JP2001242500A - 光波長変換モジュール - Google Patents
光波長変換モジュールInfo
- Publication number
- JP2001242500A JP2001242500A JP2000056642A JP2000056642A JP2001242500A JP 2001242500 A JP2001242500 A JP 2001242500A JP 2000056642 A JP2000056642 A JP 2000056642A JP 2000056642 A JP2000056642 A JP 2000056642A JP 2001242500 A JP2001242500 A JP 2001242500A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wavelength conversion
- semiconductor laser
- optical wavelength
- wavelength
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
- H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/37—Non-linear optics for second-harmonic generation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
- H01S3/1062—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using a controlled passive interferometer, e.g. a Fabry-Perot etalon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S5/0092—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for nonlinear frequency conversion, e.g. second harmonic generation [SHG] or sum- or difference-frequency generation outside the laser cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
- H01S5/0287—Facet reflectivity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06209—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
- H01S5/06213—Amplitude modulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06209—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
- H01S5/0622—Controlling the frequency of the radiation
Abstract
(57)【要約】
【課題】光波長変換素子の出力光量が、半導体レーザの
駆動電流の増加に従い単調増加するようにする。 【解決手段】狭域帯バンドパスフィルター１４を備えた
外部共振器を有する半導体レーザ１０と、半導体レーザ
１０から発せられたレーザビーム１１を第２高調波１９
に波長変換する光波長変換素子１５と、を含む光波長変
換モジュールにおいて、光波長変換素子１５の許容波長
帯域内に複数の縦モードスペクトルを含むレーザビーム
を出射する半導体レーザを用いる。
駆動電流の増加に従い単調増加するようにする。 【解決手段】狭域帯バンドパスフィルター１４を備えた
外部共振器を有する半導体レーザ１０と、半導体レーザ
１０から発せられたレーザビーム１１を第２高調波１９
に波長変換する光波長変換素子１５と、を含む光波長変
換モジュールにおいて、光波長変換素子１５の許容波長
帯域内に複数の縦モードスペクトルを含むレーザビーム
を出射する半導体レーザを用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光波長変換モジュ
ールに係り、特に、波長選択素子を備えた外部共振器を
有する半導体レーザと、該半導体レーザから発せられた
レーザビームを第２高調波等に波長変換する光波長変換
素子と、を含む光波長変換モジュールに関する。
ールに係り、特に、波長選択素子を備えた外部共振器を
有する半導体レーザと、該半導体レーザから発せられた
レーザビームを第２高調波等に波長変換する光波長変換
素子と、を含む光波長変換モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
半導体レーザから発せられたレーザビームを第２高調波
等に波長変換する光波長変換装置が種々提案され、青色
レーザ光源や緑色レーザ光源として使用されている。例
えば、特開平１０−２５４００１号公報の図９には、外
部共振器を備え、この外部共振器内に狭域帯バンドパス
フィルター等の波長選択素子を備えた半導体レーザと、
周期ドメイン反転構造を有する導波路型の第２高調波発
生（ＳＨＧ）素子で構成された光波長変換素子とを、直
接光結合した光波長変換モジュールが記載されている。
この光波長変換モジュールでは、外部共振器に設けられ
た狭域帯バンドパスフィルターの透過中心波長に波長を
ロックすることができ、狭域帯バンドパスフィルターを
回転させることにより半導体レーザの発振波長を回転角
度に応じた所定の波長にロックすることができる。
半導体レーザから発せられたレーザビームを第２高調波
等に波長変換する光波長変換装置が種々提案され、青色
レーザ光源や緑色レーザ光源として使用されている。例
えば、特開平１０−２５４００１号公報の図９には、外
部共振器を備え、この外部共振器内に狭域帯バンドパス
フィルター等の波長選択素子を備えた半導体レーザと、
周期ドメイン反転構造を有する導波路型の第２高調波発
生（ＳＨＧ）素子で構成された光波長変換素子とを、直
接光結合した光波長変換モジュールが記載されている。
この光波長変換モジュールでは、外部共振器に設けられ
た狭域帯バンドパスフィルターの透過中心波長に波長を
ロックすることができ、狭域帯バンドパスフィルターを
回転させることにより半導体レーザの発振波長を回転角
度に応じた所定の波長にロックすることができる。
【０００３】通常の半導体レーザは素子内に共振器構造
を備えているので、外部共振器を設けなくてもレーザビ
ームを発振することができる。しかしながら、波長ロッ
ク前の半導体レーザの発振波長は、数ｎｍの幅で変動
し、駆動電流の増加に伴い長波長側にシフトする。例え
ば、縦モードの間隔が約０．２ｎｍで数本の縦モードを
有する半導体レーザを用いて、電流を５０から２００ｍ
Ａまで変化させると、図９に示すように、半導体レーザ
自身の発熱のため発振中心波長が約５ｎｍも長波長側に
シフトする。
を備えているので、外部共振器を設けなくてもレーザビ
ームを発振することができる。しかしながら、波長ロッ
ク前の半導体レーザの発振波長は、数ｎｍの幅で変動
し、駆動電流の増加に伴い長波長側にシフトする。例え
ば、縦モードの間隔が約０．２ｎｍで数本の縦モードを
有する半導体レーザを用いて、電流を５０から２００ｍ
Ａまで変化させると、図９に示すように、半導体レーザ
自身の発熱のため発振中心波長が約５ｎｍも長波長側に
シフトする。
【０００４】従って、波長ロックを行わずに半導体レー
ザをＳＨＧ素子と光結合すると、半導体レーザの発振波
長が、ＳＨＧ素子の波長変換効率が最大となる波長、即
ち、ＳＨＧ素子に位相整合する波長に一致せず、第２高
調波の出力光量が変動してしまい第２高調波は殆ど出力
されない。この問題を解決するため、特開平１０−２５
４００１号公報記載の光波長変換モジュールでは、外部
共振器を設け、半導体レーザの発振波長をＳＨＧ素子に
位相整合する波長にロックし、第２高調波の出力光量を
安定させている。
ザをＳＨＧ素子と光結合すると、半導体レーザの発振波
長が、ＳＨＧ素子の波長変換効率が最大となる波長、即
ち、ＳＨＧ素子に位相整合する波長に一致せず、第２高
調波の出力光量が変動してしまい第２高調波は殆ど出力
されない。この問題を解決するため、特開平１０−２５
４００１号公報記載の光波長変換モジュールでは、外部
共振器を設け、半導体レーザの発振波長をＳＨＧ素子に
位相整合する波長にロックし、第２高調波の出力光量を
安定させている。
【０００５】しかしながら、上記の通り波長ロックを行
っても、図１０（Ａ）に示すように、閾値電流（Ｉop）
を超えると、半導体レーザ自身の出力光量が半導体レー
ザの駆動電流の増加に従い直線的に増加するのに対し、
同じ半導体レーザとＳＨＧ素子とを光結合して第２高調
波を発生させると、ＳＨＧ素子の出力光量は、図１０
（Ｂ）に示すように、半導体レーザの駆動電流の増加に
従い単調増加せずに増減を繰り返しながら増加する。即
ち、半導体レーザの駆動電流とＳＨＧ素子の出力光量と
の関係を示すＩＬ特性（電流−出力特性）が増減を繰り
返すようになる。
っても、図１０（Ａ）に示すように、閾値電流（Ｉop）
を超えると、半導体レーザ自身の出力光量が半導体レー
ザの駆動電流の増加に従い直線的に増加するのに対し、
同じ半導体レーザとＳＨＧ素子とを光結合して第２高調
波を発生させると、ＳＨＧ素子の出力光量は、図１０
（Ｂ）に示すように、半導体レーザの駆動電流の増加に
従い単調増加せずに増減を繰り返しながら増加する。即
ち、半導体レーザの駆動電流とＳＨＧ素子の出力光量と
の関係を示すＩＬ特性（電流−出力特性）が増減を繰り
返すようになる。
【０００６】このような出力光量の増減が発生すると、
ＳＨＧ素子の出力光量を一定にするための自動出力制御
（ＡＰＣ）を行う際に正常に制御できない、という問題
がある。また、半導体レーザの駆動電流の増加に従いＳ
ＨＧ素子の出力光量が単調増加しないため、駆動電流を
増減させてＳＨＧ素子の出力光を変調する場合に、所望
の出力光量に制御することが難しい、という問題があ
る。
ＳＨＧ素子の出力光量を一定にするための自動出力制御
（ＡＰＣ）を行う際に正常に制御できない、という問題
がある。また、半導体レーザの駆動電流の増加に従いＳ
