JP5035018B2 - 半導体レーザ素子 - Google Patents
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また請求項1〜請求項4の何れかに記載の半導体レーザ素子では、請求項5に記載のように、共振方向の数が2つであるようにしてもよい。このように構成された半導体レーザ素子では、共振方向が1つである半導体レーザ素子のレーザ光を増加させる場合に、増加させるレーザ光が1つのみであるので、レーザ光を増加させるための製造プロセスを、レーザ光を2つ以上増加させる場合と比較して簡単にすることができる。
なお、半導体レーザ素子の半導体層は一般に略矩形状に形成されているので、請求項5に記載の半導体レーザ素子のように、共振方向の数が2つである場合には、請求項6に記載のように、反射層は、半導体層の矩形状の4辺を構成する4つの端面の全てに配置されるようにするとよい。これにより、半導体層の矩形状の4辺に平行な2つの方向を共振方向とすることができる。
以下に本発明の第1実施形態について図面とともに説明する。
図1は本発明が適用された第1実施形態の半導体レーザ素子1の斜視図、図2(a)は図1のA−A断面部を示す図、図2(b)は半導体レーザ素子1の平面図である。
また、正方形状の半導体層2の4辺を構成する4つの端面2c,2d,2e,2fにはそれぞれ、反射層5c,5d,5e,5fが形成されている。なお、電極3a,3cが近接している端面が端面2c、電極3a,3bが近接している端面が端面2d、電極3b,3dが近接している端面が端面2e、電極3c,3dが近接している端面が端面2fである。
(第2実施形態)
以下に本発明の第2実施形態について図面とともに説明する。尚、第2実施形態では、第1実施形態と異なる部分のみを説明する。
次に反射層6cは、図5(a)に示すように、端面2c上に、膜厚117nmのAl2O3層51、膜厚120nmのa−Si層52、膜厚117nmのAl2O3層53、膜厚120nmのa−Si層54が順次積層されて構成されている。これにより反射層6cは、波長780nmの光に対して低反射率(反射率6%)で波長658nmの光に対して高反射率(反射率94%)となる。
(第3実施形態)
以下に本発明の第3実施形態について図面とともに説明する。尚、第3実施形態では、第1実施形態と異なる部分のみを説明する。
次に反射層7cは、図7(a)に示すように、端面2c上に、膜厚170nmのAl2O3層101、膜厚140nmのa−Si層102、膜厚170nmのAl2O3層103、膜厚140nmのa−Si層104が順次積層されて構成されている。これにより反射層7cは、波長808nmの光に対して高反射率(反射率91%)で波長980nmの光に対して低反射率(反射率8%)となる。
以上説明した実施形態において、多重量子井戸層83及び多重量子井戸層93は本発明における発光層である。
例えば上記実施形態においては、半導体レーザ素子1及び電極3の形状が正方形であり、電極3を縦2列・横2列に整列して配置したものを示した。しかし、電流注入領域を変化させることで共振方向を変化させることができるものであれば、半導体レーザ素子1及び電極3の形状や電極3の配列は、上記のものに限定されない。
Claims (6)
- 電流が注入されることにより光を発生する発光層を含む半導体層と、
前記発光層に電流を注入するために前記半導体層の上下に設けられる電流注入用電極と、
前記発光層で発生した光を共振させるために前記半導体層の端部に配置される反射層と
を有する半導体レーザ素子であって、
前記反射層は、前記発光層で発生した光の共振方向が複数設けられるように、前記半導体層の端面に配置され、
前記半導体層の上方および下方に設けられる前記電流注入用電極のうち少なくとも前記発光層に近い前記電流注入用電極は、前記複数の共振方向のそれぞれについて、該共振方向に沿って分割されて配置されるとともに、
前記共振方向に沿って延びて前記複数の電流注入用電極のうち少なくとも1つを通る直線を共振方向電極通過線とし、
分割されている前記複数の電流注入用電極のうち少なくとも1つの前記電流注入用電極は、前記共振方向が異なる2つの前記共振方向電極通過線が交差する点と重なるように配置され、
前記半導体層は、複数の前記発光層を積層して構成される
ことを特徴とする半導体レーザ素子。 - 前記複数の発光層はそれぞれ、
発生する光の波長が、他の前記発光層から発生する光の波長と異なる
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ素子。 - 複数の前記発光層から発生する光はそれぞれ、異なる前記端部から出射される
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体レーザ素子。 - 前記複数の共振方向のそれぞれについて、該共振方向に沿って対向している1対の前記反射層は、
一方の反射層が、複数の前記発光層から発生する光のうちの1つの光の波長に対してのみ低反射率であるとともに他方の反射層が、前記一方の反射層が低反射率である波長に対して高反射率であり、
さらに、他の一対の反射層とは、一方の反射層で低反射率とし他方の反射層で高反射率とする光の波長が異なる
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体レーザ素子。 - 前記共振方向の数が2つであることを特徴とする請求項1〜請求項4の何れかに記載の半導体レーザ素子。
- 前記半導体層は略矩形状であり、
前記反射層は、前記半導体層の矩形状の4辺を構成する4つの端面の全てに配置される
ことを特徴とする請求項5に記載の半導体レーザ素子。
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