JPH10254001A - 光波長変換モジュール - Google Patents
光波長変換モジュールInfo
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- JPH10254001A JPH10254001A JP6257597A JP6257597A JPH10254001A JP H10254001 A JPH10254001 A JP H10254001A JP 6257597 A JP6257597 A JP 6257597A JP 6257597 A JP6257597 A JP 6257597A JP H10254001 A JPH10254001 A JP H10254001A
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- optical
- wavelength conversion
- laser beam
- substrate
- semiconductor laser
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 非線形光学効果を有する強誘電体結晶基板に
光導波路が形成され、この光導波路にドメイン反転部が
周期的に形成され、基本波の導波方向に垂直な面内にお
いて、基板の自発分極の向きが基板の表面に対して角度
θ（０°＜θ＜90°）をなしている光波長変換素子によ
って基本波を波長変換するモジュールにおいて、半導体
レーザーの発振波長をドメイン反転部の周期と位相整合
する波長に正確にロックし、半導体レーザーを安定して
発振させる。 【解決手段】 半導体レーザー10と光波長変換素子15と
の間に、狭帯域バンドパスフィルター等の波長選択光学
素子14を設け、この波長選択光学素子14により、光波長
変換素子15の端面18ａで反射して半導体レーザー10にフ
ィードバックするレーザービーム11の波長を選択する。
光導波路が形成され、この光導波路にドメイン反転部が
周期的に形成され、基本波の導波方向に垂直な面内にお
いて、基板の自発分極の向きが基板の表面に対して角度
θ（０°＜θ＜90°）をなしている光波長変換素子によ
って基本波を波長変換するモジュールにおいて、半導体
レーザーの発振波長をドメイン反転部の周期と位相整合
する波長に正確にロックし、半導体レーザーを安定して
発振させる。 【解決手段】 半導体レーザー10と光波長変換素子15と
の間に、狭帯域バンドパスフィルター等の波長選択光学
素子14を設け、この波長選択光学素子14により、光波長
変換素子15の端面18ａで反射して半導体レーザー10にフ
ィードバックするレーザービーム11の波長を選択する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光導波路型の光波
長変換素子を用いて基本波を第２高調波等に変換する光
波長変換モジュールに関し、特に詳細には、光導波路基
板として強誘電体結晶基板を用い、この光導波路に周期
ドメイン反転構造を形成してなる光波長変換素子を用い
た光波長変換モジュールに関するものである。
長変換素子を用いて基本波を第２高調波等に変換する光
波長変換モジュールに関し、特に詳細には、光導波路基
板として強誘電体結晶基板を用い、この光導波路に周期
ドメイン反転構造を形成してなる光波長変換素子を用い
た光波長変換モジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】非線形光学効果を有する強誘電体の自発
分極（ドメイン）を周期的に反転させた領域を設けた光
波長変換素子を用いて、基本波を第２高調波に波長変換
する方法が既にＢleombergenらによって提案されている
（Ｐhys.Ｒev.,vol.127,Ｎo.６，1918（1962）参照）。
この方法においては、ドメイン反転部の周期Λを、 Λｃ＝２π／｛β（２ω）−２β（ω）｝ ただしβ（２ω）は第２高調波の伝搬定数 β（ω）は基本波の伝搬定数 で与えられるコヒーレント長Λｃの整数倍になるように
設定することで、基本波と第２高調波との位相整合（い
わゆる疑似位相整合）を取ることができる。
分極（ドメイン）を周期的に反転させた領域を設けた光
波長変換素子を用いて、基本波を第２高調波に波長変換
する方法が既にＢleombergenらによって提案されている
（Ｐhys.Ｒev.,vol.127,Ｎo.６，1918（1962）参照）。
この方法においては、ドメイン反転部の周期Λを、 Λｃ＝２π／｛β（２ω）−２β（ω）｝ ただしβ（２ω）は第２高調波の伝搬定数 β（ω）は基本波の伝搬定数 で与えられるコヒーレント長Λｃの整数倍になるように
設定することで、基本波と第２高調波との位相整合（い
わゆる疑似位相整合）を取ることができる。
【０００３】そして、例えば特開平５−２９２０７号に
示されるように、非線形光学材料からなる光導波路を有
し、そこを導波させた基本波を波長変換する光導波路型
の光波長変換素子において、上述のような周期ドメイン
反転構造を形成して、効率良く位相整合を取る試みもな
されている。
示されるように、非線形光学材料からなる光導波路を有
し、そこを導波させた基本波を波長変換する光導波路型
の光波長変換素子において、上述のような周期ドメイン
反転構造を形成して、効率良く位相整合を取る試みもな
されている。
【０００４】このように周期ドメイン反転構造を形成し
た従来の光導波路型の光波長変換素子は、基板の自発分
極の向きの点から２つのタイプに大別されている。一方
のタイプの光波長変換素子は図２９に示すように、一つ
の基板表面２ａ（それに沿って光導波路１が延びる基板
表面）に対して、矢印Ｐで示す基板２の自発分極の向き
が垂直になっているものであり、別のタイプの光波長変
換素子は図３０に示すように、上記基板表面２ａに対し
て基板２の自発分極の向きが平行になっているものであ
る。
た従来の光導波路型の光波長変換素子は、基板の自発分
極の向きの点から２つのタイプに大別されている。一方
のタイプの光波長変換素子は図２９に示すように、一つ
の基板表面２ａ（それに沿って光導波路１が延びる基板
表面）に対して、矢印Ｐで示す基板２の自発分極の向き
が垂直になっているものであり、別のタイプの光波長変
換素子は図３０に示すように、上記基板表面２ａに対し
て基板２の自発分極の向きが平行になっているものであ
る。
【０００５】前者のタイプの光波長変換素子は、例えば
上記の特開平５−２９２０７号等に示されているもので
あり、ドメイン反転部を基板表面から十分に深く形成で
きる反面、半導体レーザーと組み合わせて用いる場合に
は基本波の入射光学系が複雑化するという難点が認めら
れる。以下、この点について詳しく説明する。
上記の特開平５−２９２０７号等に示されているもので
あり、ドメイン反転部を基板表面から十分に深く形成で
きる反面、半導体レーザーと組み合わせて用いる場合に
は基本波の入射光学系が複雑化するという難点が認めら
れる。以下、この点について詳しく説明する。
【０００６】図２９の構成において、導波光のビームパ
ターンは図中Ａで示すように、矢印Ｒで示す偏光ベクト
ルの向きに平行な方向のビーム径が小さく、それに直角
な方向のビーム径が大きいものとなる。またこのとき、
偏光ベクトルの向きは基板２の自発分極の向き（一般に
ＬｉＮｂＯ3 等の強誘電体において、自発分極の向きは
Ｚ軸と平行である）と一致し、導波モードはＴＭモード
となる。一方、半導体レーザー３から出射したレーザー
ビーム４のビームパターンは、図中Ｂに示すように、矢
印Ｑで示す偏光ベクトルの向きに平行な方向のビーム径
が大きく、それに直角な方向のビーム径が小さいものと
なる。
ターンは図中Ａで示すように、矢印Ｒで示す偏光ベクト
ルの向きに平行な方向のビーム径が小さく、それに直角
な方向のビーム径が大きいものとなる。またこのとき、
偏光ベクトルの向きは基板２の自発分極の向き（一般に
ＬｉＮｂＯ3 等の強誘電体において、自発分極の向きは
Ｚ軸と平行である）と一致し、導波モードはＴＭモード
となる。一方、半導体レーザー３から出射したレーザー
ビーム４のビームパターンは、図中Ｂに示すように、矢
印Ｑで示す偏光ベクトルの向きに平行な方向のビーム径
が大きく、それに直角な方向のビーム径が小さいものと
なる。
【０００７】そこで、半導体レーザー３から出射したレ
ーザービーム４を光導波路１に入力させるためにそれぞ
れの偏光方向を合わせるとビーム形状がミスマッチし、
レーザービーム４を効率良く光導波路１に入力させるこ
とができない。そうであると、第２高調波の強度が小さ
いものとなってしまう。
ーザービーム４を光導波路１に入力させるためにそれぞ
れの偏光方向を合わせるとビーム形状がミスマッチし、
レーザービーム４を効率良く光導波路１に入力させるこ
とができない。そうであると、第２高調波の強度が小さ
いものとなってしまう。
【０００８】そこで、レーザービーム４のビームパター
ンはそのままにしてその偏光方向を90°回転させるため
に、コリメーターレンズ５と集光レンズ６との間にλ／
２板７を配してなる複雑な基本波入射光学系が必要とな
る。
ンはそのままにしてその偏光方向を90°回転させるため
に、コリメーターレンズ５と集光レンズ６との間にλ／
２板７を配してなる複雑な基本波入射光学系が必要とな
る。
【０００９】それに対して、図３０に示すタイプの光波
長変換素子の場合は、上記のようなλ／２板７を配さな
い状態でレーザービーム４の直線偏光方向と基板２のＺ
軸方向とが一致するので、複雑な基本波入射光学系は不
要で、また半導体レーザー３を光導波路１の端面に直接
結合することも可能となる。なお、このときの導波モー
ドはＴＥモードとなる。
長変換素子の場合は、上記のようなλ／２板７を配さな
い状態でレーザービーム４の直線偏光方向と基板２のＺ
軸方向とが一致するので、複雑な基本波入射光学系は不
要で、また半導体レーザー３を光導波路１の端面に直接
結合することも可能となる。なお、このときの導波モー
ドはＴＥモードとなる。
【００１０】しかしその反面、この図３０に示すタイプ
の光波長変換素子は、ドメイン反転部８を基板表面２ａ
から十分に深く形成することができないという問題があ
る。この点を、図３１を参照して詳しく説明する。
の光波長変換素子は、ドメイン反転部８を基板表面２ａ
から十分に深く形成することができないという問題があ
る。この点を、図３１を参照して詳しく説明する。
【００１１】この図３１において、Ｄはドメイン反転部
８を形成するための電極を示している。また、ドメイン
反転部８の並び方向および基板２の厚さ方向は、それぞ
れ基板のＸ軸方向およびＹ軸方向である。波長変換する
基本波の実際的な波長を考慮すると、図中ａで示すドメ
イン反転部８の周期は数μｍ程度となる。これを便宜的
に５μｍとすると、最大波長変換効率を得るためにドメ
イン反転部８の幅と非反転部の幅との比を１：１にする
ためには、ドメイン反転部８の幅（図中のｂ寸法）は2.
5 μｍとなる。電極Ｄを現在の一般的なプロセスで作成
する場合、図中ｃで示す電極線幅を0.5 μｍよりも細く
するのは困難であり、ｃ＝0.5 μｍとすると、電極Ｄか
らドメイン反転部８の並び方向にｄ＝１μｍだけドメイ
ン反転部８を成長させれば、ドメイン反転部８の幅が2.
5 μｍとなる。
８を形成するための電極を示している。また、ドメイン
反転部８の並び方向および基板２の厚さ方向は、それぞ
れ基板のＸ軸方向およびＹ軸方向である。波長変換する
基本波の実際的な波長を考慮すると、図中ａで示すドメ
イン反転部８の周期は数μｍ程度となる。これを便宜的
に５μｍとすると、最大波長変換効率を得るためにドメ
イン反転部８の幅と非反転部の幅との比を１：１にする
ためには、ドメイン反転部８の幅（図中のｂ寸法）は2.
5 μｍとなる。電極Ｄを現在の一般的なプロセスで作成
する場合、図中ｃで示す電極線幅を0.5 μｍよりも細く
するのは困難であり、ｃ＝0.5 μｍとすると、電極Ｄか
らドメイン反転部８の並び方向にｄ＝１μｍだけドメイ
ン反転部８を成長させれば、ドメイン反転部８の幅が2.
