JP2004530921A5

JP2004530921A5 -

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Publication number: JP2004530921A5
Application number: JP2002572502A
Authority: JP
Filing date: 2002-03-11
Publication date: 2005-07-07

Claims

ナノ粒子成分と、
ポリマー成分と、
を含むナノコンポジットレジスト。
前記ナノ粒子成分が、ホウ化物、炭化物、ケイ化物、窒化物、リン化物、ヒ化物、酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、またはそれらの組み合わせを含む請求項１に記載のナノコンポジットレジスト。
前記ポリマー成分が、電子ビーム照射に露光すると鎖の切断が起こるポリマーを含む請求項１に記載のナノコンポジットレジスト。
前記ポリマー成分が、ポリ（α−クロロアクリレート−コ−α−メチルスチレン）、ポリ（２，２，２−トリフルオロエチル−α−クロロアクリレート）、ポリ（メタクリル酸メチル）、ポリ（ブテンスルホン）、ポリシラン、ポリアセタール、またはそれらの組み合わせを含む請求項１に記載のナノコンポジットレジスト。
前記ナノ粒子成分が、平均粒径が約１００ｎｍ未満であるナノ粒子を含む請求項１に記載のナノコンポジットレジスト
前記ナノ粒子の平均粒径が約１０ｎｍ未満である請求項５に記載のナノコンポジットレジスト。
前記ナノ粒子の平均粒径が約２ｎｍ未満である請求項６に記載のナノコンポジットレジスト。
前記ナノ粒子成分が、ケイ素、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、鉄、アンチモン、スズ、セリウム、バリウム、マンガン、バナジウム、クロム、鉛、銅、インジウム、イットリウム、亜鉛、の酸化物、それらの混合酸化物、またはそれらの組み合わせを含む請求項１に記載のナノコンポジットレジスト。
前記ナノ粒子成分が多面体オリゴシルセスキオキサンを含む請求項１に記載のナノコンポジットレジスト。
前記多面体オリゴシルセスキオキサンが、式Ｓｉ_８Ｏ_１２（ＯＲ）_８、Ｓｉ_８Ｏ_１２Ｒ_８、Ｓｉ_１２Ｏ_１８（ＯＲ）_１２、またはＳｉ_１２Ｏ_１８Ｒ_１２（式中、Ｒは、アルキル、置換アルキル、シクロアルキル、置換シクロアルキル、シリル、置換シリル、アリール、置換アリール、アラルキル、置換アラルキル、アルケニル、または置換アルケニルから選択される）の化合物を含む請求項９に記載のナノコンポジットレジスト。
前記ポリマー成分がポリ（α−クロロアクリレート−コ−α−メチルスチレン）を含む請求項９に記載のナノコンポジットレジスト。
前記ナノ粒子成分が、前記レジスト中に約１重量％から約５０重量％存在する請求項１に記載のナノコンポジットレジスト。
前記レジストのガラス転移温度が少なくとも約１６０℃である請求項１に記載のナノコンポジットレジスト。
リソグラフィー記録媒体が請求項１に記載のナノコンポジットレジストを含む、リソグラフィー法。
前記ナノ粒子成分が、ケイ素、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、鉄、アンチモン、スズ、セリウム、バリウム、マンガン、バナジウム、クロム、鉛、銅、インジウム、イットリウム、亜鉛、の酸化物、それらの混合酸化物、またはそれらの組み合わせを含む請求項１４に記載のリソグラフィー法。
前記ナノ粒子成分が多面体オリゴシルセスキオキサンを含む請求項１４に記載のリソグラフィー法。
前記ポリマー成分が、ポリ（α−クロロアクリレート−コ−α−メチルスチレン）、ポリ（２，２，２−トリフルオロエチル−α−クロロアクリレート）、ポリ（メタクリル酸メチル）、ポリ（ブテンスルホン）、ポリシラン、ポリアセタール、またはそれらの組み合わせを含む請求項１４に記載のリソグラフィー法。
前記ナノコンポジットレジストがポリ（α−クロロアクリレート−コ−α−メチルスチレン）を含み、前記ナノ粒子成分が多面体オリゴシルセスキオキサンを含む請求項１４に記載のリソグラフィー法。
メタクリレート成分と、
多面体オリゴシルセスキオキサン成分と、
を含む化学増幅型ポリマーレジスト。
メタクリレート成分と、
光酸発生成分と、
を含む化学増幅型ポリマーレジスト。
前記メタクリレート成分が、メタクリル酸メチル、メタクリル酸ｔ−ブチル、メタクリル酸、またはそれらの組み合わせを含む請求項１９または２０に記載の化学増幅型ポリマーレジスト。
