JP5082918B2 - 光偏向器および光偏向機能付半導体レーザ - Google Patents

Description

本発明は、光を偏向する光偏向器、及びこの光偏向器を備えた光偏向機能付半導体レーザに関する。

従来、光を偏向するための技術として、ＰＮ接合を有する半導体薄片に電流注入する電極を複数設けて、各電極に大きさの異なる電流を注入して利得分布を生じさせることにより、半導体薄片の内部で発生した光の放出角度を変化させるものが知られている（例えば、特許文献１を参照）。

また、半導体レーザの活性層の活性領域から出射される光の出射方向側で活性領域と連ねて形成された光ガイド領域に電流注入する電極を複数設けて、各電極に大きさの異なる電流を注入して、光ガイド領域内において屈折率分布を生じさせることにより、活性領域から光ガイド領域を介して放出される光の放出角度を変化させるものが知られている（例えば、特許文献２を参照）。

このような光偏向技術では、光を偏向するために機械的な駆動機構が不要となるために、可動式ミラーを用いて光を偏向する方式と比較して、光偏向器の小型化が容易であるという利点がある。
特開昭５３−３９１４２号公報 特開昭６３−１７７４９０号公報

しかし特許文献１に記載の技術では、各電極に注入する電流の比により偏向角を制御するために厳密な電流制御が必要となるという問題や、利得自体を変動させるために発光強度、電流値および発熱等により発光パターンが変化し、偏向角制御が不安定になるという問題がある。

また特許文献２に記載の技術では、屈折率変化を用いているために偏向角制御が不安定になり易く、厳密な偏向角制御が困難であるという問題がある。
本発明は、こうした問題に鑑みなされたものであり、光の偏向角制御を容易にする技術を提供することを目的とする。

上記目的を達成するためになされた請求項１に記載の光偏向器では、光吸収層を含む伝播領域を備え、光吸収層は、バンドギャップエネルギーが入射光のエネルギーより大きいバンドギャップを有する。すなわち、光吸収層が吸収することができる光の波長（以下、吸収波長ともいう）は、入射光の波長と比べて短くなっている。このため、光吸収層に電圧が印加されていない状態では、光吸収層に入射した入射光は光吸収層を透過する。一方、光吸収層は、逆バイアスが印加されると、電界吸収効果によって、入射光を吸収する。

また光吸収層には、逆バイアスを印加するための電圧印加領域が形成されている。このため、電圧印加領域に逆バイアスを印加することにより、電圧印加領域に入射する入射光を吸収することができる。

そして電圧印加領域は、入射光が入射する方向に対して垂直な方向である入射垂直方向に沿って一定の所定配置周期で形成されている。このため、入射垂直方向に沿って、光吸収層に入射する入射光を吸収する領域（以下、吸収領域ともいう）と、光吸収層に入射する入射光を透過する領域（以下、透過領域ともいう）とを交互に形成することができる。すなわち、入射垂直方向に沿って回折格子を形成することができる。なお、複数の電圧印加領域のうちで、逆バイアスを印加する領域を選択することで、上記回折格子の周期（以下、回折格子周期ともいう）を変えることができる。例えば、上記所定配置周期をＬとして、全ての電圧印加領域に逆バイアスを印加すると回折格子周期はＬであり、入射垂直方向に沿って逆バイアスの印加の有無を交互に切り換えると回折格子周期は２Ｌである。このため、電圧印加の有無により、光吸収層の電界吸収効果によって、一定周期で入射光を吸収させることにより、一定周期の透過領域を透過した光を回折、干渉することによって、出射角度を制御することができる。

そして、光吸収層に入射した入射光のうち、各透過領域から出射した光は干渉し合い、上記回折格子周期に応じた出射角度θをもって強めあう。なお出射角度θは、入射光の波長をλ、回折格子周期をｄとして、式（１）で算出することができる。