ＨＧ素子の出力光量が単調増加しないため、駆動電流を
増減させてＳＨＧ素子の出力光を変調する場合に、所望
の出力光量に制御することが難しい、という問題があ
る。
【０００７】本発明は上記問題点を解決するものであ
り、本発明の目的は、光波長変換素子の出力光量が、半
導体レーザの駆動電流の増加に従い単調増加する光波長
変換モジュールを提供することにある。
り、本発明の目的は、光波長変換素子の出力光量が、半
導体レーザの駆動電流の増加に従い単調増加する光波長
変換モジュールを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、請求項１に記載の発明は、基本波を波長変換する
光波長変換素子と、波長選択素子を備えた外部共振器を
備え、前記光波長変換素子の許容波長帯域内に複数の縦
モードスペクトルを含む基本波を出射する半導体レーザ
と、を含むことを特徴とする。
めに、請求項１に記載の発明は、基本波を波長変換する
光波長変換素子と、波長選択素子を備えた外部共振器を
備え、前記光波長変換素子の許容波長帯域内に複数の縦
モードスペクトルを含む基本波を出射する半導体レーザ
と、を含むことを特徴とする。
【０００９】請求項２に記載の発明は、基本波を波長変
換する光波長変換素子と、外部に設けられた反射部材と
前方出射端面とで構成された外部共振器を備えると共
に、該外部共振器内に波長選択素子を備え、前記前方出
射端面から前記光波長変換素子の許容波長帯域内に複数
の縦モードスペクトルを含む基本波を出射する半導体レ
ーザと、を含むことを特徴とする。
換する光波長変換素子と、外部に設けられた反射部材と
前方出射端面とで構成された外部共振器を備えると共
に、該外部共振器内に波長選択素子を備え、前記前方出
射端面から前記光波長変換素子の許容波長帯域内に複数
の縦モードスペクトルを含む基本波を出射する半導体レ
ーザと、を含むことを特徴とする。
【００１０】請求項３に記載の発明は、請求項１または
２に記載の発明において、前記縦モードスペクトルの本
数が、前記光波長変換素子の許容波長帯域をΔλとし、
前記半導体レーザの縦モードスペクトルの波長間隔をΔ
λmとしたとき、Δλ／Δλmの商の整数部Ｎmax以下で
あることを特徴とする。
２に記載の発明において、前記縦モードスペクトルの本
数が、前記光波長変換素子の許容波長帯域をΔλとし、
前記半導体レーザの縦モードスペクトルの波長間隔をΔ
λmとしたとき、Δλ／Δλmの商の整数部Ｎmax以下で
あることを特徴とする。
【００１１】請求項４に記載の発明は、請求項１〜３の
いずれか１項に記載の発明において、前記光波長変換素
子と前記半導体レーザとを直接光結合したことを特徴と
する。
いずれか１項に記載の発明において、前記光波長変換素
子と前記半導体レーザとを直接光結合したことを特徴と
する。
【００１２】請求項５に記載の発明は、請求項１〜４の
いずれか１項に記載の発明において、前記光波長変換素
子が、擬似位相整合により波長変換する擬似位相整合型
の光波長変換素子であることを特徴とする。
いずれか１項に記載の発明において、前記光波長変換素
子が、擬似位相整合により波長変換する擬似位相整合型
の光波長変換素子であることを特徴とする。
【００１３】請求項６に記載の発明は、請求項１〜５の
いずれか１項に記載の発明において、 前記半導体レー
ザを変調信号に従い変調駆動する駆動手段を設けたこと
を特徴とする。
いずれか１項に記載の発明において、 前記半導体レー
ザを変調信号に従い変調駆動する駆動手段を設けたこと
を特徴とする。
【００１４】請求項７に記載の発明は、請求項１〜６の
いずれか１項に記載の発明において、前記半導体レーザ
を高周波により駆動する駆動手段を設けたことを特徴と
する。
いずれか１項に記載の発明において、前記半導体レーザ
を高周波により駆動する駆動手段を設けたことを特徴と
する。
【００１５】請求項８に記載の発明は、請求項７に記載
の発明において、前記半導体レーザを前記高周波より低
周波数で変調駆動する駆動手段を設けたことを特徴とす
る。
の発明において、前記半導体レーザを前記高周波より低
周波数で変調駆動する駆動手段を設けたことを特徴とす
る。
【００１６】請求項９に記載の発明は、請求項１〜８の
いずれか１項に記載の発明において、前記波長選択素子
の透過半値幅を、半導体レーザから出射された基本波に
含まれる複数の縦モードスペクトルが透過可能な幅とし
たことを特徴とする。
いずれか１項に記載の発明において、前記波長選択素子
の透過半値幅を、半導体レーザから出射された基本波に
含まれる複数の縦モードスペクトルが透過可能な幅とし
たことを特徴とする。
【００１７】請求項１０に記載の発明は、請求項９に記
載の発明において、前記波長選択素子の透過半値幅が、
０．５ｎｍ以上であることを特徴とする。
載の発明において、前記波長選択素子の透過半値幅が、
０．５ｎｍ以上であることを特徴とする。
【００１８】請求項１１に記載の発明は、請求項１〜１
０のいずれか１項に記載の発明において、前記半導体レ
ーザの少なくとも一方の端面に、反射率が２０％以上の
反射防止膜を設けたことを特徴とする。
０のいずれか１項に記載の発明において、前記半導体レ
ーザの少なくとも一方の端面に、反射率が２０％以上の
反射防止膜を設けたことを特徴とする。
【００１９】請求項１２に記載の発明は、請求項１〜１
１のいずれか１項に記載の発明において、前記光波長変
換素子が、プロトン交換アニールにより形成された光導
波路を備えることを特徴とする。
１のいずれか１項に記載の発明において、前記光波長変
換素子が、プロトン交換アニールにより形成された光導
波路を備えることを特徴とする。
【００２０】請求項１３に記載の発明は、請求項１〜１
２のいずれか１項に記載の発明において、ＭｇＯ若しく
はＺｎＯがドープされたＬｉＮｂＯ3若しくはＬｉＴａ
Ｏ3からなる光学結晶基板上に、前記光波長変換素子を
作製したことを特徴とする。
２のいずれか１項に記載の発明において、ＭｇＯ若しく
はＺｎＯがドープされたＬｉＮｂＯ3若しくはＬｉＴａ
Ｏ3からなる光学結晶基板上に、前記光波長変換素子を
作製したことを特徴とする。
【００２１】発明者等は、上述したＳＨＧ素子の出力光
量増減の原因を究明するため、図１１に示す、波長ロッ
クのための外部共振器を備えた半導体レーザからなる光
学系を用い、波長ロックされた状態での半導体レーザ１
１０の発振スペクトルを、光ファイバー１１２を通して
光スペクトルアナライザー１１４でレンジを拡大して観
測した。１１６は外部共振器を構成するための外部ミラ
ー、１１８、１２０、及び１２２はレンズ、１２４はバ
ンドパスフィルターである。半導体レーザ１１０には、
発振波長が９５０ｎｍ、２００ｍＡの電流で駆動した時
の光出力が７０ｍＷ、外部共振器の共振器長が７５０μ
ｍ、入出力端面の反射率が２０〜３０％のものを用い
た。また、ミラー１１６には、反射率９９％の誘電体多
層膜反射ミラーを用い、レンズ１１８〜１２２には、開
口数０．５のレンズを用い、バンドパスフィルター１２
４には、透過半値幅が０．５ｎｍであり、中心波長の透
過率が８０％のものを用いた。
量増減の原因を究明するため、図１１に示す、波長ロッ
クのための外部共振器を備えた半導体レーザからなる光
学系を用い、波長ロックされた状態での半導体レーザ１
１０の発振スペクトルを、光ファイバー１１２を通して
光スペクトルアナライザー１１４でレンジを拡大して観
測した。１１６は外部共振器を構成するための外部ミラ
ー、１１８、１２０、及び１２２はレンズ、１２４はバ
ンドパスフィルターである。半導体レーザ１１０には、
発振波長が９５０ｎｍ、２００ｍＡの電流で駆動した時
の光出力が７０ｍＷ、外部共振器の共振器長が７５０μ
ｍ、入出力端面の反射率が２０〜３０％のものを用い
た。また、ミラー１１６には、反射率９９％の誘電体多
層膜反射ミラーを用い、レンズ１１８〜１２２には、開
口数０．５のレンズを用い、バンドパスフィルター１２
４には、透過半値幅が０．５ｎｍであり、中心波長の透
過率が８０％のものを用いた。
【００２２】この観測によると、半導体レーザの発振波
長はバンドパスフィルターの中心透過波長付近で約０．
２ｎｍ幅の変動を繰り返していた。詳細には、図１２に
示すように、駆動電流が増加するに従い、発振波長はバ
ンドパスフィルターの透過波長の範囲内を短波長側から
長波長側に徐々に移動し、右端（長波長側）に来ると左
端（短波長側）に発振波長がホップし、この発振波長の
ホップが繰り返される。この波長ホップが原因で、半導
体レーザとＳＨＧ素子とを光結合して第２高調波を発生
させると、ＩＬ特性が増減を繰り返すようになると推測
される。
長はバンドパスフィルターの中心透過波長付近で約０．
２ｎｍ幅の変動を繰り返していた。詳細には、図１２に
示すように、駆動電流が増加するに従い、発振波長はバ
ンドパスフィルターの透過波長の範囲内を短波長側から
長波長側に徐々に移動し、右端（長波長側）に来ると左
端（短波長側）に発振波長がホップし、この発振波長の
ホップが繰り返される。この波長ホップが原因で、半導
体レーザとＳＨＧ素子とを光結合して第２高調波を発生
させると、ＩＬ特性が増減を繰り返すようになると推測
される。
【００２３】発明者等の考察によれば、上記の波長ホッ
プは、以下の現象により発生すると考えられる。半導体
レーザは、レーザ素子の両端面を共振器としてレーザ発
振しているのであり、発振波長のスペクトルは何本か観
測される。この発振は半導体レーザのファブリペローモ
ード（ＦＰモード）による発振であり、スペクトルが２
本以上の発振の場合、いわゆる縦モードがマルチモード
であると呼ばれる。縦モードがマルチモードの場合に、
上記の通り外部共振器を用いて波長ロックを行うと、Ｆ
Ｐモードによる発振波長が、バンドパスフィルターの透
過率が一番高い中心透過波長と一致した場合にのみレー
ザ発振が起き、波長がロックできる。
プは、以下の現象により発生すると考えられる。半導体
レーザは、レーザ素子の両端面を共振器としてレーザ発
振しているのであり、発振波長のスペクトルは何本か観
測される。この発振は半導体レーザのファブリペローモ
ード（ＦＰモード）による発振であり、スペクトルが２
本以上の発振の場合、いわゆる縦モードがマルチモード
であると呼ばれる。縦モードがマルチモードの場合に、
上記の通り外部共振器を用いて波長ロックを行うと、Ｆ
Ｐモードによる発振波長が、バンドパスフィルターの透
過率が一番高い中心透過波長と一致した場合にのみレー
