたりの溝本数 ｍ：回折次数
い波長依存性を有しており、ある特定の波長で強い反射
率を有する。そしてこの反射率がピークとなる波長はグ
レーティング反射器３に入射する光の入射角度（図１中
では符号１３を付してある）を変えることにより変化す
る。いま、この反射率がピークとなる波長をλとし、図
１中で符号１３を付した入射光角度をθとすると、ピー
ク波長λと入射角光度θとの関係は以下の（１）式で与
えられる。 ｄλ／ｄθ＝ｃｏｓθ／Ｎｍ ・・・・・（１） ここで、 Ｎ：グレーティングの１ｍｍあたりの溝本数 ｍ：回折次数
【００１３】本実施形態は、このグレーティング反射器
３への入射光角度１３（θ）を、レンズ２の位置を光軸
に対して垂直方向に変位させることにより変化させるこ
とを特徴としている。本実施形態では、前述したように
半導体レーザ１の低反射率の端面１１から、レンズ２の
焦点距離ｆだけ離した位置にレンズ２を配置しており、
さらに、端面１１から出射されたレーザ光をレンズ２に
よって平行光に変換している。
３への入射光角度１３（θ）を、レンズ２の位置を光軸
に対して垂直方向に変位させることにより変化させるこ
とを特徴としている。本実施形態では、前述したように
半導体レーザ１の低反射率の端面１１から、レンズ２の
焦点距離ｆだけ離した位置にレンズ２を配置しており、
さらに、端面１１から出射されたレーザ光をレンズ２に
よって平行光に変換している。
【００１４】この配置の場合、レンズ２の光軸に対して
垂直方向の変位量ｄｘとグレーティング反射器３への入
射角度１３（θ）との関係は（２）式で与えられる。 ｄθ／ｄｘ＝１／ｆ ・・・・・（２） 上記（１）式及び（２）式から、以下の（３）式が得ら
れる。 ｄλ／ｄｘ＝ｃｏｓθ／（Ｎｍｆ） ・・・・・（３） （３）式から、光軸に対するレンズ２の垂直方向の位置
を変位させることにより、グレーティング反射器３のピ
ーク波長を変化させることができる。
垂直方向の変位量ｄｘとグレーティング反射器３への入
射角度１３（θ）との関係は（２）式で与えられる。 ｄθ／ｄｘ＝１／ｆ ・・・・・（２） 上記（１）式及び（２）式から、以下の（３）式が得ら
れる。 ｄλ／ｄｘ＝ｃｏｓθ／（Ｎｍｆ） ・・・・・（３） （３）式から、光軸に対するレンズ２の垂直方向の位置
を変位させることにより、グレーティング反射器３のピ
ーク波長を変化させることができる。
【００１５】次に、具体的なパラメータを用いて説明す
る。グレーティング反射器３として、波長１５５０ｎｍ
帯で１次の回折を用いたリトロー配置で使用することと
した。このときのパラメータは以下の通りである。 ｃｏｓθ＝０．８９３ Ｎ＝５００ ［１／ｍｍ］ ｍ＝１ また、レンズ２としては焦点距離ｆ＝６００μｍの非球
面レンズを用いた。これらの数値を（式３）に代入する
と ｄλ／ｄｘ＝３×１０-3 となる。
る。グレーティング反射器３として、波長１５５０ｎｍ
帯で１次の回折を用いたリトロー配置で使用することと
した。このときのパラメータは以下の通りである。 ｃｏｓθ＝０．８９３ Ｎ＝５００ ［１／ｍｍ］ ｍ＝１ また、レンズ２としては焦点距離ｆ＝６００μｍの非球
面レンズを用いた。これらの数値を（式３）に代入する
と ｄλ／ｄｘ＝３×１０-3 となる。
【００１６】次に、本発明の一実施形態による外部鏡型
波長可変レーザの特性例を説明する。ここで使用した半
導体レーザ１は利得ピーク波長が１５６０ｎｍ付近のも
のを用いた。また無反射コーティングにより反射率を低
くした端面（１１）の反射率は約０．５％である。特性
の測定は図１中の光ファイバ４からの出力光を用いて行
った。
波長可変レーザの特性例を説明する。ここで使用した半
導体レーザ１は利得ピーク波長が１５６０ｎｍ付近のも
のを用いた。また無反射コーティングにより反射率を低
くした端面（１１）の反射率は約０．５％である。特性
の測定は図１中の光ファイバ４からの出力光を用いて行
った。
【００１７】図２は、本発明の一実施形態による外部鏡
型波長可変レーザの発振波長とレンズ２の変位量との関
係の特性例を示す図である。図中、印「●」が付された
ものは測定値を示している。図２に示されたように、１
５１０ｎｍ〜１６２０ｎｍの約１００ｎｍにもわたる極
めて広い範囲でレーザ発振が確認された。
型波長可変レーザの発振波長とレンズ２の変位量との関
係の特性例を示す図である。図中、印「●」が付された
ものは測定値を示している。図２に示されたように、１
５１０ｎｍ〜１６２０ｎｍの約１００ｎｍにもわたる極
