JP6696629B1 - レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
Description
しかし、レーザ光源をプロジェクタ等の製品に適用する際、発振波長を変化させたい場合がある。例えば、赤色帯域において、人間の目が明るさを感じる指標となる視感度が大きい波長、すなわち、赤色帯域の中で短波長よりの赤色光を発するレーザ光源が必要とされる場合がある。あるいは、プロジェクタから発する三原色の光の色バランスを調整するため、青色、緑色、赤色を発するレーザ光源に対し、各色の帯域の中でそれぞれ波長を少し変えられるようにしたい場合がある。
従来のレーザ装置は、使用者が発振波長を変えることができないため、所望の発振波長に近い波長の光を発するレーザ光源を限定的な既製品から選択する、あるいは、所望の発振波長の光を発するレーザ装置を設計して作成する必要があった。
図1は、本発明を実施するための実施の形態1におけるレーザ装置1の構成を示す構成図であり、図1(a)が上方からレーザ装置1を見たときの構成図、図1(b)が側方からレーザ装置1を見たときの構成図である。
なお、本実施の形態の説明における座標系は以下のとおりである。出力鏡5から光が出射する方向をz軸の正の向きとし、zx平面が水平面に一致するようにx軸をとる。水平面に直交する方向をy軸とし、x軸とy軸の正の向きは、xyz座標系が右手系になるように決定する。また、座標原点はレーザ素子の重心とする。
一体構成部7にはレンズ移動手段8が接続されている。このレンズ移動手段8は、一体構成部7をx方向に移動することで、シリンドリカルレンズ6をx方向に移動させる。本実施の形態では、シリンドリカルレンズ6とレンズ移動手段8により入射角度変更手段4が構成される。
光源部2は、電流が流されると自発放射により光を発生するとともに誘導放射により光を増幅して出射するレーザ素子9、レーザ素子9から出射された光を入射し平行光を出射する第一のレンズとしてのレンズ10を備える。レンズ10は、yz平面に平行な切断面においては直線となり、zx平面に平行な切断面においては曲線となる凹面形状を有し、入射する光線に対してx方向にレンズ効果を有する入射面と、レンズ10の光軸に対して軸対称な凸面形状の出射面とを有する。これにより、レーザ素子9から出射され、レンズ10に入射した光は、x方向とy方向のそれぞれに対して屈折しコリメートされ、レンズ10の出射面からは平行光が出射される。
なお、入射光を平行化するレンズ10の形状については特許文献2に開示されており、本実施の形態におけるレンズ10の形状は特許文献2に開示された形状と同様である。また、レーザ素子9とレンズ10の配設位置についても特許文献2に開示されており、本実施の形態におけるレーザ素子9は特許文献2に開示された配置関係と同様、レンズ10の入射面側焦点位置に配設されている。
また、シリンドリカルレンズ6の入射面11はレンズ10から出射された光の出射面積より大きい構成のため、図2に示すように、レンズ10からz方向に平行に出射された平行光がシリンドリカルレンズ6に入射する際の入射面における位置が変化することにより、シリンドリカルレンズ6の出射面12から出射される光はy軸周りの角度が変化する(z軸方向からx方向に対して角度を有する)こととなる。
上述のように、一体構成部7にはレンズ移動手段8が接続されており、レンズ移動手段8が一体構成部7をx方向に移動することで、前記入射面11における光の入射位置が変更され、シリンドリカルレンズ6の出射面12から出射される光の出射角度が変化し、その結果、その出射光が回折格子3に入射する角度が変わる。
このような構成のシリンドリカルレンズ6、およびレンズ移動手段8によって、光源部2から出射された光が回折格子3に入射する角度を変更する入射角度変更手段4が構成されている。なお、この実施の形態では、レンズ10が請求項における第一のレンズ、シリンドリカルレンズ6が請求項における第二のレンズに対応する。
回折格子3に入射した光のうち同一波長の成分は、回折格子3で回折するとお互いに、所定の出射角度において強め合う干渉をおこす。この出射角度は、入射する光の入射角および波長との関係で決まる。したがって、レーザ素子の利得帯域内にある所望の波長において、入射されるレーザ光の回折格子への角度によって決まる、発振波長においてレーザ発振を得ることが出来る。また、本実施の形態における回折格子3は特定の回折次数m0において、最大の回折効率が得られるものである。
また、回折格子3は、シリンドリカルレンズ6の出射面側焦点距離に配設されている。これにより、光の損失が少ないレーザ共振器を実現することが出来る。
次に、本発明の実施の形態2におけるレーザ装置について説明する。
実施の形態1では、光源部2に備えられたレーザ素子9が単一の発光点を有する場合について説明したが、本実施の形態では、光源部2に備えられたレーザ素子20が複数の発光点を持つ場合について説明する。
図4は、本発明を実施するための実施の形態2におけるレーザ装置1の構成を示す構成図であり、図4(a)が上方からレーザ装置1を見たときの構成図、図4(b)が側方からレーザ装置1を見たときの構成図である。
本実施の形態において、光源部2に備えられたレーザ素子20は、回折格子3が有するスリットの配列方向にアレイ状に配設されたエミッタ21、エミッタ22、エミッタ23を有する。その他の構成は、実施の形態1における構成と同じである。また、レーザ素子20から出射された光をコリメートするレンズ10は、実施の形態1と同様に1枚のレンズでコリメートする構成としたが、各エミッタに対して、それぞれの出射光をコリメートするレンズを備える構成であっても良い。
まず、実施の形態1と同様、レーザ装置1においてレーザ発振を生じさせるために、図示しない電源を用いて、レーザ素子20に電流を流す。レーザ素子20に一定以上の電流が流されると、レーザ素子20のエミッタ21、エミッタ22、エミッタ23からそれぞれ光が出射され、レーザ素子20からは各エミッタから出力された3本の光線が出射される。
図5に示すように、シリンドリカルレンズ6から、それぞれ異なる出射角度で出射された3本の光は、それぞれ異なる入射角度で回折格子3に入射する。ここで、エミッタ21、エミッタ22、エミッタ23から出射された光の回折格子3への入射角度をそれぞれα1、α2、α3とする。実施の形態1と同様、回折格子3は、式(1)に従い、入射した光の各波長成分をそれぞれ異なる方向で強め合うように回折する。実施の形態1と同様、回折格子3と出力鏡のなす角度をβ0とし、回折格子3は特定の回折次数m0で最大の回折効率が得られるものとすると、式(1)のβにβ0をmにm0を、そしてαにα1、α2、α3をそれぞれ代入したときのそれぞれのλが、出力鏡5に垂直に入射する方向において、干渉により強められる光の波長である。αにα1、α2、α3を代入したときのλをそれぞれ、λ1、λ2、λ3とする。