ザ発振が起き、波長がロックできる。
【００２４】一方、半導体レーザのＦＰモードは、駆動
電流が増加すると、発生した熱により長波長側に徐々に
シフトする。このため、波長ロックした状態でも、微細
にはバンドパスフィルターの透過波長範囲内で半導体レ
ーザのＦＰモードがシフトする。このように１本のＦＰ
モードが長波長側に動き、１本のＦＰモードに対するバ
ンドパスフィルターの透過率が低くなって発振モードが
停止すると、次の短波長側に隣接するＦＰモードが、バ
ンドパスフィルターの透過波長範囲内に入ってきて、そ
のＦＰモードがレーザ発振する。このため、駆動電流が
増減すると、半導体レーザのＦＰモード間隔に一致した
間隔（上記の例では０．２ｎｍ）で発振波長がホップを
繰り返す、と考えられる。
電流が増加すると、発生した熱により長波長側に徐々に
シフトする。このため、波長ロックした状態でも、微細
にはバンドパスフィルターの透過波長範囲内で半導体レ
ーザのＦＰモードがシフトする。このように１本のＦＰ
モードが長波長側に動き、１本のＦＰモードに対するバ
ンドパスフィルターの透過率が低くなって発振モードが
停止すると、次の短波長側に隣接するＦＰモードが、バ
ンドパスフィルターの透過波長範囲内に入ってきて、そ
のＦＰモードがレーザ発振する。このため、駆動電流が
増減すると、半導体レーザのＦＰモード間隔に一致した
間隔（上記の例では０．２ｎｍ）で発振波長がホップを
繰り返す、と考えられる。
【００２５】本発明では、波長選択素子を備えた外部共
振器を備えた半導体レーザが、光波長変換素子の許容波
長帯域内に複数の縦モードスペクトルを含む基本波を出
射するので、いずれかの発振スペクトルにおいて波長ホ
ップが起きても、他の発振スペクトルには波長ホップは
起きていないので、比較的安定した波長で発振すること
ができる。このため、ＳＨＧ素子等の波長変換素子と光
結合して第２高調波等の波長変換を発生させると、ＩＬ
特性が単調に変化することになる。即ち、光波長変換素
子の出力光量が、半導体レーザの駆動電流の増加に従い
単調増加するようになる。
振器を備えた半導体レーザが、光波長変換素子の許容波
長帯域内に複数の縦モードスペクトルを含む基本波を出
射するので、いずれかの発振スペクトルにおいて波長ホ
ップが起きても、他の発振スペクトルには波長ホップは
起きていないので、比較的安定した波長で発振すること
ができる。このため、ＳＨＧ素子等の波長変換素子と光
結合して第２高調波等の波長変換を発生させると、ＩＬ
特性が単調に変化することになる。即ち、光波長変換素
子の出力光量が、半導体レーザの駆動電流の増加に従い
単調増加するようになる。
【００２６】また、縦モードスペクトルの本数は、スペ
クトルが波長変換素子の許容波長帯域内に存在するよう
に決定されるが、本数が多くなると２次高調波等の波長
変換波のパワーが低下するので、縦モードスペクトルの
本数は、光波長変換素子の許容波長帯域をΔλとし、半
導体レーザの縦モードスペクトルの波長間隔をΔλmと
したとき、Δλ／Δλmの商の整数部Ｎmax以下とするこ
とが好ましい。ここで、Δλは、光波長変換素子により
波長変換された光の出力が最大値の半分になる波長帯
域、即ち半値幅である。
クトルが波長変換素子の許容波長帯域内に存在するよう
に決定されるが、本数が多くなると２次高調波等の波長
変換波のパワーが低下するので、縦モードスペクトルの
本数は、光波長変換素子の許容波長帯域をΔλとし、半
導体レーザの縦モードスペクトルの波長間隔をΔλmと
したとき、Δλ／Δλmの商の整数部Ｎmax以下とするこ
とが好ましい。ここで、Δλは、光波長変換素子により
波長変換された光の出力が最大値の半分になる波長帯
域、即ち半値幅である。
【００２７】例えば、９５０ｎｍの半導体レーザと周期
４．７μｍの周期ドメイン反転構造を有するＳＨＧ素子
とを直接光結合したモジュールの場合、ＳＨＧ素子の許
容波長帯域ΔλはＳＨＧ素子の周期反転長さＬｃに依存
して変化し、Ｌｃ＝１０ｍｍのときはΔλ＝０．１１ｎ
ｍであり、Ｌｃ＝１ｍｍのときはΔλ＝１．２ｎｍであ
る。しかしながら、実用的なＳＨＧ素子の出力光量
（０．１ｍＷ以上）を得るためにはＳＨＧ素子の周期反
転長さＬｃが１ｍｍ以上必要であり、このときΔλの最
大値は１．２ｎｍとなる。半導体レーザの縦モードスペ
クトルの波長間隔Δλmが０．２ｎｍであるとするとＮ
maxは６となる。即ち、この場合には縦モードスペクト
ルの本数は６本まで許容されることになる。この通り、
Δλの値は目的とするＳＨＧ素子の出力光量により決定
することができ、決定されたΔλの値に応じてＮmaxの
値を適宜求めることできる。
４．７μｍの周期ドメイン反転構造を有するＳＨＧ素子
とを直接光結合したモジュールの場合、ＳＨＧ素子の許
容波長帯域ΔλはＳＨＧ素子の周期反転長さＬｃに依存
して変化し、Ｌｃ＝１０ｍｍのときはΔλ＝０．１１ｎ
ｍであり、Ｌｃ＝１ｍｍのときはΔλ＝１．２ｎｍであ
る。しかしながら、実用的なＳＨＧ素子の出力光量
（０．１ｍＷ以上）を得るためにはＳＨＧ素子の周期反
転長さＬｃが１ｍｍ以上必要であり、このときΔλの最
大値は１．２ｎｍとなる。半導体レーザの縦モードスペ
クトルの波長間隔Δλmが０．２ｎｍであるとするとＮ
maxは６となる。即ち、この場合には縦モードスペクト
ルの本数は６本まで許容されることになる。この通り、
Δλの値は目的とするＳＨＧ素子の出力光量により決定
することができ、決定されたΔλの値に応じてＮmaxの
値を適宜求めることできる。
【００２８】波長選択素子を備えた外部共振器を備えた
半導体レーザが、光波長変換素子の許容波長帯域内に複
数の縦モードスペクトルを含む基本波を出射するように
するためには、例えば、（１）半導体レーザを高周波に
より駆動する、（２）波長選択素子の透過半値幅を半導
体レーザから出射された基本波に含まれる複数の縦モー
ドスペクトルが透過可能な幅とする、（３）半導体レー
ザの少なくとも一方の端面に反射率が２０％以上の反射
防止膜を付ける、という方法がある。
半導体レーザが、光波長変換素子の許容波長帯域内に複
数の縦モードスペクトルを含む基本波を出射するように
するためには、例えば、（１）半導体レーザを高周波に
より駆動する、（２）波長選択素子の透過半値幅を半導
体レーザから出射された基本波に含まれる複数の縦モー
ドスペクトルが透過可能な幅とする、（３）半導体レー
ザの少なくとも一方の端面に反射率が２０％以上の反射
防止膜を付ける、という方法がある。
【００２９】なお、本発明の縦モードスペクトルは、分
解能０．１ｎｍ程度の光スペクトルアナライザーで測定
した場合に、分解可能なスペクトルを意味する。
解能０．１ｎｍ程度の光スペクトルアナライザーで測定
した場合に、分解可能なスペクトルを意味する。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ、本発明
の光波長変換モジュールについて詳細に説明する。 （第１の実施の形態）図１に、本発明の第１の実施の形
態に係る光波長変換モジュールの概略構成を示す。この
光波長変換モジュールは、半導体レーザー（レーザーダ
イオード）１０、この半導体レーザー１０から発散光状
態で出射したレーザービーム（後方出射光）１１Ｒを平
行光化するコリメーターレンズ１２、平行光化されたレ
ーザービーム１１Ｒを収束させる集光レンズ１３、これ
らのレンズ１２および１３の間に配された波長選択素子
としての狭帯域バンドパスフィルター１４、上記集光レ
ンズ１３によるレーザビーム１１Ｒの収束位置に配置さ
れたミラー２０、及び半導体レーザー１０の前方端面に
直接光結合されたいわゆる擬似位相整合型の光波長変換
素子１５を有している。半導体レーザ１０は、半導体レ
ーザ用の駆動回路４０に接続されている。駆動回路４０
の構成及び駆動方法については後述する。
の光波長変換モジュールについて詳細に説明する。 （第１の実施の形態）図１に、本発明の第１の実施の形
態に係る光波長変換モジュールの概略構成を示す。この
光波長変換モジュールは、半導体レーザー（レーザーダ
イオード）１０、この半導体レーザー１０から発散光状
態で出射したレーザービーム（後方出射光）１１Ｒを平
行光化するコリメーターレンズ１２、平行光化されたレ
ーザービーム１１Ｒを収束させる集光レンズ１３、これ
らのレンズ１２および１３の間に配された波長選択素子
としての狭帯域バンドパスフィルター１４、上記集光レ
ンズ１３によるレーザビーム１１Ｒの収束位置に配置さ
れたミラー２０、及び半導体レーザー１０の前方端面に
直接光結合されたいわゆる擬似位相整合型の光波長変換
素子１５を有している。半導体レーザ１０は、半導体レ
ーザ用の駆動回路４０に接続されている。駆動回路４０
の構成及び駆動方法については後述する。
【００３１】光波長変換素子１５は、非線形光学効果を
有する強誘電体であるＬｉＮｂＯ3にＭｇＯが例えば５
ｍｏｌ％ドープされたもの（以下、ＭｇＯ−ＬＮと称す
る）の結晶からなる基板１６に、そのＺ軸と平行な自発
分極の向きを反転させたドメイン反転部１７が周期的に
形成されてなる周期ドメイン反転構造と、この周期ドメ
イン反転構造に沿って延びるチャンネル光導波路１８が
形成されて構成されている。
有する強誘電体であるＬｉＮｂＯ3にＭｇＯが例えば５
ｍｏｌ％ドープされたもの（以下、ＭｇＯ−ＬＮと称す
る）の結晶からなる基板１６に、そのＺ軸と平行な自発
分極の向きを反転させたドメイン反転部１７が周期的に
形成されてなる周期ドメイン反転構造と、この周期ドメ
イン反転構造に沿って延びるチャンネル光導波路１８が
形成されて構成されている。
【００３２】周期ドメイン反転構造は、基板１６のＸ軸
方向にドメイン反転部１７が並ぶように形成され、その
周期Λは、ＭｇＯ−ＬＮの屈折率の波長分散を考慮し、
レーザビームの波長に対して１次の周期となるように決
定されている。例えば、レーザビームの波長を９５０ｎ
ｍとすると、周期Λは４．７５μｍとなる。このような
周期ドメイン反転構造は、例えば特開平６−２４２４７
８号に示される方法によって形成することができる。
方向にドメイン反転部１７が並ぶように形成され、その
周期Λは、ＭｇＯ−ＬＮの屈折率の波長分散を考慮し、
レーザビームの波長に対して１次の周期となるように決
定されている。例えば、レーザビームの波長を９５０ｎ
ｍとすると、周期Λは４．７５μｍとなる。このような
周期ドメイン反転構造は、例えば特開平６−２４２４７
８号に示される方法によって形成することができる。