ｄ・ｓｉｎθ ＝ｎ・λ （ｎは整数） ・・・（１）
したがって、逆バイアスを印加する電圧印加領域を選択して回折格子周期ｄを設定することによって、すなわち、電圧印加領域への電圧印加の有無によって、出射角度θを一意に制御することができるため、特許文献１，２に記載の技術と比較して、光の偏向角制御を容易にすることができる。

また請求項１に記載の光偏向器では、請求項２に記載のように、導電性の第１クラッド層と、第１クラッド層と同一の屈折率を有し、且つ、第１クラッド層と逆の導電型または半絶縁性を有する第２クラッド層とが入射垂直方向に沿って所定配置周期で交互に配置されることにより形成されるクラッド層領域を備え、電圧印加領域は、第１クラッド層であるようにするとよい。

このように構成された光偏向器によれば、第１クラッド層が導電性であり、さらに第２クラッド層が第１クラッド層と逆の導電型または半絶縁性であるので、電圧印加領域である第１クラッド層に印加された電圧が電圧印加領域外の領域に影響を及ぼすことを抑制することができる。さらに、第１クラッド層と第２クラッド層とが同一の屈折率を有しているので、第１クラッド層と第２クラッド層との界面を通過する光が屈折して、光の伝播方向が変化してしまうことを防止することができる。

また請求項２に記載の光偏向器では、請求項３に記載のように、複数の第１クラッド層はそれぞれ、他の第１クラッド層に対して電気的に独立しているようにするとよい。
このように構成された光偏向器によれば、逆バイアスを印加する第１クラッド層を選択して回折格子周期ｄを設定することにより、出射角度θを設定することができる。

また請求項３に記載の光偏向器では、請求項４に記載のように、第１クラッド層には、第１クラッド層に逆バイアスを印加するための第１印加用電極が形成され、光吸収層を挟んで第１クラッド層と反対側には、複数の第１印加用電極ごとに、第１印加用電極に対向する第２印加用電極が形成されるようにするとよい。

このように構成された光偏向器によれば、光吸収層を挟んで第１クラッド層と反対側において第１印加用電極に対向する領域だけでなく第１印加用電極と非対向となる領域にも印加用電極が形成されている場合と比較して、電圧印加領域である第１クラッド層に印加された電圧が電圧印加領域外の領域に影響を及ぼすことを抑制することができる。

また請求項２に記載の光偏向器では、請求項５に記載のように、複数の前記第１クラッド層はそれぞれ、他の第１クラッド層と電気的に接続されているようにしてもよい。
このように構成された光偏向器によれば、電圧印加領域である第１クラッド層の全てに同時に逆バイアスが印加されるので、上記回折格子周期は所定配置周期に固定される。したがって、電圧印加領域に逆バイアスが印加されていない場合には、入射光の入射方向と同じ方向で、光吸収層から光が出射される。そして、電圧印加領域に逆バイアスが印加された場合には、所定配置周期をＬとして、式（２）で算出される出射角度θで、光吸収層から光が出射される。

Ｌ・ｓｉｎθ ＝ｎ・λ （ｎは整数） ・・・（２）
すなわち、光吸収層から光が出射する方向を、電圧印加領域への逆バイアス印加の有無に応じて２通り設定することができる。

また請求項１〜請求項５の何れかに記載の光偏向器では、請求項６に記載のように、入射垂直方向に沿った第１クラッド層の長さは、入射垂直方向に沿った第２クラッド層の長さよりも小さいようにするとよい。

このように構成された光偏向器によれば、上記の吸収領域を上記の透過領域より狭くすることができる。これにより、入射垂直方向に沿った第１クラッド層の長さが、入射垂直方向に沿った第２クラッド層の長さよりも大きい場合、即ち、吸収領域が透過領域より広い場合と比較して、多くの入射光を光吸収層から出射させることができ、入射光を有効に利用することができる。