前記多面体オリゴシルセスキオキサン成分が、前記ポリマー中に約１重量％から約４０重量％存在する請求項１９に記載の化学増幅型ポリマーレジスト。
前記ポリマーレジストのガラス転移温度が約１６５℃を超える請求項１９に記載の化学増幅型ポリマーレジスト。
前記ポリマーレジストの重量平均分子量が約１００，０００ｇ／ｍｏｌを超える請求項１９に記載の化学増幅型ポリマーレジスト。
前記ポリマーの多分散性指数が１から約２の間である請求項１９または２０に記載の化学増幅型ポリマーレジスト。
溶解促進剤をさらに含む請求項２０に記載の化学増幅型ポリマーレジスト、
前記溶解促進剤が無水イタコン酸を含む請求項２６に記載の化学増幅型ポリマーレジスト。
前記光酸発生成分が、スルホニウム化合物、イオニウム化合物、またはそれらの組み合わせを含む請求項２０に記載の化学増幅型ポリマーレジスト。
前記光酸発生成分が［ｐ−ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）Ｃ（Ｏ）ＯＣ_６Ｈ_４ＳＭｅ_２］ＯＳＯ_２ＣＦ_３を含む請求項２０に記載の化学増幅型ポリマーレジスト。
多面体オリゴシルセスキオキサン成分をさらに含む請求項２０に記載の化学増幅型ポリマーレジスト。
前記多面体オリゴシルセスキオキサン成分が、メタクリル酸３−（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタシクロペンチルペンタシクロ−［９．５．１．１^３，９．１^５，１５．１^７，１３］オクタシロキサン−１−イル）プロピル、メタクリル酸３−［（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタシクロペンチルペンタシクロ−［９．５．１．１^３，９．１^５，１５．１^７，１３］オクタシロキサン−１−イルオキシ）ジメチルシリル］プロピル、１，３，５，７，９，１１，１３−ヘプタシクロペンチル−１５ビニルペンタシクロ−［９．５．１．１^３，９．１^５，１５．１^７，１３］オクタシロキサン、またはそれらの組み合わせを含む請求項１９または３０に記載の化学増幅型ポリマーレジスト。
前記多面体オリゴシルセスキオキサン成分が、前記ポリマー中に約１重量％から約３５重量％存在する請求項３０に記載の化学増幅型ポリマーレジスト。
前記ポリマーの重量平均分子量が２０，０００から１００，０００ｇ／ｍｏｌの間である請求項２０に記載の化学増幅型ポリマーレジスト。
メタクリル酸メチルと、メタクリル酸ｔ−ブチルと、メタクリル酸と、メタクリル酸３−（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタシクロペンチルペンタシクロ−［９．５．１．１^３，９．１^５，１５．１^７，１３］オクタシロキサン−１−イル）プロピルと、を含む化学増幅型ポリマーレジスト。
メタクリル酸メチルと、メタクリル酸ｔ−ブチルと、メタクリル酸と、メタクリル酸３−（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタシクロペンチルペンタシクロ−［９．５．１．１^３，９．１^５，１５．１^７，１３］オクタシロキサン−１−イル）プロピルと、［ｐ−ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）Ｃ（Ｏ）ＯＣ_６Ｈ_４ＳＭｅ_２］ＯＳＯ_２ＣＦ_３と、を含む化学増幅型ポリマーレジスト。
無水イタコン酸をさらに含む請求項３５に記載の化学増幅型ポリマーレジスト。
リソグラフィー記録媒体が請求項１９に記載の化学増幅型ポリマーレジストを含む、リソグラフィー法。
前記メタクリレート成分が、メタクリル酸メチル、メタクリル酸ｔ−ブチル、メタクリル酸、またはそれらの組み合わせを含む請求項３７に記載のリソグラフィー法。
前記多面体オリゴシルセスキオキサン成分が、メタクリル酸３−（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタシクロペンチルペンタシクロ−［９．５．１．１^３，９．１^５，１５．１^７，１３］オクタシロキサン−１−イル）プロピル、メタクリル酸３−［（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタシクロペンチルペンタシクロ−［９．５．１．１^３，９．１^５，１５．１^７，１３］オクタシロキサン−１−イルオキシ）ジメチルシリル］プロピル、１，３，５，７，９，１１，１３−ヘプタシクロペンチル−１５ビニルペンタシクロ−［９．５．１．１^３，９．１^５，１５．１^７，１３］オクタシロキサン、またはそれらの組み合わせを含む請求項３７に記載のリソグラフィー法。