めて広い範囲でレーザ発振が確認された。
【００１８】レンズ２の変位量に対する発振波長の変化
率ｄλ／ｄｘは、約３．９［ｎｍ／μｍ］＝３．９×１
０-3であり、上述の計算値より若干大きいがレンズ変位
量に比例して発振波長が変化しており、本実施形態にお
ける外部鏡型波長可変レーザの妥当性が確認された。
率ｄλ／ｄｘは、約３．９［ｎｍ／μｍ］＝３．９×１
０-3であり、上述の計算値より若干大きいがレンズ変位
量に比例して発振波長が変化しており、本実施形態にお
ける外部鏡型波長可変レーザの妥当性が確認された。
【００１９】図３は、本発明の一実施形態による外部鏡
型波長可変レーザの光出力対電流特性例を示す図であ
る。半導体レーザ１の利得ピーク波長が１５６０ｎｍ付
近であったためにこの波長付近での閾電流値が最も小さ
く、光出力も大きいが、この波長から離れた波長、例え
ば１５１５ｎｍや１６１６ｎｍの波長では閾電流値の増
大、並びに光出力の低下が顕著である。以上のように、
本実施形態による外部鏡型波長可変レーザの波長可変範
囲としては約１００ｎｍが得られているが、光出力、閾
電流値特性を考えると実用的には５０ｎｍ程度の波長範
囲で使用するのが妥当と考えられる。
型波長可変レーザの光出力対電流特性例を示す図であ
る。半導体レーザ１の利得ピーク波長が１５６０ｎｍ付
近であったためにこの波長付近での閾電流値が最も小さ
く、光出力も大きいが、この波長から離れた波長、例え
ば１５１５ｎｍや１６１６ｎｍの波長では閾電流値の増
大、並びに光出力の低下が顕著である。以上のように、
本実施形態による外部鏡型波長可変レーザの波長可変範
囲としては約１００ｎｍが得られているが、光出力、閾
電流値特性を考えると実用的には５０ｎｍ程度の波長範
囲で使用するのが妥当と考えられる。
【００２０】次に、本発明の他の実施形態による外部鏡
型波長可変レーザについて説明する。図４は、本発明の
他の実施形態による外部鏡型波長可変レーザの構成を示
す図であり、図１に示された本発明の一実施形態による
外部鏡型波長可変レーザと同一部材には同一の符号を付
し、その説明を省略する。図４に示された本発明の他の
実施形態による外部鏡型波長可変レーザが、図１に示さ
れた本発明の一実施形態による外部鏡型波長可変レーザ
と異なる点は、レンズ２の位置を変位する手段として圧
電素子６を用いた点である。
型波長可変レーザについて説明する。図４は、本発明の
他の実施形態による外部鏡型波長可変レーザの構成を示
す図であり、図１に示された本発明の一実施形態による
外部鏡型波長可変レーザと同一部材には同一の符号を付
し、その説明を省略する。図４に示された本発明の他の
実施形態による外部鏡型波長可変レーザが、図１に示さ
れた本発明の一実施形態による外部鏡型波長可変レーザ
と異なる点は、レンズ２の位置を変位する手段として圧
電素子６を用いた点である。
【００２１】圧電素子６としては印可電圧を０Ｖから１
００Ｖに変化させることで１０μｍ程度の変位量が得ら
れるものを用いた。実際の波長可変範囲としては１５４
０ｎｍ〜１５８０ｎｍの約４０ｎｍを確認した。より少
ない変位量で大きな波長可変範囲を実現するためには、
前述した（３）式より、グレーティング反射器３の溝本
数Ｎを減らすこと、或いはレンズ２の焦点距離ｆを短く
することが有効である。
００Ｖに変化させることで１０μｍ程度の変位量が得ら
れるものを用いた。実際の波長可変範囲としては１５４
０ｎｍ〜１５８０ｎｍの約４０ｎｍを確認した。より少
ない変位量で大きな波長可変範囲を実現するためには、
前述した（３）式より、グレーティング反射器３の溝本
数Ｎを減らすこと、或いはレンズ２の焦点距離ｆを短く
することが有効である。
【００２２】しかしながら、Ｎを減らすことはグレーテ
ィングの波長分解能、回折効率を低下させることになる
ためあまり実用的ではない。これに対し、焦点距離ｆを
短くする場合には、焦点距離ｆのより短いマイクロレン
ズを採用することで実現可能であり、例えば平板マイク
ロレンズを用いれば１００μｍ弱程度の短い焦点距離が
実現されているため、これを用いれば２〜３μｍのレン
ズ変位量で４０ｎｍ程度の波長可変範囲が実現可能であ
る。
ィングの波長分解能、回折効率を低下させることになる
ためあまり実用的ではない。これに対し、焦点距離ｆを
短くする場合には、焦点距離ｆのより短いマイクロレン
ズを採用することで実現可能であり、例えば平板マイク
ロレンズを用いれば１００μｍ弱程度の短い焦点距離が