5 μｍとなる。
【００１２】ドメイン反転領域の成長速度は、基板２の
自発分極の向きに沿った方向では大きく、自発分極の向
きと垂直な方向（つまりＸ軸方向およびＹ軸方向）では
小さくなっており、また、ドメイン反転領域のＸ軸方向
およびＹ軸方向の成長速度は同じである。したがって、
上述のようにしてドメイン反転部８の幅を2.5 μｍとす
ると、その深さ（Ｙ軸方向の寸法）は１μｍ程度となっ
てしまう。
自発分極の向きに沿った方向では大きく、自発分極の向
きと垂直な方向（つまりＸ軸方向およびＹ軸方向）では
小さくなっており、また、ドメイン反転領域のＸ軸方向
およびＹ軸方向の成長速度は同じである。したがって、
上述のようにしてドメイン反転部８の幅を2.5 μｍとす
ると、その深さ（Ｙ軸方向の寸法）は１μｍ程度となっ
てしまう。
【００１３】以上のような理由により、本タイプの従来
の光波長変換素子においては、ドメイン反転部の深さが
導波光の界分布よりも浅い１μｍ程度にとどまってお
り、そのため、ドメイン反転部と導波光との重なり積分
が小さくて波長変換効率が低くなるという問題があっ
た。
の光波長変換素子においては、ドメイン反転部の深さが
導波光の界分布よりも浅い１μｍ程度にとどまってお
り、そのため、ドメイン反転部と導波光との重なり積分
が小さくて波長変換効率が低くなるという問題があっ
た。
【００１４】本出願人はこのような事情に鑑み、ドメイ
ン反転部が十分に深く形成され、その一方、半導体レー
ザーを基本波光源として用いる場合に、複雑な基本波入
射光学系を必要とせずに高い波長変換効率が得られる光
波長変換素子を先に提案した（特願平８−４７５９１
号）。
ン反転部が十分に深く形成され、その一方、半導体レー
ザーを基本波光源として用いる場合に、複雑な基本波入
射光学系を必要とせずに高い波長変換効率が得られる光
波長変換素子を先に提案した（特願平８−４７５９１
号）。
【００１５】この光波長変換素子は基本的に、非線形光
学効果を有する強誘電体結晶基板に、その一表面に沿っ
て延びる光導波路が形成されるとともに、この光導波路
に基板の自発分極の向きを反転させたドメイン反転部が
周期的に形成されてなり、該光導波路においてドメイン
反転部の並び方向に導波する基本波を波長変換する光波
長変換素子において、基本波の導波方向に垂直な面内に
おいて、基板の自発分極の向きが該基板の上記一表面に
対して、角度θ（０°＜θ＜90°）をなしていることを
特徴とするものである。
学効果を有する強誘電体結晶基板に、その一表面に沿っ
て延びる光導波路が形成されるとともに、この光導波路
に基板の自発分極の向きを反転させたドメイン反転部が
周期的に形成されてなり、該光導波路においてドメイン
反転部の並び方向に導波する基本波を波長変換する光波
長変換素子において、基本波の導波方向に垂直な面内に
おいて、基板の自発分極の向きが該基板の上記一表面に
対して、角度θ（０°＜θ＜90°）をなしていることを
特徴とするものである。
【００１６】このように自発分極の向きが基板表面に対
して、角度θ（０°＜θ＜90°）傾いている基板に周期
ドメイン反転構造を形成してなる光波長変換素子におい
ては、ドメイン反転部が十分に深く形成され、その一
方、半導体レーザーを基本波光源として用いる場合に、
複雑な基本波入射光学系を必要とせずに高い波長変換効
率が得られるようになる。
して、角度θ（０°＜θ＜90°）傾いている基板に周期
ドメイン反転構造を形成してなる光波長変換素子におい
ては、ドメイン反転部が十分に深く形成され、その一
方、半導体レーザーを基本波光源として用いる場合に、
複雑な基本波入射光学系を必要とせずに高い波長変換効
率が得られるようになる。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の周期
ドメイン反転構造を有する光導波路型の光波長変換素子
は、半導体レーザーから発せられたレーザービームを波
長変換するためにも多く用いられている。その場合、半
導体レーザーの発振波長が、ドメイン反転部の周期と位
相整合する波長と一致していないと、波長変換効率は著
しく低いものとなり、実用性のある短波長光源を得るこ
とは困難となる。
ドメイン反転構造を有する光導波路型の光波長変換素子
は、半導体レーザーから発せられたレーザービームを波
長変換するためにも多く用いられている。その場合、半
導体レーザーの発振波長が、ドメイン反転部の周期と位
相整合する波長と一致していないと、波長変換効率は著
しく低いものとなり、実用性のある短波長光源を得るこ
とは困難となる。
【００１８】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、自発分極の向きが基板表面に対して角度θ（０
°＜θ＜90°）傾いている基板に周期ドメイン反転構造
を形成してなる光導波路型の光波長変換素子により、半
導体レーザーから発せられたレーザービームを波長変換
する光波長変換モジュールにおいて、半導体レーザーの
発振波長をドメイン反転部の周期と位相整合する波長に
正確にロックし、半導体レーザーを安定して発振させる
ことを目的とするものである。
であり、自発分極の向きが基板表面に対して角度θ（０
°＜θ＜90°）傾いている基板に周期ドメイン反転構造
を形成してなる光導波路型の光波長変換素子により、半
導体レーザーから発せられたレーザービームを波長変換
する光波長変換モジュールにおいて、半導体レーザーの
発振波長をドメイン反転部の周期と位相整合する波長に
正確にロックし、半導体レーザーを安定して発振させる
ことを目的とするものである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明による１つの光波
長変換モジュールは、前述した非線形光学効果を有する
強誘電体結晶基板に、その一表面に沿って延びる光導波
路が形成されるとともに、この光導波路に基板の自発分
極の向きを反転させたドメイン反転部が周期的に形成さ
れてなり、該光導波路においてドメイン反転部の並び方
向に導波する基本波を波長変換する光波長変換素子であ
って、基本波の導波方向に垂直な面内において、基板の
自発分極の向きが該基板の上記一表面に対して角度θ
（０°＜θ＜90°）をなしている光波長変換素子と、基
本波としてこの光波長変換素子に入射されるレーザービ
ームを発する半導体レーザーと、この半導体レーザーと
上記光波長変換素子との間に配され、該光波長変換素子
の端面で反射して半導体レーザーにフィードバックする
レーザービームの波長を選択する透過型の波長選択光学
素子とからなることを特徴とするものである。
長変換モジュールは、前述した非線形光学効果を有する
強誘電体結晶基板に、その一表面に沿って延びる光導波
路が形成されるとともに、この光導波路に基板の自発分
極の向きを反転させたドメイン反転部が周期的に形成さ
れてなり、該光導波路においてドメイン反転部の並び方
向に導波する基本波を波長変換する光波長変換素子であ
って、基本波の導波方向に垂直な面内において、基板の
自発分極の向きが該基板の上記一表面に対して角度θ
（０°＜θ＜90°）をなしている光波長変換素子と、基
本波としてこの光波長変換素子に入射されるレーザービ
ームを発する半導体レーザーと、この半導体レーザーと
上記光波長変換素子との間に配され、該光波長変換素子
の端面で反射して半導体レーザーにフィードバックする
レーザービームの波長を選択する透過型の波長選択光学
素子とからなることを特徴とするものである。
【００２０】また本発明による別の光波長変換モジュー
ルは、上記と同様の光波長変換素子および半導体レーザ
ーに加えて、前記光波長変換素子に入射する前の基本波
としてのレーザービームを一部分岐させる光分岐手段
と、この分岐されたレーザービームを反射させて半導体
レーザーにフィードバックさせる反射部材と、半導体レ
ーザーにフィードバックされるレーザービームの波長を
選択する透過型の波長選択光学素子とが設けられてなる
ものである。
ルは、上記と同様の光波長変換素子および半導体レーザ
ーに加えて、前記光波長変換素子に入射する前の基本波
としてのレーザービームを一部分岐させる光分岐手段
と、この分岐されたレーザービームを反射させて半導体
レーザーにフィードバックさせる反射部材と、半導体レ
ーザーにフィードバックされるレーザービームの波長を
選択する透過型の波長選択光学素子とが設けられてなる
ものである。
【００２１】また本発明によるさらに別の光波長変換モ
ジュールは、上記と同様の光波長変換素子および半導体
レーザーに加えて、光波長変換素子から出射した基本波
としてのレーザービームを反射させて半導体レーザーに
フィードバックさせる反射部材と、半導体レーザーにフ
ィードバックされるレーザービームの波長を選択する透
過型の波長選択光学素子とが設けられてなるものであ
る。
ジュールは、上記と同様の光波長変換素子および半導体
レーザーに加えて、光波長変換素子から出射した基本波
としてのレーザービームを反射させて半導体レーザーに
フィードバックさせる反射部材と、半導体レーザーにフ
ィードバックされるレーザービームの波長を選択する透
過型の波長選択光学素子とが設けられてなるものであ
る。
【００２２】なおこの光波長変換モジュールにおいて
は、光波長変換素子から出射したレーザービームと波長
変換波とを分岐する光学系が設けられるのが望ましい。
は、光波長変換素子から出射したレーザービームと波長
変換波とを分岐する光学系が設けられるのが望ましい。
【００２３】また本発明によるさらに別の光波長変換モ
ジュールは、上記と同様の光波長変換素子および半導体
レーザーに加えて、半導体レーザーから、光波長変換素
子に向かわない後方出射光として出射したレーザービー
ムを反射させて半導体レーザーにフィードバックさせる
反射部材と、半導体レーザーにフィードバックされるレ
ーザービームの波長を選択する透過型の波長選択光学素
子とが設けられてなるものである。
ジュールは、上記と同様の光波長変換素子および半導体
レーザーに加えて、半導体レーザーから、光波長変換素
子に向かわない後方出射光として出射したレーザービー
ムを反射させて半導体レーザーにフィードバックさせる
反射部材と、半導体レーザーにフィードバックされるレ
ーザービームの波長を選択する透過型の波長選択光学素
子とが設けられてなるものである。
【００２４】また本発明によるさらに別の光波長変換モ
ジュールは、上記と同様の光波長変換素子および半導体
レーザーに加えて、この半導体レーザーと光波長変換素
子との間に配され、レーザービームの一部を反射させて
半導体レーザーにフィードバックするとともに、このフ
ィードバックするレーザービームの波長を選択する反射
型の波長選択光学素子が設けられてなるものである。
ジュールは、上記と同様の光波長変換素子および半導体
レーザーに加えて、この半導体レーザーと光波長変換素
子との間に配され、レーザービームの一部を反射させて
半導体レーザーにフィードバックするとともに、このフ
ィードバックするレーザービームの波長を選択する反射
型の波長選択光学素子が設けられてなるものである。
【００２５】また本発明によるさらに別の光波長変換モ
ジュールは、上記と同様の光波長変換素子および半導体
レーザーに加えて、光波長変換素子から出射した基本波
としてのレーザービームを反射させて半導体レーザーに
フィードバックするとともに、このフィードバックする
レーザービームの波長を選択する反射型の波長選択光学
素子が設けられてなるものである。
ジュールは、上記と同様の光波長変換素子および半導体
レーザーに加えて、光波長変換素子から出射した基本波
としてのレーザービームを反射させて半導体レーザーに
フィードバックするとともに、このフィードバックする
レーザービームの波長を選択する反射型の波長選択光学
素子が設けられてなるものである。
【００２６】なおこの光波長変換モジュールにおいて
は、光波長変換素子から出射した上記レーザービームと
波長変換波とを分岐する光学系が設けられるのが望まし
い。
は、光波長変換素子から出射した上記レーザービームと
波長変換波とを分岐する光学系が設けられるのが望まし
い。
【００２７】また本発明によるさらに別の光波長変換モ
ジュールは、上記と同様の光波長変換素子および半導体
レーザーに加えて、この半導体レーザーから、光波長変
換素子に向かわない後方出射光として出射したレーザー
ビームを反射させて半導体レーザーにフィードバックす
るとともに、このフィードバックするレーザービームの
波長を選択する反射型の波長選択光学素子が設けられて
なるものである。
ジュールは、上記と同様の光波長変換素子および半導体
レーザーに加えて、この半導体レーザーから、光波長変
換素子に向かわない後方出射光として出射したレーザー
ビームを反射させて半導体レーザーにフィードバックす
るとともに、このフィードバックするレーザービームの
波長を選択する反射型の波長選択光学素子が設けられて
なるものである。
【００２８】なお、以上説明した透過型あるいは反射型
の波長選択光学素子としては、例えば狭帯域バンドパス
フィルターを好適に用いることができる。またその中で
も、薄膜型のバンドパスフィルターはより好ましい。
の波長選択光学素子としては、例えば狭帯域バンドパス
フィルターを好適に用いることができる。またその中で
も、薄膜型のバンドパスフィルターはより好ましい。
【００２９】上記薄膜型の狭帯域バンドパスフィルター
を用いる場合は、それを半導体レーザーの光出射端面に
形成するのが望ましい。また、前記透過型の波長選択光
学素子としてこの薄膜型の狭帯域バンドパスフィルター
を用いる場合は、該フィルターを、レーザービームを半
導体レーザーにフィードバックさせる反射部材の表面に
形成してもよい。
を用いる場合は、それを半導体レーザーの光出射端面に
形成するのが望ましい。また、前記透過型の波長選択光
学素子としてこの薄膜型の狭帯域バンドパスフィルター
を用いる場合は、該フィルターを、レーザービームを半
導体レーザーにフィードバックさせる反射部材の表面に
形成してもよい。
【００３０】また、以上説明した透過型あるいは反射型
の波長選択光学素子として、バルクグレーティングを用
いることもできる。
の波長選択光学素子として、バルクグレーティングを用
いることもできる。
【００３１】他方、反射型の波長選択光学素子として
は、コアに複数の屈折率変化部が等間隔に形成された光
ファイバーからなるファイバーグレーティングを用いる
こともできる。
は、コアに複数の屈折率変化部が等間隔に形成された光
ファイバーからなるファイバーグレーティングを用いる
こともできる。
【００３２】このようなファイバーグレーティングを用
いる場合は、基本波としてのレーザービームを、このフ
ァイバーグレーティングのコア端面上で収束させる収束
光学系が設けられるのが望ましい。
いる場合は、基本波としてのレーザービームを、このフ
ァイバーグレーティングのコア端面上で収束させる収束
光学系が設けられるのが望ましい。
【００３３】他方、基本波としてのレーザービームを発
する半導体レーザーは、光波長変換素子の端面に結合さ
れるのが望ましい。
する半導体レーザーは、光波長変換素子の端面に結合さ
れるのが望ましい。
【００３４】このように、半導体レーザーを光波長変換
素子の端面に結合させる場合は、透過型の波長選択光学
素子として薄膜狭帯域バンドパスフィルターを用い、こ
の薄膜狭帯域バンドパスフィルターを半導体レーザーの
光出射面と光波長変換素子の端面との間に配し、この端
面で反射して半導体レーザーにフィードバックするレー
ザービームの波長を該フィルターによって選択するのが
望ましい。
素子の端面に結合させる場合は、透過型の波長選択光学
素子として薄膜狭帯域バンドパスフィルターを用い、こ
の薄膜狭帯域バンドパスフィルターを半導体レーザーの
光出射面と光波長変換素子の端面との間に配し、この端
面で反射して半導体レーザーにフィードバックするレー
ザービームの波長を該フィルターによって選択するのが
望ましい。
【００３５】また、上記のように半導体レーザーを光波
長変換素子の端面に結合させる場合、反射型の波長選択
光学素子として薄膜狭帯域バンドパスフィルターを用
い、この薄膜狭帯域バンドパスフィルターを半導体レー
ザーの光出射面と光波長変換素子の端面との間に配し、
このフィルターにより、基本波としてのレーザービーム
の一部を反射させて半導体レーザーにフィードバックす
るとともに、このフィードバックするレーザービームの
波長を選択するのが望ましい。
長変換素子の端面に結合させる場合、反射型の波長選択
光学素子として薄膜狭帯域バンドパスフィルターを用
