JPWO2008029892A1 - レーザ光源、面光源及び液晶表示装置 - Google Patents

レーザ光源、面光源及び液晶表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2008029892A1
JPWO2008029892A1 JP2008533204A JP2008533204A JPWO2008029892A1 JP WO2008029892 A1 JPWO2008029892 A1 JP WO2008029892A1 JP 2008533204 A JP2008533204 A JP 2008533204A JP 2008533204 A JP2008533204 A JP 2008533204A JP WO2008029892 A1 JPWO2008029892 A1 JP WO2008029892A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
light source
laser light
light
high frequency
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008533204A
Other languages
English (en)
Inventor
木村 俊介
俊介 木村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
Publication of JPWO2008029892A1 publication Critical patent/JPWO2008029892A1/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14External cavity lasers
    • H01S5/141External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0013Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide
    • G02B6/0023Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed between the light guide and the light source, or around the light source
    • G02B6/0026Wavelength selective element, sheet or layer, e.g. filter or grating
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • G02F1/133602Direct backlight
    • G02F1/133611Direct backlight including means for improving the brightness uniformity
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/005Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/04Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0427Electrical excitation ; Circuits therefor for applying modulation to the laser
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/062Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
    • H01S5/06226Modulation at ultra-high frequencies
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/065Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; Self pulsating
    • H01S5/0651Mode control
    • H01S5/0652Coherence lowering or collapse, e.g. multimode emission by additional input or modulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/065Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; Self pulsating
    • H01S5/0657Mode locking, i.e. generation of pulses at a frequency corresponding to a roundtrip in the cavity
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1092Multi-wavelength lasing
    • H01S5/1096Multi-wavelength lasing in a single cavity

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

本発明は、高周波を重畳した駆動電流により発光素子101を駆動し、その出射光を波長依存性を有する偏光素子102に入射させるものである。偏光素子102は入射されたレーザ光出力を波長毎に異なる方向に出射するので、偏光素子を射出するときのレーザ光の広がり角を変化させることができ、スペックルを減少させることができる。