ところで、回折格子周期ｄは、式（１）に基づいて、式（３）で表される。
ｄ ＝ ｎ・λ／ｓｉｎθ（ｎは整数） ・・・（３）
このため、「ｎ＝１」の場合には、回折格子周期ｄは、式（４）で表される。

ｄ ＝ λ／ｓｉｎθ ・・・（４）
そして、ｓｉｎθは１以下であるので、式（５）の関係式で表される。
ｄ ≧ λ ・・・（５）
したがって、請求項１〜請求項６の何れかに記載の光偏向器では、請求項７に記載のように、所定配置周期は、入射光の波長よりも長いようにするとよい。

また請求項１〜請求項７の何れかに記載の光偏向器では、請求項６に記載のように、光吸収層は、量子井戸層とバリア層とが交互に積層された多重量子井戸構造により形成されているようにするとよい。

このように構成された光偏向器によれば、上記の吸収波長を、量子井戸層の厚さや材料によって設定することができる。
また請求項８に記載の光偏向機能付半導体レーザは、請求項１〜請求項７の何れかに記載の光偏向器と、半導体レーザとが同一基板上に形成されていることを特徴とする。

このように構成された光偏向機能付半導体レーザによれば、光偏向器と半導体レーザとを一体的に製造することができるので、光偏向器と半導体レーザとを別々に製造した後に組み合わせる場合と比較して、光偏向機能付半導体レーザをより小型化することが可能となる。

また請求項９に記載の光偏向機能付半導体レーザでは、請求項１０に記載のように、半導体レーザの活性層は、量子井戸層とバリア層とが交互に積層された多重量子井戸構造により形成されているようにするとよい。

このように構成された光偏向機能付半導体レーザによれば、半導体レーザが発生させる光の波長を、量子井戸層の厚さや材料によって設定することができる。
また請求項１０に記載の光偏向機能付半導体レーザでは、請求項１１に記載のように、光吸収層は、量子井戸層とバリア層とが交互に積層された多重量子井戸構造により形成され、光吸収層の量子井戸層の厚さは、活性層の量子井戸層の厚さより薄いようにするとよい。

このように構成された光偏向機能付半導体レーザでは、光吸収層のバンドギャップエネルギーが、活性層のバンドギャップエネルギーより大きい。これにより光吸収層を、バンドギャップエネルギーが、半導体レーザが発生させる光のエネルギーより大きいバンドギャップを有するものとすることができる。

また請求項９〜請求項１１の何れかに記載の光偏向機能付半導体レーザでは、請求項１２に記載のように、半導体レーザは、入射光が入射する方向に沿って、入射光の波長に応じた周期の回折格子を有した分布帰還型レーザであるようにするとよい。

このように構成された光偏向機能付半導体レーザでは、半導体レーザが分布帰還型レーザであるので、半導体レーザの活性層で発生した光を回折格子で繰り返し反射させることでレーザ発振させることができる。これにより、活性層で発生した光を反射させるためのミラーを不要とすることができる。

（第１実施形態）
以下に本発明の第１実施形態について図面とともに説明する。
図１は本発明が適用された第１実施形態の光偏向機能付半導体レーザ１の斜視図、図２（ａ）は図１のＡ−Ａ断面図、図２（ｂ）は図１のＢ−Ｂ断面図である。

光偏向機能付半導体レーザ１は、図１に示すように、レーザ光を出射するレーザ部２と、レーザ部２がレーザ光を出射する側でレーザ部２に隣接して配置されて、レーザ部２から出射されたレーザ光を偏向する光偏向部３とを備える。