い、この薄膜狭帯域バンドパスフィルターを半導体レー
ザーの光出射面と光波長変換素子の端面との間に配し、
このフィルターにより、基本波としてのレーザービーム
の一部を反射させて半導体レーザーにフィードバックす
るとともに、このフィードバックするレーザービームの
波長を選択するのが望ましい。
【００３６】他方、本発明の光波長変換モジュールに用
いられる基板における前記角度θ、つまり自発分極の向
きと基板表面とがなす角度θの上限値について考える
と、光導波路がプロトン交換により形成されたものであ
る場合は、θ＜70°に設定するのが望ましい。また、光
導波路がプロトン交換およびアニールにより形成された
ものである場合は、θ＜20°に設定するのが望ましい。
いられる基板における前記角度θ、つまり自発分極の向
きと基板表面とがなす角度θの上限値について考える
と、光導波路がプロトン交換により形成されたものであ
る場合は、θ＜70°に設定するのが望ましい。また、光
導波路がプロトン交換およびアニールにより形成された
ものである場合は、θ＜20°に設定するのが望ましい。
【００３７】一方、この角度θの下限値について考える
と、0.2 °＜θとするのが望ましく、0.5 °＜θとすれ
ばさらに好ましい。
と、0.2 °＜θとするのが望ましく、0.5 °＜θとすれ
ばさらに好ましい。
【００３８】また強誘電体結晶基板として、より具体的
には、該結晶のＹ軸をＹＺ面内でＺ軸側に３°回転させ
た軸に対して垂直な面でカットされたものや、Ｚ軸をＺ
Ｘ面内でＸ軸側に87°回転させた軸に対して垂直な面で
カットされたものが好適に用いられる。
には、該結晶のＹ軸をＹＺ面内でＺ軸側に３°回転させ
た軸に対して垂直な面でカットされたものや、Ｚ軸をＺ
Ｘ面内でＸ軸側に87°回転させた軸に対して垂直な面で
カットされたものが好適に用いられる。
【００３９】さらに基板を構成する強誘電体として、よ
り具体的には、ＬｉＮｂx Ｔａ1-xＯ3 （０≦ｘ≦１）
またはそれにＭｇＯあるいはＺｎＯがドープされたもの
が好適に用いられる。しかし本発明ではそれに限らず、
Ｓｃ、ＭｇＯがドープされたＬｉＮｂx Ｔａ1-x Ｏ3 基
板や、ＫＴｉＯＰＯ4 、ＫＮｂＯ3 等のその他の材料か
らなる基板を用いることも可能である。上記のＭｇＯが
ドープされたＬｉＮｂＯ3 基板は、光損傷に強いので、
ノンドープのＬｉＮｂx Ｔａ1-x Ｏ3 基板等よりも好ま
しい。
り具体的には、ＬｉＮｂx Ｔａ1-xＯ3 （０≦ｘ≦１）
またはそれにＭｇＯあるいはＺｎＯがドープされたもの
が好適に用いられる。しかし本発明ではそれに限らず、
Ｓｃ、ＭｇＯがドープされたＬｉＮｂx Ｔａ1-x Ｏ3 基
板や、ＫＴｉＯＰＯ4 、ＫＮｂＯ3 等のその他の材料か
らなる基板を用いることも可能である。上記のＭｇＯが
ドープされたＬｉＮｂＯ3 基板は、光損傷に強いので、
ノンドープのＬｉＮｂx Ｔａ1-x Ｏ3 基板等よりも好ま
しい。
【００４０】また本発明の光波長変換モジュールは、基
本波としてのレーザービームが、光導波路においてＴＥ
モードで導波するように構成されるのが望ましい。
本波としてのレーザービームが、光導波路においてＴＥ
モードで導波するように構成されるのが望ましい。
【００４１】
【発明の効果】上記構成を有する本発明の光波長変換素
子においては、図２に示すように基板16の自発分極の向
きつまりＺ軸方向が、基板表面16ａに対して垂直にはな
っていないので、半導体レーザー10から出射したレーザ
ービーム11をその直線偏光方向（矢印Ｑ方向）が基板表
面16ａと平行となる状態で光導波路18に入射させても、
非線形光学定数ｄ33が利用されて波長変換が可能とな
る。なおこの場合、レーザービーム11の電界ベクトルの
向きは基板表面16ａと平行な向きとなり、該レーザービ
ーム11は光導波路18をＴＥモードで導波する。そのとき
の実効的な非線形光学定数はｄ33cos θとなる。
子においては、図２に示すように基板16の自発分極の向
きつまりＺ軸方向が、基板表面16ａに対して垂直にはな
っていないので、半導体レーザー10から出射したレーザ
ービーム11をその直線偏光方向（矢印Ｑ方向）が基板表
面16ａと平行となる状態で光導波路18に入射させても、
非線形光学定数ｄ33が利用されて波長変換が可能とな
る。なおこの場合、レーザービーム11の電界ベクトルの
向きは基板表面16ａと平行な向きとなり、該レーザービ
ーム11は光導波路18をＴＥモードで導波する。そのとき
の実効的な非線形光学定数はｄ33cos θとなる。
【００４２】上記のように、レーザービーム11をその直
線偏光方向が基板表面16ａと平行となる状態で光導波路
18に入射させるのであれば、直線偏光方向を回転させる
前述のλ／２板等は不要で基本波入射光学系は簡単なも
のとなり、半導体レーザー10を光導波路18の端面に直接
結合することも可能となる。また、レーザービーム11を
このようにして光導波路18に入射させる場合は、前述し
たようにレーザービーム11の光導波路18への入力効率も
高くなる。
線偏光方向が基板表面16ａと平行となる状態で光導波路
18に入射させるのであれば、直線偏光方向を回転させる
前述のλ／２板等は不要で基本波入射光学系は簡単なも
のとなり、半導体レーザー10を光導波路18の端面に直接
結合することも可能となる。また、レーザービーム11を
このようにして光導波路18に入射させる場合は、前述し
たようにレーザービーム11の光導波路18への入力効率も
高くなる。
【００４３】そして、基板16の自発分極の向きつまりＺ
軸方向が基板表面16ａに対して角度θをなしていると
き、図３に示すようにドメイン反転部17の深さｄは基本
的にｄ＝Ｌtan θであるが、図３０の従来技術に関して
説明したドメイン反転領域の広がり１μｍを考慮すれば ｄ＝Ｌtan θ＋１μｍ ……（１） となる。ここでＬの値は、ドメイン反転させるために電
場を印加する手段（図３では、一例として櫛形電極80と
平板電極81を示す）の大きさによって直接的に定まるも
のではなく、θの値が大きくなるにつれて増大する傾向
を示す。なお、先に図３０に示した従来装置においては
θ＝０°としてドメイン反転部17を形成するからＬが最
小となり、図２９に示した従来装置においてはθ＝90°
としてドメイン反転部17を形成するからＬが最大（つま
り電場印加用電極に対向する部分全域でドメイン反転が
起きる）となっている。
軸方向が基板表面16ａに対して角度θをなしていると
き、図３に示すようにドメイン反転部17の深さｄは基本
的にｄ＝Ｌtan θであるが、図３０の従来技術に関して
説明したドメイン反転領域の広がり１μｍを考慮すれば ｄ＝Ｌtan θ＋１μｍ ……（１） となる。ここでＬの値は、ドメイン反転させるために電
場を印加する手段（図３では、一例として櫛形電極80と
平板電極81を示す）の大きさによって直接的に定まるも
のではなく、θの値が大きくなるにつれて増大する傾向
を示す。なお、先に図３０に示した従来装置においては
θ＝０°としてドメイン反転部17を形成するからＬが最
小となり、図２９に示した従来装置においてはθ＝90°
としてドメイン反転部17を形成するからＬが最大（つま
り電場印加用電極に対向する部分全域でドメイン反転が
起きる）となっている。
【００４４】そこで、θをある程度大きく設定すること
により、ドメイン反転部17の深さｄを十分に大きくする
ことが可能である。このようにしてドメイン反転部17を
十分に深くすることができれば、ドメイン反転部17と導
波光との重なり積分が大きくなり、高い波長変換効率が
得られるようになる。
により、ドメイン反転部17の深さｄを十分に大きくする
ことが可能である。このようにしてドメイン反転部17を
十分に深くすることができれば、ドメイン反転部17と導
波光との重なり積分が大きくなり、高い波長変換効率が
得られるようになる。
【００４５】本発明の光波長変換モジュールは、上記構
成の光波長変換素子を用いた上で、実際にレーザービー
ムがＴＥモードで導波するように半導体レーザーを配設
したものであるから、上述の通りにレーザービームの光
導波路への入力効率が高くなり、基本波入射光学系は簡
単なものとなり、そして高い波長変換効率が得られるも
のとなる。
成の光波長変換素子を用いた上で、実際にレーザービー
ムがＴＥモードで導波するように半導体レーザーを配設
したものであるから、上述の通りにレーザービームの光
導波路への入力効率が高くなり、基本波入射光学系は簡
単なものとなり、そして高い波長変換効率が得られるも
のとなる。
【００４６】なお従来より、プロトン交換光導波路にお
いて光ビームがＴＥシングルモードで導波するのは、Ｚ
軸と基板表面とがなす角度φが０°＜φ＜70°の場合で
あると考えられている（例えばJournal of Optical Com
munications 5(1984)1. pp16〜19参照）。本発明におい
ては、この角度φがすなわち角度θであるから、光導波
路がプロトン交換により形成されたものである場合は、
角度θをθ＜70°の範囲に設定すると、波長変換が効率
良くなされるようになる。
いて光ビームがＴＥシングルモードで導波するのは、Ｚ
軸と基板表面とがなす角度φが０°＜φ＜70°の場合で
あると考えられている（例えばJournal of Optical Com
munications 5(1984)1. pp16〜19参照）。本発明におい
ては、この角度φがすなわち角度θであるから、光導波
路がプロトン交換により形成されたものである場合は、
角度θをθ＜70°の範囲に設定すると、波長変換が効率
良くなされるようになる。
【００４７】また、プロトン交換およびその後のアニー
ルによって形成された光導波路において光ビームがＴＥ
シングルモードで導波するのは、Ｚ軸と基板表面とがな
す角度φが０°＜φ＜20°の場合であることが分かって
いる。したがって、光導波路がプロトン交換およびアニ
ールにより形成されたものである場合は、角度θをθ＜
20°の範囲に設定すると、波長変換が効率良くなされる
ようになる。
ルによって形成された光導波路において光ビームがＴＥ
シングルモードで導波するのは、Ｚ軸と基板表面とがな
す角度φが０°＜φ＜20°の場合であることが分かって
いる。したがって、光導波路がプロトン交換およびアニ
ールにより形成されたものである場合は、角度θをθ＜
20°の範囲に設定すると、波長変換が効率良くなされる
ようになる。
【００４８】一方、最大の波長変換効率が得られる最適
なデューティ比を持つ（つまりドメイン反転部と非反転
部の幅の比が１：１である）ドメイン反転構造を形成し
た場合、図３に示したＬ寸法は、θが数度以内であれば
概ね50μｍとなることが分かった。また一般に、導波モ
ードの界分布は最も細くすると1.2 μｍ程度にすること
ができる。したがって前述の（１）式より、θ＝0.2 °
とすればドメイン反転部の深さｄ＝1.2 μｍとなり、ド
メイン反転部がその深さ方向において導波モードの界分
布とほぼ同サイズとなる。したがって、0.2 °＜θとす
れば、ドメイン反転部が導波モードの界分布と重なって
余りあるものとなり、波長変換が効率良くなされるよう
になる。
なデューティ比を持つ（つまりドメイン反転部と非反転
部の幅の比が１：１である）ドメイン反転構造を形成し
た場合、図３に示したＬ寸法は、θが数度以内であれば
概ね50μｍとなることが分かった。また一般に、導波モ
ードの界分布は最も細くすると1.2 μｍ程度にすること
ができる。したがって前述の（１）式より、θ＝0.2 °
とすればドメイン反転部の深さｄ＝1.2 μｍとなり、ド
メイン反転部がその深さ方向において導波モードの界分
布とほぼ同サイズとなる。したがって、0.2 °＜θとす
れば、ドメイン反転部が導波モードの界分布と重なって
余りあるものとなり、波長変換が効率良くなされるよう
になる。
【００４９】なお、導波モードの界分布は上述のように
最小で1.2 μｍ程度とすることができるが、この界分布
が大きい程、外部光を光導波路に安定して入射させるこ
とができる。実際上は、この導波モードの界分布が1.4
μｍより大きければ外部光が光導波路に安定して入射す
る。前述の（１）式より、θ＝0.5 °とすればドメイン
反転部の深さｄ＝1.4 μｍとなるので、0.5 °＜θとす
れば基本波が光導波路に安定して入射し、またドメイン
反転部が導波モードの界分布と重なって波長変換が効率
良くなされるようになる。
最小で1.2 μｍ程度とすることができるが、この界分布
が大きい程、外部光を光導波路に安定して入射させるこ
とができる。実際上は、この導波モードの界分布が1.4
μｍより大きければ外部光が光導波路に安定して入射す
る。前述の（１）式より、θ＝0.5 °とすればドメイン
反転部の深さｄ＝1.4 μｍとなるので、0.5 °＜θとす
れば基本波が光導波路に安定して入射し、またドメイン
反転部が導波モードの界分布と重なって波長変換が効率
良くなされるようになる。
【００５０】そして本発明の光波長変換モジュールにお
いては、半導体レーザーにフィードバックされるレーザ
ービームを、狭帯域バンドパスフィルター、バルクグレ
ーティングあるいはファイバーグレーティング等からな
る波長選択光学素子に通すようにしたので、半導体レー
ザーの発振波長を安定して所望値、つまりドメイン反転
部の周期と位相整合する波長に選択、ロックすることが
できる。
いては、半導体レーザーにフィードバックされるレーザ
ービームを、狭帯域バンドパスフィルター、バルクグレ
ーティングあるいはファイバーグレーティング等からな
る波長選択光学素子に通すようにしたので、半導体レー
ザーの発振波長を安定して所望値、つまりドメイン反転
部の周期と位相整合する波長に選択、ロックすることが
できる。
【００５１】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して、本発明の実
施の形態を説明する。図１は、本発明の第１の実施形態
による光波長変換モジュールを示すものであり、図２は
その一部を概略的に示すものである。
施の形態を説明する。図１は、本発明の第１の実施形態
による光波長変換モジュールを示すものであり、図２は
その一部を概略的に示すものである。
【００５２】図示されるようにこの光波長変換モジュー
ルは、半導体レーザー（レーザーダイオード）10と、こ
の半導体レーザー10から発散光状態で出射したレーザー
ビーム11を平行光化発するコリメーターレンズ12と、平
行光化されたレーザービーム11を収束させる集光レンズ
13と、これらのレンズ12および13の間に配された波長選
択光学素子としての狭帯域バンドパスフィルター14と、
光波長変換素子15とを有している。
ルは、半導体レーザー（レーザーダイオード）10と、こ
の半導体レーザー10から発散光状態で出射したレーザー
ビーム11を平行光化発するコリメーターレンズ12と、平
行光化されたレーザービーム11を収束させる集光レンズ
13と、これらのレンズ12および13の間に配された波長選
択光学素子としての狭帯域バンドパスフィルター14と、
光波長変換素子15とを有している。
【００５３】光波長変換素子15は、非線形光学効果を有
する強誘電体であるＬｉＮｂＯ3 にＭｇＯが例えば５ m
ol％ドープされたもの（以下、ＭｇＯ−ＬＮと称する）
の結晶からなる基板16に、そのＺ軸と平行な自発分極の
向きを反転させたドメイン反転部17が周期的に形成され
てなる周期ドメイン反転構造と、この周期ドメイン反転
構造に沿って延びるチャンネル光導波路18が形成されて
なるものである。
する強誘電体であるＬｉＮｂＯ3 にＭｇＯが例えば５ m
ol％ドープされたもの（以下、ＭｇＯ−ＬＮと称する）
の結晶からなる基板16に、そのＺ軸と平行な自発分極の
向きを反転させたドメイン反転部17が周期的に形成され
てなる周期ドメイン反転構造と、この周期ドメイン反転
構造に沿って延びるチャンネル光導波路18が形成されて
なるものである。
【００５４】周期ドメイン反転構造は、基板16のＸ軸方
向にドメイン反転部17が並ぶように形成され、その周期
Λは、ＭｇＯ−ＬＮの屈折率の波長分散を考慮し、980
ｎｍ近辺の波長に対して１次の周期となるように5.3 μ
ｍとされている。このような周期ドメイン反転構造は、
例えば特開平６−２４２４７８号に示される方法によっ
て形成することができる。
向にドメイン反転部17が並ぶように形成され、その周期
Λは、ＭｇＯ−ＬＮの屈折率の波長分散を考慮し、980
ｎｍ近辺の波長に対して１次の周期となるように5.3 μ