次に、本発明の実施の形態3におけるレーザ装置について説明する。
本実施の形態におけるレーザ装置は、レンズ移動手段が一体構成部を微小振動させることを特徴とする。
図7は、本発明を実施するための実施の形態3におけるレーザ装置1の構成を示す構成図であり、図7(a)がレーザ装置1を上方から見たときの構成図、図7(b)がレーザ装置1を側方から見たときの構成図である。
本実施の形態におけるレーザ装置1に備えられた入射角度変更手段4は、レンズ移動手段31を有する。レンズ移動手段31は一体構成部7をx方向に微小振動させるものであり、例えばモーター等であるが、レンズ移動手段31は一体構成部7をx方向に微小振動させることができればよく、モーターに限るものではない。その他の構成は、実施の形態1と同様である。
図8は、実施の形態3に係るレーザ装置1の動作時における要部の状態を示す説明図であり、一体構成部7を微小振動させたときの一体構成部7の位置を示すもので、実線は一体構成部7がx軸の正の方向に最も移動したとき、点線は一体構成部7がx軸の負の方向に最も移動したときの状態をそれぞれ示している。
回折格子3から出射された光は、他の実施の形態と同様、レーザ素子9の後端面15と出力鏡5との間で共振し増幅された後、出力鏡5からレーザ装置1の外部へと出力される。このとき出力される光の波長は、一体構成部7の位置の応じた波長であり、λ11からλ12までの間の波長である。
Claims (9)
- 反射膜が成膜された後端面を有し、出力鏡との間でレーザ共振器を構成することで、レーザ光を出射するレーザ素子を設けた光源部と、
前記光源部から出射されたレーザ光の光路上に配設され、入射したレーザ光の角度に応じて、前記レーザ素子から出射される発振波長を決定する光学素子と、
前記光学素子から出射された出射光の一部を前記光学素子に向けて反射する出力鏡と、
前記光源部から出射された光が前記光学素子に入射する角度を変更する入射角度変更手段と、
を備えたレーザ装置であって、
前記出力鏡は、前記光学素子から出射された出射光の一部を前記光学素子に向けて反射した以外の光を透過することで前記レーザ装置の外部に出力し、
前記光源部は、前記レーザ素子から出射された光を屈折させて平行光を出射する第一のレンズを備え、
前記入射角度変更手段は、前記第一のレンズが出射する光の出射面積より大きな面積の入射面を有し、前記第一のレンズが出射した光を前記入射面から入射して集光し前記光学素子に出射する第二のレンズと、前記第二のレンズを移動して前記入射面における前記第一のレンズから出射された光の入射位置を変更することにより、前記光学素子に入射する光の角度を変更するレンズ移動手段とを備え、
前記レーザ装置は、前記第二のレンズと前記光学素子と前記出力鏡を一体として構成した一体構成部をさらに備え、
前記レンズ移動手段は、前記出力鏡が前記レーザ装置の外部に光を出力する方向と直交する方向に前記一体構成部を移動することにより、前記第二のレンズを前記出力鏡が前記レーザ装置の外部に光を出力する方向と直交する方向に移動し、前記入射位置を変更する
ことを特徴とするレーザ装置。 - 前記レンズ移動手段は、前記第二のレンズを振動させる
ことを特徴とする請求項1に記載のレーザ装置。 - 前記光学素子は、複数のスリットを有し、前記入射したレーザ光の各波長成分をそれぞれ異なる方向で強め合うように回折する回折格子である
ことを特徴とする請求項1または2に記載のレーザ装置。 - 前記光源部は、前記スリットの配列方向に配設された複数のレーザ素子を備えた
ことを特徴とする請求項3に記載のレーザ装置。 - 前記光源部に設けられたレーザ素子は、前記スリットの配列方向に配設された複数の発光点を備えた
ことを特徴とする請求項3または4に記載のレーザ装置。 - 前記光学素子は、前記入射したレーザ光の各波長成分をそれぞれ異なる方向に分散し出射する分散プリズムである
ことを特徴とする請求項1に記載のレーザ装置。 - 前記第一のレンズは、シリンドリカルな凹面形状の入射面と、軸対称な凸面形状の出射面とを有する
ことを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載のレーザ装置。 - 前記第一のレンズは、それぞれ異なる方向に対して光をコリメートする2枚のレンズにより構成される
ことを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載のレーザ装置。 - 前記第二のレンズは、シリンドリカルレンズである
ことを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載のレーザ装置。
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Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112021006793T5 (de) * | 2021-01-12 | 2023-11-09 | Panasonic Holdings Corporation | Halbleiterlaservorrichtung und Verfahren zur Steuerung einer Halbleiterlaservorrichtung |
WO2023021675A1 (ja) * | 2021-08-20 | 2023-02-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置、および、照明装置 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07240558A (ja) * | 1994-02-28 | 1995-09-12 | Ando Electric Co Ltd | 波長可変半導体レーザ光源 |
JPH11186648A (ja) * | 1997-12-18 | 1999-07-09 | Nec Corp | 外部鏡型波長可変レーザ |
US6192062B1 (en) * | 1998-09-08 | 2001-02-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Beam combining of diode laser array elements for high brightness and power |