まずレーザ部２は、図２（ａ）に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板１１上に、ｎ−ＡｌＧａＡｓからなるｎ型クラッド層１２、ｎ−ＡｌＧａＡｓからなるｎ型ガイド層１３、ＧａＡｓからなる量子井戸層１４ａとＡｌＧａＡｓからなるバリア層１４ｂとが交互に積層された多重量子井戸層１４、ｐ−ＡｌＧａＡｓからなるｐ型ガイド層１５、ｐ−ＡｌＧａＡｓからなるｐ型クラッド層１６、ｐ−ＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層１７が順次積層されて構成されている。なお上記の各層１２〜１７は、ＭＯＶＰＥ法（Metal Organic Vapor Phase Epitaxy）等により形成される。

さらに、コンタクト層１７上にはＣｒ／Ｐｔ／Ａｕからなるｐ型電極１８が、ｎ−ＧａＡｓ基板１１の下面にはＡｕ―Ｇｅ／Ｎｉ／Ａｕからなるｎ型電極１９が形成される。
なお、ｐ型ガイド層１５には、レーザ部２で発生する光が伝播する方向Ｄ１（図１を参照）に沿って周期的な凹凸（不図示）が形成されており、この凹凸が回折格子として機能する。これにより、レーザ部２で発生する光のうち、回折格子の間隔に対応した波長の光が共振し、レーザ部２からレーザ光として出射される。すなわち、レーザ部２は分布帰還型（ＤＦＢ型）レーザを構成している。

次に光偏向部３は、図２（ｂ）に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板１１上に、ｎ−ＡｌＧａＡｓからなるｎ型クラッド層２２、ｎ−ＡｌＧａＡｓからなるｎ型ガイド層２３、ＧａＡｓからなる量子井戸層２４ａとＡｌＧａＡｓからなるバリア層２４ｂとが交互に積層された多重量子井戸層２４、ｐ−ＡｌＧａＡｓからなるｐ型ガイド層２５、ｐ−ＡｌＧａＡｓからなるｐ型クラッド層２６、ｐ−ＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層２７が順次積層されて構成されている。なお上記の各層２２〜２７は、ＭＯＶＰＥ法（Metal Organic Vapor Phase Epitaxy）等により形成される。なお、多重量子井戸層２４は多重量子井戸層１４と対向するように配置されている。また量子井戸層２４ａの厚さは、量子井戸層１４ａの厚さより薄くなるように設定されている。本実施形態では例えば、量子井戸層１４ａの厚さの厚さは８ｎｍ、量子井戸層２４ａの厚さは６ｎｍである。

さらに、コンタクト層２７上にはＣｒ／Ｐｔ／Ａｕからなるｐ型電極２８が形成される。
なおｐ型電極２８は、図１に示すように、レーザ光が入射する方向Ｄ１（以下、レーザ光入射方向Ｄ１という）に向かって延びる形状に形成され、レーザ光入射方向Ｄ１に対して垂直な方向Ｄ２に沿って一定の所定配置間隔Ｇ１で複数配置される。

そして図２（ｂ）に示すように、ｐ型クラッド層２６及びｐ型コンタクト層２７において、その上方にｐ型電極２８が形成されていない領域は、エッチングにより除去され、ｐ型クラッド層２６と同一の屈折率を有する半絶縁性クラッド層２９が埋め込まれる。

なお、ｐ型クラッド層２６の幅Ｗ１は、半絶縁性クラッド層２９の幅Ｗ２より小さくなるように設定されている。
このように構成された光偏向機能付半導体レーザ１では、ｐ型電極１８に順バイアスを印加することによりレーザ部２がレーザ光を出射する。

また光偏向部３の多重量子井戸層２４は、量子井戸層２４ａの厚さが量子井戸層１４ａの厚さより薄いので、レーザ部２から入射する光（以下、単に入射光という）のエネルギーより大きいバンドギャップを有する。すなわち、多重量子井戸層２４が吸収することができる光の波長（以下、吸収波長ともいう）は、入射光の波長と比べて短くなっている。このため、多重量子井戸層２４に電圧が印加されていない状態では、多重量子井戸層２４に入射した入射光は多重量子井戸層２４を透過する。一方、多重量子井戸層２４は、逆バイアスが印加されると、電界吸収効果によって、入射光を吸収する。