Description

本発明は、液晶プロジェクターや液晶ディスプレイ等の液晶表示装置の液晶パネルをその背面から照明するバックライト用のレーザ光源に関する。
液晶プロジェクターの光源として、メタルハライドランプや水銀ランプが主として使われている。また、液晶パネルの背面にはバックライトが配置される。表示パネルに出力された画像は、このバックライトからの光によって視認できるようになる。バックライトは、インバータによって駆動される冷陰極線管(CCFT:Cold Cathode Fluorescent Tube)が広く使われている。
より色再現領域を広げ、起動時間を短縮し、高効率な光源として、近年、白色LED(light emitting diode)やレーザが使われるようになってきた。
レーザは、偏光方向が揃っており、電光変換効率などの基本性能も高いため、小さな領域から大きな光出力を取り出すことが可能である。また、LEDよりも色再現性が高い。レーザは、効率が良く高品質なシステムが構築できるため、理想的な点光源である。
しかし、レーザの光は、光子の位相とエネルギーが揃っていることから、干渉性が強く、レーザで照明された領域(以下「照明領域」という)を観察すると明るさにムラが発生してしまう。この現象はスペックル(speckle)と呼ばれる。
スペックルを減少させる方法として、レーザを含む光学系を機械的に振動させる方法が知られている。特許文献1には、入射光を散乱させる散乱板をレーザ光の光路上に配置し、散乱板を振動させることにより、光路を変動させる露光照明装置が開示されている。これにより、照明領域の光強度分布を変動させ、スペックルを減少させる。
特開平07−297111号公報
しかしながら、このような従来の散乱板を機械的に振動させる装置にあっては、装置が大きくなるという問題がある。また、振動する部分の疲労を考えると寿命の問題もある。
機械的な振動に依らなくても、レーザ光の経路を変化させることができればスペックルを減少させることができる。
本発明の目的は、機械的な振動に依らずにスペックルを減少させることができるレーザ光源、面光源、及び液晶表示装置を提供することである。
本発明のレーザ光源は、レーザ光を発光する発光素子と、前記発光素子から射出するレーザ光を波長に応じて異なる角度で屈折もしくは反射させる波長依存性を有する偏向素子と、直流電流に高周波を重畳した駆動電流により前記発光素子を駆動する駆動回路とを備える構成を採る。
本発明の面光源は、上記レーザ光源と、偏向素子から出射するレーザ光を入射して面状の光を出射する導光板とを備える構成を採る。
本発明の液晶表示装置は、上記面光源と、面光源により背面から照明される液晶パネルとを備える構成を採る。
本発明によれば、高周波を重畳した駆動電流によりレーザ光の発光素子を駆動し、偏向素子は入射されたレーザ光出力を異なる方向に出射するので、偏向素子を射出するときのレーザ光の広がり角を変化させることができ、レーザ光が振動しているような効果を与えることができる。したがって、散乱板等を機械的に振動させることなく、スペックルを減少させることができる。
本発明の実施の形態1に係るレーザ光源の構成を示す図 本実施の形態に係るレーザ光源の半導体レーザ及びレーザ駆動回路の具体的構成を示す回路図 本実施の形態に係るレーザ光源のレーザ素子の光出力分布を示す図 本実施の形態に係るレーザ光源の半導体レーザの光出力分布を示す縦モード波形図 本実施の形態に係るレーザ光源のレーザ駆動回路が発生する直流電流を用いた駆動波形を示す図 本実施の形態に係るレーザ光源の直流電流の駆動波形で半導体レーザを駆動したときの半導体レーザからのレーザ光の波長分布を示す概念図 本実施の形態に係るレーザ光源の半導体レーザから射出したレーザ光が回折素子で屈折する様子を示す図 本実施の形態に係るレーザ光源のレーザ駆動回路が発生する高周波重畳した駆動波形を示す図 図8に示す駆動波形で半導体レーザを駆動したときの半導体レーザからのレーザ光の波長分布を示す概念図 図9の波長分布のレーザ光が回折素子に入射したときの、回折素子から射出されるレーザ光の角度分布を示す図 本発明の実施の形態2に係るレーザ光源のレーザ駆動回路が発生する高周波重畳した駆動波形を示す図 本発明の実施の形態3に係る面光源の構成を示す図 本実施の形態に係るレーザ光源の面光源を使用する液晶表示装置の構成を示す図
以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら説明する。
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1に係るレーザ光源の構成を示す図である。本実施の形態は、レーザ光源の発光素子として、半導体レーザに適用した例である。
図1において、レーザ光源100は、半導体レーザ101と、半導体レーザ101から出力されるレーザ光の光路上に所定角度を持って配置された回折素子102と、半導体レーザ101を電流により駆動するレーザ駆動回路103と、を備えて構成される。
半導体レーザ101は、例えば、AlGaInP系半導体レーザを使用し、方向、位相及び波長の揃ったレーザ光を射出する。半導体レーザ101は、駆動電流に対して直線的に増加し、駆動電流が臨界値(しきい値電流)を超えるとレーザ作用が始まり、電流が増加するにつれて光の出力が急速に増加する。