JP2004128072A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Anritsu Corp | 可変波長光源 |
US20070291812A1 (en) * | 2004-06-16 | 2007-12-20 | Petersen Paul M | Segmented Diode Laser System |
JP2009117746A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-28 | Anritsu Corp | 外部共振器型半導体レーザ装置 |
JP2011077076A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 外部共振型半導体レーザ |
JP2012142432A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ装置 |
JP2016054295A (ja) * | 2014-09-01 | 2016-04-14 | 三菱電機株式会社 | 波長結合外部共振器型レーザ装置 |
JP6211237B1 (ja) * | 2017-01-20 | 2017-10-11 | 三菱電機株式会社 | レーザ装置 |
WO2017187609A1 (ja) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 三菱電機株式会社 | 平行光発生装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH635183A5 (en) * | 1978-08-25 | 1983-03-15 | Bachofen Ag | Appliance for releasably connecting an operating means, operated by a pressure medium, to a pressure-medium line |
US7295581B2 (en) * | 2003-09-29 | 2007-11-13 | Intel Corporation | External cavity tunable optical transmitters |
US20060132766A1 (en) * | 2004-12-21 | 2006-06-22 | Bruce Richman | Continuously tunable external cavity diode laser |
US20060227821A1 (en) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Coherix, Inc. | Tunable laser |
JP2008130805A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Yokogawa Electric Corp | 外部共振器型波長可変光源 |
JP2013044800A (ja) | 2011-08-22 | 2013-03-04 | Sony Corp | 照明装置および表示装置 |
JP2015072955A (ja) * | 2013-10-02 | 2015-04-16 | パナソニック株式会社 | スペクトルビーム結合ファイバレーザ装置 |
WO2016013653A1 (ja) * | 2014-07-25 | 2016-01-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP6270045B2 (ja) * | 2014-08-21 | 2018-01-31 | カシオ計算機株式会社 | 光源装置及び投影装置 |
JP2016181643A (ja) * | 2015-03-25 | 2016-10-13 | 株式会社アマダホールディングス | 半導体レーザ発振器 |
-
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Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07240558A (ja) * | 1994-02-28 | 1995-09-12 | Ando Electric Co Ltd | 波長可変半導体レーザ光源 |
JPH11186648A (ja) * | 1997-12-18 | 1999-07-09 | Nec Corp | 外部鏡型波長可変レーザ |
US6192062B1 (en) * | 1998-09-08 | 2001-02-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Beam combining of diode laser array elements for high brightness and power |
JP2004128072A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Anritsu Corp | 可変波長光源 |
US20070291812A1 (en) * | 2004-06-16 | 2007-12-20 | Petersen Paul M | Segmented Diode Laser System |
JP2009117746A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-28 | Anritsu Corp | 外部共振器型半導体レーザ装置 |
JP2011077076A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 外部共振型半導体レーザ |
JP2012142432A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ装置 |
JP2016054295A (ja) * | 2014-09-01 | 2016-04-14 | 三菱電機株式会社 | 波長結合外部共振器型レーザ装置 |
WO2017187609A1 (ja) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 三菱電機株式会社 | 平行光発生装置 |
JP6211237B1 (ja) * | 2017-01-20 | 2017-10-11 | 三菱電機株式会社 | レーザ装置 |
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