また光偏向部３の多重量子井戸層２４の上方には、逆バイアスを印加するためのｐ型クラッド層２６が形成されている。このため、ｐ型クラッド層２６に逆バイアスを印加することにより、逆バイアスが印加されたｐ型クラッド層２６の直下の多重量子井戸層２４に入射する入射光を吸収することができる。そしてｐ型クラッド層２６は、レーザ光入射方向Ｄ１に対して垂直な方向Ｄ２（以下、入射垂直方向Ｄ２ともいう）に沿って一定の所定配置間隔Ｇ１で形成されている。このため、多重量子井戸層２４に入射する入射光を吸収する領域（以下、吸収領域ともいう）と、多重量子井戸層２４に入射する入射光を透過する領域（以下、透過領域ともいう）とを入射垂直方向Ｄ２に沿って交互に形成することができる。すなわち、入射垂直方向Ｄ２に沿って回折格子を形成することができる。なお、複数のｐ型電極２８のうちで、逆バイアスを印加するｐ型クラッド層２６を選択することで、上記回折格子の間隔（以下、回折格子間隔ともいう）を変えることができる。

そして、多重量子井戸層２４に入射した入射光のうち、各透過領域から出射した光は干渉し合い、上記回折格子間隔に応じた出射角度θをもって強めあう。なお出射角度θは、入射光の波長をλ、回折格子間隔をｄとして、上式（１）で算出することができる。

したがって、逆バイアスを印加するｐ型クラッド層２６を選択して回折格子間隔ｄを設定することによって、すなわち、ｐ型クラッド層２６への電圧印加の有無によって、出射角度θを一意に制御することができるため、特許文献１，２に記載の技術と比較して、光の偏向角制御を容易にすることができる。

また、多重量子井戸層２４の上方には、導電性のｐ型クラッド層２６と、第１クラッド層と同一の屈折率を有し、且つ、半絶縁性クラッド層２９とが入射垂直方向Ｄ２に沿って所定配置間隔Ｇ１で交互に配置されることにより形成される領域（以下、クラッド層領域ともいう）を備え、ｐ型クラッド層２６に逆バイアスが印加される。これにより、ｐ型クラッド層２６に印加された電圧が、ｐ型クラッド層２６の直下以外の領域に影響を及ぼすことを抑制することができる。さらに、ｐ型クラッド層２６と半絶縁性クラッド層２９とが同一の屈折率を有しているので、ｐ型クラッド層２６と半絶縁性クラッド層２９との界面を通過する光が屈折して、光の伝播方向が変化してしまうことを防止することができる。

また、複数のｐ型クラッド層２６はそれぞれ、他のｐ型クラッド層２６に対して電気的に独立している。これにより、逆バイアスを印加するｐ型クラッド層２６を選択して回折格子間隔ｄを設定することにより、出射角度θを設定することができる。

また、ｐ型クラッド層２６の幅Ｗ１は半絶縁性クラッド層２９の幅Ｗ２より狭いため、上記の吸収領域が上記の透過領域より狭い。これにより、吸収領域が透過領域より広い場合と比較して、多くの入射光を光偏向部３から出射させることができ、入射光を有効に利用することができる。

また多重量子井戸層２４は、量子井戸層２４ａとバリア層２４ｂとが交互に積層された多重量子井戸構造により形成されている。これにより、上記の吸収波長を、量子井戸層２４ａの厚さや材料によって設定することができる。

また光偏向機能付半導体レーザ１は、レーザ部２と光偏向部３とが同一基板１１上に形成されている。これにより、レーザ部２と光偏向部３とを一体的に製造することができるので、レーザ部２と光偏向部３とを別々に製造した後に組み合わせる場合と比較して、光偏向機能付半導体レーザ１をより小型化することが可能となる。