【００３３】一方、チャンネル光導波路１８は、周期ド
メイン反転部１７を形成した後、基板１６の＋Ｚ面上に
公知のフォトリソグラフィーとリフトオフにより金属マ
スクパターンを形成し、この基板１６をピロリン酸中に
浸漬してプロトン交換処理を行ない、マスクを除去した
後にアニール処理する、等の方法によって作成すること
ができる。その後このチャンネル光導波路１８の両端面
１８ａ、１８ｂをエッジ研磨し、端面１８ａを含む素子
端面に基本波であるレーザービーム１１に対するＡＲ
（無反射）コート３０を施し、端面１８ｂを含む素子端
面に後述する第２高調波１９に対するＡＲ（無反射）コ
ート３１を施すと、光波長変換素子１５が完成する。
メイン反転部１７を形成した後、基板１６の＋Ｚ面上に
公知のフォトリソグラフィーとリフトオフにより金属マ
スクパターンを形成し、この基板１６をピロリン酸中に
浸漬してプロトン交換処理を行ない、マスクを除去した
後にアニール処理する、等の方法によって作成すること
ができる。その後このチャンネル光導波路１８の両端面
１８ａ、１８ｂをエッジ研磨し、端面１８ａを含む素子
端面に基本波であるレーザービーム１１に対するＡＲ
（無反射）コート３０を施し、端面１８ｂを含む素子端
面に後述する第２高調波１９に対するＡＲ（無反射）コ
ート３１を施すと、光波長変換素子１５が完成する。
【００３４】次に、この光波長変換モジュールの動作に
ついて説明する。半導体レーザから出射した後方出射光
１１Ｒがミラー２０で反射され、半導体レーザ１０にフ
ィードバックされる。つまりこの装置では、半導体レー
ザー１０の前方端面とミラー２０とによって半導体レー
ザー１０の外部共振器が構成されている。外部共振器長
は例えば５０ｍｍである。
ついて説明する。半導体レーザから出射した後方出射光
１１Ｒがミラー２０で反射され、半導体レーザ１０にフ
ィードバックされる。つまりこの装置では、半導体レー
ザー１０の前方端面とミラー２０とによって半導体レー
ザー１０の外部共振器が構成されている。外部共振器長
は例えば５０ｍｍである。
【００３５】そして、この外部共振器の中に配された狭
帯域バンドパスフィルター１４により、狭帯域バンドパ
スフィルター１４を透過するレーザービーム１１の波長
が選択される。半導体レーザー１０はこの選択された波
長で発振し、選択波長は狭帯域バンドパスフィルター１
４の回転位置（矢印Ａ方向の回転位置）に応じて変化す
るので、この狭帯域バンドパスフィルター１４を適宜回
転させることにより、半導体レーザー１０の発振波長
を、狭帯域バンドパスフィルター１４の透過波長範囲、
即ち、ドメイン反転部１７の周期と位相整合する波長に
選択、ロックすることができる。
帯域バンドパスフィルター１４により、狭帯域バンドパ
スフィルター１４を透過するレーザービーム１１の波長
が選択される。半導体レーザー１０はこの選択された波
長で発振し、選択波長は狭帯域バンドパスフィルター１
４の回転位置（矢印Ａ方向の回転位置）に応じて変化す
るので、この狭帯域バンドパスフィルター１４を適宜回
転させることにより、半導体レーザー１０の発振波長
を、狭帯域バンドパスフィルター１４の透過波長範囲、
即ち、ドメイン反転部１７の周期と位相整合する波長に
選択、ロックすることができる。
【００３６】半導体レーザー１０から発せられたレーザ
ービーム１１は、チャンネル光導波路１８内に入射す
る。このレーザービーム１１はチャンネル光導波路１８
をＴＥモードで導波して、その周期ドメイン反転領域で
位相整合（いわゆる擬似位相整合）して、波長が１／２
の第２高調波１９に波長変換される。例えば、中心波長
９５０ｎｍのレーザービームが入射すると、４７５ｎｍ
の第２高調波に波長変換される。この第２高調波１９も
チャンネル光導波路１８を導波モードで伝搬し、光導波
路端面１８ｂから出射する。
ービーム１１は、チャンネル光導波路１８内に入射す
る。このレーザービーム１１はチャンネル光導波路１８
をＴＥモードで導波して、その周期ドメイン反転領域で
位相整合（いわゆる擬似位相整合）して、波長が１／２
の第２高調波１９に波長変換される。例えば、中心波長
９５０ｎｍのレーザービームが入射すると、４７５ｎｍ
の第２高調波に波長変換される。この第２高調波１９も
チャンネル光導波路１８を導波モードで伝搬し、光導波
路端面１８ｂから出射する。
【００３７】光導波路端面１８ｂからは、波長変換され
なかったレーザービーム１１も発散光状態で出射し、第
２高調波１９とともにコリメーターレンズ２０によって
平行光化される。第２高調波１９は、図示しないバンド
パスフィルターやダイクロイックミラー等によってレー
ザービーム１１と分離され、所定の用途に用いられる。
なかったレーザービーム１１も発散光状態で出射し、第
２高調波１９とともにコリメーターレンズ２０によって
平行光化される。第２高調波１９は、図示しないバンド
パスフィルターやダイクロイックミラー等によってレー
ザービーム１１と分離され、所定の用途に用いられる。
【００３８】次に、半導体レーザ１０の駆動について説
明する。半導体レーザの駆動回路４０は、図２に示す通
り、自動出力制御回路（ＡＰＣ）を備えた直流電源回路
４１、交流電源４３、及びバイアスＴ４５からなり、バ
イアスＴ４５はコイル４２とコンデンサ４４とから構成
されている。この駆動回路４０において、直流電源回路
４１から発せられてコイル４２を経た直流電流成分に、
交流電源４３から発せられてコンデンサ４４を経た高周
波が重畳され、この高周波重畳された電流が半導体レー
ザ１０に通電されて、半導体レーザ１０が高周波駆動さ
れる。
明する。半導体レーザの駆動回路４０は、図２に示す通
り、自動出力制御回路（ＡＰＣ）を備えた直流電源回路
４１、交流電源４３、及びバイアスＴ４５からなり、バ
イアスＴ４５はコイル４２とコンデンサ４４とから構成
されている。この駆動回路４０において、直流電源回路
４１から発せられてコイル４２を経た直流電流成分に、
交流電源４３から発せられてコンデンサ４４を経た高周
波が重畳され、この高周波重畳された電流が半導体レー
ザ１０に通電されて、半導体レーザ１０が高周波駆動さ
れる。
【００３９】本実施の形態では、半導体レーザ１０を高
周波駆動すると共に、バンドパスフィルター１４を備え
た外部共振器により半導体レーザ１０の発振中心波長を
狭帯域バンドパスフィルター１４の透過中心波長付近に
ロックする。
周波駆動すると共に、バンドパスフィルター１４を備え
た外部共振器により半導体レーザ１０の発振中心波長を
狭帯域バンドパスフィルター１４の透過中心波長付近に
ロックする。
【００４０】波長ロックを行わずに、高周波駆動した場
合には、半導体レーザの発振状態がランダムになり、発
振の縦モードスペクトルが増加する（例えば、直流電流
を通電した時には１本だった縦モードスペクトルが、高
周波駆動すると数本から数１０本になる）だけである
が、同時に波長ロックを行うことで、半導体レーザ１０
の発振の縦モードスペクトルの数が数本になる。
合には、半導体レーザの発振状態がランダムになり、発
振の縦モードスペクトルが増加する（例えば、直流電流
を通電した時には１本だった縦モードスペクトルが、高
周波駆動すると数本から数１０本になる）だけである
が、同時に波長ロックを行うことで、半導体レーザ１０
の発振の縦モードスペクトルの数が数本になる。
【００４１】半導体レーザ１０として、発振波長が９５
０ｎｍ、２００ｍＡの電流で駆動した場合の出力が７０
ｍＷ、両端面（劈開面）に設けられたＬＲ（低反射率）
コート３２の発振波長の光に対する反射率が２０〜３０
％、共振器長が７５０μｍの半導体レーザを使用し、狭
帯域バンドパスフィルター１４には、透過半値幅が０．
５ｎｍ、中心波長の透過率が８０％のものを使用し、コ
リメーターレンズ１２および集光レンズ１３には、開口
数０．５のレンズを使用し、ミラー２０には、反射率９
９％の誘電体多層膜反射ミラーを使用して、図１１に示
す光学系と同様の光学系を作製し、波長ロックされ、高
周波（例えば、１０〜５０ＭＨｚ）を重畳して高周波駆
動された半導体レーザ１０の発振スペクトルを、光ファ
イバーを通して光スペクトルアナライザーで観測したと
ころ、半導体レーザ１０の発振の縦モードスペクトルの
本数は２〜３本であった。
０ｎｍ、２００ｍＡの電流で駆動した場合の出力が７０
ｍＷ、両端面（劈開面）に設けられたＬＲ（低反射率）
コート３２の発振波長の光に対する反射率が２０〜３０
％、共振器長が７５０μｍの半導体レーザを使用し、狭
帯域バンドパスフィルター１４には、透過半値幅が０．
５ｎｍ、中心波長の透過率が８０％のものを使用し、コ
リメーターレンズ１２および集光レンズ１３には、開口
数０．５のレンズを使用し、ミラー２０には、反射率９
９％の誘電体多層膜反射ミラーを使用して、図１１に示
す光学系と同様の光学系を作製し、波長ロックされ、高
周波（例えば、１０〜５０ＭＨｚ）を重畳して高周波駆
動された半導体レーザ１０の発振スペクトルを、光ファ
イバーを通して光スペクトルアナライザーで観測したと
ころ、半導体レーザ１０の発振の縦モードスペクトルの
本数は２〜３本であった。
【００４２】以上の通り、本実施の形態では、高周波駆
動すると同時に波長ロックを行うことで、半導体レーザ
の発振の縦モードスペクトルの数が増加するので、図３
に示すように、光波長変換素子の波長に対する感度が低
下して、光波長変換素子のＩＬ特性が単調に変化するよ
うになる。これによりＡＰＣ制御が容易になる。
動すると同時に波長ロックを行うことで、半導体レーザ
の発振の縦モードスペクトルの数が増加するので、図３
に示すように、光波長変換素子の波長に対する感度が低
下して、光波長変換素子のＩＬ特性が単調に変化するよ
うになる。これによりＡＰＣ制御が容易になる。
【００４３】また、以下に説明するように、本実施の形
態の光波長変換モジュールは、光波長変換素子から出射
するレーザービームを変調する光変調手段を備えていて
もよい。
態の光波長変換モジュールは、光波長変換素子から出射
するレーザービームを変調する光変調手段を備えていて
もよい。
【００４４】本実施の形態の光波長変換モジュールは、
図４に示すように、音響光学変調器（ＡＯＭ）を用いた
外部変調手段により変調することができる。図４に示す
ように、この外部変調手段は、音響光学媒体１０１とこ
の音響光学媒体に振動を与えるためのトランスデューサ
ー１０２とからなるＡＯＭ１００と、トランスデューサ
ー１０２に高周波信号を印加するための発振器１０３と
からなり、発振器１０３は、外部電気信号が入力される