回折素子102は、微細な平行スリット又は平行溝を配列した光学素子であり、半導体レーザ101から入射するレーザ光を回折の効果により屈折させて透過する。回折素子102は、半導体レーザ101から入射されるレーザ光の波長が異なる場合には、入射されるレーザ光を波長ごとに異なる角度で屈折させる。回折素子102は、後述する高周波重畳によって半導体レーザ101の光の波長域が広がっているとき、半導体レーザ101からの光の各波長ごとに異なる角度で屈折して光の進行方向を分散させる。なお、回折素子102は、入射したレーザ光を屈折させて透過する透過型回折素子を用いているが、透過型に限定されるものではなく、反射型回折素子で構成してもよい。
レーザ駆動回路103は、直流電流に高周波の交流電流を重畳した電流を半導体レーザ101に供給して、半導体レーザ101を駆動する。半導体レーザ101の駆動電流に高周波を重ね合わせることを高周波重畳(HFCS:high frequency current superpose)と呼ぶ。本実施の形態では、200〜400MHz程度の高周波を重畳する。詳細については後述する。
図2は、上記半導体レーザ101及びレーザ駆動回路103の具体的構成を示す回路図である。
図2において、半導体レーザ101は、レーザ光を発光して射出するレーザ素子111と、レーザ素子111の光出力を検出するバックモニター受光素子112とから構成される。
レーザ素子111は、光パルス出力が例えば50W(パルス幅100ns)のレーザダイオードを用いる。バックモニター受光素子112は、レーザ素子111と同一パッケージ内に設置され、レーザ素子111の光出力を検出する。
レーザ駆動回路103は、APC(Automatic Power Control)回路131、ACカット用インダクタ132、電源133、発振回路134、及びインピーダンス整合回路135を備えて構成される。
APC回路131は、レーザ素子111に直流電流Iopを供給する。APC回路131は、バックモニター受光素子112の検出信号に基づいて、レーザ素子111の光出力が一定となるように直流電流Iopを制御する。
ACカット用インダクタ132は、APC回路131から出力される直流電流Iopの交流成分をカットする。
発振回路134は、電源133からの電源供給を受けて、直流電流Iopに重畳させる高周波信号を発生する。
インピーダンス整合回路135は、発振回路134により発生した高周波から直流成分をカットするとともに、発振回路134の出力インピーダンスを半導体レーザ101のインピーダンスに変換する。インピーダンス整合回路135は、発振回路134により発生した高周波信号から直流カットした交流電流Ioutを、APC回路131の直流電流Iopに出力する。
上記電源133、発振回路134、及びインピーダンス整合回路135は、直流電流Iopをレーザ素子111に供給するAPC回路131と並列に、高周波交流電流Ioutをレーザ素子111に供給する高周波重畳回路を構成する。
以上の構成において、APC回路131からの直流電流Iopに発振回路134からの高周波交流電流Ioutを重畳し、高周波重畳された駆動電流で半導体レーザ101のレーザ素子111を駆動する。レーザ素子111の光出力は、バックモニター受光素子112により検出され、検出信号はAPC回路131フィードバックされる。APC回路131は、レーザ素子111の光出力を一定になるように制御する。
半導体レーザ101は、駆動電流がしきい値電流を上回るとき、駆動電流の大きさに応じた強度で光を出力する。半導体レーザ101は、直流電流が供給されるとき、単一モードの状態で発振するシングルモードとなり、駆動電流に高周波が重ね合わされた高周波重畳の駆動電流が供給されるとき、複数のモードで発振するマルチモードとなる。なお、レーザ出力は、スペクトル領域にわたっていくつかの非常に接近した離散的な周波数成分(すなわち、非常に狭いスペクトル線)を持ち、この離散的な成分はモード(mode)と呼ばれる。軸モード(axial mode)又は縦モード(longitudinal mode)と呼ぶこともある。
以下、上述のように構成されたレーザ光源100の動作について説明する。
まず、半導体レーザ101の特性について説明する。
図3は、レーザ素子111の光出力分布を示す図であり、横軸にレーザ光の波長、縦軸にレーザ光出力を示した縦モード波形である。
図3Aに示す縦モード波形は、単一の波長モードでレーザ光出力が観測されるシングルモード、図3Bに示す縦モード波形は、多数の波長モードでレーザ光出力が観測されるマルチモードである。モードが立つ波長間隔は、レーザ素子111のサイズと、光出力の得られる波長(発振波長)で決まる。例えば、発振波長650nmでモード間隔は0.1nmである。
レーザ素子111のシングルモードをマルチモードにする方法には、レーザダイオードをストライプ構造とする方法、レーザ光出力の過渡特性を利用して光出力のパルス発振を発生させる自励パルセーション発生方法、高周波重畳による方法がある。前二方法は、いずれもレーザダイオードを構成的に工夫するものである。高周波重畳による方法は、レーザ光出力の過渡特性を利用する点では自励パルセーション発生方法と同様であるが、レーザ素子111には汎用のレーザダイオードを使用し、発振器を用いて高周波電流でレーザダイオードを駆動することでマルチモード特性を得る。