ｍとされている。このような周期ドメイン反転構造は、
例えば特開平６−２４２４７８号に示される方法によっ
て形成することができる。
【００５５】一方チャンネル光導波路18は、周期ドメイ
ン反転部17を形成した後、基板16の＋Ｚ面上に公知のフ
ォトリソグラフィーとリフトオフにより金属マスクパタ
ーンを形成し、この基板16をピロリン酸中に浸漬してプ
ロトン交換処理を行ない、マスクを除去した後にアニー
ル処理する、等の方法によって作成することができる。
その後このチャンネル光導波路18の両端面18ａ、18ｂを
エッジ研磨すると、光波長変換素子15が完成する。
ン反転部17を形成した後、基板16の＋Ｚ面上に公知のフ
ォトリソグラフィーとリフトオフにより金属マスクパタ
ーンを形成し、この基板16をピロリン酸中に浸漬してプ
ロトン交換処理を行ない、マスクを除去した後にアニー
ル処理する、等の方法によって作成することができる。
その後このチャンネル光導波路18の両端面18ａ、18ｂを
エッジ研磨すると、光波長変換素子15が完成する。
【００５６】以下図４、５および６を参照して、光波長
変換素子15の製造方法を詳しく説明する。図４中の16
は、上記ＭｇＯ−ＬＮの結晶からなる基板である。この
ＭｇＯ−ＬＮ基板16は、図５に示すようにＭｇＯ−ＬＮ
のインゴット16’を、Ｙ軸をＹＺ面内でＺ軸側に３°回
転させた軸に対して垂直な面でカット、研磨して得られ
たものであり、単分極化処理がなされて例えば厚さ0.3
ｍｍに形成されている。なお、この研磨角度θ＝３°の
精度は±0.1 °である。
変換素子15の製造方法を詳しく説明する。図４中の16
は、上記ＭｇＯ−ＬＮの結晶からなる基板である。この
ＭｇＯ−ＬＮ基板16は、図５に示すようにＭｇＯ−ＬＮ
のインゴット16’を、Ｙ軸をＹＺ面内でＺ軸側に３°回
転させた軸に対して垂直な面でカット、研磨して得られ
たものであり、単分極化処理がなされて例えば厚さ0.3
ｍｍに形成されている。なお、この研磨角度θ＝３°の
精度は±0.1 °である。
【００５７】以上のように形成されたＭｇＯ−ＬＮ基板
16の表面16ａ、16ｂと平行でＸ軸と直交する方向、およ
び基板表面16ａ、16ｂに対して垂直な方向はそれぞれ、
Ｚ軸方向およびＹ軸方向に対して角度θ＝３°をなす方
向となるので、これらの方向を便宜的にそれぞれＺ’方
向、Ｙ’方向と称する。
16の表面16ａ、16ｂと平行でＸ軸と直交する方向、およ
び基板表面16ａ、16ｂに対して垂直な方向はそれぞれ、
Ｚ軸方向およびＹ軸方向に対して角度θ＝３°をなす方
向となるので、これらの方向を便宜的にそれぞれＺ’方
向、Ｙ’方向と称する。
【００５８】上記ＭｇＯ−ＬＮ基板16の表面16ａ、16ｂ
に、図４のようにそれぞれ櫛形電極80、平板電極81を取
り付け、＋Ｚ側に位置する櫛形電極80の方が正電位、−
Ｚ側に位置する平板電極81の方が負電位となるようにし
て、両電極10、11間にパルス電圧を印加すると、図６に
概略図示するように、＋Ｚ方向を向いていた基板16の自
発分極の向きが電圧印加部分において反転して、ドメイ
ン反転部17が形成される。なお上記自発分極の向きは、
基板表面16ａに対してθ＝３°傾いており、したがって
ドメイン反転部17の分極の向きも基板表面16ａに対して
同様に傾くことになる。
に、図４のようにそれぞれ櫛形電極80、平板電極81を取
り付け、＋Ｚ側に位置する櫛形電極80の方が正電位、−
Ｚ側に位置する平板電極81の方が負電位となるようにし
て、両電極10、11間にパルス電圧を印加すると、図６に
概略図示するように、＋Ｚ方向を向いていた基板16の自
発分極の向きが電圧印加部分において反転して、ドメイ
ン反転部17が形成される。なお上記自発分極の向きは、
基板表面16ａに対してθ＝３°傾いており、したがって
ドメイン反転部17の分極の向きも基板表面16ａに対して
同様に傾くことになる。
【００５９】本例では、櫛形電極80および平板電極81を
Ｃｒから形成したが、ＭｇＯ−ＬＮ基板16よりも電気抵
抗が十分低い材料ならば何でも電極材料として用いるこ
とができる。櫛形電極80および平板電極81は周知のフォ
トリソグラフィーによって形成することができ、厚さは
例えば20〜100 μｍ、長さＬ1 は例えば６ｍｍ、両電極
80、81間のギャップＧは例えば100 〜500 μｍとすれば
よい。また櫛形電極80の周期Λは4.75μｍ、電極指の長
さおよび幅はそれぞれ1000μｍ、0.5 μｍとした。そし
て平板電極81の幅、すなわちＺ’方向の寸法は100 μｍ
とした。
Ｃｒから形成したが、ＭｇＯ−ＬＮ基板16よりも電気抵
抗が十分低い材料ならば何でも電極材料として用いるこ
とができる。櫛形電極80および平板電極81は周知のフォ
トリソグラフィーによって形成することができ、厚さは
例えば20〜100 μｍ、長さＬ1 は例えば６ｍｍ、両電極
80、81間のギャップＧは例えば100 〜500 μｍとすれば
よい。また櫛形電極80の周期Λは4.75μｍ、電極指の長
さおよび幅はそれぞれ1000μｍ、0.5 μｍとした。そし
て平板電極81の幅、すなわちＺ’方向の寸法は100 μｍ
とした。
【００６０】上記の電圧印加は、電流のリークを防止す
るために真空中で行なった。このときの真空度は、例え
ば５×10-5Torr以下とする。なお、このように真空中で
電圧印加する代わりに、絶縁オイル中で電圧印加するよ
うにしてもよい。また印加電圧のパルス幅は、１〜10se
c とすればよい。
るために真空中で行なった。このときの真空度は、例え
ば５×10-5Torr以下とする。なお、このように真空中で
電圧印加する代わりに、絶縁オイル中で電圧印加するよ
うにしてもよい。また印加電圧のパルス幅は、１〜10se
c とすればよい。
【００６１】各ドメイン反転部17は、印加電圧が大きい
程Ｚ軸と垂直な方向に大きく広がるようになる。周知の
ように、周期ドメイン反転構造を利用して波長変換する
場合の波長変換効率は、ドメイン反転部17と非反転部と
の導波方向の長さの比が１：１のときに最大となる。こ
の比が１：１となるのは、例えば上記ギャップＧが200
μｍの場合は印加電圧を約4000Ｖにしたとき、ギャップ
Ｇが400 μｍの場合は印加電圧を約3500Ｖにしたときで
ある。これらの最適電圧の値は、基板温度を室温に設定
した場合のものであり、基板温度を例えば200 ℃とする
と、各場合の最適電圧は約１／３となる。
程Ｚ軸と垂直な方向に大きく広がるようになる。周知の
ように、周期ドメイン反転構造を利用して波長変換する
場合の波長変換効率は、ドメイン反転部17と非反転部と
の導波方向の長さの比が１：１のときに最大となる。こ
の比が１：１となるのは、例えば上記ギャップＧが200
μｍの場合は印加電圧を約4000Ｖにしたとき、ギャップ
Ｇが400 μｍの場合は印加電圧を約3500Ｖにしたときで
ある。これらの最適電圧の値は、基板温度を室温に設定
した場合のものであり、基板温度を例えば200 ℃とする
と、各場合の最適電圧は約１／３となる。
【００６２】以上のようにして形成されたドメイン反転
部17の深さは２〜３μｍであり、図３０に示した従来の
光波長変換素子におけるドメイン反転部の深さ（１μｍ
程度）と比べて、ドメイン反転部17の深さが２〜３倍と
なっている。
部17の深さは２〜３μｍであり、図３０に示した従来の
光波長変換素子におけるドメイン反転部の深さ（１μｍ
程度）と比べて、ドメイン反転部17の深さが２〜３倍と
なっている。
【００６３】なお以上は、基板の表と裏に電極を形成し
てドメイン反転部を形成した例であるが、基板の表のみ
に電極を設けても、同様の深いドメイン反転部が得られ
る。この場合、電極形成プロセスを基板の表に対して行
なうだけでよいので、素子製造プロセスが簡便になっ
て、より望ましい。
てドメイン反転部を形成した例であるが、基板の表のみ
に電極を設けても、同様の深いドメイン反転部が得られ
る。この場合、電極形成プロセスを基板の表に対して行
なうだけでよいので、素子製造プロセスが簡便になっ
て、より望ましい。
【００６４】次に上記ＭｇＯ−ＬＮ基板16に、以下のよ
うにしてチャンネル光導波路18を形成した。まず、ドメ
イン反転が最も深くなっている櫛形電極80の先端近傍
に、周知のフォトリソグラフィーにより、Ｚ’方向の幅
が５〜９μｍ程度の金属（本例ではＴａ）のマスクを形
成する。その後このＭｇＯ−ＬＮ基板16に対して、ピロ
リン酸中で160 ℃で64分間プロトン交換処理を行ない、
Ｔａマスクをエッチング液で除去した後、大気中におい
て350 ℃で１時間アニールする。以上の処理により、図
１および２に示すように、ドメイン反転部17の並び方向
に沿って延びるチャンネル光導波路18が形成される。
うにしてチャンネル光導波路18を形成した。まず、ドメ
イン反転が最も深くなっている櫛形電極80の先端近傍
に、周知のフォトリソグラフィーにより、Ｚ’方向の幅
が５〜９μｍ程度の金属（本例ではＴａ）のマスクを形
成する。その後このＭｇＯ−ＬＮ基板16に対して、ピロ
リン酸中で160 ℃で64分間プロトン交換処理を行ない、
Ｔａマスクをエッチング液で除去した後、大気中におい
て350 ℃で１時間アニールする。以上の処理により、図
１および２に示すように、ドメイン反転部17の並び方向
に沿って延びるチャンネル光導波路18が形成される。
【００６５】次に上記ＭｇＯ−ＬＮ基板16の、チャンネ
ル光導波路18の端面を含む−Ｘ面および＋Ｘ面を光学研
磨すると、光波長変換素子15が完成する。
ル光導波路18の端面を含む−Ｘ面および＋Ｘ面を光学研
磨すると、光波長変換素子15が完成する。
【００６６】そして図１に示すように、半導体レーザー
10から発せられた中心波長950 ｎｍのレーザービーム11
を集光レンズ13により集光して、チャンネル光導波路18
の端面18ａにおいて収束させる。それにより、この基本
波としてのレーザービーム11がチャンネル光導波路18内
に入射する。このレーザービーム11はチャンネル光導波
路18をＴＥモードで導波し、その周期ドメイン反転領域
で位相整合（いわゆる疑似位相整合）して、波長が１／
２つまり475 ｎｍの第２高調波19に波長変換される。こ
の第２高調波19もチャンネル光導波路18を導波モードで
伝搬し、光導波路端面18ｂから出射する。
10から発せられた中心波長950 ｎｍのレーザービーム11
を集光レンズ13により集光して、チャンネル光導波路18
の端面18ａにおいて収束させる。それにより、この基本
波としてのレーザービーム11がチャンネル光導波路18内
に入射する。このレーザービーム11はチャンネル光導波
路18をＴＥモードで導波し、その周期ドメイン反転領域
で位相整合（いわゆる疑似位相整合）して、波長が１／
２つまり475 ｎｍの第２高調波19に波長変換される。こ
の第２高調波19もチャンネル光導波路18を導波モードで
伝搬し、光導波路端面18ｂから出射する。
【００６７】光導波路端面18ｂからは、波長変換されな
かったレーザービーム11も発散光状態で出射し、第２高
調波19とともにコリメーターレンズ20によって平行光化
される。第２高調波19は、図示しないバンドパスフィル
ターやダイクロイックミラー等によってレーザービーム
11と分離され、所定の用途に用いられる。
かったレーザービーム11も発散光状態で出射し、第２高
調波19とともにコリメーターレンズ20によって平行光化
される。第２高調波19は、図示しないバンドパスフィル
ターやダイクロイックミラー等によってレーザービーム
11と分離され、所定の用途に用いられる。
【００６８】上記の光波長変換モジュールにおいては、
ＭｇＯ−ＬＮ基板16の自発分極の向きつまりＺ軸方向
が、基板表面16ａに対して垂直にはなっていないので、
半導体レーザー10から出射したレーザービーム11をその
直線偏光方向（矢印Ｑ方向）が基板表面16ａと平行とな
る状態で光導波路18に入射させても、非線形光学定数ｄ
33が利用されて波長変換が可能となる。なおこの場合、
レーザービーム11についての出射ビームパターンと導波
ビームパターンは一致し、ビームパターンのミスマッチ
がないため、該レーザービーム11を高効率で光導波路18
に入力させることができる。そこで、発生する第２高調
波19の強度が高くなる。レーザービーム11は光導波路18
をＴＥモードで導波し、このときの実効的な非線形光学
定数はｄ33cos θとなる。
ＭｇＯ−ＬＮ基板16の自発分極の向きつまりＺ軸方向
が、基板表面16ａに対して垂直にはなっていないので、
半導体レーザー10から出射したレーザービーム11をその
直線偏光方向（矢印Ｑ方向）が基板表面16ａと平行とな
る状態で光導波路18に入射させても、非線形光学定数ｄ
33が利用されて波長変換が可能となる。なおこの場合、
レーザービーム11についての出射ビームパターンと導波
ビームパターンは一致し、ビームパターンのミスマッチ
がないため、該レーザービーム11を高効率で光導波路18
に入力させることができる。そこで、発生する第２高調
波19の強度が高くなる。レーザービーム11は光導波路18
をＴＥモードで導波し、このときの実効的な非線形光学
定数はｄ33cos θとなる。
【００６９】この場合の波長変換の換算効率は180 ％／
Ｗｃｍ2 であり、例えば文献Technical Digest Of The
Fourth Microoptics Conference And The Eleventh Top
icalMeeting On Gradient-index Optical Systems p.15
4等に記載されている、ＸまたはＹカットのＬｉＴａＯ
3 基板に光導波路および周期ドメイン反転構造を形成し
てなる従来の光波長変換素子の換算効率55％／Ｗｃｍ2
等と比べて、著しく高いものとなっている。
Ｗｃｍ2 であり、例えば文献Technical Digest Of The
Fourth Microoptics Conference And The Eleventh Top
icalMeeting On Gradient-index Optical Systems p.15
4等に記載されている、ＸまたはＹカットのＬｉＴａＯ
3 基板に光導波路および周期ドメイン反転構造を形成し
てなる従来の光波長変換素子の換算効率55％／Ｗｃｍ2
等と比べて、著しく高いものとなっている。
【００７０】本実施形態においてはチャンネル光導波路
18の端面18ａに、波長950 ｎｍのレーザービーム11を一
部反射させる所定のコーティングが施され、該端面18ａ
で反射したレーザービーム11が半導体レーザー10にフィ
ードバックされる。つまりこの装置では、上記光導波路
端面18ａと半導体レーザー10の後方端面（図１中の左方
の端面）によって半導体レーザー10の外部共振器が構成
されている。
18の端面18ａに、波長950 ｎｍのレーザービーム11を一
部反射させる所定のコーティングが施され、該端面18ａ
で反射したレーザービーム11が半導体レーザー10にフィ
ードバックされる。つまりこの装置では、上記光導波路
端面18ａと半導体レーザー10の後方端面（図１中の左方
の端面）によって半導体レーザー10の外部共振器が構成
されている。
【００７１】そしてこの外部共振器の中に配された狭帯
域バンドパスフィルター14により、そこを透過するレー
ザービーム11の波長が選択される。半導体レーザー10は
この選択された波長で発振し、選択波長は狭帯域バンド
パスフィルター14の回転位置（図１中の矢印Ａ方向の回
転位置）に応じて変化するので、この狭帯域バンドパス
フィルター14を適宜回転させることにより、半導体レー
ザー10の発振波長を、ドメイン反転部17の周期と位相整
合する波長に選択、ロックすることができる。
域バンドパスフィルター14により、そこを透過するレー
ザービーム11の波長が選択される。半導体レーザー10は
この選択された波長で発振し、選択波長は狭帯域バンド
パスフィルター14の回転位置（図１中の矢印Ａ方向の回
転位置）に応じて変化するので、この狭帯域バンドパス
フィルター14を適宜回転させることにより、半導体レー
ザー10の発振波長を、ドメイン反転部17の周期と位相整
合する波長に選択、ロックすることができる。
【００７２】次に図７を参照して、本発明の第２の実施
形態について説明する。なおこの図７において、図１お
よび２中のものと同等の要素には同番号を付し、それら
についての重複した説明は省略する（以下、同様）。
形態について説明する。なおこの図７において、図１お
よび２中のものと同等の要素には同番号を付し、それら
についての重複した説明は省略する（以下、同様）。