ミキサー１０４およびＲＦアンプ１０５を介してトラン
スデューサー１０２に接続されている。
図４に示すように、音響光学変調器（ＡＯＭ）を用いた
外部変調手段により変調することができる。図４に示す
ように、この外部変調手段は、音響光学媒体１０１とこ
の音響光学媒体に振動を与えるためのトランスデューサ
ー１０２とからなるＡＯＭ１００と、トランスデューサ
ー１０２に高周波信号を印加するための発振器１０３と
からなり、発振器１０３は、外部電気信号が入力される
ミキサー１０４およびＲＦアンプ１０５を介してトラン
スデューサー１０２に接続されている。
【００４５】光波長変換素子１５から出射した第２高調
波１９は、集光レンズ３１を介して音響光学媒体１０１
内に入射し、発振器１０３から出力された１００〜２０
０ＭＨｚ程度の高周波信号によりトランスデューサー１
０２が振動させられていない状態では、音響光学媒体１
０１内を直進する。一方、高周波信号によりトランスデ
ューサー１０２が振動させられると、トランスデューサ
ー１０２から超音波が発生し、この超音波により音響光
学媒体１０１内の屈折率分布が変化して回折格子が形成
され、この回折格子により音響光学媒体１０１内に入射
した第２高調波１９が回折される。
波１９は、集光レンズ３１を介して音響光学媒体１０１
内に入射し、発振器１０３から出力された１００〜２０
０ＭＨｚ程度の高周波信号によりトランスデューサー１
０２が振動させられていない状態では、音響光学媒体１
０１内を直進する。一方、高周波信号によりトランスデ
ューサー１０２が振動させられると、トランスデューサ
ー１０２から超音波が発生し、この超音波により音響光
学媒体１０１内の屈折率分布が変化して回折格子が形成
され、この回折格子により音響光学媒体１０１内に入射
した第２高調波１９が回折される。
【００４６】この回折の効率η、従って光の強度はトラ
ンスデューサー１０２から発生する超音波の強度に応じ
て変化する。したがって、トランスデューサー１０２に
加えられる電気信号の電圧レベルを制御して高周波信号
を振幅変調すれば、この電気信号の振幅に応じて回折効
率ηが変化するから、ＳＨＧ光を強度変調することがで
きる。例えば、高周波信号を振幅０と所定の振幅のいず
れかをとるように振幅変調すれば被変調光はオンオフ変
調され、高周波信号を連続的に振幅変調すれば被変調光
は連続的に強度変調される。
ンスデューサー１０２から発生する超音波の強度に応じ
て変化する。したがって、トランスデューサー１０２に
加えられる電気信号の電圧レベルを制御して高周波信号
を振幅変調すれば、この電気信号の振幅に応じて回折効
率ηが変化するから、ＳＨＧ光を強度変調することがで
きる。例えば、高周波信号を振幅０と所定の振幅のいず
れかをとるように振幅変調すれば被変調光はオンオフ変
調され、高周波信号を連続的に振幅変調すれば被変調光
は連続的に強度変調される。
【００４７】また、前記駆動回路４０に代えて、図５
（Ａ）に示す光変調駆動回路５０を用い、半導体レーザ
ーを直接変調により強度変調することにより、ＳＨＧ光
を強度変調することができる。
（Ａ）に示す光変調駆動回路５０を用い、半導体レーザ
ーを直接変調により強度変調することにより、ＳＨＧ光
を強度変調することができる。
【００４８】この光変調駆動回路５０は、ＡＰＣを備え
た直流電源回路５１、変調信号が入力されるアンプ５
２、コイル５３、駆動電流に高周波信号を重畳するため
の高周波発信器５４、及びコンデンサ５５から構成され
ている。この光変調駆動回路５０においては、直流電源
回路５１から発せられた直流電流成分は、アンプ５２で
変調信号に応じて増幅される。増幅された直流電流には
コイル５３を経た後、高周波発信器５４から発せられて
コンデンサ５５を経た高周波が重畳される。この高周波
が重畳された電流が半導体レーザ１０に通電され、半導
体レーザ１０が変調駆動される。
た直流電源回路５１、変調信号が入力されるアンプ５
２、コイル５３、駆動電流に高周波信号を重畳するため
の高周波発信器５４、及びコンデンサ５５から構成され
ている。この光変調駆動回路５０においては、直流電源
回路５１から発せられた直流電流成分は、アンプ５２で
変調信号に応じて増幅される。増幅された直流電流には
コイル５３を経た後、高周波発信器５４から発せられて
コンデンサ５５を経た高周波が重畳される。この高周波
が重畳された電流が半導体レーザ１０に通電され、半導
体レーザ１０が変調駆動される。
【００４９】従来、半導体レーザーの発振波長をロック
した場合には、半導体レーザの駆動電流の増加に従い光
波長変換素子の出力光量が単調増加しないので、半導体
レーザの駆動電流を直接変調することによりＳＨＧ光を
強度変調しても、ＳＨＧ光の出力光量を所望の値に制御
することが難しい、という問題があり、半導体レーザー
を光源として用いた光波長変換素子においては、半導体
レーザーを直接変調してＳＨＧ光の強度変調を精度良く
行うことが難しかった。
した場合には、半導体レーザの駆動電流の増加に従い光
波長変換素子の出力光量が単調増加しないので、半導体
レーザの駆動電流を直接変調することによりＳＨＧ光を
強度変調しても、ＳＨＧ光の出力光量を所望の値に制御
することが難しい、という問題があり、半導体レーザー
を光源として用いた光波長変換素子においては、半導体
レーザーを直接変調してＳＨＧ光の強度変調を精度良く
行うことが難しかった。
【００５０】本実施の形態の光波長変換モジュールにお
いては、光波長変換素子のＩＬ特性が単調に変化するた
め、図６（Ａ）に示すように、半導体レーザーの駆動電
流を直接変調して、ＳＨＧ光を精度良く強度変調するこ
とができる。従って、上述のＡＯＭ等の高価な外部変調
器を使用しなくてもＳＨＧ光の強度変調を行うことがで
き、低コストでコンパクトな光学系の設計が可能にな
る。
いては、光波長変換素子のＩＬ特性が単調に変化するた
め、図６（Ａ）に示すように、半導体レーザーの駆動電
流を直接変調して、ＳＨＧ光を精度良く強度変調するこ
とができる。従って、上述のＡＯＭ等の高価な外部変調
器を使用しなくてもＳＨＧ光の強度変調を行うことがで
き、低コストでコンパクトな光学系の設計が可能にな
る。
【００５１】また、前記駆動回路４０に代えて、図５
（Ｂ）に示す光変調駆動回路６０を用い、半導体レーザ
ーを、駆動周波数より低い周波数でパルス幅変調するこ
とによって直接変調駆動することにより、ＳＨＧ光を変
調することもできる。
（Ｂ）に示す光変調駆動回路６０を用い、半導体レーザ
ーを、駆動周波数より低い周波数でパルス幅変調するこ
とによって直接変調駆動することにより、ＳＨＧ光を変
調することもできる。
【００５２】この光変調駆動回路６０は、ＡＰＣを備え
た直流電源回路５１、コイル５３、駆動電流に高周波信
号を重畳するための高周波発信器５４、コンデンサ５
５、及び重畳される高周波より低周波のパルス信号から
なる変調信号によりオンオフされるスイッチング素子５
６から構成されている。この光変調駆動回路６０におい
ては、直流電源回路５１から発せられコイル５３を経た
直流電流成分に、高周波発信器５４から出力されてコン
デンサ５５を経た高周波が重畳され、スイッチング素子
５６のオンオフによりパルス幅変調される。高周波が重
畳された直流電流成分は、スイッチング素子５６により
高周波より低周波数のパルス信号で変調されるので、１
つのパルス中に数周期分のＳＨＧ光の高周波成分が含ま
れることになる。このパルス幅変調された駆動電流が半
導体レーザ１０に通電され、半導体レーザ１０がパルス
幅変調される。
た直流電源回路５１、コイル５３、駆動電流に高周波信
号を重畳するための高周波発信器５４、コンデンサ５
５、及び重畳される高周波より低周波のパルス信号から
なる変調信号によりオンオフされるスイッチング素子５
６から構成されている。この光変調駆動回路６０におい
ては、直流電源回路５１から発せられコイル５３を経た
直流電流成分に、高周波発信器５４から出力されてコン
デンサ５５を経た高周波が重畳され、スイッチング素子
５６のオンオフによりパルス幅変調される。高周波が重
畳された直流電流成分は、スイッチング素子５６により
高周波より低周波数のパルス信号で変調されるので、１
つのパルス中に数周期分のＳＨＧ光の高周波成分が含ま
れることになる。このパルス幅変調された駆動電流が半
導体レーザ１０に通電され、半導体レーザ１０がパルス
幅変調される。
【００５３】上記ではパルス幅変調について説明した
が、図６（Ｂ）に示すように、半導体レーザーの駆動電
流のオンオフを繰り返し、半導体レーザーの駆動電流を
直接パルス幅変調して、ＳＨＧ光を変調することも可能
である。パルス幅変調では、パルス幅により信号強度を
変調するが、本実施の形態の光波長変換モジュールにお
いては、ＩＬ特性が単調に変化するため各パルスのピー
ク値が一定になり、安定してＳＨＧ光の変調を行うこと
ができる。
が、図６（Ｂ）に示すように、半導体レーザーの駆動電
流のオンオフを繰り返し、半導体レーザーの駆動電流を
直接パルス幅変調して、ＳＨＧ光を変調することも可能
である。パルス幅変調では、パルス幅により信号強度を
変調するが、本実施の形態の光波長変換モジュールにお
いては、ＩＬ特性が単調に変化するため各パルスのピー
ク値が一定になり、安定してＳＨＧ光の変調を行うこと
ができる。
【００５４】なお、変調信号に従い高周波発信器５４の
出力レベルを変化させるようにしてもよい。高周波発信
器５４の出力レベルを変化させることで、変調レベル全
域に渡り、完全に高周波が重畳された信号で半導体レー
ザ１０を駆動することができる。また、必要な信号波形
をデジタル回路で構成し、得られた信号波形を半導体レ
ーザ１０のドライバに供給して半導体レーザを変調駆動
することもできる。この場合はデジタル回路により任意
の信号波形を得ることができる。 （第２の実施の形態）第２の実施の形態に係る光波長変
換モジュールは、半導体レーザ１０の外部共振器内に位
置する側の端面（後方出射端面）に、他方の端面よりも
反射率の高いコート３２ｈを施し、半導体レーザ１０を
高周波を重畳することなく変調駆動する以外は、第１の
実施の形態に係る光波長変換モジュールと同じ構成であ
るため、同じ符号を付して説明を省略する。
出力レベルを変化させるようにしてもよい。高周波発信
器５４の出力レベルを変化させることで、変調レベル全
域に渡り、完全に高周波が重畳された信号で半導体レー
ザ１０を駆動することができる。また、必要な信号波形