前記化学増幅型ポリマーレジストが、メタクリル酸メチルと、メタクリル酸ｔ−ブチルと、メタクリル酸と、メタクリル酸３−（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタシクロペンチルペンタシクロ−［９．５．１．１^３，９．１^５，１５．１^７，１３］オクタシロキサン−１−イル）プロピルと、を含む請求項３７に記載のリソグラフィー法。
リソグラフィー記録媒体が請求項２０に記載の化学増幅型ポリマーレジストを含む、リソグラフィー法。
前記メタクリレート成分が、メタクリル酸メチル、メタクリル酸ｔ−ブチル、メタクリル酸、またはそれらの組み合わせを含む請求項４１に記載のリソグラフィー法。
前記化学増幅型ポリマーレジストが溶解促進剤をさらに含む請求項４１に記載のリソグラフィー法。
前記溶解促進剤が無水イタコン酸を含む請求項４３に記載のリソグラフィー法。
前記光酸発生成分が、スルホニウム化合物、イオニウム化合物、またはそれらの組み合わせを含む請求項４１に記載のリソグラフィー法。
前記多面体オリゴシルセスキオキサン成分が、メタクリル酸３−（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタシクロペンチルペンタシクロ−［９．５．１．１^３，９．１^５，１５．１^７，１３］オクタシロキサン−１−イル）プロピル、メタクリル酸３−［（３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタシクロペンチルペンタシクロ−［９．５．１．１^３，９．１^５，１５．１^７，１３］オクタシロキサン−１−イルオキシ）ジメチルシリル］プロピル、１，３，５，７，９，１１，１３−ヘプタシクロペンチル−１５ビニルペンタシクロ−［９．５．１．１^３，９．１^５，１５．１^７，１３］オクタシロキサン、またはそれらの組み合わせを含む請求項４１に記載のリソグラフィー法。
リソグラフィー記録媒体が請求項２０に記載の化学増幅型ポリマーレジストを含む、極紫外リソグラフィー法。
光酸発生成分を含むリソグラフィー用ポリマーレジスト。
前記光酸発生成分が、スルホニウム化合物、イオニウム化合物、またはそれらの組み合わせを含む請求項４８に記載のリソグラフィー用ポリマーレジスト。
前記光酸発生成分が［ｐ−ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）Ｃ（Ｏ）ＯＣ_６Ｈ_４ＳＭｅ_２］ＯＳＯ_２ＣＦ_３を含む請求項４８に記載のリソグラフィー用ポリマーレジスト。
リソグラフィー記録媒体が請求項４８に記載のポリマーレジストを含む、リソグラフィー法。
多面体オリゴシルセスキオキサンジシラノール成分と、
ポリアセタール成分と、
を含むポリマーレジスト。
前記多面体オリゴシルセスキオキサンジシラノール成分が、ジシラノールシクロペンチルＰＯＳＳ（Ｓｉ_８Ｏ_１１（ｃ−Ｃ_５Ｈ_９）_８（ＯＨ）_２）、ジシラノールイソブチルＰＯＳＳ（Ｓｉ_８Ｏ_１１（ｉ−Ｃ_４Ｈ_９）_８（ＯＨ）_２）、またはジメチルフェニルジシラノールシクロペンチルＰＯＳＳ（Ｓｉ_８Ｏ_９（ｃ−Ｃ_５Ｈ_９）_７（ＯＳｉＭｅ_２Ｐｈ）（ＯＨ）_２）、またはそれらの組み合わせを含む請求項５２に記載のポリマーレジスト。
前記ポリアセタール成分が、ハロゲン置換ケトンまたはアルデヒドのポリマーを含む請求項５２に記載のポリマーレジスト。
前記ポリアセタール成分が、ヘキサフルオロアセトン、トリフルオロアセトン、ヘキサクロロアセトン、トリクロロアセトン、トリフルオロアセトアルデヒド、トリクロロアセトアルデヒド、チオカルボニルフルオリド、ヘキサフルオロチオアセトン、それらの混合物、およびそれらの誘導体、のポリマーを含む請求項５２に記載のポリマーレジスト。
リソグラフィー記録媒体が請求項５２に記載のポリマーレジストを含む、リソグラフィー法。
前記リソグラフィー法が１５７ｎｍ投影光リソグラフィー法である請求項５６に記載の。
請求項１４、３７、４１、５１、または５６のいずれか１項に記載のリソグラフィー法によって製造された集積回路。
リソグラフィー記録媒体が請求項１または１９に記載のレジストを含む、電子ビームリソグラフィー法。
リソグラフィー記録媒体が請求項１または１９に記載のレジストを含む、イオンビームリソグラフィー法。
リソグラフィー記録媒体が請求項１９または２０に記載の化学増幅型ポリマーレジストを含む、Ｘ線リソグラフィー法。