【００７３】この第２の実施形態においては、コリメー
ターレンズ12と集光レンズ13との間にビームスプリッタ
82が設けられ、光波長変換素子15に向かうレーザービー
ム11がこのビームスプリッタ82により一部分岐される。
分岐されたレーザービーム11は狭帯域バンドパスフィル
ター14を透過した後、集光レンズ84によって収束し、そ
の収束位置に配されたミラー85において反射する。
ターレンズ12と集光レンズ13との間にビームスプリッタ
82が設けられ、光波長変換素子15に向かうレーザービー
ム11がこのビームスプリッタ82により一部分岐される。
分岐されたレーザービーム11は狭帯域バンドパスフィル
ター14を透過した後、集光レンズ84によって収束し、そ
の収束位置に配されたミラー85において反射する。
【００７４】反射したレーザービーム11は、それまでの
光路を逆に辿って半導体レーザー10にフィードバックさ
れる。つまりこの装置では、上記ミラー85と半導体レー
ザー10の後方端面（図７中の左方の端面）によって半導
体レーザー10の外部共振器が構成されている。
光路を逆に辿って半導体レーザー10にフィードバックさ
れる。つまりこの装置では、上記ミラー85と半導体レー
ザー10の後方端面（図７中の左方の端面）によって半導
体レーザー10の外部共振器が構成されている。
【００７５】そしてこの外部共振器の中に配された狭帯
域バンドパスフィルター14により、フィードバックされ
るレーザービーム11の波長が選択される。半導体レーザ
ー10はこの選択された波長で発振し、選択波長は狭帯域
バンドパスフィルター14の回転位置（図７中の矢印Ａ方
向の回転位置）に応じて変化するので、この狭帯域バン
ドパスフィルター14を適宜回転させることにより、半導
体レーザー10の発振波長を、ドメイン反転部17の周期と
位相整合する波長に選択、ロックすることができる。
域バンドパスフィルター14により、フィードバックされ
るレーザービーム11の波長が選択される。半導体レーザ
ー10はこの選択された波長で発振し、選択波長は狭帯域
バンドパスフィルター14の回転位置（図７中の矢印Ａ方
向の回転位置）に応じて変化するので、この狭帯域バン
ドパスフィルター14を適宜回転させることにより、半導
体レーザー10の発振波長を、ドメイン反転部17の周期と
位相整合する波長に選択、ロックすることができる。
【００７６】次に図８を参照して、本発明の第３の実施
形態について説明する。この第３の実施形態において、
光波長変換素子15の光導波路端面18ｂから出射した第２
高調波19および、波長変換されなかったレーザビーム11
は、コリメーターレンズ20によって平行光化される。平
行光化された第２高調波19はダイクロイックミラー21で
反射し、利用位置に導かれる。一方波長変換されなかっ
たレーザビーム11はダイクロイックミラー21および狭帯
域バンドパスフィルター14を透過し、集光レンズ22によ
り集光されてミラー85上において収束する。
形態について説明する。この第３の実施形態において、
光波長変換素子15の光導波路端面18ｂから出射した第２
高調波19および、波長変換されなかったレーザビーム11
は、コリメーターレンズ20によって平行光化される。平
行光化された第２高調波19はダイクロイックミラー21で
反射し、利用位置に導かれる。一方波長変換されなかっ
たレーザビーム11はダイクロイックミラー21および狭帯
域バンドパスフィルター14を透過し、集光レンズ22によ
り集光されてミラー85上において収束する。
【００７７】ミラー85で反射したレーザービーム11は、
それまでの光路を逆に辿って半導体レーザー10にフィー
ドバックされる。つまりこの装置では、上記ミラー85と
半導体レーザー10の後方端面（図８中の左方の端面）に
よって半導体レーザー10の外部共振器が構成されてい
る。
それまでの光路を逆に辿って半導体レーザー10にフィー
ドバックされる。つまりこの装置では、上記ミラー85と
半導体レーザー10の後方端面（図８中の左方の端面）に
よって半導体レーザー10の外部共振器が構成されてい
る。
【００７８】そしてこの場合も、狭帯域バンドパスフィ
ルター14を矢印Ａ方向に適宜回転させることにより、半
導体レーザー10の発振波長を、ドメイン反転部17の周期
と位相整合する波長に選択、ロックすることができる。
ルター14を矢印Ａ方向に適宜回転させることにより、半
導体レーザー10の発振波長を、ドメイン反転部17の周期
と位相整合する波長に選択、ロックすることができる。
【００７９】次に図９を参照して、本発明の第４の実施
形態について説明する。この第４の実施形態において
は、光波長変換素子15に向かわないレーザビーム11Ｒ
（後方出射光）が、コリメーターレンズ86によって平行
光化される。平行光化されたレーザビーム11Ｒは狭帯域
バンドパスフィルター14を透過した後、集光レンズ84に
より集光されてミラー85上において収束する。
形態について説明する。この第４の実施形態において
は、光波長変換素子15に向かわないレーザビーム11Ｒ
（後方出射光）が、コリメーターレンズ86によって平行
光化される。平行光化されたレーザビーム11Ｒは狭帯域
バンドパスフィルター14を透過した後、集光レンズ84に
より集光されてミラー85上において収束する。
【００８０】ミラー85で反射したレーザービーム11Ｒ
は、それまでの光路を逆に辿って半導体レーザー10にフ
ィードバックされる。つまりこの装置では、上記ミラー
85と半導体レーザー10の前方端面（図９中の右方の端
面）によって半導体レーザー10の外部共振器が構成され
ている。
は、それまでの光路を逆に辿って半導体レーザー10にフ
ィードバックされる。つまりこの装置では、上記ミラー
85と半導体レーザー10の前方端面（図９中の右方の端
面）によって半導体レーザー10の外部共振器が構成され
ている。
【００８１】そしてこの外部共振器の中に配された狭帯
域バンドパスフィルター14により、フィードバックされ
るレーザービーム11Ｒの波長が選択される。半導体レー
ザー10はこの選択された波長で発振し、選択波長は狭帯
域バンドパスフィルター14の回転位置（図９中の矢印Ａ
方向の回転位置）に応じて変化するので、この狭帯域バ
ンドパスフィルター14を適宜回転させることにより、半
導体レーザー10の発振波長を、ドメイン反転部17の周期
と位相整合する波長に選択、ロックすることができる。
域バンドパスフィルター14により、フィードバックされ
るレーザービーム11Ｒの波長が選択される。半導体レー
ザー10はこの選択された波長で発振し、選択波長は狭帯
域バンドパスフィルター14の回転位置（図９中の矢印Ａ
方向の回転位置）に応じて変化するので、この狭帯域バ
ンドパスフィルター14を適宜回転させることにより、半
導体レーザー10の発振波長を、ドメイン反転部17の周期
と位相整合する波長に選択、ロックすることができる。
【００８２】次に図１０を参照して、本発明の第５の実
施形態について説明する。この第５の実施形態の光波長
変換モジュールは、図１に示したものと比べると、狭帯
域バンドパスフィルター14に代えて透過型のバルクグレ
ーティング90が用いられている点が異なるものである。
このバルクグレーティング90も波長選択光学素子として
機能するものであり、それを矢印Ａ方向に適宜回転させ
ることにより、半導体レーザー10の発振波長を、ドメイ
ン反転部17の周期と位相整合する波長に選択、ロックす
ることができる。
施形態について説明する。この第５の実施形態の光波長
変換モジュールは、図１に示したものと比べると、狭帯
域バンドパスフィルター14に代えて透過型のバルクグレ
ーティング90が用いられている点が異なるものである。
このバルクグレーティング90も波長選択光学素子として
機能するものであり、それを矢印Ａ方向に適宜回転させ
ることにより、半導体レーザー10の発振波長を、ドメイ
ン反転部17の周期と位相整合する波長に選択、ロックす
ることができる。
【００８３】なおこの透過型のバルクグレーティング90
は、図７、８および９図に示した各構成においても、狭
帯域バンドパスフィルター14に代えて用いることがで
き、そのようにした場合も上記と同様の作用、効果を奏
するものである。
は、図７、８および９図に示した各構成においても、狭
帯域バンドパスフィルター14に代えて用いることがで
き、そのようにした場合も上記と同様の作用、効果を奏
するものである。
【００８４】次に図１１を参照して、本発明の第６の実
施形態について説明する。この第６の実施形態の光波長
変換モジュールは、図１に示したものと比べると、狭帯
域バンドパスフィルター14に代えて、透過型の狭帯域薄
膜バンドパスフィルター91が用いられた点が異なるもの
である。この狭帯域薄膜バンドパスフィルター91は、半
導体レーザー10の光出射端面10ａ上に形成されている。
施形態について説明する。この第６の実施形態の光波長
変換モジュールは、図１に示したものと比べると、狭帯
域バンドパスフィルター14に代えて、透過型の狭帯域薄
膜バンドパスフィルター91が用いられた点が異なるもの
である。この狭帯域薄膜バンドパスフィルター91は、半
導体レーザー10の光出射端面10ａ上に形成されている。
【００８５】この狭帯域薄膜バンドパスフィルター91
は、薄膜の構成に応じた波長の光を選択的に透過させる
ものである。このような狭帯域薄膜バンドパスフィルタ
ー91を、光波長変換素子15の光導波路端面18ａと半導体
レーザー10の後方端面（図１１中の左方の端面）によっ
て構成される半導体レーザー10の外部共振器中に配した
ことにより、半導体レーザー10の発振波長を、ドメイン
反転部17の周期と位相整合する波長に選択、ロックする
ことができる。
は、薄膜の構成に応じた波長の光を選択的に透過させる
ものである。このような狭帯域薄膜バンドパスフィルタ
ー91を、光波長変換素子15の光導波路端面18ａと半導体
レーザー10の後方端面（図１１中の左方の端面）によっ
て構成される半導体レーザー10の外部共振器中に配した
ことにより、半導体レーザー10の発振波長を、ドメイン
反転部17の周期と位相整合する波長に選択、ロックする
ことができる。
【００８６】次に図１２を参照して、本発明の第７の実
施形態について説明する。この第７の実施形態の光波長
変換モジュールは、図１１に示したものと比べると、透
過型の狭帯域薄膜バンドパスフィルター91の配置位置が
異なるものである。すなわちこの場合は、光波長変換素
子15の光導波路端面18ａを含む端面上に狭帯域薄膜バン
ドパスフィルター91が形成されている。
施形態について説明する。この第７の実施形態の光波長
変換モジュールは、図１１に示したものと比べると、透
過型の狭帯域薄膜バンドパスフィルター91の配置位置が
異なるものである。すなわちこの場合は、光波長変換素
子15の光導波路端面18ａを含む端面上に狭帯域薄膜バン
ドパスフィルター91が形成されている。
【００８７】この実施形態でも、狭帯域薄膜バンドパス
フィルター91を、光波長変換素子15の光導波路端面18ａ
と半導体レーザー10の後方端面（図１２中の左方の端
面）によって構成される半導体レーザー10の外部共振器
中に配したことにより、半導体レーザー10の発振波長
を、ドメイン反転部17の周期と位相整合する波長に選
択、ロックすることができる。
フィルター91を、光波長変換素子15の光導波路端面18ａ
と半導体レーザー10の後方端面（図１２中の左方の端
面）によって構成される半導体レーザー10の外部共振器
中に配したことにより、半導体レーザー10の発振波長
を、ドメイン反転部17の周期と位相整合する波長に選
択、ロックすることができる。
【００８８】次に図１３を参照して、本発明の第８の実
施形態について説明する。この第８の実施形態の光波長
変換モジュールは、図１２に示したものと比べると、コ
リメーターレンズ12および集光レンズ13を省いた上で、
半導体レーザー10の光出射端面10ａを、透過型の狭帯域
薄膜バンドパスフィルター91を介して光波長変換素子15
に直接的に結合した点が異なるものである。
施形態について説明する。この第８の実施形態の光波長
変換モジュールは、図１２に示したものと比べると、コ
リメーターレンズ12および集光レンズ13を省いた上で、
半導体レーザー10の光出射端面10ａを、透過型の狭帯域
薄膜バンドパスフィルター91を介して光波長変換素子15
に直接的に結合した点が異なるものである。
【００８９】この実施形態でも、狭帯域薄膜バンドパス
フィルター91を、光波長変換素子15の光導波路端面18ａ
と半導体レーザー10の後方端面（図１３中の左方の端
面）によって構成される半導体レーザー10の外部共振器
中に配したことにより、半導体レーザー10の発振波長
を、ドメイン反転部17の周期と位相整合する波長に選
択、ロックすることができる。
フィルター91を、光波長変換素子15の光導波路端面18ａ
と半導体レーザー10の後方端面（図１３中の左方の端
面）によって構成される半導体レーザー10の外部共振器
中に配したことにより、半導体レーザー10の発振波長
を、ドメイン反転部17の周期と位相整合する波長に選
択、ロックすることができる。
【００９０】またこの第８の実施形態の光波長変換モジ
ュールは、基本波を光波長変換素子に入射させる入射光
学系が不要であるため、構成が簡単で、また光学的な調
整も極めて容易なものとなる。
ュールは、基本波を光波長変換素子に入射させる入射光
学系が不要であるため、構成が簡単で、また光学的な調
整も極めて容易なものとなる。
【００９１】上記のように半導体レーザー10を光波長変
換素子15に結合する場合、透過型の狭帯域薄膜バンドパ
スフィルター91は半導体レーザー10と光波長変換素子15
との間に限らず、例えば、光波長変換素子15の光導波路
端面18ｂを含む端面上等に形成することも可能である。
換素子15に結合する場合、透過型の狭帯域薄膜バンドパ
スフィルター91は半導体レーザー10と光波長変換素子15
との間に限らず、例えば、光波長変換素子15の光導波路
端面18ｂを含む端面上等に形成することも可能である。
【００９２】さらに、半導体レーザー10を光波長変換素
子15に結合する場合、波長選択光学素子は上記透過型の
狭帯域薄膜バンドパスフィルター91に限られるものでは
ないことは勿論である。例えば前述した図８の構成にお
いて、レンズ12および13を省いて半導体レーザー10を光
波長変換素子15に直接結合することもできる。
子15に結合する場合、波長選択光学素子は上記透過型の
狭帯域薄膜バンドパスフィルター91に限られるものでは
ないことは勿論である。例えば前述した図８の構成にお
いて、レンズ12および13を省いて半導体レーザー10を光
波長変換素子15に直接結合することもできる。
【００９３】次に図１４を参照して、本発明の第９の実
施形態について説明する。この第９の実施形態の光波長
変換モジュールは、図８に示したものと比べると、狭帯
域バンドパスフィルター14に代えて、透過型の狭帯域薄
膜バンドパスフィルター91が用いられた点が異なるもの
である。この狭帯域薄膜バンドパスフィルター91は、光
波長変換素子15の光導波路端面18ｂを含む端面上に形成
されている。
施形態について説明する。この第９の実施形態の光波長
変換モジュールは、図８に示したものと比べると、狭帯
域バンドパスフィルター14に代えて、透過型の狭帯域薄
膜バンドパスフィルター91が用いられた点が異なるもの
である。この狭帯域薄膜バンドパスフィルター91は、光
波長変換素子15の光導波路端面18ｂを含む端面上に形成
されている。
【００９４】この実施形態でも、狭帯域薄膜バンドパス
フィルター91を、ミラー85と半導体レーザー10の後方端
面（図１４中の左方の端面）によって構成される半導体
レーザー10の外部共振器中に配したことにより、半導体
レーザー10の発振波長を、ドメイン反転部17の周期と位
相整合する波長に選択、ロックすることができる。
フィルター91を、ミラー85と半導体レーザー10の後方端
面（図１４中の左方の端面）によって構成される半導体
レーザー10の外部共振器中に配したことにより、半導体
レーザー10の発振波長を、ドメイン反転部17の周期と位
相整合する波長に選択、ロックすることができる。
【００９５】次に図１５を参照して、本発明の第１０の
実施形態について説明する。この第１０の実施形態の光
波長変換モジュールは、図９に示したものと比べると、
狭帯域バンドパスフィルター14に代えて、透過型の狭帯
域薄膜バンドパスフィルター91が用いられた点が異なる