本実施の形態では、高周波重畳によるレーザ光出力の過渡特性を利用して半導体レーザ101のシングルモードをマルチモードにする方法を採る。
次に、高周波重畳によるレーザ光出力のマルチモード化について説明する。
前記図2において、APC回路131は、半導体レーザ101のレーザ素子111に直流電流Iopを供給する。APC回路131からの直流電流Iopをセロから徐々に上げていくと、半導体レーザ101の光出力は、発振開始電流Ith(図示略)から急に上昇し、直流電流Iopの増加に対して直線的に増加する。
一方、発振回路134は、電源133からの電源供給を受けて、直流電流Iopに重畳させる高周波信号を発生する。例えば、発振回路134により発生させる高周波交流電流Ioutの周波数を1GHz、250MHz、100MHzの正弦波とし、APC回路131からの直流電流Iopを発振開始電流Ithに合わせて一定とする。
発振回路134からの高周波交流電流Ioutは、APC回路131からの直流電流Iopに重畳する形となり、高周波交流電流Ioutの振幅は、直流電流Iopを基準にプラスマイナスに振れる。このため、半導体レーザ101の光出力は、デューティ50%でオン/オフすることとなり、そのときの高周波の周波数fに依存する本数の縦モードが発生する。すなわち、動作点である発振開始電流Ithにおいて、駆動電流に高周波パルスが重畳されると、多数の縦モードが発生する。この縦モードの本数は、重畳される高周波の周波数fに依存する。ここで着目する高周波の周波数fは、半導体レーザ101のレーザ光出力の過渡特性のうち、特に光出力立上がり時に、半導体レーザ101から連続して光が出力される時間(以下「オン時間」という)である。このオン時間が高周波の周波数fにより決定され、高周波の周波数fはまた、縦モード波形を決める。縦モードの中心波長とモードが立つ波長間隔は、温度変動を除くとレーザ素子111の組成とサイズで決まる。したがって、ある特性のレーザ素子111を用いたとすると、温度変動を無視すれば、高周波重畳による縦モード波形は、用いるレーザ素子111ごとに固有の形をとる。その縦モードの本数は、オン時間(周波数f)が短いほど多数となり、オン時間が長いとシングルモード(単一の波長モード)に近づくものの、縦モード波形の波長間隔が変わるものではない。このことから、ある特性のレーザ素子111において、最も多数の縦モードを発生させるオン時間、すなわち高周波重畳させる高周波の周波数fには最適な値があり、高周波重畳波形が最適なオン時間(周波数f)からずれるだけ縦モードの本数が減り、マルチモード化の実効が図れなくなる。
図2では、発振回路134は、発振開始電流Ithを動作点として、デューティ50%で駆動しているので、発振回路134からの高周波の周波数fからオン時間が決定される。
図4は、半導体レーザ101の光出力分布を示す縦モード波形図であり、横軸にレーザ光の波長、縦軸にレーザ光出力をとる。
図4Aは、オン時間が0.5ns(f=1GHz)の縦モード波形、図4Bは、オン時間が2ns(f=250MHz)の縦モード波形、図4Cは、オン時間が5ns(f=100MHz)の縦モード波形を示す。
図4に示すように、オン時間が0.5nsのとき、14本の縦モードが現れていたのが、オン時間が長くなるほど、縦モードの本数も減少し、オン時間5nsではほとんどシングルモードとなっている。また、シングルモードは、オン時間5ns以上では継続される。この現象は、半導体レーザ101の光出力立ち上がり時の過渡特性であり、シングルモードの半導体レーザ101でも立ち上がり初期はマルチモードで発振し、縦モード波形も本来のシングルモードに収束する。したがって、半導体レーザ101の立ち上がり初期の状態を連続させることができれば、シングルモードの半導体レーザ101をマルチモード化させることができる。本実施の形態では、図2の発振回路134の高周波の周波数を数百MHzにして、APC回路131の直流電流Iopに重畳することで、半導体レーザ101の光出力立ち上がり時に、発振開始電流Ithを動作点として直流電流Iopを高周波重畳によりプラスマイナスに振り、光出力立ち上がり時の過渡特性によりマルチモードを継続する。
次に、レーザ駆動回路103が発生する駆動波形と半導体レーザ101から発生する光の波長分布と回折素子102から射出するレーザ光の角度分布について説明する。
図5は、レーザ駆動回路103が発生する直流電流を用いた駆動波形を示す図である。この直流電流は、半導体レーザ101のしきい値電流よりも高い直流電流である。図2の回路構成では、APC回路131が、半導体レーザ101のレーザ素子111に直流電流Iopを供給する。
図6は、図5に示す直流電流の駆動波形で半導体レーザ101を駆動したときの半導体レーザ101からのレーザ光の波長分布を示す概念図である。
図6に示すように、駆動電流が直流電流の場合、単一の波長(λ0)のみが半導体レーザ101より射出される。発振波長λ0は、例えば650nmである。
図7は、半導体レーザ101から射出したレーザ光が回折素子102で屈折する様子を示す図である。
半導体レーザ101の光出力の射出側には、半導体レーザ101の光出力の光軸と所定の角度をなすように回折素子102が設置されている。回折素子102は、半導体レーザ101から入射するレーザ光を回折の効果により屈折させ、半導体レーザ101の光出力の光路を変化させる。回折素子102による屈折の角度は、入射されるレーザ光の波長に依存し、入射されるレーザ光の波長により屈折の角度が定まる。