また多重量子井戸層１４は、量子井戸層１４ａとバリア層１４ｂとが交互に積層された多重量子井戸構造により形成されている。これにより、レーザ部２が発生させる光の波長を、量子井戸層１４ａの厚さや材料によって設定することができる。

またレーザ部２は分布帰還型（ＤＦＢ型）レーザを構成している。これにより、多重量子井戸層１４で発生した光を反射させるためのミラーを不要とすることができる。
以上説明した実施形態において、光偏向部３は本発明における光偏向器、多重量子井戸層２４は本発明における光吸収層、ｐ型クラッド層２６及びｐ型電極２８は本発明における電圧印加領域、ｐ型クラッド層２６及び半絶縁性クラッド層２９は本発明におけるクラッド層領域、ｐ型クラッド層２６は本発明における第１クラッド層、半絶縁性クラッド層２９は本発明における第２クラッド層、ｐ型電極２８は本発明における第１印加用電極である。

（第２実施形態）
以下に本発明の第２実施形態について図面とともに説明する。尚、第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分のみを説明する。

第２実施形態の光偏向機能付半導体レーザ１は、光偏向部３の構成が変更された点以外は第１実施形態と同じである。図３は第２実施形態の光偏向機能付半導体レーザ１の斜視図、図４は図３のＢ−Ｂ断面図である。

光偏向部３は、図３及び図４に示すように、ｐ型電極２８の代わりにｐ型電極３８が形成されている点以外は第１実施形態と同じである。ｐ型電極３８は、ｐ型コンタクト層２７及び半絶縁性クラッド層２９の上面全体を覆うように形成される。

このように構成された光偏向機能付半導体レーザ１では、ｐ型クラッド層２６の全てに同時に逆バイアスが印加されるので、回折格子間隔ｄは所定配置間隔Ｇ１に固定される。したがって、ｐ型電極３８に逆バイアスが印加されていない場合には、入射光の入射方向（レーザ光入射方向Ｄ１）と同じ方向で、光偏向部３から光が出射される。そして、ｐ型電極３８に逆バイアスが印加された場合には、式（６）で算出される出射角度θで、光吸収層から光が出射される。

Ｇ１・ｓｉｎθ ＝ｎ・λ （ｎは整数） ・・・（６）
すなわち、光吸収層から光が出射する方向を、ｐ型電極３８への逆バイアス印加の有無に応じて２通り設定することができる。またｐ型電極３８は、ｐ型電極２８と異なり、狭い間隔で配置される細い形状のパターンを複数形成する必要がないので、製造プロセスを簡単にすることができる。

以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の形態を採ることができる。
例えば、上記実施形態においては、ｐ型クラッド層２６及びｐ型コンタクト層２７においてｐ型電極２８が形成されていない領域に半絶縁性クラッド層２９が埋め込まれるものを示したが、半絶縁性クラッド層２９の代わりにｎ型クラッド層が埋め込まれるものであってもよい。

また上記実施形態においては、ｎ−ＧａＡｓ基板１１の下面全体を覆うようにｎ型電極１９が形成されているものを示したが、図５に示すように、ｐ型電極１８に対向する領域にｎ型電極３９が形成されるようにしてもよい。これにより、ｎ型電極１９が形成されている場合と比較して、ｐ型クラッド層２６に印加された電圧が、ｐ型クラッド層２６の直下以外の領域に影響を及ぼすことを抑制することができる。なお、ｎ型電極３９は本発明における第２印加用電極である。

第１実施形態の光偏向機能付半導体レーザ１の斜視図である。 第１実施形態のレーザ部２及び光偏向部３の断面図である。 第２実施形態の光偏向機能付半導体レーザ１の斜視図である。 第２実施形態の光偏向部３の断面図である。 別の実施形態の光偏向部３の断面図である。