をデジタル回路で構成し、得られた信号波形を半導体レ
ーザ１０のドライバに供給して半導体レーザを変調駆動
することもできる。この場合はデジタル回路により任意
の信号波形を得ることができる。 （第２の実施の形態）第２の実施の形態に係る光波長変
換モジュールは、半導体レーザ１０の外部共振器内に位
置する側の端面（後方出射端面）に、他方の端面よりも
反射率の高いコート３２ｈを施し、半導体レーザ１０を
高周波を重畳することなく変調駆動する以外は、第１の
実施の形態に係る光波長変換モジュールと同じ構成であ
るため、同じ符号を付して説明を省略する。
【００５５】本実施の形態では、半導体レーザ１０の後
方出射端面に、前方出射端面に設けられるコート３２よ
りも高い反射率のコート３２ｈを施したことにより、外
部共振器で共振されて半導体レーザ１０にフィードバッ
クされる戻り光量が減少する。これにより、半導体レー
ザ１０の発振波長が十分にロックされずに発振の縦モー
ドスペクトルの数が増加する。
方出射端面に、前方出射端面に設けられるコート３２よ
りも高い反射率のコート３２ｈを施したことにより、外
部共振器で共振されて半導体レーザ１０にフィードバッ
クされる戻り光量が減少する。これにより、半導体レー
ザ１０の発振波長が十分にロックされずに発振の縦モー
ドスペクトルの数が増加する。
【００５６】例えば、半導体レーザ１０として、発振波
長が９５０ｎｍ、２００ｍＡの電流で駆動した場合の出
力が７０ｍＷ、両端面（劈開面）に設けられたＬＲ（低
反射率）コート３２の発振波長の光に対する反射率が２
０〜３０％、共振器長が７５０μｍの半導体レーザを使
用し、狭帯域バンドパスフィルター１４には、透過半値
幅が０．５ｎｍ、中心波長の透過率が８０％のものを使
用し、コリメーターレンズ１２および集光レンズ１３に
は、開口数０．５のレンズを使用し、ミラー２０には、
反射率９０％の誘電体多層膜反射ミラーを使用した場合
には、コート３２ｈの発振波長の光に対する反射率は、
２０％〜７０％とすることが好ましい。
長が９５０ｎｍ、２００ｍＡの電流で駆動した場合の出
力が７０ｍＷ、両端面（劈開面）に設けられたＬＲ（低
反射率）コート３２の発振波長の光に対する反射率が２
０〜３０％、共振器長が７５０μｍの半導体レーザを使
用し、狭帯域バンドパスフィルター１４には、透過半値
幅が０．５ｎｍ、中心波長の透過率が８０％のものを使
用し、コリメーターレンズ１２および集光レンズ１３に
は、開口数０．５のレンズを使用し、ミラー２０には、
反射率９０％の誘電体多層膜反射ミラーを使用した場合
には、コート３２ｈの発振波長の光に対する反射率は、
２０％〜７０％とすることが好ましい。
【００５７】コート３２ｈの反射率が７０％であると、
図７に示すように、半導体レーザ１０の後方出射端面に
入射した光量の内、７０％が後方出射端面で反射され、
３０％が外部共振器で共振される。狭域帯バンドパスフ
ィルター１４の透過率を８０％、ミラー２０の反射率を
９０％とすると、半導体レーザ１０への戻り光量は、後
方出射端面に入射した光量の５．７％となる。この状態
では、半導体レーザ１０の発振波長は殆どロックされ
ず、発振の縦モードがマルチモードになる。
図７に示すように、半導体レーザ１０の後方出射端面に
入射した光量の内、７０％が後方出射端面で反射され、
３０％が外部共振器で共振される。狭域帯バンドパスフ
ィルター１４の透過率を８０％、ミラー２０の反射率を
９０％とすると、半導体レーザ１０への戻り光量は、後
方出射端面に入射した光量の５．７％となる。この状態
では、半導体レーザ１０の発振波長は殆どロックされ
ず、発振の縦モードがマルチモードになる。
【００５８】一方、コート３２ｈの反射率が２０％であ
ると、半導体レーザ１０の後方出射端面に入射した光量
の内、２０％が後方出射端面で反射され、８０％が外部
共振器で共振される。半導体レーザ１０への戻り光量
は、後方出射端面に入射した光量の４０％となる。この
状態では、外部共振器による発振が支配的となり、２０
％以上では発振の縦モードが２本になるが、２０％未満
では発振の縦モードがシングルモードになる。
ると、半導体レーザ１０の後方出射端面に入射した光量
の内、２０％が後方出射端面で反射され、８０％が外部
共振器で共振される。半導体レーザ１０への戻り光量
は、後方出射端面に入射した光量の４０％となる。この
状態では、外部共振器による発振が支配的となり、２０
％以上では発振の縦モードが２本になるが、２０％未満
では発振の縦モードがシングルモードになる。
【００５９】以上の通り、本実施の形態では、外部共振
器で共振されて半導体レーザにフィードバックされる戻
り光量が減少し、半導体レーザの発振波長が十分にロッ
クされずに発振の縦モードスペクトルの数が増加するの
で、光波長変換素子の波長に対する感度が低下して、Ｉ
Ｌ特性が単調に変化するようになる。これにより、ＡＰ
Ｃ制御が容易になると共に、半導体レーザーの駆動電流
を直接変調して波長変換波を精度良く強度変調またはパ
ルス幅変調することができる。
器で共振されて半導体レーザにフィードバックされる戻
り光量が減少し、半導体レーザの発振波長が十分にロッ
クされずに発振の縦モードスペクトルの数が増加するの
で、光波長変換素子の波長に対する感度が低下して、Ｉ
Ｌ特性が単調に変化するようになる。これにより、ＡＰ
Ｃ制御が容易になると共に、半導体レーザーの駆動電流
を直接変調して波長変換波を精度良く強度変調またはパ
ルス幅変調することができる。
【００６０】なお、本実施の形態では、半導体レーザ１
０の後方出射端面側に設けるコートの反射率の範囲を２
０〜７０％としたが、半導体レーザの種類や構造によ
り、その範囲は変動する。 （第３の実施の形態）第３の実施の形態に係る光波長変
換モジュールは、狭帯域バンドパスフィルター１４の透
過半値幅を、半導体レーザ１０から出射された基本波に
含まれる複数の縦モードスペクトルが透過可能な幅と
し、半導体レーザ１０を高周波を重畳することなく変調
駆動する以外は、第１の実施の形態に係る光波長変換モ
ジュールと同じ構成であるため、同じ符号を付して説明
を省略する。
０の後方出射端面側に設けるコートの反射率の範囲を２
０〜７０％としたが、半導体レーザの種類や構造によ
り、その範囲は変動する。 （第３の実施の形態）第３の実施の形態に係る光波長変
換モジュールは、狭帯域バンドパスフィルター１４の透
過半値幅を、半導体レーザ１０から出射された基本波に
含まれる複数の縦モードスペクトルが透過可能な幅と
し、半導体レーザ１０を高周波を重畳することなく変調
駆動する以外は、第１の実施の形態に係る光波長変換モ
ジュールと同じ構成であるため、同じ符号を付して説明
を省略する。
【００６１】本実施の形態では、狭帯域バンドパスフィ
ルターの透過波長範囲を広げたことにより、許容できる
発振の縦モードスペクトルの数が増加する。例えば、図
８（Ａ）に示すように、狭帯域バンドパスフィルター１
４の透過半値幅が０．５ｎｍの場合には１本だった縦モ
ード数が、図８（Ｂ）に示すように、透過半値幅が１．
０ｎｍの場合には３本になり、図８（Ｃ）に示すよう
に、透過半値幅が１．５ｎｍの場合には５本になる。
ルターの透過波長範囲を広げたことにより、許容できる
発振の縦モードスペクトルの数が増加する。例えば、図
８（Ａ）に示すように、狭帯域バンドパスフィルター１
４の透過半値幅が０．５ｎｍの場合には１本だった縦モ
ード数が、図８（Ｂ）に示すように、透過半値幅が１．
０ｎｍの場合には３本になり、図８（Ｃ）に示すよう
に、透過半値幅が１．５ｎｍの場合には５本になる。
【００６２】以上の通り、本実施の形態では、光波長変
換素子である狭帯域バンドパスフィルターが許容できる
発振の縦モードスペクトルの数が増加するので、光波長
変換素子の波長に対する感度が低下して、ＩＬ特性が単
調に変化するようになる。これにより、ＡＰＣ制御が容
易になると共に、半導体レーザーの駆動電流を直接変調
して波長変換波を精度良く強度変調またはパルス幅変調
することができる。
換素子である狭帯域バンドパスフィルターが許容できる
発振の縦モードスペクトルの数が増加するので、光波長
変換素子の波長に対する感度が低下して、ＩＬ特性が単
調に変化するようになる。これにより、ＡＰＣ制御が容
易になると共に、半導体レーザーの駆動電流を直接変調
して波長変換波を精度良く強度変調またはパルス幅変調
することができる。
【００６３】
【発明の効果】本発明によれば、光波長変換素子の出力
光量が、半導体レーザの駆動電流の増加に従い連続して
増加する、という効果を奏する。これにより、自動出力
制御（ＡＰＣ）が容易に行えるようになり、出力光の高
精度での変調が可能になるため、低コストでコンパクト
な光学系の設計が可能になる。
光量が、半導体レーザの駆動電流の増加に従い連続して
増加する、という効果を奏する。これにより、自動出力
制御（ＡＰＣ）が容易に行えるようになり、出力光の高
精度での変調が可能になるため、低コストでコンパクト
な光学系の設計が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態に係る光波長変換モジュール
の構成を示す概略側面図である。
の構成を示す概略側面図である。
【図２】第１の実施の形態の光波長変換モジュールの駆
動回路を示す回路図である。
動回路を示す回路図である。
【図３】第１の実施の形態の光波長変換モジュールにお
ける、半導体レーザの駆動電流に対する光波長変換素子
の出力光量変化を示すグラフである。
ける、半導体レーザの駆動電流に対する光波長変換素子
の出力光量変化を示すグラフである。
【図４】音響光学変調器の構成を示す概略側面図であ
る。
る。
【図５】（Ａ）は第１の実施の形態の光波長変換モジュ
ールの変調回路の１例を示す回路図であり、（Ｂ）は変
調回路の他の例を示す回路図である。
ールの変調回路の１例を示す回路図であり、（Ｂ）は変
調回路の他の例を示す回路図である。
【図６】（Ａ）は強度変調されたＳＨＧ光の時間変化を
表すグラフであり、（Ｂ）はパルス幅変調されたＳＨＧ
光の時間変化を表すグラフである。
表すグラフであり、（Ｂ）はパルス幅変調されたＳＨＧ
光の時間変化を表すグラフである。
【図７】第２の実施の形態の光波長変換モジュールの外
部共振器からの戻り光量の変化を説明するための説明図
である。
部共振器からの戻り光量の変化を説明するための説明図
である。
【図８】第３の実施の形態の光波長変換モジュールのバ
ンドパスフィルターの透過特性と半導体レーザの発振状