半導体レーザ101から射出されるレーザ光が、図6に示す単一の波長(λ0)の場合、回折素子102は、波長(λ0)により決定される屈折の角度で、入射される半導体レーザ101の光出力の光路を変える。この場合、半導体レーザ101は、単一の波長(λ0)のレーザ光を射出しているので、回折素子102は、入射した単一の波長のレーザ光を曲げて一定の方向に出射する。
図8は、レーザ駆動回路103が発生する高周波重畳した駆動波形を示す図である。図5に示す直流電流に高周波交流電流を重畳した駆動電流を示す。図2の回路構成では、APC回路131からの直流電流Iopに発振回路134からの高周波交流電流Ioutを重畳し、高周波重畳された駆動電流で半導体レーザ101のレーザ素子111を駆動する。
図9は、図8に示す駆動波形で半導体レーザ101を駆動したときの半導体レーザ101からのレーザ光の波長分布を示す概念図である。
図9に示すように、高周波重畳により半導体レーザ101をマルチモード化することで、波長(λ0)を中心に他の波長(λ−4〜λ−1,λ1〜λ4)のレーザ光も半導体レーザ101から射出される。マルチモード化した場合、発振波長は例えば中心波長(λ0)に対してモード間隔が0.1nmの波長(λ−4〜λ−1,λ1〜λ4)を射出する。
図10は、図9の波長分布のレーザ光が回折素子102に入射したときの、回折素子102から射出されるレーザ光の角度分布を示す図である。
回折素子102は、半導体レーザ101から入射するレーザ光を回折の効果により屈折させる。回折素子102は、半導体レーザ101から入射されるレーザ光の波長が異なる場合には、入射されるレーザ光を波長ごとに異なる角度で屈折させる。
半導体レーザ101から入射されるレーザ光は、マルチモード化によって波長(λ0)を中心に波長(λ−4〜λ−1,λ1〜λ4)の縦モード波形を有する。回折素子102は、半導体レーザ101から入射されるレーザ光を、各波長(λ−4〜λ−1,λ0,λ1〜λ4)ごとに異なる角度で屈折し、異なる方向に出射する。したがって、半導体レーザ101からの光出力は、波長λ−4〜λ4ごとの、異なる角度分布で回折素子102から射出される。
以上説明したように、本実施の形態によれば、半導体レーザ101の光出力の射出側に、入射されるレーザ光を波長ごとに異なる角度で屈折させる回折素子102を設置し、半導体レーザ101を、高周波を重畳した駆動電流により駆動して、レーザ光出力を多数の波長モードで回折素子102に入射するので、入射されたレーザ光出力を回折素子102から異なる方向に出射することができる。これにより、多数の波長モードを有する波長に幅を持ったレーザ光出力を、回折素子102通過後は回折素子102の射出角に幅を持ったレーザ光にすることができ、レーザ光の経路を分散することで、スペックルを減少させることができる。スペックルは、照明領域の光強度分布の分散により減少させることができる。このとき、高周波重畳と非重畳とを時間的に変化させる、又は高周波重畳の仕様を変えることによりスペックルをより一層減少させることができる。
また、部品を機械的に振動させることなく、スペックルを低減できるレーザ光が振動しているような効果を与えるので、装置の大型化や装置の劣化を招くことなく、低コスト化及び高信頼性を得ることができる。
(実施の形態2)
実施の形態1では、高周波重畳によるレーザ光出力のマルチモード化について説明した。実施の形態2は、高周波の振幅を低周波で変調する例について説明する。
本発明の実施の形態2に係るレーザ光源のハード的構成は、図1及び図2と同様であるため説明を省略する。
図11は、本発明の実施の形態2に係るレーザ光源のレーザ駆動回路103が発生する高周波重畳した駆動波形を示す図である。
本実施の形態に係るレーザ光源のレーザ駆動回路103は、直流電流に重畳する高周波の振幅を、低周波を用いて変調し、変調した高周波を駆動電流として直流電流に重畳する。前記図2では、発振回路134が、時間的に振幅が変化する高周波信号を発生し、時間的に振幅が変化する高周波信号を、APC回路131からの直流電流Iopに駆動電流として重畳し、高周波重畳された駆動電流で半導体レーザ101のレーザ素子111を駆動する。
図11に示すように、半導体レーザ101は、高周波の振幅の小さい時間帯a.では、前記図6に示す単一の波長(λ0)のレーザ光を射出し、高周波の振幅の大きい時間帯b.では、前記図9に示す多数の縦モードの波長(λ−4〜λ−1,λ0,λ1〜λ4)のレーザ光を射出する。したがって、回折素子102からの光は、高周波の振幅の小さい時間帯a.では、前記図7に示すように一定の方向に広がことなく進行し、高周波の振幅の大きい時間帯b.では、前記図10に示すように異なる方向に広がって進行する。
このように、本実施の形態によれば、高周波の振幅を低周波を用いて変調し、変調した高周波を直流電流に重畳しているので、実施の形態1と同様の理由により、レーザ光の経路を分散することができ、スペックルを減少させることができる。本実施の形態は、このスペックルをより一層減少させる効果が期待できる。スペックルは、人間の目が干渉性の強いレーザ光による照明領域を観察することによって発生する。したがって、時間的又は空間的に干渉性の影響を拡散できれば、人間の目にとって、スペックルを減少させることができる。実施の形態1は、高周波重畳により空間的にレーザ光の経路を分散してスペックルを減少させている。ここで、高周波重畳を定常的に行うのではなく、高周波重畳に際し、適当な時間的変動を与えるようにすれば、高周波重畳を常時実施する場合よりも時間的な分散によりスペックルをより一層減少させることができる。