ものである。この狭帯域薄膜バンドパスフィルター91
は、ミラー85の反射面上に形成されている。
実施形態について説明する。この第１０の実施形態の光
波長変換モジュールは、図９に示したものと比べると、
狭帯域バンドパスフィルター14に代えて、透過型の狭帯
域薄膜バンドパスフィルター91が用いられた点が異なる
ものである。この狭帯域薄膜バンドパスフィルター91
は、ミラー85の反射面上に形成されている。
【００９６】この実施形態でも、狭帯域薄膜バンドパス
フィルター91を、ミラー85と半導体レーザー10の前方端
面（図１５中の右方の端面）によって構成される半導体
レーザー10の外部共振器中に配したことにより、半導体
レーザー10の発振波長を、ドメイン反転部17の周期と位
相整合する波長に選択、ロックすることができる。
フィルター91を、ミラー85と半導体レーザー10の前方端
面（図１５中の右方の端面）によって構成される半導体
レーザー10の外部共振器中に配したことにより、半導体
レーザー10の発振波長を、ドメイン反転部17の周期と位
相整合する波長に選択、ロックすることができる。
【００９７】なお以上説明した透過型の狭帯域薄膜バン
ドパスフィルター91は、図７の構成において狭帯域バン
ドパスフィルター14に代えて用いることも勿論可能であ
る。その場合、狭帯域薄膜バンドパスフィルター91は、
例えばミラー85の反射面や、半導体レーザー10の前方端
面（図７中の右方の端面）の上に形成すればよい。
ドパスフィルター91は、図７の構成において狭帯域バン
ドパスフィルター14に代えて用いることも勿論可能であ
る。その場合、狭帯域薄膜バンドパスフィルター91は、
例えばミラー85の反射面や、半導体レーザー10の前方端
面（図７中の右方の端面）の上に形成すればよい。
【００９８】次に図１６を参照して、本発明の第１１の
実施形態について説明する。この第１１の実施形態の光
波長変換モジュールは、図７に示したものと比べると、
ミラー85に代えて反射型のバルクグレーティング92が設
けられ、そして狭帯域バンドパスフィルター14が省かれ
た点が異なるものである。
実施形態について説明する。この第１１の実施形態の光
波長変換モジュールは、図７に示したものと比べると、
ミラー85に代えて反射型のバルクグレーティング92が設
けられ、そして狭帯域バンドパスフィルター14が省かれ
た点が異なるものである。
【００９９】上記反射型のバルクグレーティング92は、
そこに入射したレーザービーム11を反射させる。つまり
この装置では、このバルクグレーティング92と半導体レ
ーザー10の後方端面（図１６中の左方の端面）によって
半導体レーザー10の外部共振器が構成されている。また
このバルクグレーティング92は波長選択光学素子として
機能するものであり、それを矢印Ａ方向に適宜回転させ
ることにより、半導体レーザー10の発振波長を、ドメイ
ン反転部17の周期と位相整合する波長に選択、ロックす
ることができる。
そこに入射したレーザービーム11を反射させる。つまり
この装置では、このバルクグレーティング92と半導体レ
ーザー10の後方端面（図１６中の左方の端面）によって
半導体レーザー10の外部共振器が構成されている。また
このバルクグレーティング92は波長選択光学素子として
機能するものであり、それを矢印Ａ方向に適宜回転させ
ることにより、半導体レーザー10の発振波長を、ドメイ
ン反転部17の周期と位相整合する波長に選択、ロックす
ることができる。
【０１００】次に図１７を参照して、本発明の第１２の
実施形態について説明する。この第１２の実施形態の光
波長変換モジュールは、図８に示したものと比べると、
ミラー85に代えて反射型のバルクグレーティング92が設
けられ、そして狭帯域バンドパスフィルター14が省かれ
た点が異なるものである。
実施形態について説明する。この第１２の実施形態の光
波長変換モジュールは、図８に示したものと比べると、
ミラー85に代えて反射型のバルクグレーティング92が設
けられ、そして狭帯域バンドパスフィルター14が省かれ
た点が異なるものである。
【０１０１】上記反射型のバルクグレーティング92は、
そこに入射したレーザービーム11を反射させる。つまり
この装置では、このバルクグレーティング92と半導体レ
ーザー10の後方端面（図１７中の左方の端面）によって
半導体レーザー10の外部共振器が構成されている。また
このバルクグレーティング92は波長選択光学素子として
機能するものであり、それを矢印Ａ方向に適宜回転させ
ることにより、半導体レーザー10の発振波長を、ドメイ
ン反転部17の周期と位相整合する波長に選択、ロックす
ることができる。
そこに入射したレーザービーム11を反射させる。つまり
この装置では、このバルクグレーティング92と半導体レ
ーザー10の後方端面（図１７中の左方の端面）によって
半導体レーザー10の外部共振器が構成されている。また
このバルクグレーティング92は波長選択光学素子として
機能するものであり、それを矢印Ａ方向に適宜回転させ
ることにより、半導体レーザー10の発振波長を、ドメイ
ン反転部17の周期と位相整合する波長に選択、ロックす
ることができる。
【０１０２】次に図１８を参照して、本発明の第１３の
実施形態について説明する。この第１３の実施形態の光
波長変換モジュールは、図９に示したものと比べると、
ミラー85に代えて反射型のバルクグレーティング92が設
けられ、そして狭帯域バンドパスフィルター14が省かれ
た点が異なるものである。
実施形態について説明する。この第１３の実施形態の光
波長変換モジュールは、図９に示したものと比べると、
ミラー85に代えて反射型のバルクグレーティング92が設
けられ、そして狭帯域バンドパスフィルター14が省かれ
た点が異なるものである。
【０１０３】上記反射型のバルクグレーティング92は、
そこに入射したレーザービーム11を反射させる。つまり
この装置では、このバルクグレーティング92と半導体レ
ーザー10の前方端面（図１８中の右方の端面）によって
半導体レーザー10の外部共振器が構成されている。また
このバルクグレーティング92は波長選択光学素子として
機能するものであり、それを矢印Ａ方向に適宜回転させ
ることにより、半導体レーザー10の発振波長を、ドメイ
ン反転部17の周期と位相整合する波長に選択、ロックす
ることができる。
そこに入射したレーザービーム11を反射させる。つまり
この装置では、このバルクグレーティング92と半導体レ
ーザー10の前方端面（図１８中の右方の端面）によって
半導体レーザー10の外部共振器が構成されている。また
このバルクグレーティング92は波長選択光学素子として
機能するものであり、それを矢印Ａ方向に適宜回転させ
ることにより、半導体レーザー10の発振波長を、ドメイ
ン反転部17の周期と位相整合する波長に選択、ロックす
ることができる。
【０１０４】なお、以上説明したような反射型のバルク
グレーティング92に代えて、反射型の狭帯域薄膜バンド
パスフィルターを用いることもできる。そのように形成
された本発明の第１４の実施形態を、図１９を参照して
説明する。この第１４の実施形態の光波長変換モジュー
ルは、図１８に示したものと比べると、コリメーターレ
ンズ86、集光レンズ84および反射型のバルクグレーティ
ング92を省いて、半導体レーザー10の後方端面10ｂに反
射型の狭帯域薄膜バンドパスフィルター95を形成した点
が異なるものである。
グレーティング92に代えて、反射型の狭帯域薄膜バンド
パスフィルターを用いることもできる。そのように形成
された本発明の第１４の実施形態を、図１９を参照して
説明する。この第１４の実施形態の光波長変換モジュー
ルは、図１８に示したものと比べると、コリメーターレ
ンズ86、集光レンズ84および反射型のバルクグレーティ
ング92を省いて、半導体レーザー10の後方端面10ｂに反
射型の狭帯域薄膜バンドパスフィルター95を形成した点
が異なるものである。
【０１０５】なお勿論ながら、上記図１９の構成におい
てレンズ12および13を省いて、半導体レーザー10を光波
長変換素子15に直接結合するようなことも可能である。
てレンズ12および13を省いて、半導体レーザー10を光波
長変換素子15に直接結合するようなことも可能である。
【０１０６】次に図２０を参照して、本発明の第１５の
実施形態について説明する。この第１５の実施形態の光
波長変換モジュールは、図１７に示したものと比べる
と、バルクグレーティング92に代えてファイバーグレー
ティング23が設けられている点が異なるものである。
実施形態について説明する。この第１５の実施形態の光
波長変換モジュールは、図１７に示したものと比べる
と、バルクグレーティング92に代えてファイバーグレー
ティング23が設けられている点が異なるものである。
【０１０７】光波長変換素子15の光導波路端面18ｂから
は、波長変換されなかったレーザービーム11も発散光状
態で出射し、コリメーターレンズ20によって平行光化さ
れる。平行光化された第２高調波19はダイクロイックミ
ラー21で反射し、利用位置に導かれる。一方波長変換さ
れなかったレーザービーム11はダイクロイックミラー21
を透過し、集光レンズ22により集光されてファイバーグ
レーティング23の端面において収束する。
は、波長変換されなかったレーザービーム11も発散光状
態で出射し、コリメーターレンズ20によって平行光化さ
れる。平行光化された第２高調波19はダイクロイックミ
ラー21で反射し、利用位置に導かれる。一方波長変換さ
れなかったレーザービーム11はダイクロイックミラー21
を透過し、集光レンズ22により集光されてファイバーグ
レーティング23の端面において収束する。
【０１０８】このファイバーグレーティング23は図２１
に詳しく示すように、クラッド23ｂ内にそれよりも高屈
折率のコア23ｃが埋め込まれてなり、そしてコア23ｃに
は複数の屈折率変化部が等間隔に形成された光ファイバ
ーである。このファイバーグレーティング23は、例えば
クラッド外径が125 μｍ、コア径が約10μｍの光通信用
光ファイバーのコア23ｃに、紫外域の波長248 ｎｍのエ
キシマレーザー光を用いて二光束干渉露光により干渉縞
を形成させ、コア23ｃの光が照射された部分の屈折率を
変化（上昇）させることにより作成される。なおこの屈
折率変化は、コア23ｃにドープされている酸化ゲルマニ
ウムが紫外線照射により化学変化を起こすことによって
生じると考えられている。
に詳しく示すように、クラッド23ｂ内にそれよりも高屈
折率のコア23ｃが埋め込まれてなり、そしてコア23ｃに
は複数の屈折率変化部が等間隔に形成された光ファイバ
ーである。このファイバーグレーティング23は、例えば
クラッド外径が125 μｍ、コア径が約10μｍの光通信用
光ファイバーのコア23ｃに、紫外域の波長248 ｎｍのエ
キシマレーザー光を用いて二光束干渉露光により干渉縞
を形成させ、コア23ｃの光が照射された部分の屈折率を
変化（上昇）させることにより作成される。なおこの屈
折率変化は、コア23ｃにドープされている酸化ゲルマニ
ウムが紫外線照射により化学変化を起こすことによって
生じると考えられている。
【０１０９】上記ファイバーグレーティング23は、集光
レンズ22を経たレーザービーム11の収束位置にコア端面
23ａが位置するように配設されている。そこでレーザー
ビーム11はコア端面23ａからコア23ｃ内に入射し、そこ
を伝搬する。コア23ｃに形成された上記屈折率変化部
は、レーザービーム11の伝搬方向に沿ったグレーティン
グ（回折格子）を構成している。このグレーティング
は、コア23ｃを伝搬する光ビームのうち、その周期ΛFG
に対応した特定波長の光のみを反射回折させ、光波長変
換素子15を介して半導体レーザー10にフィードバックさ
せる。つまりこの装置では、コア23ｃに形成されたグレ
ーティングと半導体レーザー10の後方端面（図２０中の
左方の端面）によって半導体レーザー10の外部共振器が
構成されている。
レンズ22を経たレーザービーム11の収束位置にコア端面
23ａが位置するように配設されている。そこでレーザー
ビーム11はコア端面23ａからコア23ｃ内に入射し、そこ
を伝搬する。コア23ｃに形成された上記屈折率変化部
は、レーザービーム11の伝搬方向に沿ったグレーティン
グ（回折格子）を構成している。このグレーティング
は、コア23ｃを伝搬する光ビームのうち、その周期ΛFG
に対応した特定波長の光のみを反射回折させ、光波長変
換素子15を介して半導体レーザー10にフィードバックさ
せる。つまりこの装置では、コア23ｃに形成されたグレ
ーティングと半導体レーザー10の後方端面（図２０中の
左方の端面）によって半導体レーザー10の外部共振器が
構成されている。
【０１１０】したがって、上記グレーティングの周期Λ
FGを所定値に設定しておくことにより、半導体レーザー
10の発振波長を、ドメイン反転部17の周期と位相整合す
る波長に選択、ロックすることができる。
FGを所定値に設定しておくことにより、半導体レーザー
10の発振波長を、ドメイン反転部17の周期と位相整合す
る波長に選択、ロックすることができる。
【０１１１】次に図２２を参照して、本発明の第１６の
実施形態について説明する。この第１６の実施形態の光
波長変換モジュールにおいて、第２高調波19はダイクロ
イックミラー30を透過して利用位置に導かれ、レーザー
ビーム11はこのダイクロイックミラー30で反射してファ
イバーグレーティング23に導かれる。
実施形態について説明する。この第１６の実施形態の光
波長変換モジュールにおいて、第２高調波19はダイクロ
イックミラー30を透過して利用位置に導かれ、レーザー
ビーム11はこのダイクロイックミラー30で反射してファ
イバーグレーティング23に導かれる。
【０１１２】この場合も、ファイバーグレーティング23
のコアに形成されたグレーティングと半導体レーザー10
の後方端面（図２２中の左方の端面）によって半導体レ
ーザー10の外部共振器が構成され、図２０の装置におけ
るのと同様の効果が得られる。
のコアに形成されたグレーティングと半導体レーザー10
の後方端面（図２２中の左方の端面）によって半導体レ
ーザー10の外部共振器が構成され、図２０の装置におけ
るのと同様の効果が得られる。
【０１１３】次に図２３を参照して、本発明の第１７の
実施形態について説明する。この第１７の実施形態の光
波長変換モジュールは、図２０のものと比べると、波長
変換されなかったレーザービーム11と第２高調波19とを
分離する手段が異なるものである。すなわち本装置にお
いては、ファイバーグレーティング33として、前述と同
様の屈折率変化部を有する第１のファイバー34と、この
第１のファイバー34に結合された第２のファイバー35と
からなるものが用いられている。これら第１のファイバ
ー34および第２のファイバー35は、波長選択ファイバー
カップラを構成している。
実施形態について説明する。この第１７の実施形態の光
波長変換モジュールは、図２０のものと比べると、波長
変換されなかったレーザービーム11と第２高調波19とを
分離する手段が異なるものである。すなわち本装置にお
いては、ファイバーグレーティング33として、前述と同
様の屈折率変化部を有する第１のファイバー34と、この
第１のファイバー34に結合された第２のファイバー35と
からなるものが用いられている。これら第１のファイバ
ー34および第２のファイバー35は、波長選択ファイバー
カップラを構成している。
【０１１４】光波長変換素子15から発散光状態で出射し
たレーザービーム11および第２高調波19は、収束光学系
としての集光レンズ31により収束せしめられる。この収
束位置には、ファイバーグレーティング33の第２のファ
イバー35の一端面が配されており、レーザービーム11お
よび第２高調波19はこの第２のファイバー35に入射す
る。この第２のファイバー35に入射してそこを伝搬した
第２高調波19は、該第２のファイバー35の他端面から発
散光状態で出射し、コリメーターレンズ20によって平行
光化された上で、利用位置に導かれる。
たレーザービーム11および第２高調波19は、収束光学系
としての集光レンズ31により収束せしめられる。この収
束位置には、ファイバーグレーティング33の第２のファ
イバー35の一端面が配されており、レーザービーム11お
よび第２高調波19はこの第２のファイバー35に入射す
る。この第２のファイバー35に入射してそこを伝搬した
第２高調波19は、該第２のファイバー35の他端面から発
散光状態で出射し、コリメーターレンズ20によって平行
