JP2009117746A - 外部共振器型半導体レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
【構成】ゲイン・チップ10に,バンドギャップ・エネルギが互いに異なる複数のストライプ状の活性層11a,11bが後方端面10bから出射端面10aにかけて,互いに間隔をあけて形成されている。前記ゲイン・チップ10の前記出射端面10aから出射される光は,コリメート・レンズ2を介して回折格子3に入射する。回折格子3によって回折された回折光のうちの所定波長の回折光が,光帰還ミラー4によって反射されて,光を発生した活性層11aまたは11bに帰還し,後方端面10bにおいて反射される。光帰還ミラー4の回転駆動による波長可変が波長の異なるレーザ光L1,L2のそれぞれについて実現される。
【選択図】図1
Description
2 コリメート・レンズ
3 回折格子
4 光帰還ミラー
6 光路調整ミラー
10,15,20 アレイ型ゲイン・チップ
11a,11b,16a,16b,21a,21b 活性層
41a,41b 上面電極
42 下面電極
Claims (5)
- バンドギャップ・エネルギが互いに異なる複数のストライプ状の活性層が,後方端面から出射端面にかけて,半導体基板の基板面と平行な面内において互いに間隔をあけて形成されているアレイ型ゲイン・チップ,および
前記出射端面から出射される光が入射する回折格子を含み,前記回折格子によって回折された回折光のうちの所定波長の回折光を,光を出射したストライプ状の活性層に帰還させる,波長選択性を有する光帰還機構を備え,
前記アレイ型ゲイン・チップの後方端面および前記光帰還機構によって光共振器が構成されている,
外部共振器型半導体レーザ装置。 - 前記複数の活性層の少なくとも一つが,前記活性層を導波される光の光軸線が出射端面の位置において出射端面の法線方向に対して斜めを向くように,半導体基板の基板面と平行な面内において曲がっている,
請求項1に記載の外部共振器型半導体レーザ装置。 - 前記複数の活性層のそれぞれが,前記活性層を導波される光の光軸線が後方端面の位置において後方端面の法線方向に対して斜めを向くように,半導体基板の基板面と平行な面内において曲がっている,
請求項1または2に記載の外部共振器型半導体レーザ装置。 - 前記アレイ型ゲイン・チップと,前記光帰還機構に含まれる前記回折格子との間に設けられ,前記アレイ型ゲイン・チップの出射端面から出射される光を前記回折格子に向けて反射する,回転自在または平行移動自在の光路調整ミラーを備えている,
請求項1から3のいずれか一項に記載の外部共振器型半導体レーザ装置。 - 前記複数の活性層のそれぞれに独立に電流を注入するための電極を備えている,
請求項1から4のいずれか一項に記載の外部共振器型半導体レーザ装置。
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