本実施の形態では、高周波の振幅を低周波で変調して時間的に変化させているが、上述した理由から、高周波を重畳する期間と高周波を重畳しない期間とを時間的に変化させる態様でもよく、同様の効果を得ることができる。
(実施の形態3)
実施の形態3では、上記レーザ光源100を用いた面光源、及びその面光源を用いた液晶表示装置について説明する。
図12は、本発明の実施の形態3に係る面光源の構成を示す図である。図1と同一構成部分には同一符号を付している。
図12において、面光源200は、レーザ光源100と、レーザ光源100の回折素子102から出射するレーザ光を入射して面状の光を出射する導光板201とを備えて構成される。
導光板201は、回折素子102から出射したレーザ光を端面201aから入射し、上面201bに面状のレーザ光を出射する。導光板201と回折素子102との取付位置は、次の通りである。導光板201は、回折素子102から異なる角度分布で出射したレーザ光が、導光板201の端面201aの厚み方向に略均等に入射する位置に配置する。
導光板201の端面201aに入射したレーザ光は、導光板201内で多重反射をした後、導光板201内に分布配設された微小反射構造体(図示せず)等で反射され、上面201bから出射される。半導体レーザ101は、高周波重畳された駆動電流により駆動され、回折素子102は、入射されたレーザ光を、波長ごとに異なる角度で屈折して、導光板201の端面201aに入射するので、回折素子102から出射するレーザ光の角度は、導光板201の厚み方向に異なる角度分布で入射される。導光板201の端面201aに異なる角度分布で入射したレーザ光は、様々な光路で多重反射し、様々な微小反射構造体により反射して上面201bに出射するので、スペックルのない面光源を実現することができる。
また、実施の形態2で述べたように、高周波重畳を時間的に変化するようにすれば、より一層スペックルのない面光源を実現することができる。
なお、光の進行方向を導光板201の幅方向に拡散させるには、例えば、レーザ光の幅方向に対して反射面を斜めに配置したミラーでレーザ光を反射させてレーザ光の幅を拡大し、端面に入射させればよい。
図13は、上記面光源200を使用する液晶表示装置の構成を示す図である。
図13において、液晶表示装置300は、面光源200と、面光源200をバックライトにする液晶パネル301とを備えて構成される。
液晶パネル301は、その背面を導光板201の出射光で照明される。この照明光は、レーザ光を使用しているため、偏光方向が揃っており、効率がよいだけでなく、小さな領域から大きな光出力を取り出すことができる。しかも、上述の通り、スペックルがないため、色再現性の良い液晶表示装置が実現できる。
したがって、大画面ディスプレイ用途においてコンパクトなバックライトを形成することができるとともに、バックライトの省電力化を図ることができる。しかも、上述の通り、スペックルが無いため、色再現性の良い液晶表示装置が実現できる。
本発明のレーザ光源は、レーザと、レーザから射出する光線を波長に応じて異なる角度で屈折させるための回折素子と、レーザを駆動する駆動回路とを備えたレーザ光源であって、駆動回路がレーザを駆動する駆動電流に、高周波が重畳されたものである。
このようにすることで、波長に幅を持ったレーザからの光を、回折素子を通過後の射出角に幅を持った光線にすることができ、スペックルを減少できる。
また、本発明のレーザ光源は、駆動電流に重畳された高周波の振幅が、より低周波で変調されるものである。
このようにすることでレーザから射出する光線の中心波長は同じであるが、波長に比較的大きな幅を持った広帯域の光線と、波長に比較的小さな幅を持った狭帯域の光線が時間的に変化することで、さらにスペックルを減少できる。
本発明のレーザ光源は、レーザと、回折素子と、レーザの駆動回路を備え、駆動回路は高周波が重畳され、高周波の振幅がより低周波で変調されるので、回折素子を射出するときの光線の広がり角が変化し、光線が振動しているような効果を与えることで、スペックルを減少することができる。
以上の説明は本発明の好適な実施の形態の例証であり、本発明の範囲はこれに限定されることはない。
例えば、半導体レーザに代えて、他のレーザであってもよく、同様の効果を得ることができる。また、実施の形態では回折素子を追加した例を示したが、これに限られない。レンズ素子や位相段差素子など、レーザ光を波長に応じて異なる角度で屈折もしくは反射させる波長依存性(分散特性)を有する偏向素子を、回折素子に置き換えて用いることが可能である。
また、本実施の形態では、レーザ光源、面光源、及び液晶表示装置という名称を用いたが、これは説明の便宜上であり、面状光源装置、及びバックライト等であってもよいことは勿論である。
2006年9月7日出願の特願2006−242439の日本出願に含まれる明細書、図面及び要約書の開示内容は、すべて本願に援用される。
本発明のレーザ光源、面光源、及び液晶表示装置は、レーザからスペックルの無い光を取り出すという効果を有し、液晶モニターや特に色再現性が要求される液晶テレビなどに有用である。