光化された上で、利用位置に導かれる。
【０１１５】一方、第２のファイバー35に入射してそこ
を伝搬したレーザービーム11は、両ファイバー34、35の
結合部分において第１のファイバー34の方に移り、該第
１のファイバー34を伝搬してその屈折率変化部において
反射回折する。反射回折したレーザービーム11は、第２
のファイバー35および光波長変換素子15を介して半導体
レーザー10にフィードバックされ、そこでこの場合も図
２０の装置におけるのと同様の効果が得られることにな
る。
を伝搬したレーザービーム11は、両ファイバー34、35の
結合部分において第１のファイバー34の方に移り、該第
１のファイバー34を伝搬してその屈折率変化部において
反射回折する。反射回折したレーザービーム11は、第２
のファイバー35および光波長変換素子15を介して半導体
レーザー10にフィードバックされ、そこでこの場合も図
２０の装置におけるのと同様の効果が得られることにな
る。
【０１１６】なお上記とは反対に、集光レンズ31により
収束したレーザービーム11および第２高調波19をまず第
１のファイバー34に入射させ、該第１のファイバー34を
伝搬する第２高調波19を第２のファイバー35の方に移す
ようにしてもよい。
収束したレーザービーム11および第２高調波19をまず第
１のファイバー34に入射させ、該第１のファイバー34を
伝搬する第２高調波19を第２のファイバー35の方に移す
ようにしてもよい。
【０１１７】以上説明した第１５、１６および１７の実
施形態はいずれも、光波長変換素子15から波長変換され
ずに出射した基本波としてのレーザービーム11をファイ
バーグレーティングにより反射回折させるものである
が、次に、光波長変換素子15に入射する前のレーザービ
ーム11をファイバーグレーティングにより反射回折させ
るようにした３つの実施形態について説明する。
施形態はいずれも、光波長変換素子15から波長変換され
ずに出射した基本波としてのレーザービーム11をファイ
バーグレーティングにより反射回折させるものである
が、次に、光波長変換素子15に入射する前のレーザービ
ーム11をファイバーグレーティングにより反射回折させ
るようにした３つの実施形態について説明する。
【０１１８】図２４は、本発明の第１８の実施形態によ
る光波長変換モジュールを示すものである。この光波長
変換モジュールにおいて、半導体レーザー10から発散光
状態で出射したレーザービーム11は、収束光学系として
の集光レンズ40により収束せしめられる。この収束位置
には、図２０の装置で用いられたものと同様のファイバ
ーグレーティング23の一端面が配されており、レーザー
ビーム11はこのファイバーグレーティング23に入射す
る。
る光波長変換モジュールを示すものである。この光波長
変換モジュールにおいて、半導体レーザー10から発散光
状態で出射したレーザービーム11は、収束光学系として
の集光レンズ40により収束せしめられる。この収束位置
には、図２０の装置で用いられたものと同様のファイバ
ーグレーティング23の一端面が配されており、レーザー
ビーム11はこのファイバーグレーティング23に入射す
る。
【０１１９】ファイバーグレーティング23を伝搬したレ
ーザービーム11の一部は、該ファイバーグレーティング
23の屈折率変化部において反射回折する。反射回折した
レーザービーム11は、集光レンズ40を介して半導体レー
ザー10にフィードバックされ、そこでこの場合も図２０
の装置におけるのと同様の効果が得られることになる。
ーザービーム11の一部は、該ファイバーグレーティング
23の屈折率変化部において反射回折する。反射回折した
レーザービーム11は、集光レンズ40を介して半導体レー
ザー10にフィードバックされ、そこでこの場合も図２０
の装置におけるのと同様の効果が得られることになる。
【０１２０】一方、ファイバーグレーティング23を伝搬
してその他端面から出射したレーザービーム11は、集光
レンズ41により集光されて光波長変換素子15のチャンネ
ル光導波路18に入射し、そこで第２高調波19に波長変換
される。光波長変換素子15から発散光状態で出射した第
２高調波19およびレーザービーム11は、コリメーターレ
ンズ20によって平行光化され、第２高調波19が利用位置
に導かれる。この第２高調波19をレーザービーム11から
分離させるには、既に説明したようなものを適宜用いれ
ばよい。
してその他端面から出射したレーザービーム11は、集光
レンズ41により集光されて光波長変換素子15のチャンネ
ル光導波路18に入射し、そこで第２高調波19に波長変換
される。光波長変換素子15から発散光状態で出射した第
２高調波19およびレーザービーム11は、コリメーターレ
ンズ20によって平行光化され、第２高調波19が利用位置
に導かれる。この第２高調波19をレーザービーム11から
分離させるには、既に説明したようなものを適宜用いれ
ばよい。
【０１２１】次に図２５を参照して、本発明の第１９の
実施形態について説明する。この第１９の実施形態の光
波長変換モジュールにおいては、コリメーターレンズ12
によって平行光化されたレーザービーム11がビームスプ
リッタ45によって分岐される。すなわち、このビームス
プリッタ45を透過したレーザービーム11は、図２０の装
置におけるのと同様にして光波長変換素子15に導かれ
る。他方、このビームスプリッタ45で反射したレーザー
ビーム11はミラー46で反射した後、集光レンズ22で集光
されてファイバーグレーティング23に入射する。
実施形態について説明する。この第１９の実施形態の光
波長変換モジュールにおいては、コリメーターレンズ12
によって平行光化されたレーザービーム11がビームスプ
リッタ45によって分岐される。すなわち、このビームス
プリッタ45を透過したレーザービーム11は、図２０の装
置におけるのと同様にして光波長変換素子15に導かれ
る。他方、このビームスプリッタ45で反射したレーザー
ビーム11はミラー46で反射した後、集光レンズ22で集光
されてファイバーグレーティング23に入射する。
【０１２２】ファイバーグレーティング23に入射してそ
こを伝搬したレーザービーム11は、該ファイバーグレー
ティング23の屈折率変化部において反射回折する。反射
回折したレーザービーム11は、ミラー46やビームスプリ
ッタ45等を介して半導体レーザー10にフィードバックさ
れ、そこでこの場合も図２０の装置におけるのと同様の
効果が得られる。
こを伝搬したレーザービーム11は、該ファイバーグレー
ティング23の屈折率変化部において反射回折する。反射
回折したレーザービーム11は、ミラー46やビームスプリ
ッタ45等を介して半導体レーザー10にフィードバックさ
れ、そこでこの場合も図２０の装置におけるのと同様の
効果が得られる。
【０１２３】なおこの実施形態においては、コリメータ
ーレンズ12および集光レンズ22により、光波長変換素子
15に入射する前のレーザービーム11を収束させる収束光
学系が構成されている。
ーレンズ12および集光レンズ22により、光波長変換素子
15に入射する前のレーザービーム11を収束させる収束光
学系が構成されている。
【０１２４】次に図２６を参照して、本発明の第２０の
実施形態について説明する。この第２０の実施形態の光
波長変換モジュールは、前述した図２４の光波長変換モ
ジュールと比べると、ファイバーグレーティング23に代
えて、ファイバーカップラを構成するファイバーグレー
ティング50が用いられている点が異なるものである。こ
のファイバーグレーティング50は、屈折率変化部を有す
る第１のファイバー51と、該第１のファイバー51に結合
された第２のファイバー52とからなるものである。
実施形態について説明する。この第２０の実施形態の光
波長変換モジュールは、前述した図２４の光波長変換モ
ジュールと比べると、ファイバーグレーティング23に代
えて、ファイバーカップラを構成するファイバーグレー
ティング50が用いられている点が異なるものである。こ
のファイバーグレーティング50は、屈折率変化部を有す
る第１のファイバー51と、該第１のファイバー51に結合
された第２のファイバー52とからなるものである。
【０１２５】上記第２のファイバー52に入射してそこを
伝搬するレーザービーム11は、一部が両ファイバー51、
52の結合部分において第１のファイバー51の方に移っ
て、二系統に分岐される。第２のファイバー52を伝搬し
てその他端面から出射したレーザービーム11は、集光レ
ンズ41により集光されて光波長変換素子15のチャンネル
光導波路18に入射し、そこで第２高調波19に波長変換さ
れる。光波長変換素子15から発散光状態で出射した第２
高調波19およびレーザービーム11は、コリメーターレン
ズ20によって平行光化され、第２高調波19が利用位置に
導かれる。この第２高調波19をレーザービーム11から分
離させるには、既に説明したようなものを適宜用いれば
よい。
伝搬するレーザービーム11は、一部が両ファイバー51、
52の結合部分において第１のファイバー51の方に移っ
て、二系統に分岐される。第２のファイバー52を伝搬し
てその他端面から出射したレーザービーム11は、集光レ
ンズ41により集光されて光波長変換素子15のチャンネル
光導波路18に入射し、そこで第２高調波19に波長変換さ
れる。光波長変換素子15から発散光状態で出射した第２
高調波19およびレーザービーム11は、コリメーターレン
ズ20によって平行光化され、第２高調波19が利用位置に
導かれる。この第２高調波19をレーザービーム11から分
離させるには、既に説明したようなものを適宜用いれば
よい。
【０１２６】一方、第１のファイバー51に移ったレーザ
ービーム11は、該第１のファイバー51を伝搬してその屈
折率変化部において反射回折する。反射回折したレーザ
ービーム11は、集光レンズ40を介して半導体レーザー10
にフィードバックされ、そこでこの場合も図２０の装置
におけるのと同様の効果が得られることになる。
ービーム11は、該第１のファイバー51を伝搬してその屈
折率変化部において反射回折する。反射回折したレーザ
ービーム11は、集光レンズ40を介して半導体レーザー10
にフィードバックされ、そこでこの場合も図２０の装置
におけるのと同様の効果が得られることになる。
【０１２７】次に図２７を参照して、半導体レーザー10
の後方出射光を利用してその発振波長を選択、ロックす
るようにした本発明の第２１の実施形態について説明す
る。この第２１の実施形態の光波長変換モジュールにお
いては、光波長変換素子15に向かわないレーザービーム
11Ｒ（後方出射光）が、収束光学系としての集光ーティ
ング23に入射したレーザービーム11Ｒは、該ファイバー
グレーティング23の屈折率変化部において反射回折す
る。反射回折したレーザービーム11Ｒは、集光レンズ60
を介して半導体レーザー10にフィードバックされ、そこ
でこの場合も図２０の装置におけるのと同様の効果が得
られる。
の後方出射光を利用してその発振波長を選択、ロックす
るようにした本発明の第２１の実施形態について説明す
る。この第２１の実施形態の光波長変換モジュールにお
いては、光波長変換素子15に向かわないレーザービーム
11Ｒ（後方出射光）が、収束光学系としての集光ーティ
ング23に入射したレーザービーム11Ｒは、該ファイバー
グレーティング23の屈折率変化部において反射回折す
る。反射回折したレーザービーム11Ｒは、集光レンズ60
を介して半導体レーザー10にフィードバックされ、そこ
でこの場合も図２０の装置におけるのと同様の効果が得
られる。
【０１２８】なお以上説明した第１〜２１の実施形態に
おいては全て、ＭｇＯ−ＬＮのインゴット16’を、Ｙ軸
をＹＺ面内でＺ軸側に３°回転させた軸に対して垂直な
面でカット、研磨して得られたＭｇＯ−ＬＮ基板（３°
Ｙカット基板）16が用いられているが、本発明ではそれ
以外の方位でカットされた基板を用いることも可能であ
る。例えば図２８に示すように、ＭｇＯ−ＬＮのインゴ
ット16”を、そのＺ軸をＺＸ面内でＸ軸側に87°回転さ
せた軸Ｚ”に垂直となる面でカット、研磨して得た基板
（87°Ｚカット基板）も好適に用いることができる。
おいては全て、ＭｇＯ−ＬＮのインゴット16’を、Ｙ軸
をＹＺ面内でＺ軸側に３°回転させた軸に対して垂直な
面でカット、研磨して得られたＭｇＯ−ＬＮ基板（３°
Ｙカット基板）16が用いられているが、本発明ではそれ
以外の方位でカットされた基板を用いることも可能であ
る。例えば図２８に示すように、ＭｇＯ−ＬＮのインゴ
ット16”を、そのＺ軸をＺＸ面内でＸ軸側に87°回転さ
せた軸Ｚ”に垂直となる面でカット、研磨して得た基板
（87°Ｚカット基板）も好適に用いることができる。
【０１２９】また、以上例示した基板は、その表面に平
行な方向および垂直な方向に対して、それぞれＺ軸およ
びＹ軸がオフセットしているものであるが、少なくとも
Ｚ軸がオフセットしていれば同様の効果が得られるもの
である。
行な方向および垂直な方向に対して、それぞれＺ軸およ
びＹ軸がオフセットしているものであるが、少なくとも
Ｚ軸がオフセットしていれば同様の効果が得られるもの
である。
【０１３０】さらに本発明の光波長変換モジュールにお
いては、光導波路のドメイン反転部よりも導波方向上流
側において、該光導波路を導波する光を変調する電気光
学光変調部が形成されてもよい。このような電気光学光
変調部を有する光波長変換モジュールについては、例え
ば本出願人による特願平８−３１４８００号明細書に詳
しい記載がなされている。
いては、光導波路のドメイン反転部よりも導波方向上流
側において、該光導波路を導波する光を変調する電気光
学光変調部が形成されてもよい。このような電気光学光
変調部を有する光波長変換モジュールについては、例え
ば本出願人による特願平８−３１４８００号明細書に詳
しい記載がなされている。
【図１】本発明の第１実施形態による光波長変換モジュ
ールを示す概略側面図
ールを示す概略側面図
【図２】上記光波長変換モジュールの要部を示す斜視図
【図３】光波長変換素子における基板の分極の向きを説
明する概略図
明する概略図
【図４】上記第１実施形態の光波長変換モジュールに用
いられた光波長変換素子を作成する様子を示す概略斜視
図
いられた光波長変換素子を作成する様子を示す概略斜視
図
【図５】上記光波長変換素子に用いられる基板のカット
状態を説明する概略図
状態を説明する概略図
【図６】上記光波長変換素子に形成されるドメイン反転
部を示す概略斜視図
部を示す概略斜視図
【図７】本発明の第２実施形態による光波長変換モジュ
ールを示す概略側面図
ールを示す概略側面図
【図８】本発明の第３実施形態による光波長変換モジュ
ールを示す概略側面図
ールを示す概略側面図
【図９】本発明の第４実施形態による光波長変換モジュ
ールを示す概略側面図
ールを示す概略側面図
【図１０】本発明の第５実施形態による光波長変換モジ
ュールを示す概略側面図
ュールを示す概略側面図
【図１１】本発明の第６実施形態による光波長変換モジ
ュールを示す概略側面図
ュールを示す概略側面図
【図１２】本発明の第７実施形態による光波長変換モジ
ュールを示す概略側面図
ュールを示す概略側面図
【図１３】本発明の第８実施形態による光波長変換モジ
ュールを示す概略側面図
ュールを示す概略側面図
【図１４】本発明の第９実施形態による光波長変換モジ
ュールを示す概略側面図
ュールを示す概略側面図
【図１５】本発明の第１０実施形態による光波長変換モ
ジュールを示す概略側面図
ジュールを示す概略側面図
【図１６】本発明の第１１実施形態による光波長変換モ
ジュールを示す概略側面図
ジュールを示す概略側面図
【図１７】本発明の第１２実施形態による光波長変換モ
ジュールを示す概略側面図
ジュールを示す概略側面図
【図１８】本発明の第１３実施形態による光波長変換モ
ジュールを示す概略側面図
ジュールを示す概略側面図
【図１９】本発明の第１４実施形態による光波長変換モ
ジュールを示す概略側面図
ジュールを示す概略側面図
【図２０】本発明の第１５実施形態による光波長変換モ
ジュールを示す概略側面図
ジュールを示す概略側面図
【図２１】上記第１５実施形態による光波長変換モジュ
ールの要部を示す概略側面図
ールの要部を示す概略側面図
【図２２】本発明の第１６実施形態による光波長変換モ
ジュールを示す概略側面図
ジュールを示す概略側面図
【図２３】本発明の第１７実施形態による光波長変換モ
ジュールを示す概略側面図
ジュールを示す概略側面図
【図２４】本発明の第１８実施形態による光波長変換モ