態との関係を示す図である。
ンドパスフィルターの透過特性と半導体レーザの発振状
態との関係を示す図である。
【図９】駆動電流が増加した場合の波長ロック前の半導
体レーザの発振スペクトルの変化を示すグラフである。
体レーザの発振スペクトルの変化を示すグラフである。
【図１０】（Ａ）は半導体レーザの駆動電流に対する半
導体レーザの出力光量変化を示すグラフであり、（Ｂ）
は半導体レーザの駆動電流に対するＳＨＧ素子の出力光
量変化を示すグラフである。
導体レーザの出力光量変化を示すグラフであり、（Ｂ）
は半導体レーザの駆動電流に対するＳＨＧ素子の出力光
量変化を示すグラフである。
【図１１】半導体レーザの発振スペクトルの観測に用い
た光学系の構成を示す概略図である。
た光学系の構成を示す概略図である。
【図１２】駆動電流が増加した場合の波長ロック後の半
導体レーザの発振スペクトルの変化を示すグラフであ
る。
導体レーザの発振スペクトルの変化を示すグラフであ
る。
１０ 半導体レーザー １１Ｒ レーザービーム（後方出射光） １２ コリメーターレンズ １３ 集光レンズ １４ 狭帯域バンドパスフィルター １５ 光波長変換素子 １６ 基板 １７ ドメイン反転部 １８ チャンネル光導波路 ３０、３１ ＡＲ（無反射）コート ４０ 駆動回路 ５０、６０ 光変調駆動回路
Claims (13)
- 【請求項１】基本波を波長変換する光波長変換素子と、 波長選択素子を備えた外部共振器を備え、前記光波長変
換素子の許容波長帯域内に複数の縦モードスペクトルを
含む基本波を出射する半導体レーザと、 を含む光波長変換モジュール。 - 【請求項２】基本波を波長変換する光波長変換素子と、 外部に設けられた反射部材と前方出射端面とで構成され
た外部共振器を備えると共に、該外部共振器内に波長選
択素子を備え、前記前方出射端面から前記光波長変換素
子の許容波長帯域内に複数の縦モードスペクトルを含む
基本波を出射する半導体レーザと、 を含む光波長変換モジュール。 - 【請求項３】前記縦モードスペクトルの本数が、前記光
波長変換素子の許容波長帯域をΔλとし、前記半導体レ
ーザの縦モードスペクトルの波長間隔をΔλ mとしたと
き、Δλ／Δλmの商の整数部Ｎmax以下である請求項１
または２に記載の光波長変換モジュール。 - 【請求項４】前記光波長変換素子と前記半導体レーザと
を直接光結合した請求項１〜３のいずれか１項に記載の
光波長変換モジュール。 - 【請求項５】前記光波長変換素子が、擬似位相整合によ
り波長変換する擬似位相整合型の光波長変換素子である
請求項１〜４のいずれか１項に記載の光波長変換モジュ
ール。 - 【請求項６】前記半導体レーザを変調信号に従い変調駆
動する駆動手段を設けた請求項１〜５のいずれか１項に
記載の光波長変換モジュール。 - 【請求項７】前記半導体レーザを高周波により駆動する
駆動手段を設けた請求項１〜６のいずれか１項に記載の
光波長変換モジュール。 - 【請求項８】前記半導体レーザを前記高周波より低周波
数で変調駆動する駆動手段を設けた請求項７に記載の光
波長変換モジュール。 - 【請求項９】前記波長選択素子の透過半値幅を、半導体
レーザから出射された基本波に含まれる複数の縦モード
スペクトルが透過可能な幅とした請求項１〜８のいずれ
か１項に記載の光波長変換モジュール。 - 【請求項１０】前記波長選択素子の透過半値幅が、０．
５ｎｍ以上である請求項９に記載の光波長変換モジュー
ル。 - 【請求項１１】前記半導体レーザの少なくとも一方の端
面に、反射率が２０％以上の反射防止膜を設けた請求項
１〜１０のいずれか１項に記載の光波長変換モジュー
ル。 - 【請求項１２】前記光波長変換素子が、プロトン交換ア
ニールにより形成された光導波路を備える請求項１〜１
１のいずれか１項に記載の光波長変換モジュール。 - 【請求項１３】ＭｇＯ若しくはＺｎＯがドープされたＬ
ｉＮｂＯ3若しくはＬｉＴａＯ3からなる光学結晶基板上
に、前記光波長変換素子を作製した請求項１〜１２のい
ずれか１項に記載の光波長変換モジュール。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000056642A JP2001242500A (ja) | 2000-03-02 | 2000-03-02 | 光波長変換モジュール |
| US09/794,173 US6775307B2 (en) | 2000-03-02 | 2001-02-27 | Light wavelength conversion module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000056642A JP2001242500A (ja) | 2000-03-02 | 2000-03-02 | 光波長変換モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001242500A true JP2001242500A (ja) | 2001-09-07 |
Family
ID=18577548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000056642A Pending JP2001242500A (ja) | 2000-03-02 | 2000-03-02 | 光波長変換モジュール |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6775307B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001242500A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005294424A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Shimadzu Corp | 波長変換レーザ装置 |
| JP2006073970A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Cyber Laser Kk | Ｃｗ深紫外線光源 |
| WO2006059389A1 (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 光波長変換光源 |
| JP2008047730A (ja) * | 2006-08-17 | 2008-02-28 | Fujifilm Corp | 波長可変光源および光断層画像化装置 |
| JP2008176186A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Seiko Epson Corp | レーザ光源装置およびそれを用いたモニタ装置ならびに画像表示装置 |
| WO2009101742A1 (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Nec Corporation | 波長可変レーザ装置及びその波長切替方法 |
| JP2012195611A (ja) * | 2007-01-10 | 2012-10-11 | Seiko Epson Corp | レーザー光源装置、モニター装置、画像表示装置及びレーザー光源装置の制御方法 |
| JP2018121041A (ja) * | 2016-02-10 | 2018-08-02 | 昭和オプトロニクス株式会社 | 外部共振器型半導体レーザ装置 |
| US10615569B2 (en) | 2016-02-10 | 2020-04-07 | Showa Optronics Co., Ltd. | Semiconductor laser with external resonator |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6862301B2 (en) * | 2001-12-31 | 2005-03-01 | Finisar Corporation | Tunable laser assembly |
| JP2003295243A (ja) * | 2002-04-04 | 2003-10-15 | Canon Inc | 高調波光源装置、その駆動方法、およびそれを用いた画像表示装置、画像形成装置、光記録装置 |
| JP3939205B2 (ja) * | 2002-06-18 | 2007-07-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置、レーザ加工温度測定装置、レーザ加工方法及びレーザ加工温度測定方法 |
| US20050169346A1 (en) * | 2004-01-29 | 2005-08-04 | Trw Automotive U.S. Llc | Method for monitoring quality of a transmissive laser weld |
| JPWO2008029892A1 (ja) * | 2006-09-07 | 2010-01-21 | パナソニック株式会社 | レーザ光源、面光源及び液晶表示装置 |
| JP2008135689A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-06-12 | Seiko Epson Corp | レーザ光源装置及びそのレーザ光源装置を備えた画像表示装置 |
| WO2008114512A1 (ja) * | 2007-03-22 | 2008-09-25 | Panasonic Corporation | レーザ波長変換装置及びこれを備えた画像表示装置 |
| US20110280265A1 (en) * | 2010-05-14 | 2011-11-17 | Institut National D'optique | Driver circuit for the direct modulation of a laser diode |