Claims (6)

  1. レーザ光を発光する発光素子と、
    前記発光素子から射出するレーザ光を波長に応じて異なる角度で屈折もしくは反射させる波長依存性を有する偏向素子と、
    直流電流に高周波を重畳した駆動電流により前記発光素子を駆動する駆動回路と
    を備えるレーザ光源。
  2. 前記駆動回路は、前記高周波の振幅を低周波を用いて変調し、前記変調した高周波を重畳する請求項1記載のレーザ光源。
  3. 前記駆動回路は、前記高周波を重畳する期間と前記高周波を重畳しない期間とを有する駆動電流を用いる請求項1記載のレーザ光源。
  4. 請求項1に記載のレーザ光源と、
    前記偏向素子から出射するレーザ光を入射して面状の光を出射する導光板と
    を備える面光源。
  5. 前記偏向素子は、
    前記発光素子から射出するレーザ光の前記導光板への入射方向を、前記導光板の厚み方向に変化させる
    請求項4に記載の面光源。
  6. 請求項4に記載の面光源と、
    前記面光源により背面から照明される液晶パネルと
    を備える液晶表示装置。
JP2008533204A 2006-09-07 2007-09-06 レーザ光源、面光源及び液晶表示装置 Pending JPWO2008029892A1 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006242439 2006-09-07
JP2006242439 2006-09-07
PCT/JP2007/067435 WO2008029892A1 (fr) 2006-09-07 2007-09-06 Source de lumière laser, source de lumière plane et composant d'affichage à cristaux liquides