実現されているため、これを用いれば２〜３μｍのレン
ズ変位量で４０ｎｍ程度の波長可変範囲が実現可能であ
る。
【００２３】以上、本発明の実施形態について説明した
が、本発明はこれら実施形態にのみ制限される訳ではな
い。例えば、図１を用いて説明した一実施形態において
は、レンズ２として、非球面レンズを用いたが他のレン
ズを使用しても同様の効果が得られる。また、同実施形
態においては、半導体レーザ１の低反射率の端面１１か
らレンズ１１の焦点距離だけ離れた位置にレンズ２を配
置したが、この位置に限るものではない。また、図４を
用いて説明した他の実施形態においては、レンズ２の位
置変位を電気的に行うための手段として圧電素子６を用
いた場合を説明したが、これに限るものではない。この
ように、本発明は、本発明の範囲内で自由に変更が可能
である。
が、本発明はこれら実施形態にのみ制限される訳ではな
い。例えば、図１を用いて説明した一実施形態において
は、レンズ２として、非球面レンズを用いたが他のレン
ズを使用しても同様の効果が得られる。また、同実施形
態においては、半導体レーザ１の低反射率の端面１１か
らレンズ１１の焦点距離だけ離れた位置にレンズ２を配
置したが、この位置に限るものではない。また、図４を
用いて説明した他の実施形態においては、レンズ２の位
置変位を電気的に行うための手段として圧電素子６を用
いた場合を説明したが、これに限るものではない。この
ように、本発明は、本発明の範囲内で自由に変更が可能
である。
【００２４】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、一方の端面の反射率を低減した構造を有する半導体
レーザと、当該端面側にレンズ及びグレーティング型反
射器とを配置してなる外部鏡型半導体レーザにおいて、
前記レンズを光軸に対して垂直方向に変位させ、前記グ
レーティング型反射器に対する前記端面からの出射光の
入射光角度を変化させる変位手段を備えたので、数１０
ｎｍ以上の広い波長範囲にわたっての波長可変レーザを
実現することができるという効果がある。
ば、一方の端面の反射率を低減した構造を有する半導体
レーザと、当該端面側にレンズ及びグレーティング型反
射器とを配置してなる外部鏡型半導体レーザにおいて、
前記レンズを光軸に対して垂直方向に変位させ、前記グ
レーティング型反射器に対する前記端面からの出射光の
入射光角度を変化させる変位手段を備えたので、数１０
ｎｍ以上の広い波長範囲にわたっての波長可変レーザを
実現することができるという効果がある。
【図１】 本発明の一実施形態による外部鏡型波長可変
レーザの構成を示す図である。
レーザの構成を示す図である。
【図２】 本発明の一実施形態による外部鏡型波長可変
レーザの発振波長とレンズ２の変位量との関係の特性例
を示す図である。
レーザの発振波長とレンズ２の変位量との関係の特性例
を示す図である。
【図３】 本発明の一実施形態による外部鏡型波長可変
レーザの光出力対電流特性例を示す図である。
レーザの光出力対電流特性例を示す図である。
【図４】 本発明の他の実施形態による外部鏡型波長可
変レーザの構成を示す図である。
変レーザの構成を示す図である。
１ 半導体レーザ ２ レンズ ３ グレーティング型反射器 ６ 圧電素子
Claims (5)
- 【請求項１】 一方の端面の反射率を低減した構造を有
する半導体レーザと、当該端面側にレンズ及びグレーテ
ィング型反射器とを配置してなる外部鏡型半導体レーザ
において、 前記レンズを光軸に対して垂直方向に変位させ、前記グ
レーティング型反射器に対する前記端面からの出射光の
入射光角度を変化させる変位手段を備えたことを特徴と
する外部鏡型波長可変レーザ。 - 【請求項２】 前記変位手段は、圧電素子であることを
特徴とする請求項１記載の外部鏡型波長可変レーザ。 - 【請求項３】 前記レンズの一方の焦点位置は、前記端
面に設定されていることを特徴とする請求項１又は請求
項２記載の外部鏡型波長可変レーザ。 - 【請求項４】 前記レンズは、前記端面の出射光を平行
光に変換することを特徴とする請求項１乃至請求項３の
何れかに記載の外部鏡型波長可変レーザ。 - 【請求項５】 前記レンズは、非球面レンズであること
を特徴とする請求項１乃至請求項４の何れかに記載の外
部鏡型波長可変レーザ。
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