符号の説明

１…光偏向機能付半導体レーザ、２…レーザ部、３…光偏向部、１１…ｎ−ＧａＡｓ基板、１２，２２…ｎ型クラッド層、１３，２３…ｎ型ガイド層、１４，２４…多重量子井戸層、１４ａ，２４ａ…量子井戸層、１４ｂ，２４ｂ…バリア層、１５，２５…ｐ型ガイド層、１６，２６…ｐ型クラッド層、１７，２７…ｐ型コンタクト層、１８，２８，３８…ｐ型電極、１９，３９…ｎ型電極、２９…半絶縁性クラッド層

Claims (12)

1. 入射光の伝播方向を変更する光偏向器であって、
   バンドギャップエネルギーが前記入射光のエネルギーより大きいバンドギャップを有するともに、逆バイアスが印加されることにより前記入射光を吸収することができる光吸収層を含む伝播領域を備え、
   前記光吸収層には、前記入射光が入射する方向に対して垂直な方向である入射垂直方向に沿って一定の所定配置周期で、前記逆バイアスを印加するための電圧印加領域が形成されており、電圧印加の有無により、前記光吸収層の電界吸収効果によって、一定周期で入射光を吸収させることにより、一定周期の透過領域を透過した光を回折、干渉することによって、出射角度を制御する
   ことを特徴とする光偏向器。
2. 導電性の第１クラッド層と、前記第１クラッド層と同一の屈折率を有し、且つ、前記第１クラッド層と逆の導電型または半絶縁性を有する第２クラッド層とが前記入射垂直方向に沿って前記所定配置周期で交互に配置されることにより形成されるクラッド層領域を備え、
   前記電圧印加領域は、前記第１クラッド層である
   ことを特徴とする請求項１に記載の光偏向器。
3. 複数の前記第１クラッド層はそれぞれ、他の前記第１クラッド層に対して電気的に独立している
   ことを特徴とする請求項２に記載の光偏向器。
4. 前記第１クラッド層には、該第１クラッド層に前記逆バイアスを印加するための第１印加用電極が形成され、
   前記光吸収層を挟んで前記第１クラッド層と反対側には、複数の前記第１印加用電極ごとに、該第１印加用電極に対向する第２印加用電極が形成される
   ことを特徴とする請求項３に記載の光偏向器。
5. 複数の前記第１クラッド層はそれぞれ、他の前記第１クラッド層と電気的に接続されている
   ことを特徴とする請求項２に記載の光偏向器。
6. 前記入射垂直方向に沿った前記第１クラッド層の長さは、前記入射垂直方向に沿った前記第２クラッド層の長さよりも小さい
   ことを特徴とする請求項１〜請求項５の何れかに記載の光偏向器。
7. 前記所定配置周期は、前記入射光の波長よりも長い
   ことを特徴とする請求項１〜請求項６の何れかに記載の光偏向器。
8. 前記光吸収層は、量子井戸層とバリア層とが交互に積層された多重量子井戸構造により形成されている
   ことを特徴とする請求項１〜請求項７の何れかに記載の光偏向器。
9. 請求項１〜請求項７の何れかに記載の光偏向器と、半導体レーザとが同一基板上に形成されている
   ことを特徴とする光偏向機能付半導体レーザ。
10. 前記半導体レーザの活性層は、量子井戸層とバリア層とが交互に積層された多重量子井戸構造により形成されている
    ことを特徴とする請求項９に記載の光偏向機能付半導体レーザ。
11. 前記光吸収層は、量子井戸層とバリア層とが交互に積層された多重量子井戸構造により形成され、
    前記光吸収層の量子井戸層の厚さは、前記活性層の量子井戸層の厚さより薄い
    ことを特徴とする請求項１０に記載の光偏向機能付半導体レーザ。
12. 前記半導体レーザは、
    前記入射光が入射する方向に沿って、前記入射光の波長に応じた周期の回折格子を有した分布帰還型レーザである
    ことを特徴とする請求項９〜請求項１１の何れかに記載の光偏向機能付半導体レーザ。

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