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPWO2008029892A1 true JPWO2008029892A1 (ja) 2010-01-21

Family

ID=39157318

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008533204A Pending JPWO2008029892A1 (ja) 2006-09-07 2007-09-06 レーザ光源、面光源及び液晶表示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20090310641A1 (ja)
JP (1) JPWO2008029892A1 (ja)
WO (1) WO2008029892A1 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2839555A1 (de) * 2012-04-17 2015-02-25 Robert Bosch GmbH Schaltung zur erzeugung eines laserdiodenansteuerungssignals
JP2013229174A (ja) * 2012-04-25 2013-11-07 Toshiba Lighting & Technology Corp 固体照明装置
WO2015087564A1 (ja) * 2013-12-10 2015-06-18 三菱電機株式会社 レーザレーダ装置
CN110007551B (zh) * 2015-07-28 2021-05-18 海信集团有限公司 一种dlp投影系统
CN105717661B (zh) * 2016-04-14 2018-06-26 维林光电(苏州)有限公司 一种基于低时间相干和低空间相干的零散斑激光器及其制备方法
US10840672B2 (en) * 2017-08-18 2020-11-17 Nokia Solutions And Networks Oy Mode-locked semiconductor laser capable of changing output-comb frequency spacing
WO2021244533A1 (zh) * 2020-06-02 2021-12-09 青岛海信激光显示股份有限公司 激光投影设备及激光器驱动控制方法
CN111683235B (zh) * 2020-06-03 2022-04-05 青岛海信激光显示股份有限公司 激光投影设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61214492A (ja) * 1985-03-18 1986-09-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体レ−ザの駆動方法
JPH0348535A (ja) * 1989-07-17 1991-03-01 Nec Corp 光変調回路
WO2005083494A1 (ja) * 2004-02-27 2005-09-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. ディスプレイ装置
JP2006073202A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5579328A (en) * 1995-08-10 1996-11-26 Northern Telecom Limited Digital control of laser diode power levels
JP2001242500A (ja) * 2000-03-02 2001-09-07 Fuji Photo Film Co Ltd 光波長変換モジュール
JP3655844B2 (ja) * 2000-06-30 2005-06-02 松下電器産業株式会社 レーザー加工装置及び方法
US7177340B2 (en) * 2002-11-05 2007-02-13 Jds Uniphase Corporation Extended cavity laser device with bulk transmission grating
TWI253765B (en) * 2003-05-26 2006-04-21 Matsushita Electric Works Ltd Light-emitting device
US7583902B2 (en) * 2004-08-10 2009-09-01 Mindspeed Technologies, Inc. Module to module signaling utilizing amplitude modulation
JP4169000B2 (ja) * 2004-12-02 2008-10-22 セイコーエプソン株式会社 照明装置および導光板
US20060174170A1 (en) * 2005-01-28 2006-08-03 Peter Garland Integrated reporting of data
US20070145895A1 (en) * 2005-10-14 2007-06-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light emitting apparatus, exposure apparatus, and method for manufacturing light emitting apparatus
CN101331805A (zh) * 2006-02-13 2008-12-24 松下电器产业株式会社 介质阻挡放电灯设备和用于液晶显示器的背光

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61214492A (ja) * 1985-03-18 1986-09-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体レ−ザの駆動方法
JPH0348535A (ja) * 1989-07-17 1991-03-01 Nec Corp 光変調回路
WO2005083494A1 (ja) * 2004-02-27 2005-09-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. ディスプレイ装置
JP2006073202A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20090310641A1 (en) 2009-12-17
WO2008029892A1 (fr) 2008-03-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPWO2008029892A1 (ja) レーザ光源、面光源及び液晶表示装置
TWI827663B (zh) 具有雷射二極體照明的近眼顯示器
US9188709B2 (en) Optical multiplexing apparatus and projector
CN106170735B (zh) 光源装置和具有光源装置的图像投射设备
JP5095311B2 (ja) 画像表示装置、及び画像表示装置における反射鏡の振動状態調整方法
US6625381B2 (en) Speckle suppressed laser projection system with partial beam reflection
US8585206B2 (en) Methods for operating scanning laser projectors to reduce speckle and image flicker
JP2002344050A (ja) 複波長ドップラー偏移光線を用いた、スペックル抑制レーザ投影システム
US7970028B2 (en) System and methods for speckle reduction
JP5524325B2 (ja) 波長変換装置およびそれを用いた画像表示装置
KR20130082093A (ko) 확산면을 이용한 반점 감소 시스템 및 방법
JP2002323675A (ja) Rf注入を用いたスペックル抑制レーザ投影システム
US8014429B2 (en) Wavelength conversion laser, image display device and laser processing device
US7405384B2 (en) Method and apparatus for intensity control of multiple light sources using source timing
JPWO2008093545A1 (ja) 固体レーザー装置、表示装置及び波長変換素子
JP4927739B2 (ja) ディスプレイ装置及び照射装置
JP2008219015A (ja) 光学的装置および光学的方法
JP2011197478A (ja) 表示装置
JP4809578B2 (ja) 位置測定装置
JP6696629B1 (ja) レーザ装置
JP2009229596A (ja) 画像表示装置
JP2009231017A (ja) バックライト装置
US8541729B2 (en) Image display system having a detection of an overlapping in the output timing of laser beams
JP2008129315A (ja) 光源装置、画像表示装置
JP5018366B2 (ja) レーザ光源装置の駆動方法、レーザ光源装置、画像表示装置、モニタ装置及び照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110524

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110713

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111018

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120228