ジュールを示す概略側面図
ジュールを示す概略側面図
【図２５】本発明の第１９実施形態による光波長変換モ
ジュールを示す概略側面図
ジュールを示す概略側面図
【図２６】本発明の第２０実施形態による光波長変換モ
ジュールを示す概略側面図
ジュールを示す概略側面図
【図２７】本発明の第２１実施形態による光波長変換モ
ジュールを示す概略側面図
ジュールを示す概略側面図
【図２８】本発明に用いられる基板の別のカット状態を
説明する概略図
説明する概略図
【図２９】従来の光波長変換モジュールの一例を示す概
略側面図
略側面図
【図３０】従来の光波長変換モジュールの別の例を示す
概略側面図
概略側面図
【図３１】従来の光波長変換モジュールの問題を説明す
る説明図
る説明図
10 半導体レーザー 10ａ、10ｂ 半導体レーザーの端面 11 レーザービーム（基本波） 11Ｒ レーザービーム（後方出射光） 12 コリメーターレンズ 13 集光レンズ 14 狭帯域バンドパスフィルター 15 光波長変換素子 16 ＭｇＯ−ＬＮ結晶基板 17 ドメイン反転部 18 チャンネル光導波路 18ａ、18ｂ チャンネル光導波路の端面 19 第２高調波 20 コリメーターレンズ 21 ダイクロイックミラー 22 集光レンズ 23 ファイバーグレーティング 23ａ ファイバーグレーティングのコア端面 23ｂ ファイバーグレーティングのコア 23ｃ ファイバーグレーティングのクラッド 30 ダイクロイックミラー 31 集光レンズ 33 ファイバーグレーティング 34 第１のファイバー 35 第２のファイバー 40、41 集光レンズ 45 ビームスプリッタ 46 ミラー 50 ファイバーグレーティング 51 第１のファイバー 52 第２のファイバー 60 集光レンズ 80 櫛形電極 81 平板電極 82 ビームスプリッタ 84 集光レンズ 85 ミラー 86 コリメーターレンズ 90 透過型バルクグレーティング 91 透過型狭帯域薄膜バンドパスフィルター 92 反射型バルクグレーティング 95 反射型狭帯域薄膜バンドパスフィルター
Claims (27)
- 【請求項１】 非線形光学効果を有する強誘電体結晶基
板に、その一表面に沿って延びる光導波路が形成される
とともに、この光導波路に基板の自発分極の向きを反転
させたドメイン反転部が周期的に形成されてなり、該光
導波路においてドメイン反転部の並び方向に導波する基
本波を波長変換する光波長変換素子であって、前記基本
波の導波方向に垂直な面内において、前記基板の自発分
極の向きが該基板の前記一表面に対して角度θ（０°＜
θ＜90°）をなしている光波長変換素子と、 前記基本波としてこの光波長変換素子に入射されるレー
ザービームを発する半導体レーザーと、 この半導体レーザーと前記光波長変換素子との間に配さ
れ、該光波長変換素子の端面で反射して半導体レーザー
にフィードバックするレーザービームの波長を選択する
透過型の波長選択光学素子とからなる光波長変換モジュ
ール。 - 【請求項２】 非線形光学効果を有する強誘電体結晶基
板に、その一表面に沿って延びる光導波路が形成される
とともに、この光導波路に基板の自発分極の向きを反転
させたドメイン反転部が周期的に形成されてなり、該光
導波路においてドメイン反転部の並び方向に導波する基
本波を波長変換する光波長変換素子であって、前記基本
波の導波方向に垂直な面内において、前記基板の自発分
極の向きが該基板の前記一表面に対して角度θ（０°＜
θ＜90°）をなしている光波長変換素子と、 前記基本波としてこの光波長変換素子に入射されるレー
ザービームを発する半導体レーザーと、 前記光波長変換素子に入射する前の前記レーザービーム
を一部分岐させる光分岐手段と、 この分岐されたレーザービームを反射させて前記半導体
レーザーにフィードバックさせる反射部材と、 前記半導体レーザーにフィードバックされるレーザービ
ームの波長を選択する透過型の波長選択光学素子とから
なる光波長変換モジュール。 - 【請求項３】 非線形光学効果を有する強誘電体結晶基
板に、その一表面に沿って延びる光導波路が形成される
とともに、この光導波路に基板の自発分極の向きを反転
させたドメイン反転部が周期的に形成されてなり、該光
導波路においてドメイン反転部の並び方向に導波する基
本波を波長変換する光波長変換素子であって、前記基本
波の導波方向に垂直な面内において、前記基板の自発分
極の向きが該基板の前記一表面に対して角度θ（０°＜
θ＜90°）をなしている光波長変換素子と、 前記基本波としてこの光波長変換素子に入射されるレー
ザービームを発する半導体レーザーと、 前記光波長変換素子から出射した前記レーザービームを
反射させて前記半導体レーザーにフィードバックさせる
反射部材と、 前記半導体レーザーにフィードバックされるレーザービ
ームの波長を選択する透過型の波長選択光学素子とから
なる光波長変換モジュール。 - 【請求項４】 前記光波長変換素子から出射した前記レ
ーザービームと波長変換波とを分岐する光学系が設けら
れていることを特徴とする請求項３記載の光波長変換モ
ジュール。 - 【請求項５】 非線形光学効果を有する強誘電体結晶基
板に、その一表面に沿って延びる光導波路が形成される
とともに、この光導波路に基板の自発分極の向きを反転
させたドメイン反転部が周期的に形成されてなり、該光
導波路においてドメイン反転部の並び方向に導波する基
本波を波長変換する光波長変換素子であって、前記基本
波の導波方向に垂直な面内において、前記基板の自発分
極の向きが該基板の前記一表面に対して角度θ（０°＜
θ＜90°）をなしている光波長変換素子と、 前記基本波としてこの光波長変換素子に入射されるレー
ザービームを発する半導体レーザーと、 この半導体レーザーから、前記光波長変換素子に向かわ
ない後方出射光として出射したレーザービームを反射さ
せて前記半導体レーザーにフィードバックさせる反射部
材と、 前記半導体レーザーにフィードバックされるレーザービ
ームの波長を選択する透過型の波長選択光学素子とから
なる光波長変換モジュール。 - 【請求項６】 非線形光学効果を有する強誘電体結晶基
板に、その一表面に沿って延びる光導波路が形成される
とともに、この光導波路に基板の自発分極の向きを反転
させたドメイン反転部が周期的に形成されてなり、該光
導波路においてドメイン反転部の並び方向に導波する基
本波を波長変換する光波長変換素子であって、前記基本
波の導波方向に垂直な面内において、前記基板の自発分
極の向きが該基板の前記一表面に対して角度θ（０°＜
θ＜90°）をなしている光波長変換素子と、 前記基本波としてこの光波長変換素子に入射されるレー
ザービームを発する半導体レーザーと、 この半導体レーザーと前記光波長変換素子との間に配さ
れ、前記レーザービームの一部を反射させて半導体レー
ザーにフィードバックするとともに、このフィードバッ
クするレーザービームの波長を選択する反射型の波長選
択光学素子とからなる光波長変換モジュール。 - 【請求項７】 非線形光学効果を有する強誘電体結晶基
板に、その一表面に沿って延びる光導波路が形成される
とともに、この光導波路に基板の自発分極の向きを反転
させたドメイン反転部が周期的に形成されてなり、該光
導波路においてドメイン反転部の並び方向に導波する基
本波を波長変換する光波長変換素子であって、前記基本
波の導波方向に垂直な面内において、前記基板の自発分
極の向きが該基板の前記一表面に対して角度θ（０°＜
θ＜90°）をなしている光波長変換素子と、 前記基本波としてこの光波長変換素子に入射されるレー
ザービームを発する半導体レーザーと、 前記光波長変換素子から出射した前記レーザービームを
反射させて前記半導体レーザーにフィードバックすると
ともに、このフィードバックするレーザービームの波長
を選択する反射型の波長選択光学素子とからなる光波長
変換モジュール。 - 【請求項８】 前記光波長変換素子から出射した前記レ
ーザービームと波長変換波とを分岐する光学系が設けら
れていることを特徴とする請求項７記載の光波長変換モ
ジュール。 - 【請求項９】 非線形光学効果を有する強誘電体結晶基
板に、その一表面に沿って延びる光導波路が形成される
とともに、この光導波路に基板の自発分極の向きを反転
させたドメイン反転部が周期的に形成されてなり、該光
導波路においてドメイン反転部の並び方向に導波する基
本波を波長変換する光波長変換素子であって、前記基本
波の導波方向に垂直な面内において、前記基板の自発分
極の向きが該基板の前記一表面に対して角度θ（０°＜
θ＜90°）をなしている光波長変換素子と、 前記基本波としてこの光波長変換素子に入射されるレー
ザービームを発する半導体レーザーと、 この半導体レーザーから、前記光波長変換素子に向かわ
ない後方出射光として出射したレーザービームを反射さ
せて前記半導体レーザーにフィードバックするととも
に、このフィードバックするレーザービームの波長を選
択する反射型の波長選択光学素子とからなる光波長変換
モジュール。 - 【請求項１０】 前記波長選択光学素子が狭帯域バンド
パスフィルターであることを特徴とする請求項１から９
いずれか１項記載の光波長変換モジュール。 - 【請求項１１】 前記狭帯域バンドパスフィルターが薄
膜型バンドパスフィルターであることを特徴とする請求
項１０記載の光波長変換モジュール。 - 【請求項１２】 前記薄膜型バンドパスフィルターが前
記半導体レーザーの光出射端面に形成されていることを
特徴とする請求項１１記載の光波長変換モジュール。 - 【請求項１３】 前記透過型の波長選択光学素子が薄膜
型の狭帯域バンドパスフィルターであって、このバンド
パスフィルターが前記反射部材の表面に形成されている
ことを特徴とする請求項２から５いずれか１項記載の光
波長変換モジュール。 - 【請求項１４】 前記波長選択光学素子がバルクグレー
ティングであることを特徴とする請求項１から９いずれ
か１項記載の光波長変換モジュール。 - 【請求項１５】 前記反射型の波長選択光学素子が、コ
アに複数の屈折率変化部が等間隔に形成された光ファイ
バーからなるファイバーグレーティングであることを特
徴とする請求項６から９いずれか１項記載の光波長変換
モジュール。 - 【請求項１６】 前記ファイバーグレーティングに入射
するレーザービームをこのファイバーグレーティングの
コア端面上で収束させる収束光学系が設けられているこ
とを特徴とする請求項１５記載の光波長変換モジュー
ル。 - 【請求項１７】 前記半導体レーザーが前記光波長変換
素子の端面に結合されていることを特徴とする請求項１
から１６いずれか１項記載の光波長変換モジュール。 - 【請求項１８】 非線形光学効果を有する強誘電体結晶
基板に、その一表面に沿って延びる光導波路が形成され
るとともに、この光導波路に基板の自発分極の向きを反
転させたドメイン反転部が周期的に形成されてなり、該
光導波路においてドメイン反転部の並び方向に導波する
基本波を波長変換する光波長変換素子であって、前記基
本波の導波方向に垂直な面内において、前記基板の自発
分極の向きが該基板の前記一表面に対して角度θ（０°
＜θ＜90°）をなしている光波長変換素子と、 この光波長変換素子の端面に結合され、前記基本波とし
てこの光波長変換素子に入射されるレーザービームを発
する半導体レーザーと、 この半導体レーザーの光出射面と前記光波長変換素子の
端面との間に配され、該光波長変換素子の端面で反射し
て半導体レーザーにフィードバックするレーザービーム
の波長を選択する透過型の薄膜狭帯域バンドパスフィル
ターとからなる光波長変換モジュール。 - 【請求項１９】 非線形光学効果を有する強誘電体結晶
基板に、その一表面に沿って延びる光導波路が形成され
るとともに、この光導波路に基板の自発分極の向きを反
転させたドメイン反転部が周期的に形成されてなり、該
光導波路においてドメイン反転部の並び方向に導波する
基本波を波長変換する光波長変換素子であって、前記基
本波の導波方向に垂直な面内において、前記基板の自発
分極の向きが該基板の前記一表面に対して角度θ（０°
＜θ＜90°）をなしている光波長変換素子と、 この光波長変換素子の端面に結合され、前記基本波とし
てこの光波長変換素子に入射されるレーザービームを発
する半導体レーザーと、 この半導体レーザーの光出射面と前記光波長変換素子の
端面との間に配され、前記レーザービームの一部を反射
させて半導体レーザーにフィードバックするとともに、
このフィードバックするレーザービームの波長を選択す
る反射型の薄膜狭帯域バンドパスフィルターとからなる
光波長変換モジュール。 - 【請求項２０】 前記光導波路がプロトン交換により形
成されたものであって、前記角度θがθ＜70°の範囲に
あることを特徴とする請求項１から１９いずれか１項記
載の光波長変換モジュール。 - 【請求項２１】 前記光導波路がプロトン交換およびア
ニールにより形成されたものであって、前記角度θがθ
＜20°の範囲にあることを特徴とする請求項１から１９
いずれか１項記載の光波長変換モジュール。 - 【請求項２２】 前記角度θが0.2 °＜θの範囲にある
ことを特徴とする請求項１から２１いずれか１項記載の
光波長変換モジュール。 - 【請求項２３】 前記光導波路がプロトン交換およびア
ニールにより形成されたものであって、前記角度θが0.
5 °＜θの範囲にあることを特徴とする請求項１から２
１いずれか１項記載の光波長変換モジュール。 - 【請求項２４】 前記強誘電体結晶基板が、該結晶のＹ
軸をＹＺ面内でＺ軸側に３°回転させた軸に対して垂直
な面でカットされたものであることを特徴とする請求項
１から２３いずれか１項記載の光波長変換モジュール。 - 【請求項２５】 前記強誘電体結晶基板が、該結晶のＺ
軸をＺＸ面内でＸ軸側に87°回転させた軸に対して垂直
な面でカットされたものであることを特徴とする請求項
１から２３いずれか１項記載の光波長変換モジュール。 - 【請求項２６】 前記強誘電体がＬｉＮｂx Ｔａ1-x Ｏ
3 （０≦ｘ≦１）またはそれにＭｇＯあるいはＺｎＯが
ドープされたものであることを特徴とする請求項１から
２５いずれか１項記載の光波長変換モジュール。 - 【請求項２７】 前記光導波路において前記レーザービ
ームがＴＥモードで導波するように構成されていること
を特徴とする請求項１から２６いずれか１項記載の光波
長変換モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6257597A JPH10254001A (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | 光波長変換モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6257597A JPH10254001A (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | 光波長変換モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10254001A true JPH10254001A (ja) | 1998-09-25 |
Family
ID=13204253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6257597A Pending JPH10254001A (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | 光波長変換モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10254001A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1096307A2 (en) * | 1999-10-28 | 2001-05-02 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical wavelength converting system and wavelength stabilised laser |
| JP2002055370A (ja) * | 1999-12-06 | 2002-02-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光波長変換モジュール |
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