| US9874518B2 (en) * | 2014-04-22 | 2018-01-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical sensor system, optical gas sensor system, particulate sensor system, light emitting apparatus, and image printing apparatus |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5671240A (en) * | 1984-11-18 | 1997-09-23 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid state laser |
| JPH07107166B2 (ja) * | 1987-10-05 | 1995-11-15 | 東芝タンガロイ株式会社 | 複合捩れ焼結体の製造方法 |
| US5265116A (en) * | 1988-02-02 | 1993-11-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Microchip laser |
| US5854870A (en) * | 1990-05-25 | 1998-12-29 | Hitachi, Ltd. | Short-wavelength laser light source |
| US5315433A (en) * | 1991-02-28 | 1994-05-24 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical wavelength converting apparatus |
| JPH05173212A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光波長変換モジュール |
| US5301059A (en) * | 1992-03-03 | 1994-04-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Short-wavelength light generating apparatus |
| JP3052651B2 (ja) * | 1992-06-17 | 2000-06-19 | 松下電器産業株式会社 | 短波長光源 |
| JPH06242478A (ja) | 1993-02-18 | 1994-09-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | 強誘電体のドメイン反転構造形成方法 |
| JPH10254001A (ja) * | 1997-03-17 | 1998-09-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光波長変換モジュール |
| JP2000332346A (ja) * | 1999-05-21 | 2000-11-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザーおよび光波長変換モジュール |
-
2000
- 2000-03-02 JP JP2000056642A patent/JP2001242500A/ja active Pending
-
2001
- 2001-02-27 US US09/794,173 patent/US6775307B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005294424A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Shimadzu Corp | 波長変換レーザ装置 |
| JP2006073970A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Cyber Laser Kk | Ｃｗ深紫外線光源 |
| US7605973B2 (en) | 2004-12-03 | 2009-10-20 | Mitsubishi Electric Corporation | Optical wavelength conversion light source |
| WO2006059389A1 (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 光波長変換光源 |
| JPWO2006059389A1 (ja) * | 2004-12-03 | 2008-06-05 | 三菱電機株式会社 | 光波長変換光源 |
| JP2008047730A (ja) * | 2006-08-17 | 2008-02-28 | Fujifilm Corp | 波長可変光源および光断層画像化装置 |
| JP2012195611A (ja) * | 2007-01-10 | 2012-10-11 | Seiko Epson Corp | レーザー光源装置、モニター装置、画像表示装置及びレーザー光源装置の制御方法 |
| JP2008176186A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Seiko Epson Corp | レーザ光源装置およびそれを用いたモニタ装置ならびに画像表示装置 |
| WO2009101742A1 (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Nec Corporation | 波長可変レーザ装置及びその波長切替方法 |
| US8284807B2 (en) | 2008-02-15 | 2012-10-09 | Nec Corporation | Wavelength-tunable laser apparatus and wavelength changing method thereof |
| JP5333238B2 (ja) * | 2008-02-15 | 2013-11-06 | 日本電気株式会社 | 波長可変レーザ装置及びその波長切替方法 |
| JP2018121041A (ja) * | 2016-02-10 | 2018-08-02 | 昭和オプトロニクス株式会社 | 外部共振器型半導体レーザ装置 |
| US10615569B2 (en) | 2016-02-10 | 2020-04-07 | Showa Optronics Co., Ltd. | Semiconductor laser with external resonator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20010019563A1 (en) | 2001-09-06 |
| US6775307B2 (en) | 2004-08-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001242500A (ja) | 光波長変換モジュール | |
| JP4271704B2 (ja) | コヒーレント光源および光学装置 | |
| US5452312A (en) | Short-wavelength laser light source and optical information processing aparatus | |
| KR19990022449A (ko) | 광소자, 레이저 광원 및 레이저 장치와 광소자의 제조방법 | |
| KR20080088440A (ko) | 레이저광 발생 장치 | |
| WO2004025363A1 (ja) | 波長変換モジュール | |
| JP2000250083A (ja) | 光波長変換モジュール及び画像記録方法 | |
| JP2000171844A (ja) | 光波長変換素子並びにそれを使用したコヒ―レント光発生装置及び光情報処理装置 | |
| US20100272135A1 (en) | Self-Seeded Wavelength Conversion | |
| US6678306B1 (en) | Semiconductor laser device with wavelength selection and high-frequency modulation of driving current | |
| JP3366160B2 (ja) | 高調波出力安定化方法及びそれを利用する短波長レーザ光源 | |
| JP3833179B2 (ja) | 光波長変換装置、及び光波長変換方法 | |
| JP2015115509A (ja) | レーザ光源装置及びスクリーン投影装置 | |
| JP3454810B2 (ja) | 短波長レーザ光源 | |
| US7605973B2 (en) | Optical wavelength conversion light source | |
| JP2004157217A (ja) | 波長変換レーザ光源 | |
| WO2011058599A1 (ja) | 波長変換光源装置 | |
| US6233260B1 (en) | Reduced-noise second-harmonic generator and laser application device | |
| JP3526282B2 (ja) | 高調波出力安定化方法及びそれを利用する短波長レーザ光源 | |
| JP3971342B2 (ja) | レーザ光源およびレーザ投射装置 | |
| JP3731977B2 (ja) | 光波長変換装置 | |
| JP4338003B2 (ja) | 波長安定化レーザ | |
| JP4156644B2 (ja) | レーザ装置 | |
| JP2002229086A (ja) | 波長変換装置 | |
| JP3264056B2 (ja) | 短波長レーザ光源 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050830 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20061221 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071120 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080610 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080811 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20081007 |